JPH05322973A - ウェハテスト方法 - Google Patents

ウェハテスト方法

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Publication number
JPH05322973A
JPH05322973A JP12506092A JP12506092A JPH05322973A JP H05322973 A JPH05322973 A JP H05322973A JP 12506092 A JP12506092 A JP 12506092A JP 12506092 A JP12506092 A JP 12506092A JP H05322973 A JPH05322973 A JP H05322973A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
test
pad
chip
meter reading
Prior art date
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Pending
Application number
JP12506092A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Shimatani
弘昭 島谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP12506092A priority Critical patent/JPH05322973A/ja
Publication of JPH05322973A publication Critical patent/JPH05322973A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 各々のチップに常に最適の針圧をかけること
ができるウェハテスト方法を得る。 【構成】 検針に対する前記パッドの位置を設定するス
テップと、前記検針に基づいて電気特性試験を行うステ
ップと、前記検針と前記パッドとの接触関係を前記電気
特性試験の結果から判断するステップと、前記接触関係
がオープンと判断されたときに前記パッドを前記検針に
所定値だけ接近させるステップと、前記接触関係がショ
ートと判断されたときに前記チップに対するウェハテス
トを実行するステップと、を含み、チップ毎に針圧を決
定するパッド位置(高さ)を求めてテストを実行する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はウェハ上の半導体デバ
イスを安定した状態で測定するウェハテスト方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体デバイスをウェハの状態で
テストを行う場合、検針をAlパッドに対して最適な針
圧で接触させて測定する必要がある。このため、ウェハ
上のあるチップ上で検針とAlパッドの距離を調整しな
がら電圧テストを行い、最適な針圧値を求めておき、こ
の針圧値を測定対象となるロッド(バッチ)に対する基
準値として用いてきた。
【0003】図3は一般的なウェハ検査装置を示す側面
図であり、図において、1は検針、2は半導体デバイス
(チップ)が形成されたウェハ、3はウェハ2上のチッ
プに対応したAlパッド、4はウェハ2が載置されたス
テージである。検針1はプローバ(図示せず)に固定さ
れ、ステージ4は上下にステップ移動可能となってい
る。
【0004】次に、従来のウェハテスト方法について説
明する。まず、ウェハ2上のあるチップを基準にする。
θメカ等でプローバに固定された検針1は、下向きに位
置決めされる。又、上下のステップ運動が可能なチャッ
ク即ちステージ4上に固定されたウェハ2は、ステージ
4を上下させることにより上下に位置決めされる。こう
して、ウェハ2上のチップのAlパッド3と検針1とが
ギリギリで接触する位置を電気特性試験で求める。
【0005】上記の方法で求められた位置から、ある一
定値だけステージ4を上げることで針圧として設定す
る。この針圧を、このロッド又はバッチ毎のウェハ2に
対する針圧として、ウェハテストを行う際に使用してい
る。すなわち、針圧はステージ4の高さで決定される。
【0006】しかしながら、図3に示したように、ロッ
ド内でウェハ2の厚さが異なる場合や、あるウェハの厚
さの面内分布が異なる場合、検針1とウェハ2の距離が
常に一定とはならない。従って、例えば針圧が不足する
ことが起こり、正常なテスト結果が得られないことがあ
ったり、また針圧が高いために、検針1でAlパッド3
を傷めることがある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のウェハテスト方
法では以上のように構成されているので、ウェハ2上の
各チップ毎に検針1の最適な針圧が得られず、テストの
信頼性が劣化したりウェハ2上のAlパッド3を傷める
おそれがあるという問題があった。
【0008】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、各々のチップに常に最適の針圧
をかけることができるウェハテスト方法を得ることを目
的とする。
【0009】この発明に係るウェハテスト方法は、検針
に対するパッドの位置を設定するステップと、検針に基
づいて電気特性試験を行うステップと、検針とパッドと
の接触関係を電気特性試験の結果から判断するステップ
と、接触関係がオープンと判断されたときにパッドを検
針に所定値だけ接近させるステップと、接触関係がショ
ートと判断されたときにチップに対するウェハテストを
実行するステップと、を含むものである。
【0010】この発明において、電気特性試験の結果に
基づいて、測定対象チップに対する検針の針圧を自動的
に最適化する。
【0011】
【実施例】以下、この発明の実施例1を図1及び図2に
従って説明する。図2は検針1とウェハ2との関係を示
す説明図であり、1〜4は前述と同様のものである。D
はステージ4即ちウェハ2の基準面、aはウェハ2の上
下動調整時の最適高さ、bはステージ4の上下動許容範
囲、cは最適針圧を得るための上方移動距離、eは調整
前のウェハ2の下方高さである。
【0012】まず、最初のチップを対象として使い、ウ
ェハ2と共にステージ4を例えば高さeから上昇させ針
圧テストを行う(ステップS1)。即ち、電気特性試験
を行いながらステージ4の高さを変えていき、最適な高
さaを求める。このとき、最適高さaから、ステージ4
の上下する距離のリミット値bを考慮した範囲(a±
b)を設定値とする(図2参照)。
【0013】次にチップのテストのために、ステージ4
はAlパッド3が検針1に接触する程度の高さa+cに
設定される。続いて、ステージ4が設定値a+b以内と
判定され(ステップS2)、この高さa+cから、電気
特性試験例えば電圧試験を行い(ステップS3)、ショ
ートかオープンか判定する(ステップS4)。もし、検
針1が非接触でオープンであれば、ステージ4の高さを
所定値αだけ上げ(ステップS5)、ステップS2に戻
る。
【0014】以下、同様に設定値a+b以内であること
を判定し、電気特性試験を行う(ステップS3)。この
とき、ステップS4においてオープンと判定された場
合、さらにステージをαだけ上げ(ステップS5)、電
気特性試験を行い(ステップS3)、ショート/オープ
ンの判定(ステップS4)を行い、ショートと判定され
るまでくり返す。もし、ステップS2においてステージ
4の高さがリミット値の範囲外となれば、異常判定して
テストストップする(ステップS6)。
【0015】ステップS4においてショートと判定され
ると、ウェハテストを開始する(ステップS7)。この
テストが終わると(ステップS8)、次のチップへイン
デックスし(ステップS9)、また、ステージ4をaの
高さに下げる(ステップS10)。以下、ステップS1
に戻り、同様に電気特性試験(ステップS2)でオープ
ン/ショートを判定する(ステップS4)。また、ステ
ージ4の高さがリミット値の範囲外の場合、テストを中
止し(ステップS6)、ステージ4の高さをaに戻し
て、次のチップのテストを続ける。
【0016】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば検針に
対するパッドの位置を設定するステップと、検針に基づ
いて電気特性試験を行うステップと、検針とパッドとの
接触関係を電気特性試験の結果から判断するステップ
と、接触関係がオープンと判断されたときにパッドを検
針に所定値だけ接近させるステップと、接触関係がショ
ートと判断されたときにチップに対するウェハテストを
実行するステップと、を含み、電気特性試験の結果に基
づいて、測定対象チップに対する検針の針圧を自動的に
最適化するようにし、チップ毎に針圧の高さを求めてテ
ストできるようにしたので、常に最適な針圧でテストが
できるウェハテスト方法が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1によるウェハテストを示す
フロー図である。
【図2】この発明の実施例1によるステージと検針の関
係を示す説明図である。
【図3】従来のウェハテスト方法によるウェハの厚さが
不均一な場合のウェハテスト状態を示す側面図である。
【符号の説明】
1 検針 2 ウェハ 3 パッド a 設定位置 α 所定値

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 テスト用の検針をチップ上のパッドに接
    触させて前記チップをウェハ状態で検査するウェハテス
    ト方法において、前記検針に対する前記パッドの位置を
    設定するステップと、前記検針に基づいて電気特性試験
    を行うステップと、前記検針と前記パッドとの接触関係
    を前記電気特性試験の結果から判断するステップと、前
    記接触関係がオープンと判断されたときに前記パッドを
    前記検針に所定値だけ接近させるステップと、前記接触
    関係がショートと判断されたときに前記チップに対する
    ウェハテストを実行するステップと、を含むことを特徴
    とするウェハテスト方法。
JP12506092A 1992-05-18 1992-05-18 ウェハテスト方法 Pending JPH05322973A (ja)

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