JPH06196752A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH06196752A JPH06196752A JP33972192A JP33972192A JPH06196752A JP H06196752 A JPH06196752 A JP H06196752A JP 33972192 A JP33972192 A JP 33972192A JP 33972192 A JP33972192 A JP 33972192A JP H06196752 A JPH06196752 A JP H06196752A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光効率を向上させた半導体発光装置を提供
する。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＧａＡｓＰ層
１２、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３が順次積層されており、ｎ
型ＧａＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間のｐ
ｎ接合面から発光される光が発光面１０から取り出され
る。また、ｐ型電極であるＡｌ１６は発光面１０の周囲
のｐ型ＧａＡｓＰ層１３の斜面上に発光面１０をリング
状に取り囲むようにして蒸着され、その一端が引き出さ
れてボンディング面１８が形成されている。なお、この
発光面１０をリング状に取り囲んでいるＡｌ１６は絶縁
層１５によってｎ型ＧａＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ
層１３との間のｐｎ接合面上に接触するのが防止されて
いる。また、ボンディング面１８を除く全面は、無反射
コート膜１７によって覆われている。
する。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＧａＡｓＰ層
１２、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３が順次積層されており、ｎ
型ＧａＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間のｐ
ｎ接合面から発光される光が発光面１０から取り出され
る。また、ｐ型電極であるＡｌ１６は発光面１０の周囲
のｐ型ＧａＡｓＰ層１３の斜面上に発光面１０をリング
状に取り囲むようにして蒸着され、その一端が引き出さ
れてボンディング面１８が形成されている。なお、この
発光面１０をリング状に取り囲んでいるＡｌ１６は絶縁
層１５によってｎ型ＧａＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ
層１３との間のｐｎ接合面上に接触するのが防止されて
いる。また、ボンディング面１８を除く全面は、無反射
コート膜１７によって覆われている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体発光装置
の電極構造に関するものである。
の電極構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体発光装置は、ディスプ
レイ装置やＬＥＤプリンタ装置など各種装置の光源とし
て発光ダイオードアレイが使用されている。従来の発光
ダイオードアレイの一例を図３及び図４（Ａ），（Ｂ）
に示す。なお、図３は発光ダイオードアレイの一部分を
示す斜視図、図４（Ａ）は図３に示す発光ダイオードア
レイのＡ−Ａ断面図、図４（Ｂ）は同じくＢ−Ｂ断面図
である。
レイ装置やＬＥＤプリンタ装置など各種装置の光源とし
て発光ダイオードアレイが使用されている。従来の発光
ダイオードアレイの一例を図３及び図４（Ａ），（Ｂ）
に示す。なお、図３は発光ダイオードアレイの一部分を
示す斜視図、図４（Ａ）は図３に示す発光ダイオードア
レイのＡ−Ａ断面図、図４（Ｂ）は同じくＢ−Ｂ断面図
である。
【０００３】この発光ダイオードアレイは、（１ ０
０）ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
バッファ層２、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３、
ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層４及びｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層５をＬＰＥ（液相成長法）等の手法
によって順次エピタキシャル結晶成長させ（但し、ｙ＜
ｘ，ｚ）、この上にＳｉＯ2 、ＳｉＮ等のエッチングマ
スクを設けてパターニングしたのち、塩酸系或いはリン
酸系のエッチャントを使用してエッチングを行って各発
光部分を分離したものである。
０）ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ａｌw Ｇａ1-w Ａｓ
バッファ層２、ｐ型Ａｌx Ｇａ1-x Ａｓクラッド層３、
ｐ型Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓ活性層４及びｎ型Ａｌz Ｇａ
1-z Ａｓクラッド層５をＬＰＥ（液相成長法）等の手法
によって順次エピタキシャル結晶成長させ（但し、ｙ＜
ｘ，ｚ）、この上にＳｉＯ2 、ＳｉＮ等のエッチングマ
スクを設けてパターニングしたのち、塩酸系或いはリン
酸系のエッチャントを使用してエッチングを行って各発
光部分を分離したものである。
【０００４】一般に、III −Ｖ族化合物半導体結晶はエ
ッチング方向に異方性が強く存在し、（１ ０ ０）面
を＜０ １ １＞方向の溝を形成するようにメサエッチ
ングすると、その溝の側面の稜角は鋭角（逆メサ）とな
り、＜０ −１ １＞方向の溝を形成するようにメサエ
ッチングすると、その溝の側面の稜角は鈍角（順メサ）
となる。したがって、この例では、発光部分の並ぶ列方
向（アレイ方向）の結晶軸が＜０ −１ １＞方向であ
るので、この列と平行方向にエッチングされる溝は図４
（Ｂ）に示すように順メサ型のエッチング溝となり、こ
の溝と垂直方向では、結晶軸が＜０ １ １＞方向であ
るので、各発光部分を分離するためにその間にエッチン
グされる溝は、同図（Ａ）に示すように逆メサ型のエッ
チング溝となる。
ッチング方向に異方性が強く存在し、（１ ０ ０）面
を＜０ １ １＞方向の溝を形成するようにメサエッチ
ングすると、その溝の側面の稜角は鋭角（逆メサ）とな
り、＜０ −１ １＞方向の溝を形成するようにメサエ
ッチングすると、その溝の側面の稜角は鈍角（順メサ）
となる。したがって、この例では、発光部分の並ぶ列方
向（アレイ方向）の結晶軸が＜０ −１ １＞方向であ
るので、この列と平行方向にエッチングされる溝は図４
（Ｂ）に示すように順メサ型のエッチング溝となり、こ
の溝と垂直方向では、結晶軸が＜０ １ １＞方向であ
るので、各発光部分を分離するためにその間にエッチン
グされる溝は、同図（Ａ）に示すように逆メサ型のエッ
チング溝となる。
【０００５】そして、ｎ型Ａｌz Ｇａ1-z Ａｓクラッド
層５上全体に保護膜６を設け、発光部分上のほぼ中央に
スルーホール７を設けて電極コンタクト部分とした後、
リフトオフ法によって電極８を順メサ型のエッチング溝
上を這うように（アレイ方向とは垂直方向に）して引き
出している。また、ｐ型ＧａＡｓ基板１側には、ｎ型電
極９を取り付ける。なお、逆メサ型のエッチング溝上に
金属を蒸着すると断切れを生じるので、逆メサ型のエッ
チング溝上を這うようにして電極を引き出すのは好まし
くない。
層５上全体に保護膜６を設け、発光部分上のほぼ中央に
スルーホール７を設けて電極コンタクト部分とした後、
リフトオフ法によって電極８を順メサ型のエッチング溝
上を這うように（アレイ方向とは垂直方向に）して引き
出している。また、ｐ型ＧａＡｓ基板１側には、ｎ型電
極９を取り付ける。なお、逆メサ型のエッチング溝上に
金属を蒸着すると断切れを生じるので、逆メサ型のエッ
チング溝上を這うようにして電極を引き出すのは好まし
くない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
半導体発光装置は、発光面のほぼ中央にスルーホール７
を設けて電極８を接続し、ここから発光面上を引き回し
て配線しているので、発光面の一部が電極８に覆われて
しまい、この電極８に遮られる出力光の分だけ発光効率
が低下するという課題があった。そして、発光面の周囲
の斜面上に電極を形成しようとしても逆メサ型の斜面上
に金属を蒸着することは、実際には不可能であった。そ
こで本発明は、発光面の周囲の溝を全て順メサ型の斜面
にしてこの斜面に電極を形成することにより発光効率を
向上させた半導体発光装置を提供することを目的とす
る。
半導体発光装置は、発光面のほぼ中央にスルーホール７
を設けて電極８を接続し、ここから発光面上を引き回し
て配線しているので、発光面の一部が電極８に覆われて
しまい、この電極８に遮られる出力光の分だけ発光効率
が低下するという課題があった。そして、発光面の周囲
の斜面上に電極を形成しようとしても逆メサ型の斜面上
に金属を蒸着することは、実際には不可能であった。そ
こで本発明は、発光面の周囲の溝を全て順メサ型の斜面
にしてこの斜面に電極を形成することにより発光効率を
向上させた半導体発光装置を提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体
からなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体
発光装置において、前記複数の発光部分を分離する各溝
の発光面の周囲部分が順メサ形状の斜面であって、前記
発光面の周囲のこの斜面上に電極が形成されていること
を特徴とする半導体発光装置を提供しようとするもので
ある。
の手段として、基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体
からなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体
発光装置において、前記複数の発光部分を分離する各溝
の発光面の周囲部分が順メサ形状の斜面であって、前記
発光面の周囲のこの斜面上に電極が形成されていること
を特徴とする半導体発光装置を提供しようとするもので
ある。
【０００８】
【作用】本発明者らは、平成４年８月３１日付出願の特
願平４−２５５８６２号「半導体発光装置及びその製造
方法」にて結晶軸の方向に関係なく順メサ型の溝を形成
することができる方法を開示した。そこで、この方法を
用いて各発光部分の発光面の周囲を全て順メサ型の斜面
として、この斜面上に電極を形成することにより、電極
が発光面上を遮らず、発光効率の低下を防止することが
できる。
願平４−２５５８６２号「半導体発光装置及びその製造
方法」にて結晶軸の方向に関係なく順メサ型の溝を形成
することができる方法を開示した。そこで、この方法を
用いて各発光部分の発光面の周囲を全て順メサ型の斜面
として、この斜面上に電極を形成することにより、電極
が発光面上を遮らず、発光効率の低下を防止することが
できる。
【０００９】
【実施例】本発明の半導体発光装置の一実施例を図１及
び図２（Ａ）〜（Ｅ）に示し以下詳細に説明する。図１
は、本発明の半導体発光装置の一実施例である発光ダイ
オードアレイの内のひとつの発光部分を拡大した斜視図
であり、図２（Ａ）〜（Ｅ）は、図１に示した発光ダイ
オードアレイの製造方法を示す工程図である。
び図２（Ａ）〜（Ｅ）に示し以下詳細に説明する。図１
は、本発明の半導体発光装置の一実施例である発光ダイ
オードアレイの内のひとつの発光部分を拡大した斜視図
であり、図２（Ａ）〜（Ｅ）は、図１に示した発光ダイ
オードアレイの製造方法を示す工程図である。
【００１０】図１に示す発光ダイオードアレイは、ｎ型
ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＧａＡｓＰ層１２、ｐ型Ｇａ
ＡｓＰ層１３が順次積層されており、ｎ型ＧａＡｓＰ層
１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間のｐｎ接合面から発
光される光が発光面１０から取り出される。また、ｐ型
電極であるＡｌ１６は発光面１０の周囲のｐ型ＧａＡｓ
Ｐ層１３の斜面上に発光面１０をリング状に取り囲むよ
うにして蒸着され、その一端が引き出されてボンディン
グ面１８が形成されている。なお、この発光面１０をリ
ング状に取り囲んでいるＡｌ１６は絶縁層１５によって
ｎ型ＧａＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間の
ｐｎ接合面上に接触するのが防止されている。また、ボ
ンディング面１８を除く全面は、無反射コート膜１７に
よって覆われている。
ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＧａＡｓＰ層１２、ｐ型Ｇａ
ＡｓＰ層１３が順次積層されており、ｎ型ＧａＡｓＰ層
１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間のｐｎ接合面から発
光される光が発光面１０から取り出される。また、ｐ型
電極であるＡｌ１６は発光面１０の周囲のｐ型ＧａＡｓ
Ｐ層１３の斜面上に発光面１０をリング状に取り囲むよ
うにして蒸着され、その一端が引き出されてボンディン
グ面１８が形成されている。なお、この発光面１０をリ
ング状に取り囲んでいるＡｌ１６は絶縁層１５によって
ｎ型ＧａＡｓＰ層１２とｐ型ＧａＡｓＰ層１３との間の
ｐｎ接合面上に接触するのが防止されている。また、ボ
ンディング面１８を除く全面は、無反射コート膜１７に
よって覆われている。
【００１１】次に、図２（Ａ）〜（Ｅ）を用いてこの発
光ダイオードアレイの製造方法を説明する。まず、ｎ型
ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＧａＡｓＰ層１２を気相成長
法などによりｎ型ＧａＡｓ基板１１の格子歪みの影響が
十分に少なくなる厚さ（２５〜５０μｍ）まで成長さ
せ、その上に１〜３μｍ程度のｐ型ＧａＡｓＰ層１３を
拡散または気相成長法などにより形成する。そして、発
光部分を残してｐ型ＧａＡｓＰ層１３をエッチングする
ために、発光面１０となる部分上のフォトレジスト１４
を残すようにフォトリソグラフィー技術によりパターニ
ングして、これをマスクとし、燐酸過水（体積比Ｈ3 Ｐ
Ｏ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝３：１：５０）を用いてｎ型
ＧａＡｓＰ層１２の途中までエッチングすると、図２
（Ａ）に示すように、結晶軸の方向に関係なく、発光部
分を取り囲む４つの溝全てが順メサ形状の斜面となる。
光ダイオードアレイの製造方法を説明する。まず、ｎ型
ＧａＡｓ基板１１上にｎ型ＧａＡｓＰ層１２を気相成長
法などによりｎ型ＧａＡｓ基板１１の格子歪みの影響が
十分に少なくなる厚さ（２５〜５０μｍ）まで成長さ
せ、その上に１〜３μｍ程度のｐ型ＧａＡｓＰ層１３を
拡散または気相成長法などにより形成する。そして、発
光部分を残してｐ型ＧａＡｓＰ層１３をエッチングする
ために、発光面１０となる部分上のフォトレジスト１４
を残すようにフォトリソグラフィー技術によりパターニ
ングして、これをマスクとし、燐酸過水（体積比Ｈ3 Ｐ
Ｏ4 ：Ｈ2 Ｏ2 ：Ｈ2 Ｏ＝３：１：５０）を用いてｎ型
ＧａＡｓＰ層１２の途中までエッチングすると、図２
（Ａ）に示すように、結晶軸の方向に関係なく、発光部
分を取り囲む４つの溝全てが順メサ形状の斜面となる。
【００１２】その後、フォトレジスト１４を除去してか
らプラズマＣＶＤにてＳｉＮまたはＳｉＯ2 の絶縁膜１
５を全面に付けてから、各発光部分の発光面１０及びそ
の周辺の溝のｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面を露出させ
るようにフォトレジスト（図示せず）をマスクとして絶
縁膜１５をＣＦ4 を用いてドライエッチングし、同図
（Ｂ）に示すように発光部分の絶縁膜１５を除去する。
このとき、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面の上部は露出
させるが、ｎ型ＧａＡｓＰ層１２との接合部（ｐｎ接合
部分）は露出しないように絶縁膜１５を残しておく。さ
らに、蒸着法によりＡｌ１６を全面に付け、このＡｌ１
６上に電極配線のパターンをフォトレジスト１９でパタ
ーニングし（同図（Ｃ））、これをマスクとして燐酸
（Ｈ3 ＰＯ4 ）と酢酸（ＣＨ3 ＣＯＯＨ）の混合水溶液
によってＡｌ１６をウエットエッチングした後、Ａｌ１
６上のフォトレジスト１９を除去すると、同図（Ｄ）に
示すように発光面１０上を含む余分のＡｌ１６が除去さ
れたｐ型電極を形成することができる。なお、Ａｌ１６
のｐ型電極は、リフトオフ法により形成しても良い。
らプラズマＣＶＤにてＳｉＮまたはＳｉＯ2 の絶縁膜１
５を全面に付けてから、各発光部分の発光面１０及びそ
の周辺の溝のｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面を露出させ
るようにフォトレジスト（図示せず）をマスクとして絶
縁膜１５をＣＦ4 を用いてドライエッチングし、同図
（Ｂ）に示すように発光部分の絶縁膜１５を除去する。
このとき、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面の上部は露出
させるが、ｎ型ＧａＡｓＰ層１２との接合部（ｐｎ接合
部分）は露出しないように絶縁膜１５を残しておく。さ
らに、蒸着法によりＡｌ１６を全面に付け、このＡｌ１
６上に電極配線のパターンをフォトレジスト１９でパタ
ーニングし（同図（Ｃ））、これをマスクとして燐酸
（Ｈ3 ＰＯ4 ）と酢酸（ＣＨ3 ＣＯＯＨ）の混合水溶液
によってＡｌ１６をウエットエッチングした後、Ａｌ１
６上のフォトレジスト１９を除去すると、同図（Ｄ）に
示すように発光面１０上を含む余分のＡｌ１６が除去さ
れたｐ型電極を形成することができる。なお、Ａｌ１６
のｐ型電極は、リフトオフ法により形成しても良い。
【００１３】そして、同図（Ｅ）に示すようにＳｉＮま
たはＳｉＯ2 の無反射コート膜１７を全面に形成してか
ら、Ａｌ１６にワイヤを接続するためのボンディング面
１８（図１参照）の無反射コート膜１７をレジストを用
いてエッチングし、ボンディング面１８のＡｌ１６を露
出させる。最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨
してからＡｕＧｅＮｉ合金（図示せず）を蒸着し、熱処
理してｎ型電極を形成することにより、図１に示すよう
な発光ダイオードアレイを製造することができる。
たはＳｉＯ2 の無反射コート膜１７を全面に形成してか
ら、Ａｌ１６にワイヤを接続するためのボンディング面
１８（図１参照）の無反射コート膜１７をレジストを用
いてエッチングし、ボンディング面１８のＡｌ１６を露
出させる。最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面を研磨
してからＡｕＧｅＮｉ合金（図示せず）を蒸着し、熱処
理してｎ型電極を形成することにより、図１に示すよう
な発光ダイオードアレイを製造することができる。
【００１４】このようにして製造した発光ダイオードア
レイは、Ａｌ１６が発光面上に形成されていないので、
出力光をＡｌ１６が遮ることがなく、発光効率が低下し
ない。また、発光面１０の周囲の溝は、全て順メサ型と
なっているので、Ａｌ１６を良好に蒸着することができ
る。そして、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３とｎ型ＧａＡｓＰ層
１２とのｐｎ接合部分は絶縁膜１５で覆っているので、
Ａｌ１６をｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面上に蒸着させ
る際に、ｐｎ接合部分に接触して短絡することはない。
レイは、Ａｌ１６が発光面上に形成されていないので、
出力光をＡｌ１６が遮ることがなく、発光効率が低下し
ない。また、発光面１０の周囲の溝は、全て順メサ型と
なっているので、Ａｌ１６を良好に蒸着することができ
る。そして、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３とｎ型ＧａＡｓＰ層
１２とのｐｎ接合部分は絶縁膜１５で覆っているので、
Ａｌ１６をｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面上に蒸着させ
る際に、ｐｎ接合部分に接触して短絡することはない。
【００１５】なお、発光ダイオードアレイの材料は、Ｇ
ａＡｓＰに限らずＡｌＧａＡｓなど他の半導体材料でも
同様に実施することができ、電極材料もＡｌに限らず使
用する半導体材料とオーミック接合される材料であれば
良い。また、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面上に形成さ
れるＡｌ１６の形状はリング状になっていなくても良
く、一部切断された形状でも良い。そして、本実施例で
は、ボンディング面１８の部分のｐ型ＧａＡｓＰ層１３
を除去しているが、発光部分の周囲だけをエッチング除
去してボンディング面１８の下の部分のｐ型ＧａＡｓＰ
層１３を残し、発光面１０とほぼ同じ高さのボンディン
グ面１８を形成しても良い。
ａＡｓＰに限らずＡｌＧａＡｓなど他の半導体材料でも
同様に実施することができ、電極材料もＡｌに限らず使
用する半導体材料とオーミック接合される材料であれば
良い。また、ｐ型ＧａＡｓＰ層１３の各斜面上に形成さ
れるＡｌ１６の形状はリング状になっていなくても良
く、一部切断された形状でも良い。そして、本実施例で
は、ボンディング面１８の部分のｐ型ＧａＡｓＰ層１３
を除去しているが、発光部分の周囲だけをエッチング除
去してボンディング面１８の下の部分のｐ型ＧａＡｓＰ
層１３を残し、発光面１０とほぼ同じ高さのボンディン
グ面１８を形成しても良い。
【００１６】
【発明の効果】本発明の半導体発光装置は、複数の発光
部分を分離する各溝の発光面の周囲部分が順メサ形状の
斜面であり、この斜面上に電極が形成されて発光面上に
形成されていないので、出力光を電極が遮ることがな
く、発光効率が向上するという効果がある。
部分を分離する各溝の発光面の周囲部分が順メサ形状の
斜面であり、この斜面上に電極が形成されて発光面上に
形成されていないので、出力光を電極が遮ることがな
く、発光効率が向上するという効果がある。
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ図１に示した発光ダ
イオードアレイの製造方法を示す工程図である。
イオードアレイの製造方法を示す工程図である。
【図３】従来例を示す斜視図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図３に示した従来の
発光ダイオードアレイの断面図である。
発光ダイオードアレイの断面図である。
１０ 発光面 １１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １２ ｎ型ＧａＡｓＰ層 １３ ｐ型ＧａＡｓＰ層 １４，１９ フォトレジスト １５ 絶縁膜 １６ Ａｌ １７ 無反射コート膜 １８ ボンディング面
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月１６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体発光装置の一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ図１に示した発光ダ
イオードアレイの製造方法を示す工程図である。
イオードアレイの製造方法を示す工程図である。
【図３】従来例を示す斜視図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図３に示した従来の
発光ダイオードアレイの断面図である。
発光ダイオードアレイの断面図である。
【符号の説明】 １０ 発光面 １１ ｎ型ＧａＡｓ基板 １２ ｎ型ＧａＡｓＰ層 １３ ｐ型ＧａＡｓＰ層 １４，１９ フォトレジスト １５ 絶縁膜 １６ Ａｌ １７ 無反射コート膜 １８ ボンディング面
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にｐｎ接合を有する化合物半導体か
らなる複数の発光部分が列状に形成されている半導体発
光装置において、 前記複数の発光部分を分離する各溝の発光面の周囲部分
が順メサ形状の斜面であって、 前記発光面の周囲のこの斜面上に電極が形成されている
ことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33972192A JPH06196752A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33972192A JPH06196752A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196752A true JPH06196752A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18330183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33972192A Pending JPH06196752A (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196752A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000252591A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
| JP2001244500A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
| JP2004165535A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 自己走査型発光素子アレイ |
| JP2010226085A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Kyocera Corp | 発光装置およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-11-26 JP JP33972192A patent/JPH06196752A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000252591A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体素子及びその製造方法 |
| JP2001244500A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
| JP2004165535A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 自己走査型発光素子アレイ |
| JP2010226085A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Kyocera Corp | 発光装置およびその製造方法 |
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