JP2941987B2 - 液晶表示装置およびその駆動方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強誘電性液晶を用いた液
晶表示装置のマトリクス駆動方法に関し、階調表示を行
なう液晶表示装置およびその駆動方法に関する。
晶表示装置のマトリクス駆動方法に関し、階調表示を行
なう液晶表示装置およびその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電液晶（ＦＬＣ）を用いた表示素子
に関しては特開昭６１−９４０２３号公報などに示され
ている様に、１ミクロンから３ミクロン位のセルギャッ
プを保って２枚の内面に透明電極を形成し配向処理を施
したガラス基板を向かい合わせて構成した液晶セルに、
強誘電液晶を注入したものが知られている。
に関しては特開昭６１−９４０２３号公報などに示され
ている様に、１ミクロンから３ミクロン位のセルギャッ
プを保って２枚の内面に透明電極を形成し配向処理を施
したガラス基板を向かい合わせて構成した液晶セルに、
強誘電液晶を注入したものが知られている。
【０００３】強誘電液晶を用いた上記表示素子の特徴は
強誘電液晶が自発分極を持つことにより、外部電界と自
発分極の結合力をスイッチングに使えることと強誘電液
晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に対応
しているため外部電界の極性によってスイッチング出来
ることである。
強誘電液晶が自発分極を持つことにより、外部電界と自
発分極の結合力をスイッチングに使えることと強誘電液
晶分子の長軸方向が自発分極の分極方向と１対１に対応
しているため外部電界の極性によってスイッチング出来
ることである。
【０００４】強誘電液晶は一般にカイラル・スメクチッ
ク液晶（ＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊）を用いるので、バルク状
態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが上述の１ミ
クロンから３ミクロン位のセルギャップのセルにいれる
ことによって液晶分子長軸のねじれを解消することが出
来る。（Ｐ２１３−Ｐ２３４ Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫｅｔ
ａｌ，ＭＣＬＣ，１９８３，Ｖｏｌ９４．）実際の強
誘電液晶セルの構成は図２に示すような単純マトリクス
基板を用いていた。
ク液晶（ＳｍＣ＊，ＳｍＨ＊）を用いるので、バルク状
態では液晶分子長軸がねじれた配向を示すが上述の１ミ
クロンから３ミクロン位のセルギャップのセルにいれる
ことによって液晶分子長軸のねじれを解消することが出
来る。（Ｐ２１３−Ｐ２３４ Ｎ．Ａ．ＣＬＡＲＫｅｔ
ａｌ，ＭＣＬＣ，１９８３，Ｖｏｌ９４．）実際の強
誘電液晶セルの構成は図２に示すような単純マトリクス
基板を用いていた。
【０００５】強誘電性液晶は２つの安定状態を光透過お
よび遮断状態にして主として２値（白・黒）の表示素子
として利用されているが、多値すなわち中間調表示も可
能である。中間調表示法の一つは画素内の双安定状態の
面積比を制御することにより中間的な光透過状態を作る
ものである。以下、この方法（面積変調法）について詳
しく説明する。
よび遮断状態にして主として２値（白・黒）の表示素子
として利用されているが、多値すなわち中間調表示も可
能である。中間調表示法の一つは画素内の双安定状態の
面積比を制御することにより中間的な光透過状態を作る
ものである。以下、この方法（面積変調法）について詳
しく説明する。
【０００６】図４は強誘電性液晶素子のスイッチングパ
ルス振幅と透過率の関係を模式的に示した図で、はじめ
完全な光遮断（黒）状態にあったセル（素子）に一方極
性の単発パルスを印加した後の透過光量Ｉを単発パルス
の振幅Ｖの係数としてプロットしたグラフである。パル
ス振幅が閾値Ｖth以下（Ｖ＜Ｖth）のときは透過光量は
変化せず、パルス印加後の透過状態は図５（ｂ）に示す
ように印加前の状態を示す同図（ａ）と変わらない。パ
ルス振幅が閾値を越えると（Ｖth＜Ｖ＜Ｖsat）画素内
の一部分が他方の安定状態すなわち同図（ｃ）に示す光
透過状態に遷移し全体として中間的な透過光量を示す。
さらにパルス振幅が大きくなり、飽和値Ｖsat以上（Ｖ
sat＜Ｖ）になると同図（ｄ）に示すように画素全部が
光透過状態になるので光量は一定値に達する。
ルス振幅と透過率の関係を模式的に示した図で、はじめ
完全な光遮断（黒）状態にあったセル（素子）に一方極
性の単発パルスを印加した後の透過光量Ｉを単発パルス
の振幅Ｖの係数としてプロットしたグラフである。パル
ス振幅が閾値Ｖth以下（Ｖ＜Ｖth）のときは透過光量は
変化せず、パルス印加後の透過状態は図５（ｂ）に示す
ように印加前の状態を示す同図（ａ）と変わらない。パ
ルス振幅が閾値を越えると（Ｖth＜Ｖ＜Ｖsat）画素内
の一部分が他方の安定状態すなわち同図（ｃ）に示す光
透過状態に遷移し全体として中間的な透過光量を示す。
さらにパルス振幅が大きくなり、飽和値Ｖsat以上（Ｖ
sat＜Ｖ）になると同図（ｄ）に示すように画素全部が
光透過状態になるので光量は一定値に達する。
【０００７】すなわち、面積変調法は電圧をパルス振幅
ＶがＶth＜Ｖ＜Ｖsatとなるように制御して中間調を表
示するものである。
ＶがＶth＜Ｖ＜Ｖsatとなるように制御して中間調を表
示するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、面積変調法
は次に述べるような重大な欠点を有する。それは、図４
の電圧と透過光量の関係がセル厚と温度に依存するため
に、つまり表示パネル内にセル厚分布や温度分布がある
と、同じ電圧振幅の印加パルスに対して異なった階調レ
ベルが表示されてしまうという点である。図６は、この
ことを説明するための図で、図４と同じく電圧振幅Ｖと
透過光量Ｉの関係を示したグラフであるが、異なった温
度での関係、すなわち高温での関係を表わす曲線Ｈと低
温での関係を表わす曲線Ｌの２本の曲線を示してある。
表示サイズの大きいディスプレイ（表示素子）では同一
パネル（表示部）内に温度分布が生じることは珍しくな
く、したがって、或る電圧Ｖapで中間調を表示させよう
としても同図に示すようにＩ1からＩ2までの範囲にわた
って中間調レベルがばらついてしまい、均一な表示が得
られないのである。そして一般に、強誘電性液晶のスイ
ッチング電圧は低温で高くて高温で低く、このスイッチ
ング電圧の差は液晶の粘性の温度変化に依存するので、
従来のＴＮ型液晶素子に比べて桁違いに大きいのが普通
である。したがって、温度分布による階調レベルの変動
はＴＮ液晶よりはるかに大きく、このことが強誘電性液
晶素子の階調表示を実現困難にしている最大の要因とな
っている。
は次に述べるような重大な欠点を有する。それは、図４
の電圧と透過光量の関係がセル厚と温度に依存するため
に、つまり表示パネル内にセル厚分布や温度分布がある
と、同じ電圧振幅の印加パルスに対して異なった階調レ
ベルが表示されてしまうという点である。図６は、この
ことを説明するための図で、図４と同じく電圧振幅Ｖと
透過光量Ｉの関係を示したグラフであるが、異なった温
度での関係、すなわち高温での関係を表わす曲線Ｈと低
温での関係を表わす曲線Ｌの２本の曲線を示してある。
表示サイズの大きいディスプレイ（表示素子）では同一
パネル（表示部）内に温度分布が生じることは珍しくな
く、したがって、或る電圧Ｖapで中間調を表示させよう
としても同図に示すようにＩ1からＩ2までの範囲にわた
って中間調レベルがばらついてしまい、均一な表示が得
られないのである。そして一般に、強誘電性液晶のスイ
ッチング電圧は低温で高くて高温で低く、このスイッチ
ング電圧の差は液晶の粘性の温度変化に依存するので、
従来のＴＮ型液晶素子に比べて桁違いに大きいのが普通
である。したがって、温度分布による階調レベルの変動
はＴＮ液晶よりはるかに大きく、このことが強誘電性液
晶素子の階調表示を実現困難にしている最大の要因とな
っている。
【０００９】また、これらの影響は、液晶セルが大面積
化すればする程大きくなる（セル厚のばらつきや、温度
のばらつきが生じやすくなる）のでＦＬＣを用いた大面
積セルにおける階調とくにアナログ階調は不可能である
とされて来た。
化すればする程大きくなる（セル厚のばらつきや、温度
のばらつきが生じやすくなる）のでＦＬＣを用いた大面
積セルにおける階調とくにアナログ階調は不可能である
とされて来た。
【００１０】［発明の目的］本発明は、ＦＬＣ素子でア
ナログ階調を実現させることができ、さらにセル中の温
度のばらつき、セル厚のばらつきに原因する閾値変動に
対しても安定な階調表示が行なえる液晶表示装置および
駆動方法を得ることを目的とする。
ナログ階調を実現させることができ、さらにセル中の温
度のばらつき、セル厚のばらつきに原因する閾値変動に
対しても安定な階調表示が行なえる液晶表示装置および
駆動方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、走
査電極群と信号電極群をマトリクス状に配置し、該走査
電極と該信号電極との交差部に画素を配置し、この両画
素間に電界方向に対して双安定性を有する強誘電性液晶
を充填した表示部を備え、画像或いは情報の表示を行う
液晶表示装置において、前記走査電極による走査線上に
は、画素平均でしきい値の高い画素及び画素平均でしき
い値の低い画素を備えており、選択された走査電極によ
る走査線上の全画素を完全に第１の安定状態にリセット
する第１ステップを行い、次に第２の安定状態に遷移さ
せるパルスを印加することにより、走査線上のしきい値
の高い画素に書込みを行う第２ステップを行い、更に該
しきい値の高い画素の書込み状態は保持しつつ他のしき
い値の低い画素における表示状態を変化させる第３ステ
ップを行うことで中間調表示を行いうる駆動制御手段を
備えたことを特徴とする。
査電極群と信号電極群をマトリクス状に配置し、該走査
電極と該信号電極との交差部に画素を配置し、この両画
素間に電界方向に対して双安定性を有する強誘電性液晶
を充填した表示部を備え、画像或いは情報の表示を行う
液晶表示装置において、前記走査電極による走査線上に
は、画素平均でしきい値の高い画素及び画素平均でしき
い値の低い画素を備えており、選択された走査電極によ
る走査線上の全画素を完全に第１の安定状態にリセット
する第１ステップを行い、次に第２の安定状態に遷移さ
せるパルスを印加することにより、走査線上のしきい値
の高い画素に書込みを行う第２ステップを行い、更に該
しきい値の高い画素の書込み状態は保持しつつ他のしき
い値の低い画素における表示状態を変化させる第３ステ
ップを行うことで中間調表示を行いうる駆動制御手段を
備えたことを特徴とする。
【００１２】更に、前記表示部内のしきい値電圧の最大
値をVth(max)、飽和電圧の最大値をVsat(max)、しきい
値電圧の最小値をVth(min)、前記第１ステップにおいて
全画素を第１の安定状態にリセットするための印加する
パルスの振幅をV1、前記第２ステップにおいて第２の安
定状態に遷移させるために印加するパルスの振幅をV2、
前記第３ステップにおいてしきい値の低い画素の表示状
態を変化させるために印加するパルスの振幅をV3とすれ
ば、 Vsat(max)≦V1 Vth(max)＜V2＜Vsat（max） Vth（min）≦V3＜Vth(max) であることが好ましい。
値をVth(max)、飽和電圧の最大値をVsat(max)、しきい
値電圧の最小値をVth(min)、前記第１ステップにおいて
全画素を第１の安定状態にリセットするための印加する
パルスの振幅をV1、前記第２ステップにおいて第２の安
定状態に遷移させるために印加するパルスの振幅をV2、
前記第３ステップにおいてしきい値の低い画素の表示状
態を変化させるために印加するパルスの振幅をV3とすれ
ば、 Vsat(max)≦V1 Vth(max)＜V2＜Vsat（max） Vth（min）≦V3＜Vth(max) であることが好ましい。
【００１３】また、本発明では、走査電極群と信号電極
群をマトリクス状に配置し、該走査電極と該信号電極と
の交差部に画素を配置し、この両電極間に電界方向に対
して双安定性を有する強誘電性液晶を充填した表示部を
備え、画像或いは情報の表示を行う液晶表示装置の駆動
方法において、 前記表示部内のしきい値電圧の最大値を
Ｖth(max)、飽和電圧の最大値をＶsat(max)とした場
合、 ａ） Ｖsat(max)以上のＶaなる一方極性のパルスを前記
画素に印加するステップ、 ｂ）前記ａ）ステップの後に、階調情報に応じたＶbな
るＶth(max)≦ Ｖb＜Ｖsat(max)を満たす、他方極性の
パルスを該画素に印加するステップ、 ｃ）前記ｂ）ステップの後に、 Ｖth(max)と等しいＶc
なる一方極性の信号を該画素に印加するステップ、 ｄ）前記ｃ）ステップの後に、ＶdなるＶb× Ｖth(max)
／ Ｖsat(max)を満たす、他方極性のパルスを該画素に
印加するステップ、 を有することを特徴とする。
群をマトリクス状に配置し、該走査電極と該信号電極と
の交差部に画素を配置し、この両電極間に電界方向に対
して双安定性を有する強誘電性液晶を充填した表示部を
備え、画像或いは情報の表示を行う液晶表示装置の駆動
方法において、 前記表示部内のしきい値電圧の最大値を
Ｖth(max)、飽和電圧の最大値をＶsat(max)とした場
合、 ａ） Ｖsat(max)以上のＶaなる一方極性のパルスを前記
画素に印加するステップ、 ｂ）前記ａ）ステップの後に、階調情報に応じたＶbな
るＶth(max)≦ Ｖb＜Ｖsat(max)を満たす、他方極性の
パルスを該画素に印加するステップ、 ｃ）前記ｂ）ステップの後に、 Ｖth(max)と等しいＶc
なる一方極性の信号を該画素に印加するステップ、 ｄ）前記ｃ）ステップの後に、ＶdなるＶb× Ｖth(max)
／ Ｖsat(max)を満たす、他方極性のパルスを該画素に
印加するステップ、 を有することを特徴とする。
【００１４】本発明の書き込み方法を具体的手順に従っ
て、グラフを用いて説明する。
て、グラフを用いて説明する。
【００１５】図１（ａ）にＦＬＣの閾値曲線を示す。縦
軸を透過率Ｉ（０〜１００％）、横軸はパルス電圧値を
ｌｏｇスケールで示してある。
軸を透過率Ｉ（０〜１００％）、横軸はパルス電圧値を
ｌｏｇスケールで示してある。
【００１６】図１（ａ）中の（１）がパネル内の高閾値
部の閾値曲線であり、点線で示した（２）が閾値の変動
した部分の閾値曲線である。いずれもパルス巾ΔＴのも
のとする。
部の閾値曲線であり、点線で示した（２）が閾値の変動
した部分の閾値曲線である。いずれもパルス巾ΔＴのも
のとする。
【００１７】（３）は階調信号電圧Ｖ3を、透過率１０
０％となる電圧（Ｖsat）としたときの閾値曲線であ
り、傾きは（１）、（２）と同様である。
０％となる電圧（Ｖsat）としたときの閾値曲線であ
り、傾きは（１）、（２）と同様である。
【００１８】（４）はＶ2をＶsatとする、（１）、
（２）と同じ傾きを持つ閾値曲線である。
（２）と同じ傾きを持つ閾値曲線である。
【００１９】説明のために、この画素に印加するパルス
を図１（ｂ）のように表わして、個々のパルス間の時間
的相互関係は省略した。
を図１（ｂ）のように表わして、個々のパルス間の時間
的相互関係は省略した。
【００２０】書き込み動作は、次の４つのステップから
なる。パネル全体を電圧Ｖ4のパルス（Ａ）によっ
て、ある状態Ｑ0に書き込む（全面リセット）。パネ
ル内の高閾値部を、パルス（Ａ）と逆極性のパルス
（Ｂ）によって、Ｔ1の透過率になるまで書き込む、こ
のとき、閾値の低く変動した部分は完全反転する（図１
中の一点鎖線と（１）、（２）の交点でｃ′とａ′で説
明される）、これで高閾値部はＴ1の階調状態であるＱ1
に書き込まれたが、低閾値部では全面反転したのでＱ0
に再反転してしまったことになる（表−１）。Ｑ0の状
態の透過率を０％とすると、Ｑ0は１００％であり、Ｑ1
ではＴ1％である。
なる。パネル全体を電圧Ｖ4のパルス（Ａ）によっ
て、ある状態Ｑ0に書き込む（全面リセット）。パネ
ル内の高閾値部を、パルス（Ａ）と逆極性のパルス
（Ｂ）によって、Ｔ1の透過率になるまで書き込む、こ
のとき、閾値の低く変動した部分は完全反転する（図１
中の一点鎖線と（１）、（２）の交点でｃ′とａ′で説
明される）、これで高閾値部はＴ1の階調状態であるＱ1
に書き込まれたが、低閾値部では全面反転したのでＱ0
に再反転してしまったことになる（表−１）。Ｑ0の状
態の透過率を０％とすると、Ｑ0は１００％であり、Ｑ1
ではＴ1％である。
【００２１】
【表１】
【００２２】次にパルス（Ｂ）と逆極性のパルス
（Ｃ）を印加して、低閾値部を（１００−Ｔ2）％のと
ころまで再反転させる。このとき、閾値曲線（１）で示
される高閾値部ではスイッチングは起こらない。
（Ｃ）を印加して、低閾値部を（１００−Ｔ2）％のと
ころまで再反転させる。このとき、閾値曲線（１）で示
される高閾値部ではスイッチングは起こらない。
【００２３】従って、高閾値部では、パルス（Ｂ）で作
られた状態Ｑ1を保存する。これに対し、低閾値部では
Ｑ0（透過率１００％）の状態から透過率（１００−
Ｔ2）％の状態Ｑ2に反転する。
られた状態Ｑ1を保存する。これに対し、低閾値部では
Ｑ0（透過率１００％）の状態から透過率（１００−
Ｔ2）％の状態Ｑ2に反転する。
【００２４】次にパルス（Ｃ）と逆極性のパルス
（Ｄ）を印加すると高閾値部では、パルス（Ｂ）で形成
された状態Ｑ1が保存されるが、低閾値部では図１
（ａ）における（１００−Ｔ2＋Ｔ3）％の透過率までＱ
2状態から再び反転する。
（Ｄ）を印加すると高閾値部では、パルス（Ｂ）で形成
された状態Ｑ1が保存されるが、低閾値部では図１
（ａ）における（１００−Ｔ2＋Ｔ3）％の透過率までＱ
2状態から再び反転する。
【００２５】このとき低閾値部では高閾値部と同じ透過
率の状態Ｑ1が実現される。
率の状態Ｑ1が実現される。
【００２６】つまり、図１（ａ）上でわかる通り、透過
率Ｔ1％は、（１００−Ｔ2＋Ｔ3）％と等しい。作図上
で現われる三角形ａｂｃとａ′ｂ′ｃ′が合同であるこ
とからも容易にわかる。
率Ｔ1％は、（１００−Ｔ2＋Ｔ3）％と等しい。作図上
で現われる三角形ａｂｃとａ′ｂ′ｃ′が合同であるこ
とからも容易にわかる。
【００２７】このような時系列上のパルスの印加による
状態の変化を表−１に示し、その状態のイメージ図を図
３に示した。
状態の変化を表−１に示し、その状態のイメージ図を図
３に示した。
【００２８】次に、上述のような手順で印加されるパル
ス（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）間の関係について調
べると、以下のような関係にある。まず、パルス
（Ａ）は、充分なリセット作用を期待するため、パルス
幅ΔＴのパルスでの全面反転の閾値Ｖ4を持たせてある
が、基本的にはパルス（Ａ）もパルス幅をΔＴとしてさ
しつかえない。ΔＴというパルス幅のパルスにとって
（以下同様）このＶ4という電圧は、図１（ａ）で示す
通り、高閾値部での画素間全部反転電圧Ｖsatと等し
い。Ｖ2については高閾値部での画素内一部反転電圧
Ｖthと等しい。従って、閾値曲線上の傾きが等しいと
いう条件のもとでは、 Ｖth／Ｖsat≡ξとおくと、 Ｖ2＝ξＶ4＝ξＶsat という関係を持つ。Ｖ3については、高閾値部の画素
内一部反転情報電圧、つまりは階調状態を書き込む電圧
であり、Ｖ2 ＜Ｖ3 ＜Ｖ4の関係にある。Ｉ％の透過率を
得たい時にはＶ3は次のように書ける。
ス（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）間の関係について調
べると、以下のような関係にある。まず、パルス
（Ａ）は、充分なリセット作用を期待するため、パルス
幅ΔＴのパルスでの全面反転の閾値Ｖ4を持たせてある
が、基本的にはパルス（Ａ）もパルス幅をΔＴとしてさ
しつかえない。ΔＴというパルス幅のパルスにとって
（以下同様）このＶ4という電圧は、図１（ａ）で示す
通り、高閾値部での画素間全部反転電圧Ｖsatと等し
い。Ｖ2については高閾値部での画素内一部反転電圧
Ｖthと等しい。従って、閾値曲線上の傾きが等しいと
いう条件のもとでは、 Ｖth／Ｖsat≡ξとおくと、 Ｖ2＝ξＶ4＝ξＶsat という関係を持つ。Ｖ3については、高閾値部の画素
内一部反転情報電圧、つまりは階調状態を書き込む電圧
であり、Ｖ2 ＜Ｖ3 ＜Ｖ4の関係にある。Ｉ％の透過率を
得たい時にはＶ3は次のように書ける。
【００２９】
【外１】
【００３０】Ｖ1はＶ3をＶsatとする閾値曲線のＶth
に当たる電圧値と言い変えることが出来て、次のように
表わせる。
に当たる電圧値と言い変えることが出来て、次のように
表わせる。
【００３１】
【００３２】このように、順次印加されるパルス
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は （ａ）高閾値部のＶsat （ｂ）閾値特性上決定される定数ξ（＝Ｖth／Ｖsat） （ｃ）階調情報より決定される定数ｎ（＝Ｉ％／１００
％） の３要素で全て決定される。
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は （ａ）高閾値部のＶsat （ｂ）閾値特性上決定される定数ξ（＝Ｖth／Ｖsat） （ｃ）階調情報より決定される定数ｎ（＝Ｉ％／１００
％） の３要素で全て決定される。
【００３３】再掲すると、 ・｜Ｖ1｜＝Ｖsat／ξn-2 ・｜Ｖ2｜＝ξＶsat ・｜Ｖ3｜＝Ｖsat／ξn-1 ・｜Ｖ4｜≧Ｖsat
【００３４】Ｖ4に不等号を付したのは、完全反転すれ
ばよく等号に制約されないからである。
ばよく等号に制約されないからである。
【００３５】このようなパルス（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）、（Ｄ）で階調表現ができる。ここで考えられて
いる閾値の変動の範囲は図１（ａ）中の閾値曲線（４）
と閾値曲線（１）にはさまれた領域である。
（Ｃ）、（Ｄ）で階調表現ができる。ここで考えられて
いる閾値の変動の範囲は図１（ａ）中の閾値曲線（４）
と閾値曲線（１）にはさまれた領域である。
【００３６】それは、もしＶsatがＶ2以下の電圧になっ
た領域が存在すると、パルス（Ｃ）を入力してもＶsat
がＶ2である領域と区別することができず全て全反転さ
せるが、しかるにパルス（Ｄ）を印加したときには、そ
れぞれ異なった反転をするために、一定の階調レベルを
表示することができないからである。
た領域が存在すると、パルス（Ｃ）を入力してもＶsat
がＶ2である領域と区別することができず全て全反転さ
せるが、しかるにパルス（Ｄ）を印加したときには、そ
れぞれ異なった反転をするために、一定の階調レベルを
表示することができないからである。
【００３７】しかし、ひるがえって考えてみると、ここ
でのパルス（Ｃ）とパルス（Ｄ）の関係は閾値曲線
（３）近傍でのパスる（Ａ）とパルス（Ｂ）の関係と同
一であることがわかる。
でのパルス（Ｃ）とパルス（Ｄ）の関係は閾値曲線
（３）近傍でのパスる（Ａ）とパルス（Ｂ）の関係と同
一であることがわかる。
【００３８】このことはパルス（Ｄ）の後にパルス
（Ｅ）、さらにはパルス（Ｆ）等を付け加えることによ
って、さらに低い閾値曲線の領域までの包含できること
を意味している。パルス（Ｅ）、パルス（Ｆ）の波高値
をＶ5、Ｖ6とすると、 Ｖ5＝ξ・Ｖ2＝ξ2・Ｖsat Ｖ6＝ξ・Ｖ1＝Ｖsat／ξn-3 と表現出来る。
（Ｅ）、さらにはパルス（Ｆ）等を付け加えることによ
って、さらに低い閾値曲線の領域までの包含できること
を意味している。パルス（Ｅ）、パルス（Ｆ）の波高値
をＶ5、Ｖ6とすると、 Ｖ5＝ξ・Ｖ2＝ξ2・Ｖsat Ｖ6＝ξ・Ｖ1＝Ｖsat／ξn-3 と表現出来る。
【００３９】これらの関係を一般化して考えると、時間
的に先行するパルスからＶ1、Ｖ2、Ｖ3…と添字を付け
直すと、
的に先行するパルスからＶ1、Ｖ2、Ｖ3…と添字を付け
直すと、
【００４０】
【外２】 と表現できる。
【００４１】このような書き込み方は、マトリクス駆動
時にその印加された情報信号のみでＶthを越えるような
低閾値部が出ない限り有効である。
時にその印加された情報信号のみでＶthを越えるような
低閾値部が出ない限り有効である。
【００４２】例えば、１／４バイアス（選択電圧の１／
４の情報信号を用いる）の場合には、Ｖth′＞１／４・
Ｖsatなので最小のＶth′に対応するＶsat′は Ｖsat′−Ｖth′／ξ＞１／４・Ｖ2 sat／Ｖｔｈ 従って、書き込み電圧、Ｖｓａｔ′で示すと Ｖsat＞Ｖsat′＞Ｖ2 sat／４Ｖth の範囲で駆動可能となる。
４の情報信号を用いる）の場合には、Ｖth′＞１／４・
Ｖsatなので最小のＶth′に対応するＶsat′は Ｖsat′−Ｖth′／ξ＞１／４・Ｖ2 sat／Ｖｔｈ 従って、書き込み電圧、Ｖｓａｔ′で示すと Ｖsat＞Ｖsat′＞Ｖ2 sat／４Ｖth の範囲で駆動可能となる。
【００４３】本発明では閾値曲線上での傾きＴ／ｌｏｇ
（Ｖsat／Ｖth）が一定であるように画素を構成するこ
とが望ましい。
（Ｖsat／Ｖth）が一定であるように画素を構成するこ
とが望ましい。
【００４４】また、ＦＬＣに印加するパルスの前後関係
（書き込みパルスの直前に逆極性の大きなパルスがある
場合とない場合、直後に逆極性の大きな電圧パルスの存
在する場合、しない場合など）によって、波高値に修正
をほどこしてもよい。
（書き込みパルスの直前に逆極性の大きなパルスがある
場合とない場合、直後に逆極性の大きな電圧パルスの存
在する場合、しない場合など）によって、波高値に修正
をほどこしてもよい。
【００４５】これは一般には、補正係数を付することで
足りる。
足りる。
【００４６】Ｖ0i′＝αξIＶsat、Ｖ1J′＝αξjＶ
1（α＝ｃｏｎｓｔ）
1（α＝ｃｏｎｓｔ）
【００４７】しかし、例えば、書き込みパルスが連続し
た場合には、後パルスの閾値が前パルスの存在によっ
て、変動してしまうので、電圧設定を容易に行なうため
には、書き込みパルスに間隔を設けた方が良い。この間
隔は１００μｓ以上であることが望ましい。
た場合には、後パルスの閾値が前パルスの存在によっ
て、変動してしまうので、電圧設定を容易に行なうため
には、書き込みパルスに間隔を設けた方が良い。この間
隔は１００μｓ以上であることが望ましい。
【００４８】また、これまではアナログ階調を表示する
場合を説明してきたが離散的な階調表示（デジタル階調
表示）を行なう場合には、閾値曲線の傾きが若干異なっ
ていても十分な効果を示す。
場合を説明してきたが離散的な階調表示（デジタル階調
表示）を行なう場合には、閾値曲線の傾きが若干異なっ
ていても十分な効果を示す。
【００４９】このようなデジタル階調表示を行なう場合
には、ξの値を補正して、パルス数を増やすことにより
対応がとれる。
には、ξの値を補正して、パルス数を増やすことにより
対応がとれる。
【００５０】さらに、本発明では、パルス巾を一定にし
て電圧変調を用いた場合を示したが、電圧値を一定にし
て、パルス巾を可変する場合でも同様の手段で温度変化
やセル厚変化の影響を大巾に緩和した階調表示を行なう
ことができる。
て電圧変調を用いた場合を示したが、電圧値を一定にし
て、パルス巾を可変する場合でも同様の手段で温度変化
やセル厚変化の影響を大巾に緩和した階調表示を行なう
ことができる。
【００５１】以下、実施例で説明する。
【００５２】
【実施例】実施例１図２、図７、図８、図９、図１０は
本実施例を説明する図である。
本実施例を説明する図である。
【００５３】図２は、本実施例にかかる液晶セルを表
す。
す。
【００５４】図７（ａ）は本実施例の階調表示の１例を
示す。図７（ｂ）は本実施例の駆動波形、図７（ｃ）、
図７（ｄ）は本実施例で用いたパネル内の画素の閾値曲
線を示す。
示す。図７（ｂ）は本実施例の駆動波形、図７（ｃ）、
図７（ｄ）は本実施例で用いたパネル内の画素の閾値曲
線を示す。
【００５５】図８は本実施例で用いた、走査信号、情報
信号、画素への印加電圧の例を表し、図中、Ｓ１−Ｉ１
で示された波形が図７（ｂ）の駆動波形に対応してい
る。
信号、画素への印加電圧の例を表し、図中、Ｓ１−Ｉ１
で示された波形が図７（ｂ）の駆動波形に対応してい
る。
【００５６】図９は本実施例で用いた走査信号電極、情
報信号電極の構成を示す図である。
報信号電極の構成を示す図である。
【００５７】図１０は本実施例で用いた液晶表示装置の
回路を表すブロック図である。
回路を表すブロック図である。
【００５８】図９は本実施例で用いた、走査信号電極、
情報信号電極の構成を示している。これらの電極に印加
する信号波形を図８に示す。
情報信号電極の構成を示している。これらの電極に印加
する信号波形を図８に示す。
【００５９】図８において、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３は選択さ
れた走査信号電極に逐次印加される走査信号波形のタイ
ムチャートであり、３つのパルス（パルスＡ、パルス
Ｂ、パルスＣ）によって構成される。Ｉ１、Ｉ２は情報
信号電極群に印加される情報信号波形のタイムチャート
である。これらは、説明のために一部を示したものであ
る。
れた走査信号電極に逐次印加される走査信号波形のタイ
ムチャートであり、３つのパルス（パルスＡ、パルス
Ｂ、パルスＣ）によって構成される。Ｉ１、Ｉ２は情報
信号電極群に印加される情報信号波形のタイムチャート
である。これらは、説明のために一部を示したものであ
る。
【００６０】これらの信号を液晶セルに供給するための
回路のブロック図を図１０に示す。図１０において、１
０１は液晶セル、１０２は様々なレベルの電圧を出力で
きる駆動用電源、１０３はセグメント側駆動ＩＣ、１０
４はラッチ回路、１０５はセグメント側シフトレジス
タ、１０６はコモン側駆動ＩＣ、１０７はコモン側シフ
トレジスタ、１０８は画像情報発生装置、１０９はコン
トローラを表している。
回路のブロック図を図１０に示す。図１０において、１
０１は液晶セル、１０２は様々なレベルの電圧を出力で
きる駆動用電源、１０３はセグメント側駆動ＩＣ、１０
４はラッチ回路、１０５はセグメント側シフトレジス
タ、１０６はコモン側駆動ＩＣ、１０７はコモン側シフ
トレジスタ、１０８は画像情報発生装置、１０９はコン
トローラを表している。
【００６１】図１０の回路構成において階調表示（複数
の電圧レベルを信号として供給）する方式としては、セ
グメント側駆動ＩＣ内にＡＤコンバータを設けて、ラッ
チ回路を通して供給されるデジタルの階調信号をアナロ
グ信号に変換して情報電極に印加する方式を採った。こ
の場合、コモン側駆動ＩＣは、駆動用電源のアナログス
イッチによる分配方式で走査信号を形成した。
の電圧レベルを信号として供給）する方式としては、セ
グメント側駆動ＩＣ内にＡＤコンバータを設けて、ラッ
チ回路を通して供給されるデジタルの階調信号をアナロ
グ信号に変換して情報電極に印加する方式を採った。こ
の場合、コモン側駆動ＩＣは、駆動用電源のアナログス
イッチによる分配方式で走査信号を形成した。
【００６２】１０１で表された液晶セルとして本実施例
では、図２に示したものを用いた。図２（ａ）液晶セル
の断面図であり、２１はガラス基板、２２はＩＴＯスト
ライプ電極、２３はＳｉＯ2からなる絶縁膜、２４はポ
リイミドからなる配向膜、２５はシーリング材、２６は
液晶、をそれぞれ表している。また、図２（ｂ）は片側
の基板におけるストライプ電極のパターンを示してい
る。
では、図２に示したものを用いた。図２（ａ）液晶セル
の断面図であり、２１はガラス基板、２２はＩＴＯスト
ライプ電極、２３はＳｉＯ2からなる絶縁膜、２４はポ
リイミドからなる配向膜、２５はシーリング材、２６は
液晶、をそれぞれ表している。また、図２（ｂ）は片側
の基板におけるストライプ電極のパターンを示してい
る。
【００６３】このセルでは、ＩＴＯストライプ電極２２
上にＳｉＯ2層２３を絶縁膜として形成したものに日立
化成社製ＬＱ−１８０２（商品名）を塗布し、上下基板
ともラビング処理を施して配向膜２４とし、液晶２６と
して表２に示す物性を持つ液晶Ａを用い、約１．４９μ
ｍの基板間隔を保って構成したものを用いた。
上にＳｉＯ2層２３を絶縁膜として形成したものに日立
化成社製ＬＱ−１８０２（商品名）を塗布し、上下基板
ともラビング処理を施して配向膜２４とし、液晶２６と
して表２に示す物性を持つ液晶Ａを用い、約１．４９μ
ｍの基板間隔を保って構成したものを用いた。
【００６４】
【表２】
【００６５】図７（ｃ）、図７（ｄ）は、パネル内の画
素の閾値曲線を表している。
素の閾値曲線を表している。
【００６６】図７（ｃ）、図７（ｄ）においては、電圧
を対数スケールでプロットしているので３０℃、３２
℃、３４℃で、閾値曲線は互いに平行移動した関係にな
っている。
を対数スケールでプロットしているので３０℃、３２
℃、３４℃で、閾値曲線は互いに平行移動した関係にな
っている。
【００６７】しかし、図７（ｄ）中のＰ２パルスの閾値
曲線の傾きが、図７（ｃ）中のＰ３パルスの閾値曲線の
傾きと若干異なっていることが分かる。これは、パルス
の前後の状態（Ｐ２パルスの直前のＰ１パルスの存在）
が原因となっている。
曲線の傾きが、図７（ｃ）中のＰ３パルスの閾値曲線の
傾きと若干異なっていることが分かる。これは、パルス
の前後の状態（Ｐ２パルスの直前のＰ１パルスの存在）
が原因となっている。
【００６８】３２℃において、Ｐ２パルス、Ｐ３パルス
それぞれに対する閾値電圧Ｖthおよび飽和電圧Ｖ
satは、 Ｐ２パルスに対して、Ｖth＝１５．４Ｖ、Ｖsat＝１７．３Ｖ Ｐ３パルスに対して、Ｖth＝１５．１Ｖ、Ｖsat＝１８．５５Ｖ であった。このような特性を有する素子に、Ｐ１、Ｐ２
パルスの電圧を１６Ｖ、Ｐ３パルスの電圧を１５Ｖに設
定すると、この３つのパルスで図７（ａ）に示したよう
な階調表示を行なうことが可能であった。
それぞれに対する閾値電圧Ｖthおよび飽和電圧Ｖ
satは、 Ｐ２パルスに対して、Ｖth＝１５．４Ｖ、Ｖsat＝１７．３Ｖ Ｐ３パルスに対して、Ｖth＝１５．１Ｖ、Ｖsat＝１８．５５Ｖ であった。このような特性を有する素子に、Ｐ１、Ｐ２
パルスの電圧を１６Ｖ、Ｐ３パルスの電圧を１５Ｖに設
定すると、この３つのパルスで図７（ａ）に示したよう
な階調表示を行なうことが可能であった。
【００６９】パルス巾は、Ｐ１が１４４μｓ、Ｐ２、Ｐ
３が４８μｓとした。
３が４８μｓとした。
【００７０】波形の設計に必要なξ（＝閾値電圧／飽和
電圧）を求めると、本実施例のセルにおいては、 ξ＝１５．４／１７．３＝０．８９ となる。しかし、Ｐ２パルスとＰ３パルスでは閾値曲線
の傾きが異なるので補正しなくてはならない。
電圧）を求めると、本実施例のセルにおいては、 ξ＝１５．４／１７．３＝０．８９ となる。しかし、Ｐ２パルスとＰ３パルスでは閾値曲線
の傾きが異なるので補正しなくてはならない。
【００７１】ξ′＝ξ×β＝１５．１／１８．５５＝
０．８１ β＝０．９１４：補正係数 たとえば３３％の透過率を得るためには、 ｎ＝３３／１００＝０．３３ Ｐ２パルス電圧；ＶP2＝１７．３／（０．８９）0.33-1
＝１６Ｖ（＝Ｖsat／ξn-1） Ｐ３パルス電圧；ＶP2＝ξ′×１８．５５＝１５．１Ｖ
（＝ξ×Ｖsat）として求めた。
０．８１ β＝０．９１４：補正係数 たとえば３３％の透過率を得るためには、 ｎ＝３３／１００＝０．３３ Ｐ２パルス電圧；ＶP2＝１７．３／（０．８９）0.33-1
＝１６Ｖ（＝Ｖsat／ξn-1） Ｐ３パルス電圧；ＶP2＝ξ′×１８．５５＝１５．１Ｖ
（＝ξ×Ｖsat）として求めた。
【００７２】他のいかなる透過率も、実現に必要な条件
を算出することができ、本実施例の方法により良好に階
調表示をすることができた。
を算出することができ、本実施例の方法により良好に階
調表示をすることができた。
【００７３】実施例２図１１は本実施例で用いた液晶セ
ルの断面図を示している。
ルの断面図を示している。
【００７４】１０１で表された液晶セルとしては、図１
１に示した断面を有するものを用いた。すなわち、下側
のガラス基板１１１上に図のような所定の形状にＵＶ硬
化樹脂１１２を塗布した後、紫外線照射により硬化させ
てセル厚を変化させ、更にその上にＩＴＯ透明電極１１
３を設けた。ＩＴＯ透明電極上に絶縁層としてのＴａ 2
Ｏ5をスパッタ形成した後、配向膜１１４として東レ社
製ＬＰ−６４（商品名）を塗布して下側の基板とした。
一方、上側のガラス基板には、ＵＶ硬化樹脂１１２を塗
布しない点以外は下側の基板と同様の処置を施した。配
向処理として、上下基板の配向膜にそれぞれ一定方向に
ラビング処理を施し下側の基板とした。上下基板のラビ
ング方向は、セルの表面から見て、上基板のラビング方
向から下基板のラビング方向へ約１０°右ねじの向きに
回転するような関係にした。液晶１１５は、表３に示す
物性を持つ液晶Ｂを用いた。
１に示した断面を有するものを用いた。すなわち、下側
のガラス基板１１１上に図のような所定の形状にＵＶ硬
化樹脂１１２を塗布した後、紫外線照射により硬化させ
てセル厚を変化させ、更にその上にＩＴＯ透明電極１１
３を設けた。ＩＴＯ透明電極上に絶縁層としてのＴａ 2
Ｏ5をスパッタ形成した後、配向膜１１４として東レ社
製ＬＰ−６４（商品名）を塗布して下側の基板とした。
一方、上側のガラス基板には、ＵＶ硬化樹脂１１２を塗
布しない点以外は下側の基板と同様の処置を施した。配
向処理として、上下基板の配向膜にそれぞれ一定方向に
ラビング処理を施し下側の基板とした。上下基板のラビ
ング方向は、セルの表面から見て、上基板のラビング方
向から下基板のラビング方向へ約１０°右ねじの向きに
回転するような関係にした。液晶１１５は、表３に示す
物性を持つ液晶Ｂを用いた。
【００７５】
【表３】
【００７６】本実施例の画素は、図１１のような構成か
らなり、１画素内にセル厚分布を持つため、１画素内で
閾値分布を持つことになる。
らなり、１画素内にセル厚分布を持つため、１画素内で
閾値分布を持つことになる。
【００７７】本実施例を用いた駆動では、画素への印加
電圧のパルス幅をすべて同じ（４８μｓ）にし、パルス
間隔を１００μｓ以上にし、４つのパルスを用いて駆動
した（図１２）。
電圧のパルス幅をすべて同じ（４８μｓ）にし、パルス
間隔を１００μｓ以上にし、４つのパルスを用いて駆動
した（図１２）。
【００７８】上記の点以外は実施例１と同様の条件で駆
動したところ、異なる温度に対して図１３のような閾値
曲線が得られた。この閾値曲線は、すべてのパルスに対
して同一の形状を示した。しかも、この閾値曲線は、互
いにほぼ平行移動した関係になっている。
動したところ、異なる温度に対して図１３のような閾値
曲線が得られた。この閾値曲線は、すべてのパルスに対
して同一の形状を示した。しかも、この閾値曲線は、互
いにほぼ平行移動した関係になっている。
【００７９】本実施例では、図１２に示すように、パル
ス幅４８μｓのパルスを用い、パルス間隔を３８４μｓ
とした。パルス電圧値の設定を第１パルス（Ｐ１）の１
８Ｖでリセットして、第２パルス（Ｐ２）を１３．８
Ｖ、第３パルス（Ｐ３）を１２．０Ｖ、第４パルス（Ｐ
４）を９．６Ｖとすることにより、約４０％の透過率を
２７．５℃〜３１℃の範囲で安定に実現することができ
た。
ス幅４８μｓのパルスを用い、パルス間隔を３８４μｓ
とした。パルス電圧値の設定を第１パルス（Ｐ１）の１
８Ｖでリセットして、第２パルス（Ｐ２）を１３．８
Ｖ、第３パルス（Ｐ３）を１２．０Ｖ、第４パルス（Ｐ
４）を９．６Ｖとすることにより、約４０％の透過率を
２７．５℃〜３１℃の範囲で安定に実現することができ
た。
【００８０】他のいかなる透過率も同様に本実施例の方
法・構成により実現することができた。
法・構成により実現することができた。
【００８１】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置および駆動方法を
用いることにより、強誘電性液晶を用いた液晶表示装
置において、アナログ階調を実現することができた。
温度変化、セル厚変化等の閾値変化に対して非常に安定
な階調表示を行なうことができた。
用いることにより、強誘電性液晶を用いた液晶表示装
置において、アナログ階調を実現することができた。
温度変化、セル厚変化等の閾値変化に対して非常に安定
な階調表示を行なうことができた。
【図１】本発明における駆動手段を説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施例にかかる液晶表示素子の
構造を表す図である。
構造を表す図である。
【図３】本発明の駆動手段を用いたと際の表示状態を説
明する図である。
明する図である。
【図４】強誘電性液晶に関する、スイッチングパルス振
幅と透過率の関係を示す模式図である。
幅と透過率の関係を示す模式図である。
【図５】印加パルスに応じた強誘電性液晶素子の光透過
状態を示す模式図である。
状態を示す模式図である。
【図６】高温と低温における電圧振幅Ｖと透過光量Ｉと
の関係を示した図である。
の関係を示した図である。
【図７】本発明の第１の実施例を説明する図である。
【図８】本発明の第１の実施例にかかる走査信号、情報
信号、画素への印加電圧の例を示す図である。
信号、画素への印加電圧の例を示す図である。
【図９】本実施例で用いた走査信号電極、情報信号電極
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
【図１０】本実施例で用いた液晶表示装置の回路を表わ
すブロック図である。
すブロック図である。
【図１１】本発明の第２の実施例にかかる液晶セルの断
面を示している。
面を示している。
【図１２】本発明の第２の実施例にかかる走査信号、情
報信号、画素への印加電圧の例を示す図である。
報信号、画素への印加電圧の例を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施例を説明する図である。
２１ ガラス基板 ２２ ストライプ電極 ２３ 絶縁層 ２４ 配向膜 ２５ シール材 ２６ 液晶 １０１ 液晶セル １０２ 駆動用電源 １０３ セグメント側駆動ＩＣ １０４ ラッチ回路 １０５ セグメント側シフトレジスタ １０６ コモン側駆動ＩＣ １０７ コモン側シフトレジスタ １０８ 画像情報発生装置 １０９ コントローラ
Claims (6)
- 【請求項１】 走査電極群と信号電極群をマトリクス状
に配置し、該走査電極と該信号電極との交差部に画素を
配置し、この両画素間に電界方向に対して双安定性を有
する強誘電性液晶を充填した表示部を備え、画像或いは
情報の表示を行う液晶表示装置において、 前記走査電極による走査線上には、画素平均でしきい値
の高い画素及び画素平均でしきい値の低い画素を備えて
おり、 選択された走査電極による走査線上の全画素を完全に第
１の安定状態にリセットする第１ステップを行い、 次に第２の安定状態に遷移させるパルスを印加すること
により、走査線上のしきい値の高い画素に書込みを行う
第２ステップを行い、 更に該しきい値の高い画素の書込み状態は保持しつつ他
のしきい値の低い画素における表示状態を変化させる第
３ステップを行うことで中間調表示を行いうる駆動制御
手段を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記表示部内のしきい値電圧の最大値を
Vth(max)、飽和電圧の最大値をVsat(max)、しきい値電
圧の最小値をVth(min)、前記第１ステップにおいて全画
素を第１の安定状態にリセットするための印加するパル
スの振幅をV1、前記第２ステップにおいて第２の安定状
態に遷移させるために印加するパルスの振幅をV2、前記
第３ステップにおいてしきい値の低い画素の表示状態を
変化させるために印加するパルスの振幅をV3とすれば、 Vsat(max)≦V1 Vth(max)＜V2＜Vsat（max） Vth（min）≦V3＜Vth(max) である請求項１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 走査電極群と信号電極群をマトリクス状
に配置し、該走査電極と該信号電極との交差部に画素を
配置し、この両画素間に電界方向に対して双安定性を有
する強誘電性液晶を充填した表示部を備え、画像或いは
情報の表示を行う液晶表示装置の駆動方法において、 前記走査電極による走査線上には、画素平均でしきい値
の高い画素及び画素平均でしきい値の低い画素を備えて
おり、 選択された走査電極による走査線上の全画素を完全に第
１の安定状態にリセットする第１ステップを行い、 次に第２の安定状態に遷移させるパルスを印加すること
により、走査線上のしきい値の高い画素に書込みを行う
第２ステップを行い、 更に該しきい値の高い画素の書込み状態は保持しつつ他
のしきい値の低い画素における表示状態を変化させる第
３ステップを行うことで中間調表示を行いうる駆動制御
工程を備えたことを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法。 - 【請求項４】 前記表示部内のしきい値電圧の最大値を
Vth(max)、飽和電圧の最大値をVsat(max)、しきい値電
圧の最小値をVth(min)、前記第１ステップにおいて全画
素を第１の安定状態にリセットするための印加するパル
スの振幅をV1、前記第２ステップにおいて第２の安定状
態に遷移させるために印加するパルスの振幅をV2、前記
第３ステップにおいてしきい値の低い画素の表示状態を
変化させるために印加するパルスの振幅をV3とすれば、 Vsat(max)≦V1 Vth(max)＜V2＜Vsat（max） Vth（min）≦V3＜Vth(max) である請求項３に記載の液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項５】 走査電極群と信号電極群をマトリクス状
に配置し、該走査電極と該信号電極との交差部に画素を
配置し、この両画素間に電界方向に対して双安定性を有
する強誘電性液晶を充填した表示部を備え、画像或いは
情報の表示を行う液晶表示装置の駆動方法において、 前記表示部のしきい値電圧の最大値をVth(max)、飽和電
圧の最大値をVsat(max)とした場合、 ａ）Vsat(max)以上のVaなる一方極性のパルスを前記画
素に印加するステップ、 ｂ）前記ａ）ステップの後に、階調情報に応じたVbなる
Vth(max) ≦Vb＜Vsat(max)を満たす、他方極性のパルス
を該画素に印加するステップ、 ｃ）前記ｂ）ステップの後に、Vth(max)と等しいVcなる
一方極性の信号を該画素に印加するステップ、 ｄ）前記ｃ）ステップの後に、VdなるVb×Vth(max)／Vs
at(max)を満たす、他方極性のパルスを該画素に印加す
るステップ、を有することを特徴とする液晶表示装置の
駆動方法。 - 【請求項６】 前記Va、Vb、Vc、Vdは、夫々のパルスの
幅を一定とした時の振幅の値である請求項５に記載の液
晶表示装置の駆動方法。
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