JPH05327018A - 半導体発光装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光装置及びその製造方法Info
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- JPH05327018A JPH05327018A JP14996992A JP14996992A JPH05327018A JP H05327018 A JPH05327018 A JP H05327018A JP 14996992 A JP14996992 A JP 14996992A JP 14996992 A JP14996992 A JP 14996992A JP H05327018 A JPH05327018 A JP H05327018A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極の蒸着工程における不要部分への金属付
着を防止して、光出力特性を均一させる。 【構成】 発光部分７の列の両側面にこの列と平行方向
に形成した逆メサ型のエッチング溝に、高抵抗の化合物
半導体の埋め込み層１２が埋められて、電気的に分離さ
れたままエッチング前と同様の平坦な表面状態になって
いるので、その後、各発光部分７を分離する順メサ型の
エッチング溝を形成しても発光部分７に出っ張った角の
部分ができることはない。その結果、電極１０を蒸着す
る際に必要のない部分にまで、金属が蒸着されることが
なくなり、発光部分７から発光される光を遮ったり、ｐ
ｎ接合部分をショートさせることがなくなる。
着を防止して、光出力特性を均一させる。 【構成】 発光部分７の列の両側面にこの列と平行方向
に形成した逆メサ型のエッチング溝に、高抵抗の化合物
半導体の埋め込み層１２が埋められて、電気的に分離さ
れたままエッチング前と同様の平坦な表面状態になって
いるので、その後、各発光部分７を分離する順メサ型の
エッチング溝を形成しても発光部分７に出っ張った角の
部分ができることはない。その結果、電極１０を蒸着す
る際に必要のない部分にまで、金属が蒸着されることが
なくなり、発光部分７から発光される光を遮ったり、ｐ
ｎ接合部分をショートさせることがなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モノリシック発光ダイ
オードアレイなどの半導体発光装置に関するものであ
る。
オードアレイなどの半導体発光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、発光ダイオードアレイは、光
源としてＬＥＤプリンタ装置に使用されるなど各種装置
に使用されている。そして、単結晶基板上にエピタキシ
ャル成長させた各層からなる化合物半導体の表面に複数
の発光部分（発光ダイオード部）を列状に形成したモノ
リシック発光ダイオードアレイでは、それぞれの発光部
分が、選択拡散法やメサ型エッチング法などによって各
々分離されている。そして、例えば、ＧａＡｓ基板上に
ＧａＡｓＰ層をエピタキシャル成長させた化合物半導体
の発光部分の分離を選択拡散法によって行う場合は、エ
ピタキシャル成長されたＧａＡｓＰ層の各発光部分の境
界部分にＺｎを拡散する方法が多く採られているが、こ
の方法は、拡散マスクとＧａＡｓＰ層表面との界面にＺ
ｎが拡散しやすく、製造歩留まりが悪くなるという欠点
があった。
源としてＬＥＤプリンタ装置に使用されるなど各種装置
に使用されている。そして、単結晶基板上にエピタキシ
ャル成長させた各層からなる化合物半導体の表面に複数
の発光部分（発光ダイオード部）を列状に形成したモノ
リシック発光ダイオードアレイでは、それぞれの発光部
分が、選択拡散法やメサ型エッチング法などによって各
々分離されている。そして、例えば、ＧａＡｓ基板上に
ＧａＡｓＰ層をエピタキシャル成長させた化合物半導体
の発光部分の分離を選択拡散法によって行う場合は、エ
ピタキシャル成長されたＧａＡｓＰ層の各発光部分の境
界部分にＺｎを拡散する方法が多く採られているが、こ
の方法は、拡散マスクとＧａＡｓＰ層表面との界面にＺ
ｎが拡散しやすく、製造歩留まりが悪くなるという欠点
があった。
【０００３】そこで、基板表面に凹凸を形成して各発光
部分を分離するメサ型エッチング法が多く用いられてい
る。このメサ型エッチング法を図５〜図８と共に説明す
る。図５はエッチング前の化合物半導体を示す斜視図、
図６は図５に示す化合物半導体をエッチングした半導体
発光装置のＡ−Ａ断面図、図７は同じくＢ−Ｂ断面図、
図８は発光部分を示す一部拡大斜視図である。
部分を分離するメサ型エッチング法が多く用いられてい
る。このメサ型エッチング法を図５〜図８と共に説明す
る。図５はエッチング前の化合物半導体を示す斜視図、
図６は図５に示す化合物半導体をエッチングした半導体
発光装置のＡ−Ａ断面図、図７は同じくＢ−Ｂ断面図、
図８は発光部分を示す一部拡大斜視図である。
【０００４】図５に示す化合物半導体は、（１ ０
０）ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
バッファ層２、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３、
ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層４及びｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層５をＬＰＥ（液相成長法）等の手法
によって順次エピタキシャル結晶成長したものである
（但し、ｙ＜ｘ，ｚ）。そして、この上にＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮ等のエッチングマスク６を図のように設けて、パタ
ーニングしたのち、塩酸系或いはリン酸系のエッチャン
トを使用してエッチングを行うと図６，図７のようにエ
ッチングされて発光部分７が分離される。
０）ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
バッファ層２、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３、
ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層４及びｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層５をＬＰＥ（液相成長法）等の手法
によって順次エピタキシャル結晶成長したものである
（但し、ｙ＜ｘ，ｚ）。そして、この上にＳｉＯ2 、Ｓ
ｉＮ等のエッチングマスク６を図のように設けて、パタ
ーニングしたのち、塩酸系或いはリン酸系のエッチャン
トを使用してエッチングを行うと図６，図７のようにエ
ッチングされて発光部分７が分離される。
【０００５】一般に、III −Ｖ族化合物半導体結晶はエ
ッチング方向に異方性が強く存在し、（１ ０ ０）面
を＜０ １ １＞方向の溝を形成するようにメサエッチ
ングすると、その溝の側面の稜角は鋭角（逆メサ）とな
り、＜０ −１ １＞方向の溝を形成するようにメサエ
ッチングすると、その溝の側面の稜角は鈍角（順メサ）
となる。したがって、この例では、発光部分７の並ぶ列
方向（アレイ方向）の結晶軸が＜０ −１ １＞方向で
あるので、この列と平行方向にエッチングされる溝は図
７に示すように順メサ型のエッチング溝となり、この溝
と垂直方向では、結晶軸が＜０ １ １＞方向であるの
で、各発光部分７を分離するためにその間にエッチング
される溝は、図６に示すように逆メサ型のエッチング溝
となる。そして、ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５
上全体に保護膜８を設けて、発光部分７上の電極コンタ
クト部分にスルーホール９を設けた後、リフトオフ法に
よって電極１０を順メサ型のエッチング溝上を這うよう
に（アレイ方向とは垂直方向に）、引き出している（図
８）。なお、逆メサ型のエッチング溝上に金属を蒸着す
ると断切れを生じるので、逆メサ型のエッチング溝上を
這うようにして電極を引き出すのは好ましくない。
ッチング方向に異方性が強く存在し、（１ ０ ０）面
を＜０ １ １＞方向の溝を形成するようにメサエッチ
ングすると、その溝の側面の稜角は鋭角（逆メサ）とな
り、＜０ −１ １＞方向の溝を形成するようにメサエ
ッチングすると、その溝の側面の稜角は鈍角（順メサ）
となる。したがって、この例では、発光部分７の並ぶ列
方向（アレイ方向）の結晶軸が＜０ −１ １＞方向で
あるので、この列と平行方向にエッチングされる溝は図
７に示すように順メサ型のエッチング溝となり、この溝
と垂直方向では、結晶軸が＜０ １ １＞方向であるの
で、各発光部分７を分離するためにその間にエッチング
される溝は、図６に示すように逆メサ型のエッチング溝
となる。そして、ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５
上全体に保護膜８を設けて、発光部分７上の電極コンタ
クト部分にスルーホール９を設けた後、リフトオフ法に
よって電極１０を順メサ型のエッチング溝上を這うよう
に（アレイ方向とは垂直方向に）、引き出している（図
８）。なお、逆メサ型のエッチング溝上に金属を蒸着す
ると断切れを生じるので、逆メサ型のエッチング溝上を
這うようにして電極を引き出すのは好ましくない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】リフトオフ法では電極
材料を蒸着する前にレジストのパターニングを行うが、
レジストは、段差のある基板表面では均一に塗布するこ
とが難しく、出っ張った段差の角となる部分では薄くな
ってしまう。そして、上述し、図８に示したような従来
構造の半導体発光装置では、発光部分７のメサ型にエッ
チングされた４つの角の部分に塗布されたレジストが薄
くなり、現像時にこの部分のレジストが解けて保護膜８
が露出し、電極１０の金属蒸着時にこの部分にも金属１
０ａ〜１０ｄが蒸着されてしまうことがあった。このた
め、ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５とｐ型Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３とがこの金属１０ａ〜１０ｄ
によって接続されてショートしたり、発光部分７の上面
から発光される光の妨げになったりして、各発光部分７
の出力光レベルが均一にならないなどの問題点があっ
た。また、角の部分への金属付着を防止するためにレジ
スト全体を厚く塗布すると、パターニングの線幅の精度
が取り難くなり、良好な電極形状が得られなくなるの
で、あまり厚くすることができないという課題があっ
た。そこで本発明は、発光部分に出っ張った角となる部
分をなくした構造にし、電極の蒸着工程における不要部
分への金属付着を防止することを目的とする。
材料を蒸着する前にレジストのパターニングを行うが、
レジストは、段差のある基板表面では均一に塗布するこ
とが難しく、出っ張った段差の角となる部分では薄くな
ってしまう。そして、上述し、図８に示したような従来
構造の半導体発光装置では、発光部分７のメサ型にエッ
チングされた４つの角の部分に塗布されたレジストが薄
くなり、現像時にこの部分のレジストが解けて保護膜８
が露出し、電極１０の金属蒸着時にこの部分にも金属１
０ａ〜１０ｄが蒸着されてしまうことがあった。このた
め、ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５とｐ型Ａｌx
Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３とがこの金属１０ａ〜１０ｄ
によって接続されてショートしたり、発光部分７の上面
から発光される光の妨げになったりして、各発光部分７
の出力光レベルが均一にならないなどの問題点があっ
た。また、角の部分への金属付着を防止するためにレジ
スト全体を厚く塗布すると、パターニングの線幅の精度
が取り難くなり、良好な電極形状が得られなくなるの
で、あまり厚くすることができないという課題があっ
た。そこで本発明は、発光部分に出っ張った角となる部
分をなくした構造にし、電極の蒸着工程における不要部
分への金属付着を防止することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、ｐｎ接合を有する化合物半導体に列状に
形成された複数の発光部分を有する半導体発光装置にお
いて、前記各発光部分は順メサ形状の溝とこの順メサ形
状の溝と垂直方向に設けられた逆メサ形状の溝によって
各々分離されていると共に、この逆メサ形状の溝に高抵
抗の化合物半導体が埋め込まれていることを特徴とする
半導体発光装置、及び、ｐｎ接合を有する化合物半導体
の表面に複数の発光部分を列状に形成する半導体発光装
置の製造方法であって、単結晶基板上にｐｎ接合を形成
するように化合物半導体をエピタキシャル成長させる工
程と、この化合物半導体表面をｐｎ接合が露出するまで
エッチングして逆メサ形状の溝を形成する工程と、この
逆メサ形状の溝に高抵抗の化合物半導体を選択成長させ
る工程と、前記化合物半導体表面を前記逆メサ形状の溝
と垂直方向にｐｎ接合が露出するまでエッチングして順
メサ形状の溝を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体発光装置の製造方法を提供しようとするものであ
る。
の手段として、ｐｎ接合を有する化合物半導体に列状に
形成された複数の発光部分を有する半導体発光装置にお
いて、前記各発光部分は順メサ形状の溝とこの順メサ形
状の溝と垂直方向に設けられた逆メサ形状の溝によって
各々分離されていると共に、この逆メサ形状の溝に高抵
抗の化合物半導体が埋め込まれていることを特徴とする
半導体発光装置、及び、ｐｎ接合を有する化合物半導体
の表面に複数の発光部分を列状に形成する半導体発光装
置の製造方法であって、単結晶基板上にｐｎ接合を形成
するように化合物半導体をエピタキシャル成長させる工
程と、この化合物半導体表面をｐｎ接合が露出するまで
エッチングして逆メサ形状の溝を形成する工程と、この
逆メサ形状の溝に高抵抗の化合物半導体を選択成長させ
る工程と、前記化合物半導体表面を前記逆メサ形状の溝
と垂直方向にｐｎ接合が露出するまでエッチングして順
メサ形状の溝を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体発光装置の製造方法を提供しようとするものであ
る。
【０００８】
【実施例】本発明の半導体発光装置の一実施例を図面と
共に説明する。図１は本実施例の半導体発光装置を示す
斜視図、図２は図１に示す半導体発光装置のＣ−Ｃ断面
図、図３は図１に示す半導体発光装置のＤ−Ｄ断面図、
図４はエッチング前の化合物半導体を示す斜視図であ
る。
共に説明する。図１は本実施例の半導体発光装置を示す
斜視図、図２は図１に示す半導体発光装置のＣ−Ｃ断面
図、図３は図１に示す半導体発光装置のＤ−Ｄ断面図、
図４はエッチング前の化合物半導体を示す斜視図であ
る。
【０００９】まず、図１に示す半導体発光装置の製造方
法を説明する。図４に示す化合物半導体は、（１ ０
０）ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
バッファ層２、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３、
ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層４及びｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層５をそれぞれＬＰＥ（液相成長法）
等の手法によって順次エピタキシャル結晶成長させたも
のである（但し、ｙ＜ｘ，ｚ）。そして、このｎ型Ａｌ
z Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５上全面にプラズマＣＶＤ法
により、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等のエッチングマスク６を付
けた後、逆メサ型のエッチング溝を設けるために、エッ
チングマスク６を図のように＜０ １ １＞方向のスト
ライプ状にドライエッチングする。次に、塩酸系或いは
リン酸系のエッチャントを使用して、このエッチングマ
スク６のない部分をｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層
３の途中までエッチングを行い、発光部分７の並ぶ列方
向（アレイ方向）と平行方向の逆メサ型のエッチング溝
を得る。
法を説明する。図４に示す化合物半導体は、（１ ０
０）ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
バッファ層２、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３、
ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層４及びｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層５をそれぞれＬＰＥ（液相成長法）
等の手法によって順次エピタキシャル結晶成長させたも
のである（但し、ｙ＜ｘ，ｚ）。そして、このｎ型Ａｌ
z Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５上全面にプラズマＣＶＤ法
により、ＳｉＯ2 、ＳｉＮ等のエッチングマスク６を付
けた後、逆メサ型のエッチング溝を設けるために、エッ
チングマスク６を図のように＜０ １ １＞方向のスト
ライプ状にドライエッチングする。次に、塩酸系或いは
リン酸系のエッチャントを使用して、このエッチングマ
スク６のない部分をｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層
３の途中までエッチングを行い、発光部分７の並ぶ列方
向（アレイ方向）と平行方向の逆メサ型のエッチング溝
を得る。
【００１０】さらに、この化合物半導体をＭＯＣＶＤ装
置にいれて、高抵抗のアンドープＧａＡｓ埋め込み層１
２を逆メサ型のエッチング溝にＭＯＣＶＤ法（有機金属
気相成長法）により選択成長させて、化合物半導体基板
表面をほぼ平らの状態にする。この埋め込み層１２はそ
の抵抗値を１０7 Ω・cm以上とすることにより、埋め込
み層１２の両側は実用上電気的に絶縁された状態とな
る。そしてこのとき、化合物半導体基板温度とＧａＡｓ
の組成比を適当に選ぶことにより、ＧａＡｓを高抵抗と
することができる。また、逆メサ型のエッチング溝以外
には凹凸がないので、ＧａＡｓ埋め込み層１２を平らな
状態で成長させることができる。さらに、ＧａＡｓの成
長レートは安定しているので、ＧａＡｓ埋め込み層１２
の高さを容易に制御することができる。
置にいれて、高抵抗のアンドープＧａＡｓ埋め込み層１
２を逆メサ型のエッチング溝にＭＯＣＶＤ法（有機金属
気相成長法）により選択成長させて、化合物半導体基板
表面をほぼ平らの状態にする。この埋め込み層１２はそ
の抵抗値を１０7 Ω・cm以上とすることにより、埋め込
み層１２の両側は実用上電気的に絶縁された状態とな
る。そしてこのとき、化合物半導体基板温度とＧａＡｓ
の組成比を適当に選ぶことにより、ＧａＡｓを高抵抗と
することができる。また、逆メサ型のエッチング溝以外
には凹凸がないので、ＧａＡｓ埋め込み層１２を平らな
状態で成長させることができる。さらに、ＧａＡｓの成
長レートは安定しているので、ＧａＡｓ埋め込み層１２
の高さを容易に制御することができる。
【００１１】そして、平坦になった化合物半導体基板表
面に再度エッチングマスク６を付けて、今度は各発光部
分７を分離するために、その間の発光部分７の並ぶ列方
向とは垂直方向にｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３
の途中までエッチングを行う。このとき、エッチング溝
の結晶軸は＜０ −１ １＞方向であるので、順メサ型
のエッチング溝が形成され、この順メサ型のエッチング
溝によって、各発光部分７が分割される。その後、ｎ型
Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５側の表面全体にＳｉＮ
等の保護膜８を設けた後、発光部分７上の電極コンタク
ト部分にスルーホール９をドライエッチングにて設け、
発光部分７の列方向とは垂直方向に引き出すようにＡｕ
ＧｅＮｉ合金を蒸着して電極１０を設ける。さらに、ｐ
型ＧａＡｓ基板１の裏面を研磨してから、ＡｕＢｅを全
面に蒸着して電極１１とする。
面に再度エッチングマスク６を付けて、今度は各発光部
分７を分離するために、その間の発光部分７の並ぶ列方
向とは垂直方向にｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３
の途中までエッチングを行う。このとき、エッチング溝
の結晶軸は＜０ −１ １＞方向であるので、順メサ型
のエッチング溝が形成され、この順メサ型のエッチング
溝によって、各発光部分７が分割される。その後、ｎ型
Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド層５側の表面全体にＳｉＮ
等の保護膜８を設けた後、発光部分７上の電極コンタク
ト部分にスルーホール９をドライエッチングにて設け、
発光部分７の列方向とは垂直方向に引き出すようにＡｕ
ＧｅＮｉ合金を蒸着して電極１０を設ける。さらに、ｐ
型ＧａＡｓ基板１の裏面を研磨してから、ＡｕＢｅを全
面に蒸着して電極１１とする。
【００１２】このようにしてできた半導体発光装置は、
図２に示すように発光部分７の列の両側面にこの列と平
行方向に形成した逆メサ型のエッチング溝に、高抵抗の
化合物半導体の埋め込み層１２が埋められて、電気的に
分離されたままエッチング前と同様の平坦な表面状態に
なっているので、その後、各発光部分７を分離する順メ
サ型のエッチング溝を形成しても発光部分７に出っ張っ
た角の部分ができることはない。その結果、電極１０を
蒸着する際に必要のない部分にまで、金属が蒸着される
ことがなくなり、発光部分７から発光される光を遮った
り、ｐｎ接合部分をショートさせることがなくなる。そ
して、埋め込み層１２をまたいで蒸着される電極１０
は、平坦な面上を這わせることになるので、容易に各電
極１０の形状を均一にすることができ、電極形状による
特性のばらつきをより少なくすることが可能となる。な
お、埋め込み層１２が発光部分７の表面よりも高くなっ
ても発光部分７には出っ張った角となる部分ができない
ので、発光部分７上の不要部分に電極材料が蒸着される
ことはなく、上記実施例と同様の効果を得ることができ
る。
図２に示すように発光部分７の列の両側面にこの列と平
行方向に形成した逆メサ型のエッチング溝に、高抵抗の
化合物半導体の埋め込み層１２が埋められて、電気的に
分離されたままエッチング前と同様の平坦な表面状態に
なっているので、その後、各発光部分７を分離する順メ
サ型のエッチング溝を形成しても発光部分７に出っ張っ
た角の部分ができることはない。その結果、電極１０を
蒸着する際に必要のない部分にまで、金属が蒸着される
ことがなくなり、発光部分７から発光される光を遮った
り、ｐｎ接合部分をショートさせることがなくなる。そ
して、埋め込み層１２をまたいで蒸着される電極１０
は、平坦な面上を這わせることになるので、容易に各電
極１０の形状を均一にすることができ、電極形状による
特性のばらつきをより少なくすることが可能となる。な
お、埋め込み層１２が発光部分７の表面よりも高くなっ
ても発光部分７には出っ張った角となる部分ができない
ので、発光部分７上の不要部分に電極材料が蒸着される
ことはなく、上記実施例と同様の効果を得ることができ
る。
【００１３】また、発光部分の列を上記実施例とは垂直
方向の＜０ −１ １＞方向に形成することも可能であ
る。この場合、発光部分の列の両側面にこの列と平行方
向に順メサ型のエッチング溝を形成し、各発光部分を分
離するように発光部分の列とは垂直方向に逆メサ型のエ
ッチング溝を形成して、この逆メサ型のエッチング溝に
高抵抗の化合物半導体の埋め込み層を形成する構成とな
る。このときは、電極を順メサ型のエッチング溝上を這
わせることになり、埋め込み層上を這わせる場合に比べ
て特性のばらつきが多少生じるが、各発光部分を分離す
る溝が逆メサ型のエッチング溝であるので、各発光部分
をより近接させて形成することが可能となる。その結
果、半導体発光装置を小型化したり、一定面積内により
多くの発光部分を形成したりすることができる。そし
て、この場合でも、発光部分に出っ張った角の部分がで
きないので、電極を蒸着する際に必要のない部分にま
で、金属が蒸着されることがなくなり、発光部分から発
光される光を遮ったり、ｐｎ接合部分をショートさせる
ことがなくなる。
方向の＜０ −１ １＞方向に形成することも可能であ
る。この場合、発光部分の列の両側面にこの列と平行方
向に順メサ型のエッチング溝を形成し、各発光部分を分
離するように発光部分の列とは垂直方向に逆メサ型のエ
ッチング溝を形成して、この逆メサ型のエッチング溝に
高抵抗の化合物半導体の埋め込み層を形成する構成とな
る。このときは、電極を順メサ型のエッチング溝上を這
わせることになり、埋め込み層上を這わせる場合に比べ
て特性のばらつきが多少生じるが、各発光部分を分離す
る溝が逆メサ型のエッチング溝であるので、各発光部分
をより近接させて形成することが可能となる。その結
果、半導体発光装置を小型化したり、一定面積内により
多くの発光部分を形成したりすることができる。そし
て、この場合でも、発光部分に出っ張った角の部分がで
きないので、電極を蒸着する際に必要のない部分にま
で、金属が蒸着されることがなくなり、発光部分から発
光される光を遮ったり、ｐｎ接合部分をショートさせる
ことがなくなる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置は、各発光部分
が順メサ形状の溝とこの順メサ形状の溝と垂直方向に設
けられた逆メサ形状の溝によって各々分離されていると
共に、この逆メサ形状の溝に高抵抗の化合物半導体が埋
め込まれているので、電極を蒸着する際のレジストのパ
ターニングにおいて、レジストに覆われずに露出する部
分がなくなり、電極材料が余計な部分に付着してｎクラ
ッド層からｐクラッド層へショートすることがなくなっ
て、最適な電極配線が可能となる。また、電極材料が発
光部分の不要な部分にも付着して発光される光の妨げに
なることがなくなるので、各発光部分における電流−光
出力特性がほぼ均一となるという効果がある。
が順メサ形状の溝とこの順メサ形状の溝と垂直方向に設
けられた逆メサ形状の溝によって各々分離されていると
共に、この逆メサ形状の溝に高抵抗の化合物半導体が埋
め込まれているので、電極を蒸着する際のレジストのパ
ターニングにおいて、レジストに覆われずに露出する部
分がなくなり、電極材料が余計な部分に付着してｎクラ
ッド層からｐクラッド層へショートすることがなくなっ
て、最適な電極配線が可能となる。また、電極材料が発
光部分の不要な部分にも付着して発光される光の妨げに
なることがなくなるので、各発光部分における電流−光
出力特性がほぼ均一となるという効果がある。
【００１５】さらに、複数の発光部分は列状方向と平行
方向に形成された逆メサ形状の溝によって分離されると
共に、列状方向と垂直方向に形成された順メサ形状の溝
によって各々分離され、逆メサ形状の溝に高抵抗の化合
物半導体が埋め込まれているていると共に、複数の発光
部分に接続される各々の電極が前記高抵抗の化合物半導
体上を通って引き出されている場合には、電極を平坦な
面上に蒸着することができ、電極形状も容易に均一化し
て特性のばらつきをより少なくすることができる。
方向に形成された逆メサ形状の溝によって分離されると
共に、列状方向と垂直方向に形成された順メサ形状の溝
によって各々分離され、逆メサ形状の溝に高抵抗の化合
物半導体が埋め込まれているていると共に、複数の発光
部分に接続される各々の電極が前記高抵抗の化合物半導
体上を通って引き出されている場合には、電極を平坦な
面上に蒸着することができ、電極形状も容易に均一化し
て特性のばらつきをより少なくすることができる。
【００１６】そして、逆メサ形状の溝を形成した後、順
メサ形状の溝を形成する前に高抵抗の化合物半導体を逆
メサ形状の溝に選択成長させているので、この化合物半
導体を発光部分と同じ高さまで、平らに成長させること
ができ、電極を平坦な面上に蒸着することができる。
メサ形状の溝を形成する前に高抵抗の化合物半導体を逆
メサ形状の溝に選択成長させているので、この化合物半
導体を発光部分と同じ高さまで、平らに成長させること
ができ、電極を平坦な面上に蒸着することができる。
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】図１に示す一実施例のＣ−Ｃ断面図である。
【図３】図１に示す一実施例のＤ−Ｄ断面図である。
【図４】本発明の半導体発光装置のパターニング例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】従来の半導体発光装置のパターニング例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】図５に示す従来例のエッチング後のＡ−Ａ断面
図である。
図である。
【図７】図５に示す従来例のエッチング後のＢ−Ｂ断面
図である。
図である。
【図８】従来の半導体発光装置を示す一部拡大斜視図で
ある。
ある。
１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２ ｐ型Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓバッファ層 ３ ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層 ４ ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層 ５ ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド層 ６ エッチングマスク ７ 発光部分 ８ 保護膜 ９ スルーホール １０，１１ 電極 １２ 埋め込み層
Claims (3)
- 【請求項１】ｐｎ接合を有する化合物半導体に列状に形
成された複数の発光部分を有する半導体発光装置におい
て、 前記各発光部分は順メサ形状の溝とこの順メサ形状の溝
と垂直方向に設けられた逆メサ形状の溝によって各々分
離されていると共に、この逆メサ形状の溝に高抵抗の化
合物半導体が埋め込まれていることを特徴とする半導体
発光装置。 - 【請求項２】ｐｎ接合を有する化合物半導体に列状に形
成された複数の発光部分を有する半導体発光装置におい
て、 前記複数の発光部分は前記列状方向と平行方向に形成さ
れた逆メサ形状の溝によって分離されると共に、前記列
状方向と垂直方向に形成された順メサ形状の溝によって
各々分離され、 前記逆メサ形状の溝に高抵抗の化合物半導体が埋め込ま
れているていると共に、前記複数の発光部分に接続され
る各々の電極が前記高抵抗の化合物半導体上を通って引
き出されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項３】ｐｎ接合を有する化合物半導体の表面に複
数の発光部分を列状に形成する半導体発光装置の製造方
法であって、 単結晶基板上にｐｎ接合を形成するように化合物半導体
をエピタキシャル成長させる工程と、 この化合物半導体表面をｐｎ接合が露出するまでエッチ
ングして逆メサ形状の溝を形成する工程と、 この逆メサ形状の溝に高抵抗の化合物半導体を選択成長
させる工程と、 前記化合物半導体表面を前記逆メサ形状の溝と垂直方向
にｐｎ接合が露出するまでエッチングして順メサ形状の
溝を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体発光
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14996992A JPH05327018A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14996992A JPH05327018A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327018A true JPH05327018A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15486582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14996992A Pending JPH05327018A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327018A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114589A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP14996992A patent/JPH05327018A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114589A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
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