JPH05327021A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JPH05327021A JPH05327021A JP4133595A JP13359592A JPH05327021A JP H05327021 A JPH05327021 A JP H05327021A JP 4133595 A JP4133595 A JP 4133595A JP 13359592 A JP13359592 A JP 13359592A JP H05327021 A JPH05327021 A JP H05327021A
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- Japan
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- package
- optical device
- mounting
- mounting substrate
- recess
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in printed circuit boards [PCB], e.g. insert-mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/8506—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面実装後の部品高さを低くする。
【構成】 実装時に、パツケージ１１の小幅とされた底
部１２を、外部実装基板１３の実装孔１４に埋め込み、
底部１２の突出寸法Ｔ１を外部実装基板１３の実装孔１
４の深さ寸法Ｔ２で吸収する。
部１２を、外部実装基板１３の実装孔１４に埋め込み、
底部１２の突出寸法Ｔ１を外部実装基板１３の実装孔１
４の深さ寸法Ｔ２で吸収する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装用の光学装置
に関し、特に組立後のモジユール厚みをできるだけ薄く
したい場合に使用される光学装置に係る。
に関し、特に組立後のモジユール厚みをできるだけ薄く
したい場合に使用される光学装置に係る。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面実装用の光学装置（サーフェ
イスマウントデバイス）として、図７〜９に示すような
ものがある（特公昭６０−４３０４０号参照）。これ
は、ＬＥＤチップ等の光学素子１から発する光束を効率
良く前面に放つために、パツケージ（反射ケース）３内
に傾斜反射面を有する凹部２を形成し、この凹部２内に
光学素子１をダイボンドしたものである。
イスマウントデバイス）として、図７〜９に示すような
ものがある（特公昭６０−４３０４０号参照）。これ
は、ＬＥＤチップ等の光学素子１から発する光束を効率
良く前面に放つために、パツケージ（反射ケース）３内
に傾斜反射面を有する凹部２を形成し、この凹部２内に
光学素子１をダイボンドしたものである。
【０００３】なお、図７〜９中、４はめつき等の電極
部、５は凹部２に充填された透光性封止樹脂である。
部、５は凹部２に充填された透光性封止樹脂である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の光学装置では、
光学素子１をパツケージ３の凹部２内にダイボンドして
いるため、凹部２の深さ寸法Ｄ０だけ、パツケージ３の
高さ寸法が大となってしまう。
光学素子１をパツケージ３の凹部２内にダイボンドして
いるため、凹部２の深さ寸法Ｄ０だけ、パツケージ３の
高さ寸法が大となってしまう。
【０００５】そうすると、外部プリント基板への搭載後
の部品高さが高くなり、高密度実装のより薄い寸法を要
求されるモジユールには向いていない。
の部品高さが高くなり、高密度実装のより薄い寸法を要
求されるモジユールには向いていない。
【０００６】本発明は、上記課題に鑑み、表面実装後の
部品高さを低くできる光学装置の提供を目的とする。
部品高さを低くできる光学装置の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、図１〜６の如く、パツケージ１１の上面に凹部１
６が形成され、該凹部１６の底面に、薄膜状の電極部１
７が形成され、該電極部１７に光学素子１９が搭載さ
れ、前記電極部１７は、外部実装基板１３に半田にて接
続するよう前記凹部１６の底面から側面、パツケージ１
１の上面および側壁面を介して、パツケージ１１の裏面
電極１７ａにまで立体的に引きまわしされた光学装置に
おいて、前記パツケージ１１の底部１２に、該底部１２
が外部実装基板１３の実装孔１４に埋め込み可能な小幅
寸法となるよう段差１２ａが形成されたものである。
段は、図１〜６の如く、パツケージ１１の上面に凹部１
６が形成され、該凹部１６の底面に、薄膜状の電極部１
７が形成され、該電極部１７に光学素子１９が搭載さ
れ、前記電極部１７は、外部実装基板１３に半田にて接
続するよう前記凹部１６の底面から側面、パツケージ１
１の上面および側壁面を介して、パツケージ１１の裏面
電極１７ａにまで立体的に引きまわしされた光学装置に
おいて、前記パツケージ１１の底部１２に、該底部１２
が外部実装基板１３の実装孔１４に埋め込み可能な小幅
寸法となるよう段差１２ａが形成されたものである。
【０００８】
【作用】上記課題解決手段において、実装時には、パツ
ケージ１１の小幅とされた底部１２を、外部実装基板１
３の実装孔１４に埋め込む。そうすると、底部１２の突
出寸法Ｔ１を外部実装基板１３の実装孔１４の深さ寸法
Ｔ２で吸収できる。
ケージ１１の小幅とされた底部１２を、外部実装基板１
３の実装孔１４に埋め込む。そうすると、底部１２の突
出寸法Ｔ１を外部実装基板１３の実装孔１４の深さ寸法
Ｔ２で吸収できる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の一実施例の光学装置において
表面実装動作を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ断面
図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図、図４は従来の光学装置
と本発明の光学装置を外部実装基板に実装した場合の高
さ比較をした側断面図、図５は光学装置を両面実装に応
用した場合の側断面図、図６は光学装置を外部実装基板
にサイド光授受となるように搭載した場合の斜視図であ
る。
表面実装動作を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ断面
図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図、図４は従来の光学装置
と本発明の光学装置を外部実装基板に実装した場合の高
さ比較をした側断面図、図５は光学装置を両面実装に応
用した場合の側断面図、図６は光学装置を外部実装基板
にサイド光授受となるように搭載した場合の斜視図であ
る。
【００１０】図示の如く、本実施例の光学装置は、表面
実装用の光学装置（サーフェイスマウントデバイス）に
関し、特に組立後のモジユール厚みをできるだけ薄くし
たい場合に使用されるもので、そのパツケージ１１とし
て、図１〜３の如く、リードフレームを用いずに、小
型、薄型の一体化した部品を得るためのＭｏｌｄｅｄＩ
ｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ法（以
下、ＭＩＤ法と称す）を用いたものである。ここで、Ｍ
ＩＤ法とは、射出成形または押出し成形によつて得られ
た成形品に化学めつき等の方法で電気回路を形成したも
のをいう。
実装用の光学装置（サーフェイスマウントデバイス）に
関し、特に組立後のモジユール厚みをできるだけ薄くし
たい場合に使用されるもので、そのパツケージ１１とし
て、図１〜３の如く、リードフレームを用いずに、小
型、薄型の一体化した部品を得るためのＭｏｌｄｅｄＩ
ｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ法（以
下、ＭＩＤ法と称す）を用いたものである。ここで、Ｍ
ＩＤ法とは、射出成形または押出し成形によつて得られ
た成形品に化学めつき等の方法で電気回路を形成したも
のをいう。
【００１１】該パツケージ１１は、電気的絶縁性を有す
る高耐熱性の遮光性樹脂やセラミクスが使用され、一本
の有機樹脂棒として数十個のデバイスが一列に連結する
よう金型成形され、後に、図１〜３に示すようなデバイ
ス（単位部）にダイシング分割される。
る高耐熱性の遮光性樹脂やセラミクスが使用され、一本
の有機樹脂棒として数十個のデバイスが一列に連結する
よう金型成形され、後に、図１〜３に示すようなデバイ
ス（単位部）にダイシング分割される。
【００１２】そして、該パツケージ１１の底部１２には
段部１２ａが形成され、これにより底部１２は、図１，
３の如く、外部実装基板１３の実装孔１４に埋め込まれ
るよう、上部１５に比べて小幅とされている。
段部１２ａが形成され、これにより底部１２は、図１，
３の如く、外部実装基板１３の実装孔１４に埋め込まれ
るよう、上部１５に比べて小幅とされている。
【００１３】また、該パツケージ１１の上面には、逆台
錐形の凹部１６が形成され、その底面には、めっき手法
にて薄膜状の電極部１７が形成される。該電極部１７
は、すず、半田、金、銀等の鍍金表面が形成されたもの
で、前記凹部１６の底面から側面、頂面およびパツケー
ジ１１の側壁面を介して、パツケージ１１の裏面電極１
７ａにまで立体的に引きまわしされ、このうちのいずれ
か一部分が外部実装基板１３の半田付けパツドに半田接
合される。
錐形の凹部１６が形成され、その底面には、めっき手法
にて薄膜状の電極部１７が形成される。該電極部１７
は、すず、半田、金、銀等の鍍金表面が形成されたもの
で、前記凹部１６の底面から側面、頂面およびパツケー
ジ１１の側壁面を介して、パツケージ１１の裏面電極１
７ａにまで立体的に引きまわしされ、このうちのいずれ
か一部分が外部実装基板１３の半田付けパツドに半田接
合される。
【００１４】そして、該電極部１７に、ＬＥＤチップ等
の光学素子１９が上向きに搭載される。
の光学素子１９が上向きに搭載される。
【００１５】なお、該電極部１７は、光学素子１９を搭
載するためのみならず、光学素子１９からの照射光を凹
部１６の傾斜壁面で反射させることにより、軸上光度を
高める機能を有する。
載するためのみならず、光学素子１９からの照射光を凹
部１６の傾斜壁面で反射させることにより、軸上光度を
高める機能を有する。
【００１６】図１〜４中、２１は凹部１６に充填される
シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の透光性封止樹脂、２２
はボンデイングワイヤである。
シリコン樹脂やエポキシ樹脂等の透光性封止樹脂、２２
はボンデイングワイヤである。
【００１７】上記の光学装置は、次のように製造され
る。
る。
【００１８】まず、多数のめつきグレードのパツケージ
１１を、複数デバイス分一列に並置して一体的に成形す
る。この際、各デバイス領域の上面に凹部１６を形成す
るとともに、底部１２を上部１５に比べて小幅としてお
く。
１１を、複数デバイス分一列に並置して一体的に成形す
る。この際、各デバイス領域の上面に凹部１６を形成す
るとともに、底部１２を上部１５に比べて小幅としてお
く。
【００１９】次に、図１の如く、凹部１６にめつき処理
を行い電極部１７を形成する。この電極部１７は、パツ
ケージ１１の側壁面を介して、パツケージ１１の裏面電
極１７ａまで引きまわししておく。
を行い電極部１７を形成する。この電極部１７は、パツ
ケージ１１の側壁面を介して、パツケージ１１の裏面電
極１７ａまで引きまわししておく。
【００２０】次に、光学素子１９を電極部１７に搭載
し、ボンデイングワイヤ２２を用いてボンデイング結線
し、その上を透光性封止樹脂２１で封止する。
し、ボンデイングワイヤ２２を用いてボンデイング結線
し、その上を透光性封止樹脂２１で封止する。
【００２１】その後、ダイシングソーで切断してチップ
化し、図１〜３に示すＭＩＤ型光学装置を形成する。
化し、図１〜３に示すＭＩＤ型光学装置を形成する。
【００２２】実装時には、図１の如く、パツケージ１１
の小幅とされた底部１２を、外部実装基板１３の実装孔
１４に埋め込む。そうすると、図４の如く、底部１２の
突出寸法Ｔ１を外部実装基板１３の実装孔１４の深さ寸
法（厚さ寸法）Ｔ２で吸収でき、図４中、３で示した従
来のパツケージに比べて、光学装置の外部実装基板１３
からの突出を軽減できる。なお、図１中、２５は半田で
ある。
の小幅とされた底部１２を、外部実装基板１３の実装孔
１４に埋め込む。そうすると、図４の如く、底部１２の
突出寸法Ｔ１を外部実装基板１３の実装孔１４の深さ寸
法（厚さ寸法）Ｔ２で吸収でき、図４中、３で示した従
来のパツケージに比べて、光学装置の外部実装基板１３
からの突出を軽減できる。なお、図１中、２５は半田で
ある。
【００２３】しかも、パツケージ１１の底部１２を、外
部実装基板１３の実装孔１４に埋め込んだ後に半田付け
できるので、両者の位置決めが容易となつて半田リフロ
ー時の位置ずれを防止できる。
部実装基板１３の実装孔１４に埋め込んだ後に半田付け
できるので、両者の位置決めが容易となつて半田リフロ
ー時の位置ずれを防止できる。
【００２４】したがつて、高密度実装機器への組み込み
が容易となる。
が容易となる。
【００２５】また、図５の如く、外部実装基板１３が、
両面実装タイプのものであり、かつその厚さ寸法Ｔ２が
パツケージ１１の底部１２の突出寸法Ｔ１よりも薄い場
合には、半田クリームを外部実装基板１３の裏面に塗布
して裏面配線パターンに接続しても良い。そうすると、
両面リフローが必要な外部実装基板においても、半田ペ
ースト塗布工程を一度のみで行なうことができる。ま
た、場合によつては、外部実装基板１３のうち、他の部
品２６が搭載される裏面にのみ配線パターンを配して、
その表面の配線パターンを省略でき、パターン印刷工程
が軽減する。
両面実装タイプのものであり、かつその厚さ寸法Ｔ２が
パツケージ１１の底部１２の突出寸法Ｔ１よりも薄い場
合には、半田クリームを外部実装基板１３の裏面に塗布
して裏面配線パターンに接続しても良い。そうすると、
両面リフローが必要な外部実装基板においても、半田ペ
ースト塗布工程を一度のみで行なうことができる。ま
た、場合によつては、外部実装基板１３のうち、他の部
品２６が搭載される裏面にのみ配線パターンを配して、
その表面の配線パターンを省略でき、パターン印刷工程
が軽減する。
【００２６】ところで、一般にチップ部品の左右両側に
半田ペーストを塗布し、後に半田リフローして熔融する
方式では、半田ペーストのリフロー時の表面張力が非常
に強いため、左右の塗布量のバランスによつては片側の
みに表面張力が働き、チップ部品が起き上がってしまう
こと（倒立現象）がある。そうすると、断線や、光学的
位置精度の劣化の原因となる。しかし、このような問題
は、本実施例の光学装置を用いることで解決できる。
半田ペーストを塗布し、後に半田リフローして熔融する
方式では、半田ペーストのリフロー時の表面張力が非常
に強いため、左右の塗布量のバランスによつては片側の
みに表面張力が働き、チップ部品が起き上がってしまう
こと（倒立現象）がある。そうすると、断線や、光学的
位置精度の劣化の原因となる。しかし、このような問題
は、本実施例の光学装置を用いることで解決できる。
【００２７】すなわち、図６の如く、パツケージ１１を
横に倒してサイド光授受として使用することで、リフロ
ー時に半田ペーストの塗布点を支点としてパツケージ１
１が起き上がろうとしても、その上部１５が底部１２よ
り大幅とされて突出しているため、上部１５がパツケー
ジ１１の起き上がりを妨げる。したがつて、パツケージ
１１の倒立現象を防止することができる。
横に倒してサイド光授受として使用することで、リフロ
ー時に半田ペーストの塗布点を支点としてパツケージ１
１が起き上がろうとしても、その上部１５が底部１２よ
り大幅とされて突出しているため、上部１５がパツケー
ジ１１の起き上がりを妨げる。したがつて、パツケージ
１１の倒立現象を防止することができる。
【００２８】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【００２９】例えば、上記実施例では、光学素子をＬＥ
Ｄチツプ等のとしていたが、フオトダイオードやフオト
トランジスタ等の受光素子であつてもよい。
Ｄチツプ等のとしていたが、フオトダイオードやフオト
トランジスタ等の受光素子であつてもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、パツケージの底部を小幅とし、外部実装基板の
実装孔に埋め込んで実装するので、底部の突出寸法を外
部実装基板の実装孔の深さ寸法で吸収でき、光学装置の
外部実装基板からの突出を軽減できる。したがつて、高
密度実装機器への組み込みが容易になるといつた優れた
効果がある。
よると、パツケージの底部を小幅とし、外部実装基板の
実装孔に埋め込んで実装するので、底部の突出寸法を外
部実装基板の実装孔の深さ寸法で吸収でき、光学装置の
外部実装基板からの突出を軽減できる。したがつて、高
密度実装機器への組み込みが容易になるといつた優れた
効果がある。
【図１】本発明の一実施例の光学装置において表面実装
動作を示す斜視図
動作を示す斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ断面図
【図３】図１のＢ−Ｂ断面図
【図４】従来の光学装置と本発明の光学装置を外部実装
基板に実装した場合の高さ比較をした側断面図
基板に実装した場合の高さ比較をした側断面図
【図５】光学装置を両面実装に応用した場合の側断面図
【図６】光学装置を外部実装基板にサイド光授受となる
ように搭載した場合の斜視図
ように搭載した場合の斜視図
【図７】従来の光学装置の斜視図
【図８】図７のＣ−Ｃ断面図
【図９】図７のＤ−Ｄ断面図
１１ パツケージ １９ 光学素子 １６ 凹部 １７ 電極部 １７ａ 裏面電極 １２ 底部 １３ 外部実装基板 １４ 実装孔 １５ 上部
Claims (1)
- 【請求項１】 パツケージの上面に凹部が形成され、該
凹部の底面に、薄膜状の電極部が形成され、該電極部に
光学素子が搭載され、前記電極部は、外部実装基板に半
田にて接続するよう前記凹部の底面から側面、パツケー
ジの上面および側壁面を介して、パツケージの裏面電極
にまで立体的に引きまわしされた光学装置において、前
記パツケージの底部に、該底部が外部実装基板の実装孔
に埋め込み可能な小幅寸法となるよう段差が形成された
ことを特徴とする光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4133595A JP2802411B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4133595A JP2802411B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327021A true JPH05327021A (ja) | 1993-12-10 |
| JP2802411B2 JP2802411B2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=15108488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4133595A Expired - Fee Related JP2802411B2 (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2802411B2 (ja) |
Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2003234507A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-22 | Koha Co Ltd | 側面発光型ｌｅｄランプ |
| KR100454777B1 (ko) * | 2000-09-13 | 2004-11-05 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | 칩형 발광다이오드 및 그 제조방법 |
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| JPS6262471U (ja) * | 1985-10-09 | 1987-04-17 | ||
| JPS63182579U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-24 |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP4133595A patent/JP2802411B2/ja not_active Expired - Fee Related
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