JPH05323284A - 強誘電液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 透過光量のゆらぎを防止し、諧調表示を安定
化させる。 【構成】 強誘電液晶表示装置において、各走査電極に
対して順次選択信号を印加し、かつこれと同期させて各
信号電極に情報信号を印加して強誘電液晶の配向状態を
変化させるとともに、選択信号が印加されていないとき
の各走査電極に対しては、各信号電極に印加される情報
信号の最大幅のパルスに同期させて強誘電液晶の透過光
量を減少させる極性の信号パルスを非選択信号として印
加する。あるいは、電極基板の対向する電極各交差部の
液晶層に電位勾配を有する電圧を印加して液晶を駆動す
る強誘電液晶表示装置において、その勾配の方向と、カ
イラル・スメクチック相における強誘電液晶層の層法線
方向の電極基板上への投影成分とがほぼ垂直となるよう
にする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は強誘電液晶を用いた表示
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】強誘電液晶（以下、ＦＬＣともいう）を
用いた表示素子に関しては、特開昭６１−９４０２３号
公報などに示されるように、透明電極を形成し配向処理
を施した２枚のガラス基板を１〜３μｍ位のセルギャッ
プを保って向かい合わせて構成した液晶セルに強誘電液
晶を注入したものが知られている。強誘電液晶を用いた
上記表示素子の特徴は、強誘電液晶が有する自発分極と
外部電界との結合力をスイッチングに使えること、およ
び、強誘電液晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と
１対１に対応しているため外部電界の極性によってスイ
ッチングを行えることである。強誘電液晶としては一般
にカイラル・スメクチック液晶（ＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊）
を用いるため、バルク状態では液晶分子長軸がねじれた
配向を示すが、上述の１〜３μｍ位のセルギャップのセ
ル内に配置することによって、液晶分子長軸のねじれを
解消することができる（Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫ ｅｔ ａ
ｌ，ＭＣＬＣ（１９８３，Ｖｏｌ．９４，Ｐ２１３−Ｐ
２３４））。

【０００３】実際の強誘電液晶セルは、例えば、図２に
示すような単純マトリックス基板を用いて構成される。
同図（ａ）は、セルの断面図であり、図中、２１はガラ
ス基板、２２はガラス基板２１上に形成されたＩＴＯの
ストライプ電極、２３はストライプ電極２２上に形成さ
れた二酸化ケイ素の絶縁膜、２４は絶縁膜２３上に形成
されたポリイミドの配向膜、２５はシーリング部材、２
６はシーリング部材２５によってセル内に封入された強
誘電液晶である。同図（ｂ）は基板２１上に形成したス
トライプ電極２２の様子を模式的に示す平面図である。

【０００４】また、ＦＬＣを用いた階調表示方法として
は、画素を分割して独立に駆動する方法（ディザ方
式）、画素内で電位勾配を生じさせて表示領域を分割
させる方法（電位勾配法）、単安定状態の液晶に一方
向の電界を印加し、その電界強度により液晶分子長軸方
向の変位をコントロールしようとする方法、画素内で
の液晶層の厚さを変化させることにより液晶層に印加さ
れる電界強度を変化させて階調表示を行う方法などが提
案されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＦＬＣ
を用いる階調表示方法のうち、前記のディザ方式を除
く他の方法は、諧調情報としてパルス巾もしくは電圧値
を使用するので、階調レベルが異なると、情報信号とし
ては異なるパルス巾または電圧値を有することになる。
そして、外部より印加された電界と、その液晶層内有す
る自発分極との結合トルクによりＦＬＣの分極方向が反
転するが、その際に液晶分子軸の移動を伴う。このと
き、外部電場が印加されてから分子の動き始めるまでの
時間は通常のネマチック液晶などと比較して非常に早
く、自発分極の大きさ、外場の大きさ、粘性の大きさな
ど種々の要因にもよるが、マイクロ秒のオーダーであ
る。また、ＳＳＦＬＣのスイッチング（自発分極の方向
が異なる２つの状態間のスイッチング）においては、一
定の閾値が存在するが、閾値以下のパルス電圧を与えて
も、分子はゆらぎを生じる。この場合、閾値を越えてい
ないので、パルス除去後は、パルス印加前の安定状態に
戻るが、その分子のゆらぎプロセスは、液晶層の透過光
量に変化を与える。その変化量が階調情報により異なる
ことになる。

【０００６】この問題点を図３によって説明する。図３
において、３０１は白表示、３０２および３０３は黒表
示、３０４は５０％の階調表示をリフレッシュ走査で表
示している部分を示す。３０５は現在走査している走査
線を示す。つまり、液晶パネルの左半分は白の情報信号
が印加され、右半分は５０％の階調情報信号が印加され
ている。図４のａはこの白情報信号の例、ｂは５０％階
調の情報信号の例を示す波形図である。白の情報信号ａ
は交流波形であるのに対し、５０％階調の情報信号ｂは
共通電位レベルである。ここでは説明のため、極端な例
を示したが、若干でも電圧レベルに差があれば、程度の
差があっても次に示すのと同じ現象が生じる。

【０００７】このような状況でパネルの表示品位はどう
なるのかを考えると、パネルの左半分は情報信号ａによ
って非選択部でも液晶分子のゆらぎを生じるのに対し、
右半分は情報信号ｂが入力されるのでまったくゆらぎを
生じない。そのため、本来同じ階調レベルを表示してい
るはずの領域３０２および３０３のレベルが大きく異な
って見えてしまうのである。例えば、画素内に白と黒の
ドメインを混在させて階調表示を行う場合、そのドメイ
ン・ウォールの位置がマルチプレックス駆動時の半選択
時や非選択時に変動して表示階調レベルが変わったり、
またはドメイン・ウォールの位置を変動しないまでも、
半選択時に光量のゆらぎを発生することによって、著し
く階調表示品位を低下させる。

【０００８】本発明の目的はこのような従来技術の問題
点に鑑み、強誘電液晶素子において透過光量のゆらぎを
防止し、階調表示を安定化させることにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明では、相互に交差するように対向させて配置した
走査電極群と信号電極群、これら電極群にそれぞれ走査
信号および情報信号を印加する信号印加手段、ならび
に、これらの信号に応じて両電極群間に形成される電界
により配向状態が変化する強誘電液晶を備えた強誘電液
晶表示装置において、信号印加手段は各走査電極に対し
て順次選択信号を印加し、かつこれと同期させて各信号
電極に情報信号を印加して強誘電液晶の配向状態を変化
させるとともに、選択信号が印加されていないときの各
走査電極に対しては、各信号電極に印加される情報信号
の最大幅のパルスに同期させて強誘電液晶の透過光量を
減少させる極性の信号パルスを非選択信号として印加す
るようにしている。

【００１０】あるいはまた、対向する２つの電極基板、
およびその間に配置した強誘電液晶を備え、その電極基
板の対向する電極各交差部の液晶層に電位勾配を有する
電圧を印加して液晶を駆動する強誘電液晶表示装置にお
いて、その勾配の方向と、カイラル・スメクチック相に
おける強誘電液晶層の層法線方向の電極基板上への投影
成分とがほぼ垂直となるようにしている。ここで、スメ
クチック相は、スメクチックＡ相、スメクチックＣ^* 相
などである。

【００１１】

【作用】強誘電液晶装置は通常、その強誘電液晶が光軸
の異なる２つの安定状態を有しこのうち１つの状態の透
過光量が最小になるように２枚の偏光子を備えている。
この状態を黒とする。黒状態から、電界の印加により他
の状態にスイッチングすると、分子の光軸がずれるた
め、透過光量が増加する。この状態を白とする。この黒
また白の状態において、図３の部分３０１および３０４
に対する情報信号のような異なる情報信号が印加される
と、その黒また白の状態が若干異なる階調に見えてしま
う。このような情報信号の種類による液晶分子のゆらぎ
の差が表示特性に影響しているのである。

【００１２】しかしながら、本発明では、非走査状態に
ある走査電極に前記非選択信号を印加するようにしてい
るため、液晶層に印加される情報信号との合成信号のパ
ルス巾が実質的に短くなり、液晶分子のゆらぎが抑制さ
れる。すなわち、強誘電液晶層に一定の電界が印加され
たときの光量の増加は時間に比例せず、逓増するという
特性があるため、パルス巾を短くすると、液晶分子のゆ
らぎの抑制に大きな効果がある。

【００１３】階調表示をする場合には情報信号のパルス
巾や電圧値が変化するのであるが、非選択信号は一定値
にしておいても、合成信号のパルス巾が情報信号の最大
パルス巾の１／３以下であるという条件があれば、液晶
分子のゆらぎの抑制には大きな効果がある。また、この
ような非選択信号の走査線上への印加のタイミングは情
報信号の最大パルス巾のパルスに同期（重畳）するのが
効果的である。

【００１４】さらに、このような情報信号の種類による
ゆらぎが階調レベルにおよぼす影響は白側のゆらぎを生
じる極性のパルスによるものの方が大きい。従って、実
施例２で説明するように、白方向の情報信号に対しての
み非選択パルスを入力するようにしても効果がある。

【００１５】一方、電極各交差部に形成される画素の液
晶層に印加される電圧に勾配を有する前記電位勾配法に
よれば、図１０（ａ）に例示するような画素が構成され
る。図中、４１と４２は高低抗体薄膜４７を挟んで画素
を構成する金属電極であり、電極４１の電位を電極４２
により高く保つことによって電極４１から電極４２方向
へ高低抗体４７を介して電流が流れ、画素内の電位は電
極４１から４２に向かって連続的な勾配を形成する。強
誘電性液晶に印加される電界は透明電極４９と高低抗体
４７との間の電位差に比例する。従って、画素内にドメ
イン・ウォールを形成して階調表示を行なうときには、
透明電極４９に印加する電位を変化させることによって
画素内の電位差の分布がコントロールされる。すなわ
ち、強誘電液晶を表面安定化状態（ＳＳＦＬＣ）で動作
させる場合には、１つの安定状態から他の安定状態へス
イッチングさせるために、一定値Ｅｔｈ以上の電界を印
加させる必要があり、このスイッチング閾値は印加時間
が一定のときは、電界強度のみによって、決定されるた
め、図１０（ａ）の方式においては画素内の電界強度を
透明電極４９に印加する電位のコントロールにより制御
して強誘電液晶の反転面積を制御する。

【００１６】このとき、上下電極基板のラビング方向を
矢印４１１および４１２で示す方向として、画素内に形
成される電位勾配の方向と一致させることにより、シェ
ブロン面４１０を有するカイラル・スメクチックＣ^* 相
の層構造が得られる。このような層構造は一般にシェブ
ロン（ｃｈｅｖｒｏｎ）構造と呼ばれている。シェブロ
ン構造における層の傾斜方向は２種類あると考えられ、
また、存在する。すなわち、液晶層中央部での層の不連
続部分がラビング方向に対して、凸形状になったものと
凹形状になったものの２種類が存在する。しかし、いず
れの層構造であっても、画素内でのドメイン・ウォール
の挙動として次のような現象を示す。

【００１７】図１０（ｂ）は画素内にドメイン・ウォー
ル４５を有した状態を示す。図中、黒ドメイン部４４お
よび白ドメイン部４３は強誘電性液晶の平均分子軸と２
枚の偏光子との位置関係で決定されるが、ここでは説明
の便宜上白および黒ドメイン部４３および４４を設定し
ておく。シェブロン構造を図１０（ａ）のように形成し
た場合、液晶パネルの線順走査時には図１０（ｂ）に示
すような表示乱れ部４６を生じる。具体的な動作として
は、黒消去して白書込みを行う場合に、白黒境界４５部
に表示乱れ部４６を生じる。

【００１８】このような表示乱れの発生は、スメクチッ
ク相の層構造に大きく依存しており、シェブロン面４１
０の単位法線ベクトル４１５の基板上への投影成分の方
向に電界強度の分布があると発生することがわかってい
る。したがって、画素内に形成される電位の勾配方向と
前記投影成分の方向とがほぼ垂直であれば、表示乱れが
抑制され、表示品位の低下が防止される。さらに、ベク
トル４１５の電極基板上への投影成分方向への電位勾配
の変動をゼロにするとさらに良好な表示が得られる。以
下、実施例に従って本発明を説明する。

【００１９】

【実施例】実施例１ 図８は本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の駆動
回路のブロック図を示す。図８において、１０１は液晶
セル、１０２は様々なレベルの電圧を出力できる駆動用
電源、１０３はセグメント側駆動ＩＣ、１０４はラッチ
回路、１０５はセグメント側シフトレジスタ、１０６は
コモン側駆動ＩＣ、１０７はコモン側シフトレジスタ、
１０８は画像情報発生装置、１０９はコントローラを表
している。

【００２０】この回路構成において、階調表示（複数の
電圧レベルを信号として供給）の方式としては、セグメ
ント側駆動ＩＣ内にＡＤコンバータを設け、ラッチ回路
を通して供給されるデジタルの階調信号（例えば４ビッ
トの場合、２⁴ ＝１６階調）をアナログ信号（１６通り
の情報信号）に変換して情報電極に印加する方式を採っ
ている。コモン側駆動ＩＣは、駆動用電源のアナログス
イッチによる分配方式で走査信号を形成する。なお、駆
動ＩＣ部に並列に容量を付設し、直接にアナログ信号を
情報電極に入力保持するようにしてもよい。

【００２１】図９は、液晶セル１０１の断面を示す。液
晶セル１０１を構成するには、下側のガラス基板１１１
上に所定形状にＵＶ硬化樹脂１１２を塗布した後、紫外
線照射により硬化させてセル厚を変化させ、更にその上
にＩＴＯ透明電極１１３を設ける。そして、ＩＴＯ透明
電極１１３上に絶縁層としてのＴａ₂ Ｏ₅ をスパッタ形
成した後、配向膜１１４として東レ社製ＬＰ−６４（商
品名）を塗布して下側の基板とする。一方、上側のガラ
ス基板１１１には、ＵＶ硬化樹脂１１２を塗布しない点
以外は下側の基板と同様の処置を施す。そして、上下基
板の配向膜にそれぞれ一定方向にラビング処理を施し下
側の基板とする。上下基板１１１の配向膜１１４に対
し、セルの表面から見て、上基板のラビング方向から下
基板のラビング方向へ約１０°右ねじの向きに回転する
ような関係となるように配向処理を施す。そして、表１
に示す物性を有する液晶Ａを用いる。セル厚の変化は
１．０〜１．４μｍであり、液晶の閾値は１１．５ｖｏ
ｌｔ／μｍであった。

【００２２】

【表１】

【００２３】図１は、図８の駆動回路における駆動信号
のタイミングチャートである。Ｓ１〜Ｓ４は走査信号、
Ｉは情報信号、１１はリセットパルス、１２は選択パル
ス、１３は非選択信号線に印加される非選択信号であ
る。

【００２４】１Ｈ〜４Ｈはそれぞれ走査信号Ｓ１〜Ｓ４
による選択時間を示している。非選択信号１３は３つの
パルス１３ａ，１３ｂおよび１３ｃから成り、非選択時
間内でＤＣ成分をキャンセルするように設定している。
情報信号Ｉは選択パルス１２と同期して入力され、それ
らの合成波形により書き込みが行われる。

【００２５】本発明の目的は、非選択時における光学的
ゆらぎを減少させることであるが、例えば、走査信号Ｓ
４に着目した場合の合成された電圧印加信号は信号Ｓ４
−Ｉであり、非選択時には、白方向極性のパルスＡおよ
び黒方向極性のパルスＢから成る。パルスＡもパルスＢ
も、情報信号Ｉのパルス巾よりも短くなっている。これ
に対し、従来の駆動波形では、図５に示すように、非選
択時における信号Ｓ４−ＩはパルスＡ（白方向パル
ス）、パルスＢ（黒方向パルス）とも情報信号Ｉのパル
ス巾と同じである。すでに説明したように、液晶の光学
応答は印加電圧が同じであればパルス巾の短い方が光量
変化が少ない。従って、図１に示す波形を用いることに
より、情報信号Ｉによるゆらぎを大巾に改善することが
できる。

【００２６】なお、図１におけるパルス巾および電圧値
は、Ｖ₁ ＝１５．０ｖｏｌｔ、Ｖ₂＝１０．０ｖｏｌ
ｔ、Ｖ_i ＝０〜６．１ｖｏｌｔ（階調レベルに応じて可
変）、△Ｔ₁ ＝１５μｓ、△Ｔ₂ ＝３０μｓ、△Ｔ₃ ＝
１０μｓ、△Ｔ₄ ＝５μｓ、△Ｔ₅ ＝６０μｓである。

【００２７】実施例２ 図７は本発明の第２の実施例に係る駆動信号の波形を示
す。実施例１との違いは、非選択信号１３の極性が、黒
方向の電界に固定されていることである。このような非
選択信号では、液晶層にＤＣ電圧を間欠的に与えること
になるが、液晶層と電極との間の絶縁膜を介して液晶
層中を流れる電流値を抑制したり、リフレッシュ駆動
を行わず書替え時のみ駆動したり、書込み時に一度消
去して再び黒消去する等の、ＤＣ電圧の印加に対するあ
る程度の補償をすれば、完全な補償を行わなくても、液
晶の急激な劣化を生じさせない。

【００２８】図７の信号波形におけるパルス巾および電
圧値は、Ｖ₁ ＝１５．０ｖｏｌｔ、Ｖ₂ ＝１０．０ｖｏ
ｌｔ、Ｖ_i ＝０〜６．１ｖｏｌｔ、△Ｔ₁ ＝１５μｓ、
△Ｔ ₂ ＝３０μｓ、△Ｔ₃ ＝１０μｓ、△Ｔ₄ ＝６０μ
ｓである。また、セル構造や液晶材料は、実施例１と同
様である。

【００２９】図６は、図７における信号Ｓ４−Ｉの電圧
パルスの時間変化を、図５の従来例の場合と比較した結
果を示す。図６（ａ）のＣＨ１は、図５における信号Ｓ
４−Ｉの波形であり、図６（ｂ）のＣＨ１は、図７にお
ける信号Ｓ４−Ｉの波形である。情報信号の電圧レベル
はともに４．７ｖｏｌｔとした。図６（ｃ）は、０ｖｏ
ｌｔの情報信号を印加したときのゆらぎ、すなわち、ゆ
らぎがない状態を示すが、これと図６（ａ），（ｂ）と
を比べ、差が大きい方が表示品質が劣る。比較結果はそ
れぞれＣＨ２に示される。これらの比較結果から、図７
における信号Ｓ４−Ｉの場合、ゆらぎが大巾に改善され
ていることがわかる。

【００３０】実施例３ 図１１は本発明の第３の実施例に係る液晶セルの走査信
号基板の電極構成を示す模式図である。図中、Ｓ
（Ｓ₁₁，Ｓ₁₂，Ｓ₂₁，Ｓ₂₂）は金属配線、２は高抵抗導
電膜、３は高抵抗導電膜３が形成されていない間隙部分
である。

【００３１】高抵抗導電膜２はスパッタリングによりガ
ラス基板上にＳｎＯ₂ 膜として形成され、そのシート抵
抗は、ほぼ１０⁷ Ω／□である。間隙部分３は、あらか
じめメタル・マスキングを基板上に施しておき、高抵抗
導電膜２形成後にメタル・マスキングをリフト・オフす
ることにより形成したものである。金属配線Ｓは高抵抗
導電膜２上にＣｒを用いてパターニングし、その上にＡ
ｌを約５０００Å積層したものである。

【００３２】４および５はそれぞれ１つの画素部分であ
り、それぞれ金属配線Ｓに挟まれている。すなわち、各
高抵抗導電膜２部分がそれぞれ１つの画素に対応する。
Ｓ₁₁およびＳ₁₂は画素４の給電端子（金属配線）、Ｓ₂₁
およびＳ₂₂は画素５の給電端子（金属配線）である。

【００３３】このような電極構成によって画素内に電界
強度の分布を形成して階調表示を行う方法を電位勾配法
と呼ぶ。これは、画素を挟む２つの金属配線の電位を異
ならせ、例えば端子Ｓ₂₁の電位Ｖ₁ と端子Ｓ₂₂の電位Ｖ
₂ との関係をＶ₁ ＞Ｖ₂ として画素内に電流を流すこと
により、端子Ｓ₂₁からＳ₂₂の方へ連続的に電極基板上に
電位勾配を形成する方法である。この基板を走査信号基
板（コモン側基板）として用いる。この電極基板の対向
側の電極基板である情報信号基板（セグメント側基板）
は、図２（ｂ）に示すような通常のＩＴＯ電極基板であ
る。

【００３４】図１２は、セル構成を示す模式図である。
図１２（ａ）に示すセグメント側基板に対し図１２
（ｂ）に示すコモン側基板を対向させて、図１２（ｃ）
に示すセルが構成される。その際、液晶の配向処理のた
めに、日立化成社の配向膜ＬＱ−１８０２を厚さ約３０
０Åに塗布形成して用いる。各基板のラビングは、相互
に平行となる方向に行い、図１１に示すように、上基板
のラビング方向４１１に対して、下基板のラビング方向
４１２が約６°右ネジ方向にずれるように各基板を対向
させてセルが構成される。セル厚は約１．２μｍであ
る。また、使用した液晶材料は前記表１に示すものであ
る。駆動回路は前記図８に示すものと同様である。

【００３５】図１３は図１１の電極構成の断面図および
画素５を書き込むときの電位配置を示す。このとき、画
素４両側の金属配線Ｓ₁₁，Ｓ₁₂は共に基準電位Ｖｃに給
電されおり、画素５の金属配線Ｓ₂₁は電位Ｖ₁ に、金属
配線Ｓ₂₂は電位Ｖ₂ に給電されている。また、実際のマ
トリックス駆動信号の波形は、図１４に示すものであ
り、ｓ₁₁，ｓ₁₂，ｓ₂₁，ｓ₂₂はそれぞれ、金属配線
Ｓ₁₁，Ｓ₁₂，Ｓ₂₁，Ｓ₂₂に印加される信号である。Ｖ₁
＝１８．８ｖｏｌｔ、Ｖ₂ ＝１３．８ｖｏｌｔ、パルス
巾は８０μｓであり、基準動作温度は２５°とする。液
晶の閾値は８０μｓのパルス印加で１１．５ｖｏｌｔ／
μｍである。Ａは画素情報のリセットパルス、Ｂおよび
Ｃはそれぞれ画素両端の金属配線に印加されるパルスで
ある。Ｉは，対向基板の電極に印加される情報信号であ
る。信号Ｉ中の各パルスの電位Ｖ_i ′，Ｖ_i ″はＶ_i ＝
±５ｖｏｌｔの電圧範囲に含まれている。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、所
定の非選択信号を情報信号に同期させて印加するように
したため、液晶分子のゆらぎを抑制し、階調表示時の表
示品質を向上させることができる。また、スメクチック
層の形成方向と電位勾配の形成方向を制御するようにし
たため、階調表示時のドメイン・ウォール周辺の不安定
性を軽減ないし除去することができ、より良好なドメイ
ン階調表示を達成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図８に示される駆動回路における駆動信号の
タイミングチャートである。

【図２】 強誘電液晶セルを構成する単純マトリックス
基板を示す模式図である。

【図３】 従来技術の問題点を説明するための説明図で
ある。

【図４】 白情報信号、および５０％階調の情報信号の
例を示す波形図である。

【図５】 従来例に係る駆動信号の波形図である。

【図６】 図７における信号Ｓ４−Ｉの電圧パルスの時
間変化を、図５の従来例の場合と比較した結果を示すタ
イミングチャートである。

【図７】 本発明の第２の実施例に係る駆動信号の波形
図である。

【図８】 本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の
駆動回路のブロック図である。

【図９】 図８における液晶セルの断面図である。

【図１０】 従来例に係る電位勾配法における問題点を
説明するための説明図である。

【図１１】 本発明の第３の実施例に係る液晶セルの走
査信号基板の電極構成を示す模式図である。

【図１２】 図１１の液晶セルのセル構成を示す模式図
である。

【図１３】 図１１の電極構成の断面図および画素を書
き込むときの電位配置を示す説明図である。

【図１４】 図１１の液晶セルに印加される実際のマト
リックス駆動信号の波形図である。

【符号の説明】

Ｓ１〜Ｓ４，ｓ₁₁，ｓ₁₂，ｓ₂₁，ｓ₂₂：走査信号、Ｉ：
情報信号、２：高抵抗導電膜、３：間隙部分、５：画
素、１１：リセットパルス、１２：選択パルス、１３：
非選択信号、２１：ガラス基板、２２：ＩＴＯのストラ
イプ電極、Ｓ（Ｓ₁₁，Ｓ₁₂，Ｓ₂₁，Ｓ₂₂）：金属配線、
１０１：液晶セル、１０２：駆動用電源、１０３：セグ
メント側駆動ＩＣ、１０４：ラッチ回路、１０５：セグ
メント側シフトレジスタ、１０６：コモン側駆動ＩＣ、
１０７：コモン側シフトレジスタ、１０８：画像情報発
生装置、１０９：コントローラ、１１１：ガラス基板、
１１３：ＩＴＯ透明電極、１１４：配向膜

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 相互に交差するように対向させて配置し
   た走査電極群と信号電極群、これら電極群にそれぞれ走
   査信号および情報信号を印加する信号印加手段、ならび
   に、これらの信号に応じて両電極群間に形成される電界
   により配向状態が変化する強誘電液晶を備えた強誘電液
   晶表示装置において、信号印加手段は各走査電極に対し
   て順次選択信号を印加し、かつこれと同期させて各信号
   電極に情報信号を印加して強誘電液晶の配向状態を変化
   させるとともに、選択信号が印加されていないときの各
   走査電極に対しては、各信号電極に印加される情報信号
   の最大幅のパルスに同期させて強誘電液晶の透過光量を
   減少させる極性の信号パルスを非選択信号として印加す
   るものであることを特徴とする強誘電液晶表示装置。
2. 【請求項２】 対向する２つの電極基板、およびその間
   に配置した強誘電液晶を備え、その電極基板の対向する
   電極各交差部の液晶層に電位勾配を有する電圧を印加し
   て液晶を駆動する強誘電液晶表示装置において、その勾
   配の方向と、カイラル・スメクチック相における強誘電
   液晶層の層法線方向の電極基板上への投影成分とがほぼ
   垂直であることを特徴とする強誘電液晶表示装置。
3. 【請求項３】 強誘電液晶はカイラル・スメクチック相
   においてシェブロン構造を呈するものである請求項２記
   載の強誘電液晶装置。
4. 【請求項４】 強誘電液晶のスメクチックＡ相における
   平均分子軸方向が前記電位勾配の方向とほぼ一致する請
   求項２記載の強誘電液晶表示装置。