JPH0828408B2 - 半導体ウエハ測定方法 - Google Patents
半導体ウエハ測定方法Info
- Publication number
- JPH0828408B2 JPH0828408B2 JP2417697A JP41769790A JPH0828408B2 JP H0828408 B2 JPH0828408 B2 JP H0828408B2 JP 2417697 A JP2417697 A JP 2417697A JP 41769790 A JP41769790 A JP 41769790A JP H0828408 B2 JPH0828408 B2 JP H0828408B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- needle
- semiconductor wafer
- measurement
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウエハ測定方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体ウエハ測定装置は、まずウ
エハ内に同一チップが数百個存在しているうちの１個の
チップに対し、オペレーターがチップ内の電極パッドに
プローブカード針を接触させて適正な位置であることを
オペレータが顕微鏡、モニターテレビ等で確認し、その
後、半導体ウエハプロービング装置の機械精度（自動認
識装置の精度も含む）とチップの繰り返し精度のみを信
頼し、該電極パッドにプローブカード針が接触されてい
るという仮定で、プローブカード針と接続されているテ
スターでチップの良否を判定している。
エハ内に同一チップが数百個存在しているうちの１個の
チップに対し、オペレーターがチップ内の電極パッドに
プローブカード針を接触させて適正な位置であることを
オペレータが顕微鏡、モニターテレビ等で確認し、その
後、半導体ウエハプロービング装置の機械精度（自動認
識装置の精度も含む）とチップの繰り返し精度のみを信
頼し、該電極パッドにプローブカード針が接触されてい
るという仮定で、プローブカード針と接続されているテ
スターでチップの良否を判定している。
【０００３】上述の判定作業により当該チップが不良チ
ップであると判定された時点では、該チップが真実不
良であるのか、半導体ウエハプローバ自身の機械精度
が悪くてプローブカード針の接触がパッド面よりずれ、
チップの他の配線部に触れて不良と判定されたのか、
プローブカード針が悪いのか、いずれとも判別すること
が出来ない。
ップであると判定された時点では、該チップが真実不
良であるのか、半導体ウエハプローバ自身の機械精度
が悪くてプローブカード針の接触がパッド面よりずれ、
チップの他の配線部に触れて不良と判定されたのか、
プローブカード針が悪いのか、いずれとも判別すること
が出来ない。
【０００４】このような理由により連続的に不良が続い
た場合は、不良チップが続く前のチップに戻し、再度プ
ローブカード針を前に戻したチップに接触させて試験を
やり直している。このように自動式の半導体ウエハプロ
ーバを用いる測定でありながら、より多くの人員を介在
させて試験を行っているのが実情である。
た場合は、不良チップが続く前のチップに戻し、再度プ
ローブカード針を前に戻したチップに接触させて試験を
やり直している。このように自動式の半導体ウエハプロ
ーバを用いる測定でありながら、より多くの人員を介在
させて試験を行っているのが実情である。
【０００５】このような誤った測定は良品と不良品とを
判定するための正確さを期する測定としてはあってはな
らないものである。
判定するための正確さを期する測定としてはあってはな
らないものである。
【０００６】又、半導体ウエハのチップの試験におい
て、特に、高集積度が進む今日、電極パッドが小さくな
り、該電極パッド内にぎりぎりの条件でプローブカード
針が接触して良品として判定されるチップが存在する。
そのうえ、電極パッドの表面には自然酸化膜が形成され
ており、この膜をその都度プローブカード針で破ってコ
ンタクトを取るため、オーバードライブをかけているが
このオーバードライブも最大限にはかけられず高集積度
にされればされる程、このように誤検査が多々発生して
いた。
て、特に、高集積度が進む今日、電極パッドが小さくな
り、該電極パッド内にぎりぎりの条件でプローブカード
針が接触して良品として判定されるチップが存在する。
そのうえ、電極パッドの表面には自然酸化膜が形成され
ており、この膜をその都度プローブカード針で破ってコ
ンタクトを取るため、オーバードライブをかけているが
このオーバードライブも最大限にはかけられず高集積度
にされればされる程、このように誤検査が多々発生して
いた。
【０００７】このようなチップもウエハ状から個々に切
離してパッケージングすることにより、集積回路（Ｉ
Ｃ）製品となるが、前述のようにぎりぎりの条件で良品
とされたチップは使用している集積回路製品に良品とし
ての余裕がなく、他の良品で製造された集積回路製品と
比べて早期に故障を起こし実質的に不良品に近く、よっ
て、信頼性の低下につながる欠点があった。
離してパッケージングすることにより、集積回路（Ｉ
Ｃ）製品となるが、前述のようにぎりぎりの条件で良品
とされたチップは使用している集積回路製品に良品とし
ての余裕がなく、他の良品で製造された集積回路製品と
比べて早期に故障を起こし実質的に不良品に近く、よっ
て、信頼性の低下につながる欠点があった。
【０００８】これを防止するためウエハプローバでウエ
ハ試験終了後は全ウエハのチップ、もしくは、抜き取り
により決められたチップは、オペレータによって顕微
鏡、モニターテレビ等で拡大することによりパッドの針
跡を観測され、その結果、プローブカード針とパッドは
適切な位置で接触されていると判断されると、このウエ
ハは良品のウエハであると決定される。
ハ試験終了後は全ウエハのチップ、もしくは、抜き取り
により決められたチップは、オペレータによって顕微
鏡、モニターテレビ等で拡大することによりパッドの針
跡を観測され、その結果、プローブカード針とパッドは
適切な位置で接触されていると判断されると、このウエ
ハは良品のウエハであると決定される。
【０００９】しかしながら、かかる作業には大勢の目視
のためのオペレータが必要であり、又、チップの良、否
の判定をオペレータの目に依存しているので、オペレー
タによる目視のバラツキによりこれを正確に行うことが
困難であるという難点があった。
のためのオペレータが必要であり、又、チップの良、否
の判定をオペレータの目に依存しているので、オペレー
タによる目視のバラツキによりこれを正確に行うことが
困難であるという難点があった。
【００１０】この発明の目的は上述従来技術に基づく問
題点に対処してなされたものであって、測定時のプロー
ブ針の電極パッドとの接触状況を測定後時に併せて判別
出来るようにした半導体ウエハ測定方法を提供せんとす
るものである。
題点に対処してなされたものであって、測定時のプロー
ブ針の電極パッドとの接触状況を測定後時に併せて判別
出来るようにした半導体ウエハ測定方法を提供せんとす
るものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体ウエハ
測定方法は被測定半導体ウエハ内の各チップの電極パッ
ドについてプローブ針を順次接触させて電気的測定を行
う工程と、この工程により測定後の半導体ウエハの中の
チップについて針跡を観察する工程と、この工程により
上記測定中プローブ針、及び、チップの電極パッドが適
切な接触であったかどうか判断する工程とを具備してな
る技術的手段を講じたものである。
測定方法は被測定半導体ウエハ内の各チップの電極パッ
ドについてプローブ針を順次接触させて電気的測定を行
う工程と、この工程により測定後の半導体ウエハの中の
チップについて針跡を観察する工程と、この工程により
上記測定中プローブ針、及び、チップの電極パッドが適
切な接触であったかどうか判断する工程とを具備してな
る技術的手段を講じたものである。
【００１２】
【作用】この発明の半導体ウエハ測定方法はプローブ針
をチップの電極パッドに接触させて測定し該測定時のチ
ップを検出し、このチップのパッドに対するプローブ針
の針跡からプローブ針の電極パッドに対する電気的接触
状況を測定して、この検査結果から検査の可否を決定す
るため、不良検査時間を減少させると共に半導体ウエハ
検査結果の信頼性が向上するばかりでなく、良品を不良
品と判定する誤検査を減少させ歩留りを向上させるよう
にする。
をチップの電極パッドに接触させて測定し該測定時のチ
ップを検出し、このチップのパッドに対するプローブ針
の針跡からプローブ針の電極パッドに対する電気的接触
状況を測定して、この検査結果から検査の可否を決定す
るため、不良検査時間を減少させると共に半導体ウエハ
検査結果の信頼性が向上するばかりでなく、良品を不良
品と判定する誤検査を減少させ歩留りを向上させるよう
にする。
【００１３】
【実施例】以下に、この発明の半導体ウエハ測定装置を
図１乃至図７を用いて説明する。
図１乃至図７を用いて説明する。
【００１４】図６の制御部１０の制御により測定機構１
１の載置台３をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、及び、Ｚ軸芯におけ
る周方向に駆動機構（系）１２で移動（Ｘ軸方向にＬ、
Ｙ軸方向にＳ）させ、ウエハ１を位置決めした後、図２
に示す載置台３に被測定半導体ウエハ１を真空吸着して
仮固定する。次に、図６に示す制御部１０の制御でプロ
ーブカード針２をチップ４のパッド５上に接触させ、当
該チップ４の電気的な特性をテスタ１５で測定する。こ
の時、図４に示す様に、プローブカード針２が該チップ
４上に接触して電極パッド５に針跡Ｒを付与する。この
ようにして当該半導体ウエハ１の全チップ４につき測定
する。次に、測定が終了したウエハ１についてこの針跡
Ｒが付加されたチップ４を図６に示した認識装置１３で
認識する位置Ｐに図１に示す様に移動する。この移動は
制御部（系）１０の指示により駆動機構１２、即ち、載
置台３を動かす図示しないＸ軸、Ｙ軸用モータにより指
定された位置まで移動させる。
１の載置台３をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、及び、Ｚ軸芯におけ
る周方向に駆動機構（系）１２で移動（Ｘ軸方向にＬ、
Ｙ軸方向にＳ）させ、ウエハ１を位置決めした後、図２
に示す載置台３に被測定半導体ウエハ１を真空吸着して
仮固定する。次に、図６に示す制御部１０の制御でプロ
ーブカード針２をチップ４のパッド５上に接触させ、当
該チップ４の電気的な特性をテスタ１５で測定する。こ
の時、図４に示す様に、プローブカード針２が該チップ
４上に接触して電極パッド５に針跡Ｒを付与する。この
ようにして当該半導体ウエハ１の全チップ４につき測定
する。次に、測定が終了したウエハ１についてこの針跡
Ｒが付加されたチップ４を図６に示した認識装置１３で
認識する位置Ｐに図１に示す様に移動する。この移動は
制御部（系）１０の指示により駆動機構１２、即ち、載
置台３を動かす図示しないＸ軸、Ｙ軸用モータにより指
定された位置まで移動させる。
【００１５】このような操作により図６で示す既に記憶
（メモリ）部１４に記憶されている指定面積（条件）Ｑ
の読み出し情報と、図４に示した現実に上記手段により
付加された針跡を位置Ｐで認識装置１３により認識する
ことにより得られ、付加されたプローブ針２の針跡Ｒの
面積とを比較する。その際、図４に示す様に指定面積Ｑ
内に針跡Ｒがあり、この針跡Ｒの面積が予め定められた
許容範囲内である場合には、プローブカード針２と電極
パッド５との接触は適切であると認識装置１３で判断す
る。この結果を記憶部１４に記憶する。判断の情報が
「適切な接触」の場合は上記測定結果を検査結果として
判断する。
（メモリ）部１４に記憶されている指定面積（条件）Ｑ
の読み出し情報と、図４に示した現実に上記手段により
付加された針跡を位置Ｐで認識装置１３により認識する
ことにより得られ、付加されたプローブ針２の針跡Ｒの
面積とを比較する。その際、図４に示す様に指定面積Ｑ
内に針跡Ｒがあり、この針跡Ｒの面積が予め定められた
許容範囲内である場合には、プローブカード針２と電極
パッド５との接触は適切であると認識装置１３で判断す
る。この結果を記憶部１４に記憶する。判断の情報が
「適切な接触」の場合は上記測定結果を検査結果として
判断する。
【００１６】同様にして図５に示す様に、既に記憶部１
４に設定してある指定面積（条件）Ｑ内に現実に付加し
た針跡Ｒが位置していないと認識装置１３で判断された
場合にはプローブカード針２とパッド５とは「不適切な
接触」であると認識装置１３で判断する。
４に設定してある指定面積（条件）Ｑ内に現実に付加し
た針跡Ｒが位置していないと認識装置１３で判断された
場合にはプローブカード針２とパッド５とは「不適切な
接触」であると認識装置１３で判断する。
【００１７】このような工程を図７のフローチャートに
よって説明すると、まず測定機構の載置台３にウエハを
セットし、該載置台３を移動させて各チップ毎にプロー
ブ針を接触させる（ａ）。その際、各チップの電極パッ
ド５に針跡が付加される（ｂ）。
よって説明すると、まず測定機構の載置台３にウエハを
セットし、該載置台３を移動させて各チップ毎にプロー
ブ針を接触させる（ａ）。その際、各チップの電極パッ
ド５に針跡が付加される（ｂ）。
【００１８】次いで、各チップ毎にテスタ１５を介して
通常の電気的測定を行った後（ｃ）、針跡を付加したチ
ップ４をチェックする（ｄ）。そして、上記載置台３を
移動させてチップ４を認識装置１３上に位置させて不良
チップを所定個数以上検出する（ｅ）。そして、プロー
ブカード針２と電極パッド５との各チップ４毎の接触状
態により上記接触が適切か不適切かを判断する。
通常の電気的測定を行った後（ｃ）、針跡を付加したチ
ップ４をチェックする（ｄ）。そして、上記載置台３を
移動させてチップ４を認識装置１３上に位置させて不良
チップを所定個数以上検出する（ｅ）。そして、プロー
ブカード針２と電極パッド５との各チップ４毎の接触状
態により上記接触が適切か不適切かを判断する。
【００１９】
【発明の効果】この発明の半導体ウエハ測定方法は半導
体ウエハに形成されている全半導体チップの電気的測定
に併せてチップのパッドに対する針跡から測定時のプロ
ーブ針と電極パッドとの接触状況を確認するので数百個
に亘って全てのチップのパッドに針跡を付加した後、従
来ならオペレータによって顕微鏡、モニターテレビ等で
拡大した当該チップ内のパッドの針跡を目視検査する無
駄があったが、この発明ではこのような無駄を除去出
来、したがって、針跡の検査を折込みながら試験するこ
とにより、半導体ウエハプローバの信頼性の向上は図り
知れないものがあり、接触不良による測定ミスが検査不
良につながるのを防ぐことが出来、検査の信頼性が大幅
に向上する。
体ウエハに形成されている全半導体チップの電気的測定
に併せてチップのパッドに対する針跡から測定時のプロ
ーブ針と電極パッドとの接触状況を確認するので数百個
に亘って全てのチップのパッドに針跡を付加した後、従
来ならオペレータによって顕微鏡、モニターテレビ等で
拡大した当該チップ内のパッドの針跡を目視検査する無
駄があったが、この発明ではこのような無駄を除去出
来、したがって、針跡の検査を折込みながら試験するこ
とにより、半導体ウエハプローバの信頼性の向上は図り
知れないものがあり、接触不良による測定ミスが検査不
良につながるのを防ぐことが出来、検査の信頼性が大幅
に向上する。
【図１】この発明の１実施例の模式概略図である。
【図２】載置台とウエハとプローブ針の模式取り合い断
面図である。
面図である。
【図３】パッドのチップの指定面積の模式平面図であ
る。
る。
【図４】同、チップに於けるプローブ針跡の適切な場合
の模式平面図である。
の模式平面図である。
【図５】同、不適切な場合の模式平面図である。
【図６】同、機構図である。
【図７】同、フローチャート図である。
１ 半導体ウエハ ２ プローブカード針 ３ 載置台 ４ チップ ５ パッド １０ 制御部 １１ 測定機構 １２ 駆動機構 １３ 認識装置 １４ 記憶部 １５ テスタ Ｑ 指定面積 Ｒ 針跡
Claims (1)
- 【請求項１】被測定半導体ウエハ内の各チップの電極パ
ッドについてプローブ針を順次接触させて電気的測定を
行う工程と、この工程により測定後の半導体ウエハの中
のチップについてパッドに対するプローブ針の針跡の面
積が予め設定された面積の許容範囲に在るか否かを観察
する工程と、この工程により上記測定中プローブ針、及
び、チップの電極パッドが適切な接触であったかどうか
判断する工程とを具備してなることを特徴とする半導体
ウエハ測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2417697A JPH0828408B2 (ja) | 1990-12-15 | 1990-12-15 | 半導体ウエハ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2417697A JPH0828408B2 (ja) | 1990-12-15 | 1990-12-15 | 半導体ウエハ測定方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58132179A Division JPS6024030A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 半導体ウエハ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151528A JPH06151528A (ja) | 1994-05-31 |
| JPH0828408B2 true JPH0828408B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=18525762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2417697A Expired - Lifetime JPH0828408B2 (ja) | 1990-12-15 | 1990-12-15 | 半導体ウエハ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828408B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58121638A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-20 | Nec Home Electronics Ltd | ウエ−ハプロ−バ用検針のチエツク方法 |
| JPS6024030A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Telmec Co Ltd | 半導体ウエハ測定方法 |
-
1990
- 1990-12-15 JP JP2417697A patent/JPH0828408B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06151528A (ja) | 1994-05-31 |
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