JPH05326925A - ショットキバリア半導体装置 - Google Patents
ショットキバリア半導体装置Info
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- JPH05326925A JPH05326925A JP14684092A JP14684092A JPH05326925A JP H05326925 A JPH05326925 A JP H05326925A JP 14684092 A JP14684092 A JP 14684092A JP 14684092 A JP14684092 A JP 14684092A JP H05326925 A JPH05326925 A JP H05326925A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 単結晶半導体基体の平面状の主表面にショッ
トキバリア金属を接触して設け、その接触面はバリアハ
イトの高い領域ではさむように形成することにより、順
方向電圧降下及び逆方向電流が小さく、製造容易なショ
ットキバリア半導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 平面状の基体主表面に水素を含む半導体領域
５を複数個、基体の領域をはさむごとく形成し、基体の
領域及び水素を含む半導体領域にわたりショットキバリ
ア金属３を接触して設ける。又、はさまれる基体の領域
の幅を２μｍ以下とする。
トキバリア金属を接触して設け、その接触面はバリアハ
イトの高い領域ではさむように形成することにより、順
方向電圧降下及び逆方向電流が小さく、製造容易なショ
ットキバリア半導体装置を得ることを目的とする。 【構成】 平面状の基体主表面に水素を含む半導体領域
５を複数個、基体の領域をはさむごとく形成し、基体の
領域及び水素を含む半導体領域にわたりショットキバリ
ア金属３を接触して設ける。又、はさまれる基体の領域
の幅を２μｍ以下とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ショットキバリア半導
体装置の構造に関するものである。
体装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、順方向特性が優れ、高速、か
つ低損失の整流ダイオ−ドとして、ショットキバリア半
導体装置が知られている。
つ低損失の整流ダイオ−ドとして、ショットキバリア半
導体装置が知られている。
【０００３】図１は、従来構造のショットキバリアダイ
オ−ドの断面構造図であり、１はシリコン単結晶基板、
２はエピタキシアル成長層等のシリコン単結晶基体、３
はショットキバリア金属、４は酸化膜等の表面保護用絶
縁膜、６は２のシリコン単結晶基体の導電型と逆の導電
型を有するガ−ドリング領域、Ａはアノ−ド電極、Ｃは
カソ−ド電極である。
オ−ドの断面構造図であり、１はシリコン単結晶基板、
２はエピタキシアル成長層等のシリコン単結晶基体、３
はショットキバリア金属、４は酸化膜等の表面保護用絶
縁膜、６は２のシリコン単結晶基体の導電型と逆の導電
型を有するガ−ドリング領域、Ａはアノ−ド電極、Ｃは
カソ−ド電極である。
【０００４】図１のような従来構造により、低損失のシ
ョットキバリアダイオ−ドを実現するためには順方向電
圧降下と逆方向電流が現在のものより小さく、ダイオ−
ドの損失即ち順方向損失と逆方向損失の和の小さい整流
特性の良好なもの （２） の実現が必要がある。しかし、ショットキバリアダイオ
−ドの順方向電圧降下と逆方向電流は図２に示す定性的
な関係図のように、ショットキ接合を形成するバリアメ
タルの材質によって決定される。一般には順方向電圧降
下が小さいものは逆方向漏れ電流が大きく、逆方向漏れ
電流が小さいものは順方向電圧降下が大きいという順逆
相反する性質を有する。例えば順方向電圧降下を従来知
られているメタルで見れば、図２のようにチタン（Ｔ
ｉ）、クロム（Ｃｒ）、現在最も多く用いられているモ
リブデン（Ｍｏ）の順序で大となって順方向損失を大と
する傾向をもつ。従って損失が順方向と逆方向の和で与
えられるダイオ−ドにおいては、順逆方向損失の兼ね合
いによっても最も低損失が実現される材質を選ばざるを
得ず、現状ではモリブデン（Ｍｏ）が最も多く用いられ
ている。
ョットキバリアダイオ−ドを実現するためには順方向電
圧降下と逆方向電流が現在のものより小さく、ダイオ−
ドの損失即ち順方向損失と逆方向損失の和の小さい整流
特性の良好なもの （２） の実現が必要がある。しかし、ショットキバリアダイオ
−ドの順方向電圧降下と逆方向電流は図２に示す定性的
な関係図のように、ショットキ接合を形成するバリアメ
タルの材質によって決定される。一般には順方向電圧降
下が小さいものは逆方向漏れ電流が大きく、逆方向漏れ
電流が小さいものは順方向電圧降下が大きいという順逆
相反する性質を有する。例えば順方向電圧降下を従来知
られているメタルで見れば、図２のようにチタン（Ｔ
ｉ）、クロム（Ｃｒ）、現在最も多く用いられているモ
リブデン（Ｍｏ）の順序で大となって順方向損失を大と
する傾向をもつ。従って損失が順方向と逆方向の和で与
えられるダイオ−ドにおいては、順逆方向損失の兼ね合
いによっても最も低損失が実現される材質を選ばざるを
得ず、現状ではモリブデン（Ｍｏ）が最も多く用いられ
ている。
【０００５】その他、主として、逆方向特性の改善のた
め、図１のショットキバリア金属３と接触するシリコン
単結晶基体２の表面を凹凸状とし、凹部に逆導電型半導
体領域を形成する構造のショットキダイオ−ドなどが提
案されている。
め、図１のショットキバリア金属３と接触するシリコン
単結晶基体２の表面を凹凸状とし、凹部に逆導電型半導
体領域を形成する構造のショットキダイオ−ドなどが提
案されている。
【０００６】
【発明の解決しようとする課題】解決しようとする問題
点は、従来構造ではショットキバリア金属が一種類であ
るため、順方向特性及び逆方向特性の両方を満足させる
構造を得ることが困難であり、又、単結晶基体表面に凹
凸を設けて、ショットキバリア金属を接触させる構造は
製造が厄介である。
点は、従来構造ではショットキバリア金属が一種類であ
るため、順方向特性及び逆方向特性の両方を満足させる
構造を得ることが困難であり、又、単結晶基体表面に凹
凸を設けて、ショットキバリア金属を接触させる構造は
製造が厄介である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】平面状をなす単結晶半導
体基体の主表面に、水素を含む半導体領域を複数個、該基
体の領域をはさむごとく形成し、該基体の領域、及び水
素を含む半導体領域にわたり、ショットキバリア金属を
接触して設け、水素を含む半導体領域と該金属のバリア
ハイトを該基体の領域と該金属のバリアハイトより大き
くしたことを特徴とし、又、水素を含む半導体領域がは
さむ基体の領域の幅 （３） を２μｍ以下とすることである。これにより、順方向電
圧降下及び逆方向電流が小さく、かつ、製造容易なショ
ットキバリア半導体装置を得る。
体基体の主表面に、水素を含む半導体領域を複数個、該基
体の領域をはさむごとく形成し、該基体の領域、及び水
素を含む半導体領域にわたり、ショットキバリア金属を
接触して設け、水素を含む半導体領域と該金属のバリア
ハイトを該基体の領域と該金属のバリアハイトより大き
くしたことを特徴とし、又、水素を含む半導体領域がは
さむ基体の領域の幅 （３） を２μｍ以下とすることである。これにより、順方向電
圧降下及び逆方向電流が小さく、かつ、製造容易なショ
ットキバリア半導体装置を得る。
【０００８】
【実施例】図３（ａ）（ｂ）は本発明の実施例を示す平
面図及び断面図であり、図１と同一符号は同等部分を示
す。５は水素を含む半導体領域であり、平面状のシリコ
ン単結晶基体２の主表面に、複数個、形成する。従っ
て、基体２は少なくとも主表面において、水素を含む半
導体領域５ではさまれる。そのはさまれる最近接の幅Ｗ
は、２μｍ以下とし、好ましくは１.５μｍ以下にすべ
きである。水素を含む半導体領域５は、本発明者が発見
した現象（半導体表面をプラズマに曝すことによりショ
ットキ接触のバリアハイトφBを変化できる。）にもと
づき、水素プラズマを用いて形成し得る。又、水素を含
む半導体領域５は、内部に非晶質及び単結晶質が混在す
る変質層が形成していると考えられる。このように、形
成した領域５とショットキバリア金属３の接触によるバ
リアハイトφBは、基体２とショットキバリア金属３の
接触によるバリアハイトφBより高くなる。つまり、領
域５によりバリアハイトφBの高いパタ−ンが基体２の
主表面に形成され、図１の従来構造に比し、逆方向特性
の改善をなし得る。
面図及び断面図であり、図１と同一符号は同等部分を示
す。５は水素を含む半導体領域であり、平面状のシリコ
ン単結晶基体２の主表面に、複数個、形成する。従っ
て、基体２は少なくとも主表面において、水素を含む半
導体領域５ではさまれる。そのはさまれる最近接の幅Ｗ
は、２μｍ以下とし、好ましくは１.５μｍ以下にすべ
きである。水素を含む半導体領域５は、本発明者が発見
した現象（半導体表面をプラズマに曝すことによりショ
ットキ接触のバリアハイトφBを変化できる。）にもと
づき、水素プラズマを用いて形成し得る。又、水素を含
む半導体領域５は、内部に非晶質及び単結晶質が混在す
る変質層が形成していると考えられる。このように、形
成した領域５とショットキバリア金属３の接触によるバ
リアハイトφBは、基体２とショットキバリア金属３の
接触によるバリアハイトφBより高くなる。つまり、領
域５によりバリアハイトφBの高いパタ−ンが基体２の
主表面に形成され、図１の従来構造に比し、逆方向特性
の改善をなし得る。
【０００９】又、本発明構造では、平面状の基体２の主
表面に水素を含む半導体領域５をプラズマ放電等により
形成するので、基体２の主表面を凹凸状にするためのド
ライエッチング工程等を必要とせず、製造が容易とな
る。又、凹凸構造による凸部の破損や凹部への電極金属
形成の不完全性等の構造上の問題を生じない。さらに、
凹凸構造にしないので、基体２の厚さを薄くでき、凸部
を順方向電流通路とする従来構造に比し、シリ−ズ抵抗
を小さくできるので、順方向電圧降下を小ならしめる構
造となる。
表面に水素を含む半導体領域５をプラズマ放電等により
形成するので、基体２の主表面を凹凸状にするためのド
ライエッチング工程等を必要とせず、製造が容易とな
る。又、凹凸構造による凸部の破損や凹部への電極金属
形成の不完全性等の構造上の問題を生じない。さらに、
凹凸構造にしないので、基体２の厚さを薄くでき、凸部
を順方向電流通路とする従来構造に比し、シリ−ズ抵抗
を小さくできるので、順方向電圧降下を小ならしめる構
造となる。
【００１０】図４（ａ）（ｂ）は従来例と比較した本発
明構造によるダイオ−ドの特性図 （４） で（ａ）は順方向特性図、（ｂ）は逆方向特性図で図中
各々（イ）は従来例で、現在最も多く用いられているＭ
ｏショットキバリアダイオ−ド（バリア高さ０.６ｅ
Ｖ）、（ロ）は本発明構造のＷを０.５μｍとした場合
の実施例を示す。即ち本発明構造の実施例による順方向
特性（ロ）はＶF＝０.４２volt（ａｔ ２００Ａｍｐ／
ｃｍ2）であり、従来構造（イ）のＭｏショットキバリ
アダイオ−ド ＶF＝０.４０voltに近い順方向特性が得
られた。一方逆方向特性において本実施例では特性
（ロ）に示すように降伏電圧ＶB≒５０voltの点ではＩ
Ｒ＝０.０４ｍＡ程度の逆方向漏れ電流（ＩR）を得た。
従来構造のＭｏショットキバリアダイオ−ドではＩR＝
１.０ｍＡであり、約１／２５にすることができた。
明構造によるダイオ−ドの特性図 （４） で（ａ）は順方向特性図、（ｂ）は逆方向特性図で図中
各々（イ）は従来例で、現在最も多く用いられているＭ
ｏショットキバリアダイオ−ド（バリア高さ０.６ｅ
Ｖ）、（ロ）は本発明構造のＷを０.５μｍとした場合
の実施例を示す。即ち本発明構造の実施例による順方向
特性（ロ）はＶF＝０.４２volt（ａｔ ２００Ａｍｐ／
ｃｍ2）であり、従来構造（イ）のＭｏショットキバリ
アダイオ−ド ＶF＝０.４０voltに近い順方向特性が得
られた。一方逆方向特性において本実施例では特性
（ロ）に示すように降伏電圧ＶB≒５０voltの点ではＩ
Ｒ＝０.０４ｍＡ程度の逆方向漏れ電流（ＩR）を得た。
従来構造のＭｏショットキバリアダイオ−ドではＩR＝
１.０ｍＡであり、約１／２５にすることができた。
【００１１】次に、前記の本発明構造の実施例につい
て、製造工程例を述べる。Ｎ型シリコンエピタキシアル
ウェハ−の一部に水素を含むアモルファス状のシリコン
層を形成する例を以下に説明する。ヒ素不純物原子をド
−プした比抵抗０.００３Ω・ｃｍ厚さ４００μｍのシ
リコン基板１上にリンを不純物原子とした比抵抗０.５
Ω・ｃｍのエピタキシアルシリコン層２を６μｍ堆積さ
せる。スチ−ム酸化処理で約０.７μｍ厚さのＳiＯ2膜
を形成し、ガ−ドリング部分のみの酸化膜を除去する第
１次の写真処理を行う。その後、フッ酸系のエッチング
液でガ−ドリング部を窓開けする。イオン注入でボロン
原子を約５×１０14ｃｍ-2を５０ｋｅＶで打ち込み、１
１００℃、１２０分、Ｏ2雰囲気でアニ−ル拡散してガ
−ドリング部６（Ｐ+拡散）２μｍを形成する。次に、
ショットキ金属を形成する部分のガ−ドリング部内側の
酸化膜を除去する第２次の写真処理を行う。さらに、１
０００℃、５０分、Ｏ2雰囲気で酸化させ、約５００オ
ングストロ−ムの酸化膜をショットキ金属を形成する部
分に成長させる。この酸化膜は、水素プラズマ処理時の
マスクとして使用する。この酸化膜が水素プラズマに対
してマスクとしての役割を示すために必要な厚さは、モ
ンテカルロ法によるシミュレ−ション結果によると最低
で （５） も３００オングストロ−ムを必要とする。次に、第３次
の写真処理後フッ酸系のエッチング液で水素プラズマに
晒す部分の酸化膜を除去する。ＲＩＥを使用して、水素
ガスを導入し、約２０ｍTorrに調整したら、約２ｋＷの
電力を投入し、プラズマ放電させる。水素プラズマに晒
されたガ−ドリング内側のＳｉ表面には水素を含んだア
モルファス状のシリコン層５が形成される。なお、アモ
ルファスシリコン層の膜厚・性質などはＲＩＥの条件、
圧力、パワ−、導入するガスの種類等を変えることによ
り制御することも可能である。次に、前記水素プラズマ
に対してマスクとして用いた５００オングストロ−ムの
酸化膜をフッ酸系のエッチング液で除去する。こうして
アモルファスシリコン層５をシリコン層２に存在せし
め、ショットキ金属を接触させる領域が形成された。上
記酸化膜のエッチング後、Ｍｏ３を蒸着する。Ｍｏの膜
厚は約５０００オングストロ−ムとし、引き続きＣｒ及
びＮｉ蒸着を同一真空蒸着室内で通常方法にて行った。
ＣｒはＭｏ及びＮｉの拡散バリア金属の役目をする。ま
た、Ｓｉウェハ−の裏面にもＣｒ／Ｎｉ蒸着を引き続き
処理する。次に、パタ−ン面のＡ電極必要領域にのみＭ
ｏ／Ｃｒ／Ｎｉが存在するように第４次写真を行う。Ｎ
ｉのエッチング液は塩化第２鉄系のエッチング液で、Ｃ
ｒは硝酸第２セリウム系のエッチング液で、さらにＭｏ
は公知のＨＦ系のエッチング液でエッチングした。その
後、ウェハ−上のＮｉ面にＰｂ−Ｓｎ系ハンダを溶融、
チップをダイシングし、通常の工程にて、ショットキバ
リアダイオ−ドチップを完成させた。
て、製造工程例を述べる。Ｎ型シリコンエピタキシアル
ウェハ−の一部に水素を含むアモルファス状のシリコン
層を形成する例を以下に説明する。ヒ素不純物原子をド
−プした比抵抗０.００３Ω・ｃｍ厚さ４００μｍのシ
リコン基板１上にリンを不純物原子とした比抵抗０.５
Ω・ｃｍのエピタキシアルシリコン層２を６μｍ堆積さ
せる。スチ−ム酸化処理で約０.７μｍ厚さのＳiＯ2膜
を形成し、ガ−ドリング部分のみの酸化膜を除去する第
１次の写真処理を行う。その後、フッ酸系のエッチング
液でガ−ドリング部を窓開けする。イオン注入でボロン
原子を約５×１０14ｃｍ-2を５０ｋｅＶで打ち込み、１
１００℃、１２０分、Ｏ2雰囲気でアニ−ル拡散してガ
−ドリング部６（Ｐ+拡散）２μｍを形成する。次に、
ショットキ金属を形成する部分のガ−ドリング部内側の
酸化膜を除去する第２次の写真処理を行う。さらに、１
０００℃、５０分、Ｏ2雰囲気で酸化させ、約５００オ
ングストロ−ムの酸化膜をショットキ金属を形成する部
分に成長させる。この酸化膜は、水素プラズマ処理時の
マスクとして使用する。この酸化膜が水素プラズマに対
してマスクとしての役割を示すために必要な厚さは、モ
ンテカルロ法によるシミュレ−ション結果によると最低
で （５） も３００オングストロ−ムを必要とする。次に、第３次
の写真処理後フッ酸系のエッチング液で水素プラズマに
晒す部分の酸化膜を除去する。ＲＩＥを使用して、水素
ガスを導入し、約２０ｍTorrに調整したら、約２ｋＷの
電力を投入し、プラズマ放電させる。水素プラズマに晒
されたガ−ドリング内側のＳｉ表面には水素を含んだア
モルファス状のシリコン層５が形成される。なお、アモ
ルファスシリコン層の膜厚・性質などはＲＩＥの条件、
圧力、パワ−、導入するガスの種類等を変えることによ
り制御することも可能である。次に、前記水素プラズマ
に対してマスクとして用いた５００オングストロ−ムの
酸化膜をフッ酸系のエッチング液で除去する。こうして
アモルファスシリコン層５をシリコン層２に存在せし
め、ショットキ金属を接触させる領域が形成された。上
記酸化膜のエッチング後、Ｍｏ３を蒸着する。Ｍｏの膜
厚は約５０００オングストロ−ムとし、引き続きＣｒ及
びＮｉ蒸着を同一真空蒸着室内で通常方法にて行った。
ＣｒはＭｏ及びＮｉの拡散バリア金属の役目をする。ま
た、Ｓｉウェハ−の裏面にもＣｒ／Ｎｉ蒸着を引き続き
処理する。次に、パタ−ン面のＡ電極必要領域にのみＭ
ｏ／Ｃｒ／Ｎｉが存在するように第４次写真を行う。Ｎ
ｉのエッチング液は塩化第２鉄系のエッチング液で、Ｃ
ｒは硝酸第２セリウム系のエッチング液で、さらにＭｏ
は公知のＨＦ系のエッチング液でエッチングした。その
後、ウェハ−上のＮｉ面にＰｂ−Ｓｎ系ハンダを溶融、
チップをダイシングし、通常の工程にて、ショットキバ
リアダイオ−ドチップを完成させた。
【００１２】次に、前記せるごとく、基体２をはさむ領
域５の最近接の幅Ｗは２μｍ以下で、好ましくは１.５
μｍ以下にする必要がある。その最近接の幅が上限値を
こえると逆方向特性の改善がみられなくなる。
域５の最近接の幅Ｗは２μｍ以下で、好ましくは１.５
μｍ以下にする必要がある。その最近接の幅が上限値を
こえると逆方向特性の改善がみられなくなる。
【００１３】本発明構造は、図３（ａ）の平面図のよう
に四角形の基体領域２を水素を含 （６） んだ領域５の表面に点在せしめたが、領域２の形状を、
他の形状とすること、多数の短ざく状とすること、多数
のリング状とすることなど、設計上の選択をなし得る。
又本発明構造を、集積回路装置の一部に組み込むこと
や、その他の変形、変換、付加等の変更をなしても本発
明の要旨の範囲で本願権利に含まれるものである。
に四角形の基体領域２を水素を含 （６） んだ領域５の表面に点在せしめたが、領域２の形状を、
他の形状とすること、多数の短ざく状とすること、多数
のリング状とすることなど、設計上の選択をなし得る。
又本発明構造を、集積回路装置の一部に組み込むこと
や、その他の変形、変換、付加等の変更をなしても本発
明の要旨の範囲で本願権利に含まれるものである。
【００１４】以上、説明したように、順方向電圧降下及
び逆方向電流の小なるショットキバリア半導体装置を製
造容易に得ることができ、電源機器をはじめ、各種機器
に利用して、産業上の効果、極めて大なるものである。
び逆方向電流の小なるショットキバリア半導体装置を製
造容易に得ることができ、電源機器をはじめ、各種機器
に利用して、産業上の効果、極めて大なるものである。
【図１】従来構造の断面構造図である。
【図２】従来構造の整流特性関係図である。
【図３】本発明構造の構造図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は断面図である。
（ｂ）は断面図である。
【図４】特性図であり、（ａ）は順方向特性図、（ｂ）
は逆方向特性図である。
は逆方向特性図である。
１ 単結晶基板 ２ 単結晶基体 ３ ショットキバリア金属 ４ 表面保護用絶縁膜 ５ 水素を含む半導体領域 ６ ガ−ドリング領域 Ａ アノ−ド電極 Ｃ カソ−ド電極 Ｗ ５をはさむ２の最近接の幅
Claims (2)
- 【請求項１】 平面状をなす単結晶半導体基体の主表面
に、水素を含む半導体領域を複数個、該基体の領域をは
さむごとく形成し、該基体の領域、及び水素を含む半導
体領域にわたり、ショットキバリア金属を接触して設
け、水素を含む半導体領域と該金属のバリアハイトを該
基体の領域と該金属のバリアハイトより大きくしたこと
を特徴とするショットキバリア半導体装置。 - 【請求項２】 水素を含む半導体領域がはさむ基体の領
域の幅を２μｍ以下としたことを特徴とする請求項１の
ショットキバリア半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14684092A JPH05326925A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | ショットキバリア半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14684092A JPH05326925A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | ショットキバリア半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326925A true JPH05326925A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15416725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14684092A Pending JPH05326925A (ja) | 1992-05-14 | 1992-05-14 | ショットキバリア半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326925A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1119055A1 (en) * | 2000-01-19 | 2001-07-25 | Fabtech, Inc. | Distributed reverse surge guard |
| US6462393B2 (en) | 2001-03-20 | 2002-10-08 | Fabtech, Inc. | Schottky device |
| US6717229B2 (en) | 2000-01-19 | 2004-04-06 | Fabtech, Inc. | Distributed reverse surge guard |
| CN110870079A (zh) * | 2017-07-08 | 2020-03-06 | 株式会社Flosfia | 半导体装置 |
-
1992
- 1992-05-14 JP JP14684092A patent/JPH05326925A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1119055A1 (en) * | 2000-01-19 | 2001-07-25 | Fabtech, Inc. | Distributed reverse surge guard |
| US6717229B2 (en) | 2000-01-19 | 2004-04-06 | Fabtech, Inc. | Distributed reverse surge guard |
| US6462393B2 (en) | 2001-03-20 | 2002-10-08 | Fabtech, Inc. | Schottky device |
| US6710419B2 (en) | 2001-03-20 | 2004-03-23 | Fabtech, Inc. | Method of manufacturing a schottky device |
| CN110870079A (zh) * | 2017-07-08 | 2020-03-06 | 株式会社Flosfia | 半导体装置 |
| EP3654387A4 (en) * | 2017-07-08 | 2021-03-31 | Flosfia Inc. | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
| US11450774B2 (en) | 2017-07-08 | 2022-09-20 | Flosfia Inc. | Semiconductor device including two or more adjustment regions |
| JP2023068204A (ja) * | 2017-07-08 | 2023-05-16 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
| CN110870079B (zh) * | 2017-07-08 | 2024-01-09 | 株式会社Flosfia | 半导体装置 |
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