JPH11330131A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH11330131A JPH11330131A JP13869298A JP13869298A JPH11330131A JP H11330131 A JPH11330131 A JP H11330131A JP 13869298 A JP13869298 A JP 13869298A JP 13869298 A JP13869298 A JP 13869298A JP H11330131 A JPH11330131 A JP H11330131A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハンダリフローの手法を用いて回路基板など
に半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケージ内にお
いてワイヤが断線してしまわないようにする。 【解決手段】 半導体チップ３が搭載されるダイボンデ
ィング領域を有する第１の内部リード１０と、半導体チ
ップ３とワイヤＷを介して導通接続されるワイヤボンデ
ィング領域を有する第２の内部リード２０と、半導体チ
ップないし第２の内部リード２０を封入するようにして
所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成された樹
脂パッケージ４と、第１の内部リード１０に連続すると
ともに樹脂パッケージ４の外部に形成された第１の外部
リード１１と、第２の内部リードに連続するとともに樹
脂パッケージ４の外部に形成された第２の外部リード２
１と、を備えた半導体装置Ｘにおいて、ダイボンディン
グ領域を平面視における樹脂パッケージ４の中心から変
移した部位に設け、ワイヤボンディング領域を平面視に
おける樹脂パッケージの中心またはその近傍に設けた。
に半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケージ内にお
いてワイヤが断線してしまわないようにする。 【解決手段】 半導体チップ３が搭載されるダイボンデ
ィング領域を有する第１の内部リード１０と、半導体チ
ップ３とワイヤＷを介して導通接続されるワイヤボンデ
ィング領域を有する第２の内部リード２０と、半導体チ
ップないし第２の内部リード２０を封入するようにして
所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成された樹
脂パッケージ４と、第１の内部リード１０に連続すると
ともに樹脂パッケージ４の外部に形成された第１の外部
リード１１と、第２の内部リードに連続するとともに樹
脂パッケージ４の外部に形成された第２の外部リード２
１と、を備えた半導体装置Ｘにおいて、ダイボンディン
グ領域を平面視における樹脂パッケージ４の中心から変
移した部位に設け、ワイヤボンディング領域を平面視に
おける樹脂パッケージの中心またはその近傍に設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、適宜の回路基板
などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装
置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に
使用される半導体装置に関する。
などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装
置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に
使用される半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より採用されている樹脂パッケージ
型の半導体装置の一例を図１８および図１９に示す。こ
の半導体装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成することによ
って得られるフレームから製造された、いわゆるフレー
ムタイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成された
ものである。具体的には、それぞれの一端部１ａ，２ａ
どうしが対峙するようにして一対のリード端子１，２が
設けられており、一方のリード端子１の一端部１ａには
半導体チップ３（発光素子）が実装されており、この発
光素子３の上面３０と他方のリード端子２の一端部２ａ
とがワイヤＷを介して電気的に導通接続されている。そ
して、上記発光素子３およびワイヤＷを封入するように
して、かつ平面視において上記発光素子３が中心部に位
置するようにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パッケ
ージ４が形成されている。このような樹脂パッケージ４
が形成された発光ダイオードＸでは、上記各リード端子
１，２のうちの樹脂パッケージ４に封入された部位がそ
れぞれ内部リード１０，２０とされている。一方、上記
各リード端子１，２のうちの樹脂パッケージ４から延出
する部位は、それぞれ屈曲形成されて先端側１１ａ，２
１ａが上記樹脂パッケージの底面と同等高さ位置におい
て所定長さ水平に延びる外部リード（外部端子）１１，
２１とされている。
型の半導体装置の一例を図１８および図１９に示す。こ
の半導体装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成することによ
って得られるフレームから製造された、いわゆるフレー
ムタイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成された
ものである。具体的には、それぞれの一端部１ａ，２ａ
どうしが対峙するようにして一対のリード端子１，２が
設けられており、一方のリード端子１の一端部１ａには
半導体チップ３（発光素子）が実装されており、この発
光素子３の上面３０と他方のリード端子２の一端部２ａ
とがワイヤＷを介して電気的に導通接続されている。そ
して、上記発光素子３およびワイヤＷを封入するように
して、かつ平面視において上記発光素子３が中心部に位
置するようにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パッケ
ージ４が形成されている。このような樹脂パッケージ４
が形成された発光ダイオードＸでは、上記各リード端子
１，２のうちの樹脂パッケージ４に封入された部位がそ
れぞれ内部リード１０，２０とされている。一方、上記
各リード端子１，２のうちの樹脂パッケージ４から延出
する部位は、それぞれ屈曲形成されて先端側１１ａ，２
１ａが上記樹脂パッケージの底面と同等高さ位置におい
て所定長さ水平に延びる外部リード（外部端子）１１，
２１とされている。
【０００３】このように構成された発光ダイオードＸ
は、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、
たとえば光センサの発光部などとして使用される。上記
発光ダイオードＸを回路基板５に実装する場合には、い
わゆるハンダリフローの手法が一般的に採用されてい
る。このハンダリフローの手法では、上記発光ダイオー
ド５の外部リード１１，２１の裏面側または回路基板５
の端子パッド５０にクリームハンダを予め塗布してお
き、上記外部リード１１，２１と上記端子パッド５０と
を対応させて発光ダイオードＸを上記回路基板５に載置
した状態でリフロー炉に搬入することによって発光ダイ
オードＸが回路基板５に実装される。このリフロー炉で
は、ハンダペーストが２００℃程度にまで加熱されて再
溶融させられるが、発光ダイオードＸが実装された回路
基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させ
れば上記発光ダイオードＸが上記回路基板５に実装固定
される。
は、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、
たとえば光センサの発光部などとして使用される。上記
発光ダイオードＸを回路基板５に実装する場合には、い
わゆるハンダリフローの手法が一般的に採用されてい
る。このハンダリフローの手法では、上記発光ダイオー
ド５の外部リード１１，２１の裏面側または回路基板５
の端子パッド５０にクリームハンダを予め塗布してお
き、上記外部リード１１，２１と上記端子パッド５０と
を対応させて発光ダイオードＸを上記回路基板５に載置
した状態でリフロー炉に搬入することによって発光ダイ
オードＸが回路基板５に実装される。このリフロー炉で
は、ハンダペーストが２００℃程度にまで加熱されて再
溶融させられるが、発光ダイオードＸが実装された回路
基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させ
れば上記発光ダイオードＸが上記回路基板５に実装固定
される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記発
光ダイオードＸをリフロー炉内で加熱した場合には、上
記樹脂パッケージ４が全体的に膨張してしまう。この樹
脂パッケージ４は、エポキシ樹脂などによって形成され
ており、上記発光ダイオードＸなどの受発光に関係する
半導体装置では上記樹脂パッケージ４の透明性を確保す
べくフィラなどが添加されていない。このため、透明な
樹脂パッケージ４が形成された発光ダイオードＸでは、
全体的な熱膨張量が大きく、この熱膨張量は上記樹脂パ
ッケージ４の外側ほど大きい。したがって、平面視にお
ける上記樹脂パッケージ４の中心部に上記発光素子３が
設けられた発光ダイオードＸでは、ワイヤＷと他方のリ
ード端子１の一端部１ａとの接続部位（セカンドボンデ
ィング部位）が上記樹脂パッケージ４の中心から比較的
に離れた部位に設けられているため、このセカンドボン
ディング部位に大きな応力が作用することになる。とく
に、セカンドボンディングは、熱や超音波を付与してワ
イヤＷを圧着した後にワイヤＷをキャピラリの先端部に
よって圧しちぎることによって行われるので、ワイヤＷ
の先端部を溶融させてボール状とし、これを熱や超音波
を付与して圧着させるファーストボンディングと比較す
ればセカンドボンディング部位におけるワイヤＷの接続
力が弱い。このため、発光ダイオードＸの実装工程にお
ける上記樹脂パッケージ４の熱膨張によってセカンドボ
ンディング部位に大きな応力が作用したならば、ワイヤ
が断線してしまうことがある。
光ダイオードＸをリフロー炉内で加熱した場合には、上
記樹脂パッケージ４が全体的に膨張してしまう。この樹
脂パッケージ４は、エポキシ樹脂などによって形成され
ており、上記発光ダイオードＸなどの受発光に関係する
半導体装置では上記樹脂パッケージ４の透明性を確保す
べくフィラなどが添加されていない。このため、透明な
樹脂パッケージ４が形成された発光ダイオードＸでは、
全体的な熱膨張量が大きく、この熱膨張量は上記樹脂パ
ッケージ４の外側ほど大きい。したがって、平面視にお
ける上記樹脂パッケージ４の中心部に上記発光素子３が
設けられた発光ダイオードＸでは、ワイヤＷと他方のリ
ード端子１の一端部１ａとの接続部位（セカンドボンデ
ィング部位）が上記樹脂パッケージ４の中心から比較的
に離れた部位に設けられているため、このセカンドボン
ディング部位に大きな応力が作用することになる。とく
に、セカンドボンディングは、熱や超音波を付与してワ
イヤＷを圧着した後にワイヤＷをキャピラリの先端部に
よって圧しちぎることによって行われるので、ワイヤＷ
の先端部を溶融させてボール状とし、これを熱や超音波
を付与して圧着させるファーストボンディングと比較す
ればセカンドボンディング部位におけるワイヤＷの接続
力が弱い。このため、発光ダイオードＸの実装工程にお
ける上記樹脂パッケージ４の熱膨張によってセカンドボ
ンディング部位に大きな応力が作用したならば、ワイヤ
が断線してしまうことがある。
【０００５】また、ハンダペーストがたとえば１８３℃
程度で固化するのに対して、上記発光ダイオードＸの樹
脂パッケージ４はガラス転移温度以上（たとえばフィラ
の混入されていないエポキシ樹脂では１２０℃以上）に
おいて高弾性で、しかも温度低下にともなって熱収縮す
る状態とされている。すなわち、樹脂パッケージ４のガ
ラス転移温度以上でハンダペーストの固化温度以下の温
度では、上記発光ダイオードＸにおける各リード端子
１，２が回路基板５に固定された状態であるにもかかわ
らず、樹脂パッケージ４が温度低下によってどんどん硬
化収縮してしまう。樹脂パッケージ４の熱収縮率は、リ
ード端子１，２（金属）のそれよりも大きく、しかもリ
ード端子１，２の端部（外部リード１１，２１）が固定
されているため、樹脂パッケージ４の収縮に追従してリ
ード端子１，２が収縮することができない。このため、
上記発光ダイオードＸがリフロー炉から搬出されて、上
記樹脂パッケージ４が熱収縮する場合にも、セカンドボ
ンディング部位に大きな応力が作用し、セカンドボンデ
ィング部位においてワイヤが断線しまいかねない。
程度で固化するのに対して、上記発光ダイオードＸの樹
脂パッケージ４はガラス転移温度以上（たとえばフィラ
の混入されていないエポキシ樹脂では１２０℃以上）に
おいて高弾性で、しかも温度低下にともなって熱収縮す
る状態とされている。すなわち、樹脂パッケージ４のガ
ラス転移温度以上でハンダペーストの固化温度以下の温
度では、上記発光ダイオードＸにおける各リード端子
１，２が回路基板５に固定された状態であるにもかかわ
らず、樹脂パッケージ４が温度低下によってどんどん硬
化収縮してしまう。樹脂パッケージ４の熱収縮率は、リ
ード端子１，２（金属）のそれよりも大きく、しかもリ
ード端子１，２の端部（外部リード１１，２１）が固定
されているため、樹脂パッケージ４の収縮に追従してリ
ード端子１，２が収縮することができない。このため、
上記発光ダイオードＸがリフロー炉から搬出されて、上
記樹脂パッケージ４が熱収縮する場合にも、セカンドボ
ンディング部位に大きな応力が作用し、セカンドボンデ
ィング部位においてワイヤが断線しまいかねない。
【０００６】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、ハンダリフローの手法を用いて回
路基板などに半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケ
ージ内においてワイヤが断線してしまわないようにする
ことをその課題としている。
されたものであって、ハンダリフローの手法を用いて回
路基板などに半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケ
ージ内においてワイヤが断線してしまわないようにする
ことをその課題としている。
【０００７】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００８】すなわち、本願発明により提供される半導
体装置は、半導体チップが搭載されるダイボンディング
領域を有する第１の内部リードと、上記半導体チップと
ワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域
を有する第２の内部リードと、上記半導体チップないし
第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有す
る平面視略矩形状の形態に形成された樹脂パッケージ
と、上記第１の内部リードに連続するとともに上記樹脂
パッケージの外部に形成された第１の外部端子と、上記
第２の内部リードに連続するとともに上記樹脂パッケー
ジの外部に形成された第２の外部端子と、を備えた半導
体装置であって、上記ダイボンディング領域は、平面視
における上記樹脂パッケージの中心から変移した部位に
設けられており、上記ワイヤボンディング領域は、平面
視における上記樹脂パッケージの中心またはその近傍に
形成されていることを特徴としている。なお、上記半導
体チップとしては、発光素子または受光素子などが好適
に採用され、上記半導体装置が発光ダイオード、フォト
ダイオードあるいはフォトトランジスタなどとして構成
される。
体装置は、半導体チップが搭載されるダイボンディング
領域を有する第１の内部リードと、上記半導体チップと
ワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域
を有する第２の内部リードと、上記半導体チップないし
第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有す
る平面視略矩形状の形態に形成された樹脂パッケージ
と、上記第１の内部リードに連続するとともに上記樹脂
パッケージの外部に形成された第１の外部端子と、上記
第２の内部リードに連続するとともに上記樹脂パッケー
ジの外部に形成された第２の外部端子と、を備えた半導
体装置であって、上記ダイボンディング領域は、平面視
における上記樹脂パッケージの中心から変移した部位に
設けられており、上記ワイヤボンディング領域は、平面
視における上記樹脂パッケージの中心またはその近傍に
形成されていることを特徴としている。なお、上記半導
体チップとしては、発光素子または受光素子などが好適
に採用され、上記半導体装置が発光ダイオード、フォト
ダイオードあるいはフォトトランジスタなどとして構成
される。
【０００９】このような半導体装置は、回路基板などに
実装されてたとえば光センサの発光部あるいは受光部な
どとして使用されるのであるが、この実装には従来例に
おいて述べたようにハンダリフローの手法などが採用さ
れる。従来の半導体装置（発光ダイオード）では、半導
体装置の実装工程における樹脂パッケージの熱膨張ある
いは熱収縮によって、セカンドボンディング部位（ワイ
ヤボンディング領域におけるワイヤとの接続部位）に大
きな応力が作用していたのは既に述べた通りである。
実装されてたとえば光センサの発光部あるいは受光部な
どとして使用されるのであるが、この実装には従来例に
おいて述べたようにハンダリフローの手法などが採用さ
れる。従来の半導体装置（発光ダイオード）では、半導
体装置の実装工程における樹脂パッケージの熱膨張ある
いは熱収縮によって、セカンドボンディング部位（ワイ
ヤボンディング領域におけるワイヤとの接続部位）に大
きな応力が作用していたのは既に述べた通りである。
【００１０】これに対して、上記半導体装置では、上記
ワイヤボンディング領域が平面視における上記樹脂パッ
ケージの中心またはその近傍に形成されているため、セ
カンドボンディング部位（上記ワイヤボンディング領域
におけるワイヤとの接続部位）に作用する応力が極力低
減されている。すなわち、加熱・冷却時における上記樹
脂パッケージの熱膨張量あるいは熱収縮量は、上記樹脂
パッケージの中心部において最小であり、中心から離れ
るほど大きくなるから、上記樹脂パッケージの平面視に
おける中心またはその近傍は、同一平面におけるその周
囲と比較すれば熱膨張または熱収縮量は小さい。このた
め、加熱・冷却時における熱膨張または熱収縮量が小さ
い領域に上記セカンドボンディング部位が設けられた上
記半導体装置では、セカンドボンディング部位に作用す
る応力が格段に低減されており、半導体装置の実装時に
ワイヤがセカンドボンディング部位において断線してし
まうこともない。
ワイヤボンディング領域が平面視における上記樹脂パッ
ケージの中心またはその近傍に形成されているため、セ
カンドボンディング部位（上記ワイヤボンディング領域
におけるワイヤとの接続部位）に作用する応力が極力低
減されている。すなわち、加熱・冷却時における上記樹
脂パッケージの熱膨張量あるいは熱収縮量は、上記樹脂
パッケージの中心部において最小であり、中心から離れ
るほど大きくなるから、上記樹脂パッケージの平面視に
おける中心またはその近傍は、同一平面におけるその周
囲と比較すれば熱膨張または熱収縮量は小さい。このた
め、加熱・冷却時における熱膨張または熱収縮量が小さ
い領域に上記セカンドボンディング部位が設けられた上
記半導体装置では、セカンドボンディング部位に作用す
る応力が格段に低減されており、半導体装置の実装時に
ワイヤがセカンドボンディング部位において断線してし
まうこともない。
【００１１】好ましい実施の形態においては、上記第１
の内部リードおよび第２の内部リードは、金属板を打ち
抜くことによって得られたリードフレームから形成され
ている。すなわち、上記半導体装置は、いわゆるフレー
ムタイプの半導体装置と構成されており、この場合に
は、上記第１の外部端子および第２の外部端子は、それ
ぞれの基端部が上記樹脂パッケージの第１の側面に沿う
ようにして、かつ下方に延びるようにして形成し、上記
樹脂パッケージの底面にまで連続するのが好ましい。
の内部リードおよび第２の内部リードは、金属板を打ち
抜くことによって得られたリードフレームから形成され
ている。すなわち、上記半導体装置は、いわゆるフレー
ムタイプの半導体装置と構成されており、この場合に
は、上記第１の外部端子および第２の外部端子は、それ
ぞれの基端部が上記樹脂パッケージの第１の側面に沿う
ようにして、かつ下方に延びるようにして形成し、上記
樹脂パッケージの底面にまで連続するのが好ましい。
【００１２】上記構成では、上記樹脂パッケージの第１
の側面に沿って形成された第１の外部端子の一部および
第２の外部端子の一部が、それぞれ面実装用の外部端子
部として形成されており、樹脂パッケージの底面にも上
記各内部リードと導通する実装用の外部端子部がそれぞ
れ形成されている。このため、上記半導体装置では、上
記第１の側面を回路基板などの実装対象に対する実装面
として上記半導体装置を実装することがでるとともに、
底面を実装面とすることができ、半導体装置の種類や用
途あるいは回路基板における配置に応じて実装面を使い
分けることができる。
の側面に沿って形成された第１の外部端子の一部および
第２の外部端子の一部が、それぞれ面実装用の外部端子
部として形成されており、樹脂パッケージの底面にも上
記各内部リードと導通する実装用の外部端子部がそれぞ
れ形成されている。このため、上記半導体装置では、上
記第１の側面を回路基板などの実装対象に対する実装面
として上記半導体装置を実装することがでるとともに、
底面を実装面とすることができ、半導体装置の種類や用
途あるいは回路基板における配置に応じて実装面を使い
分けることができる。
【００１３】たとえば、発光ダイオード（ＬＥＤ）とし
て構成された半導体装置では、上記半導体チップ（発光
素子）の上面が発光面とされている場合を考えれば、樹
脂パッケージの第１の側面を実装面とすれば発光面が回
路基板などの実装対象に対して起立状とされ、回路基板
などの表面に対して平行に光を発するようにすることが
できる。一方、上記樹脂パッケージの底面を実装面とす
れば、発光面が回路基板などの実装対象の表面に対して
平行となり、回路基板などの表面に対して垂直に光を発
するようにすることができる。もちろん、フォトダイオ
ードとして構成された半導体装置においては、実装面を
適宜選択すれば、実装対象となる回路基板などに対して
平行に進行してくる光を受光するようにも、回路基板な
どに向けて垂直に進行してくる光を受光するようにも構
成することができる。
て構成された半導体装置では、上記半導体チップ（発光
素子）の上面が発光面とされている場合を考えれば、樹
脂パッケージの第１の側面を実装面とすれば発光面が回
路基板などの実装対象に対して起立状とされ、回路基板
などの表面に対して平行に光を発するようにすることが
できる。一方、上記樹脂パッケージの底面を実装面とす
れば、発光面が回路基板などの実装対象の表面に対して
平行となり、回路基板などの表面に対して垂直に光を発
するようにすることができる。もちろん、フォトダイオ
ードとして構成された半導体装置においては、実装面を
適宜選択すれば、実装対象となる回路基板などに対して
平行に進行してくる光を受光するようにも、回路基板な
どに向けて垂直に進行してくる光を受光するようにも構
成することができる。
【００１４】このように、上記半導体装置では、回路基
板などの実装対象に平行となる光を発し、あるいは平行
な光を受光できる半導体装置や、垂直光を発光でき、あ
るいは受光できる半導体装置を種類などに応じて使い分
ける必要がなく、便利である。
板などの実装対象に平行となる光を発し、あるいは平行
な光を受光できる半導体装置や、垂直光を発光でき、あ
るいは受光できる半導体装置を種類などに応じて使い分
ける必要がなく、便利である。
【００１５】もちろん、上記半導体装置を、上記第１の
内部リードに連続するとともに上記第１の側面に対向す
る第２の側面側に形成された第３の外部端子と、上記第
２の内部リードに連続するとともに上記第２の側面側に
形成された第４の外部端子とをさらに有するものとして
もよい。この場合には、上記第３の外部端子および第４
の外部端子を、それぞれの基端部が上記第２の側面に沿
うようにしてそれぞれ形成するとともに、上記樹脂パッ
ケージの底面にまで連続して形成するのが好ましい。
内部リードに連続するとともに上記第１の側面に対向す
る第２の側面側に形成された第３の外部端子と、上記第
２の内部リードに連続するとともに上記第２の側面側に
形成された第４の外部端子とをさらに有するものとして
もよい。この場合には、上記第３の外部端子および第４
の外部端子を、それぞれの基端部が上記第２の側面に沿
うようにしてそれぞれ形成するとともに、上記樹脂パッ
ケージの底面にまで連続して形成するのが好ましい。
【００１６】上記構成では、上記樹脂パッケージの第２
の側面にも各内部リードとそれそれ導通する面実装用の
外部端子部が形成されるので、上記第２の側面をも実装
面とすることができる。また、樹脂パッケージの底面に
おいては、第１の内部リードと導通する面実装用の外部
端子部および第２の内部リードと導通する面実装用の外
部端子部がそれぞれ２個づつ形成され、計４個の面実装
用の外部端子部が形成されている。このため、樹脂パッ
ケージの底面を実装面とすれば、実装対象との接続箇所
が４ヵ所となり、実装対象に対して良好に確実かつ良好
に実装することができる。
の側面にも各内部リードとそれそれ導通する面実装用の
外部端子部が形成されるので、上記第２の側面をも実装
面とすることができる。また、樹脂パッケージの底面に
おいては、第１の内部リードと導通する面実装用の外部
端子部および第２の内部リードと導通する面実装用の外
部端子部がそれぞれ２個づつ形成され、計４個の面実装
用の外部端子部が形成されている。このため、樹脂パッ
ケージの底面を実装面とすれば、実装対象との接続箇所
が４ヵ所となり、実装対象に対して良好に確実かつ良好
に実装することができる。
【００１７】しかも、各実装用端子部を樹脂パッケージ
の底面における四隅部にそれぞれ離散的に形成すれば、
上記半導体装置を実装する際に使用されハンダペースト
の再溶融時におけるセルフアライメント効果を期待で
き、上記半導体装置の実装精度を向上させることができ
る。
の底面における四隅部にそれぞれ離散的に形成すれば、
上記半導体装置を実装する際に使用されハンダペースト
の再溶融時におけるセルフアライメント効果を期待で
き、上記半導体装置の実装精度を向上させることができ
る。
【００１８】なお、上記第１ないし第４の外部端子の構
成は、従来例において説明したような構成であってもよ
い。すなわち、各外部端子が上記樹脂パッケージ４の各
側面や底面に沿うようにして形成されたものではなく、
その先端部が上記樹脂パッケージの底面と同等高さ位置
において水平に延びるようなものであってもよい。
成は、従来例において説明したような構成であってもよ
い。すなわち、各外部端子が上記樹脂パッケージ４の各
側面や底面に沿うようにして形成されたものではなく、
その先端部が上記樹脂パッケージの底面と同等高さ位置
において水平に延びるようなものであってもよい。
【００１９】また、上記第１の外部端子および第３の外
部端子を、上記樹脂パッケージの底面からさらに連続し
て上記第１の側面および第２の側面のそれぞれに連続す
る第３の側面にまで連続して形成し、上記第２の外部端
子および第４の外部端子を、上記樹脂パッケージの底面
からさらに連続して上記第３の側面に対向する第４の側
面にまで形成してもよい。
部端子を、上記樹脂パッケージの底面からさらに連続し
て上記第１の側面および第２の側面のそれぞれに連続す
る第３の側面にまで連続して形成し、上記第２の外部端
子および第４の外部端子を、上記樹脂パッケージの底面
からさらに連続して上記第３の側面に対向する第４の側
面にまで形成してもよい。
【００２０】上記構成では、樹脂パッケージの底面側の
４つの角部を囲むようにして上記第１の外部端子ないし
第４の外部端子が形成されているため、上記半導体装置
の底面側の角部が補強されることになる。樹脂パッケー
ジにおける角部は、半導体装置を取り扱う際に他の部材
など干渉して欠けやすい部位であるが、このようにして
樹脂パッケージの角部が補強されていれば、樹脂パッケ
ージが欠けにくいといった利点が得られる。
４つの角部を囲むようにして上記第１の外部端子ないし
第４の外部端子が形成されているため、上記半導体装置
の底面側の角部が補強されることになる。樹脂パッケー
ジにおける角部は、半導体装置を取り扱う際に他の部材
など干渉して欠けやすい部位であるが、このようにして
樹脂パッケージの角部が補強されていれば、樹脂パッケ
ージが欠けにくいといった利点が得られる。
【００２１】好ましい実施の形態においてはまた、上記
第１の内部リードおよび第２の内部リードは、絶縁性基
板の表面に形成されている。すなわち、上記半導体装置
は、基板タイプとして構成されており、たとえばポリイ
ミドフィルムなどの絶縁性基板の表面に銅などの被膜を
形成し、この被膜をエッチィング処理するなどして上記
第１および第２の内部リードが形成されている。この構
成の半導体装置においても、セカンドボンディング部位
を平面視における上記樹脂パッケージの中心またはその
近傍に設けることによって、上記樹脂パッケージの膨張
・収縮時におけるワイヤの断線が回避される。
第１の内部リードおよび第２の内部リードは、絶縁性基
板の表面に形成されている。すなわち、上記半導体装置
は、基板タイプとして構成されており、たとえばポリイ
ミドフィルムなどの絶縁性基板の表面に銅などの被膜を
形成し、この被膜をエッチィング処理するなどして上記
第１および第２の内部リードが形成されている。この構
成の半導体装置においても、セカンドボンディング部位
を平面視における上記樹脂パッケージの中心またはその
近傍に設けることによって、上記樹脂パッケージの膨張
・収縮時におけるワイヤの断線が回避される。
【００２２】上記したように、上記半導体装置は、発光
ダイオードやフォトダイオードなどとして構成される場
合があるが、この場合には、上記樹脂パッケージは、上
方側に突出する凸レンズ部を有するものとされ、この凸
レンズ部をその頂部が上記半導体チップの直上となるよ
うにして設けるのが好ましい。
ダイオードやフォトダイオードなどとして構成される場
合があるが、この場合には、上記樹脂パッケージは、上
方側に突出する凸レンズ部を有するものとされ、この凸
レンズ部をその頂部が上記半導体チップの直上となるよ
うにして設けるのが好ましい。
【００２３】この凸レンズ部は、たとえば半球状に形成
されるが、上記半導体装置が発光ダイオードのように発
光素子を有し、光を発する装置として構成される場合に
は、上記凸レンズ部によって上記発光素子から発せられ
る光が四方に散乱しないようになされる。一方、上記半
導体装置がフォトダイオードのように受光素子を有し、
光を受光する装置として構成される場合には、上記半導
体装置に向けて進行してくる光が上記受光素子上に良好
に集められる。
されるが、上記半導体装置が発光ダイオードのように発
光素子を有し、光を発する装置として構成される場合に
は、上記凸レンズ部によって上記発光素子から発せられ
る光が四方に散乱しないようになされる。一方、上記半
導体装置がフォトダイオードのように受光素子を有し、
光を受光する装置として構成される場合には、上記半導
体装置に向けて進行してくる光が上記受光素子上に良好
に集められる。
【００２４】上記半導体装置では、上記凸レンズ部が、
その頂部が上記半導体チップの直上となるようにして設
けられているが、平面視における樹脂パッケージの中心
から変移した部位に上記半導体チップが設けられている
ことから、上記凸レンズ部も平面視における樹脂パッケ
ージの中心から変移した部位に設けられていることにな
る。このため、上記樹脂パッケージの上面においては、
上記凸レンズ部が形成されていない平坦面のスペースが
大きく確保される。したがって、上記半導体装置を回路
基板へ実装するためにマウンタによって半導体装置を載
置する場合に、球状表面（凸レンズ部）を吸着して半導
体装置を搬送・載置する必要はなく、上記凸レンジ部に
横に形成された平坦面のスペースを利用して半導体装置
を吸着し回路基板などに載置することができる。このこ
とは、上記半導体装置をマウンタを用いて回路基板など
に載置する場合に、球状表面（凸レンズ部）を吸着でき
る特殊な吸着コレットを使用せずとも、通常用いられて
いる吸着コレットを使用できることを意味している。
その頂部が上記半導体チップの直上となるようにして設
けられているが、平面視における樹脂パッケージの中心
から変移した部位に上記半導体チップが設けられている
ことから、上記凸レンズ部も平面視における樹脂パッケ
ージの中心から変移した部位に設けられていることにな
る。このため、上記樹脂パッケージの上面においては、
上記凸レンズ部が形成されていない平坦面のスペースが
大きく確保される。したがって、上記半導体装置を回路
基板へ実装するためにマウンタによって半導体装置を載
置する場合に、球状表面（凸レンズ部）を吸着して半導
体装置を搬送・載置する必要はなく、上記凸レンジ部に
横に形成された平坦面のスペースを利用して半導体装置
を吸着し回路基板などに載置することができる。このこ
とは、上記半導体装置をマウンタを用いて回路基板など
に載置する場合に、球状表面（凸レンズ部）を吸着でき
る特殊な吸着コレットを使用せずとも、通常用いられて
いる吸着コレットを使用できることを意味している。
【００２５】また、上記凸レンズ部を上記樹脂パッケー
ジにおける中心からずらすことによって、半導体チップ
の極性（陽極と陰極）の区別が容易となるといった利点
も得られる。たとえば、上記半導体チップが搭載される
第１の内部リードに連続する第１の外部端子が上記樹脂
パッケージの第１の側面側に形成されており、第２の内
部リードに連続する第２の外部端子が上記第１の側面に
対向する第２の側面側に形成されている場合を考えてみ
る。この場合、上記第１の外部端子が陰極とされ、第２
の外部端子が陽極とされるが、上記半導体チップが上記
第１の側面側に変移して設けられることから、上記凸レ
ンズ部は第１の側面側にすれた部位に形成されることに
なる。すなわち、上記凸レンズ部に近い側面（第１の側
面）に形成されている外部端子が陰極となることから、
上記凸レンズ部の位置を確認すれば容易に極性が判断で
きる。
ジにおける中心からずらすことによって、半導体チップ
の極性（陽極と陰極）の区別が容易となるといった利点
も得られる。たとえば、上記半導体チップが搭載される
第１の内部リードに連続する第１の外部端子が上記樹脂
パッケージの第１の側面側に形成されており、第２の内
部リードに連続する第２の外部端子が上記第１の側面に
対向する第２の側面側に形成されている場合を考えてみ
る。この場合、上記第１の外部端子が陰極とされ、第２
の外部端子が陽極とされるが、上記半導体チップが上記
第１の側面側に変移して設けられることから、上記凸レ
ンズ部は第１の側面側にすれた部位に形成されることに
なる。すなわち、上記凸レンズ部に近い側面（第１の側
面）に形成されている外部端子が陰極となることから、
上記凸レンズ部の位置を確認すれば容易に極性が判断で
きる。
【００２６】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より
明らかとなろう。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００２８】図１は、本願発明に係る半導体装置の一例
を表す全体斜視図、図２は、図１のII−II線に沿う断面
に相当する図、図３は、上記半導体装置の平面透視図、
図４は、上記半導体装置の底面図である。なお、これら
の図において、従来例の半導体装置を説明するために参
照した図面に表された部材および要素などと同等なもの
には同一の符号を付してある。
を表す全体斜視図、図２は、図１のII−II線に沿う断面
に相当する図、図３は、上記半導体装置の平面透視図、
図４は、上記半導体装置の底面図である。なお、これら
の図において、従来例の半導体装置を説明するために参
照した図面に表された部材および要素などと同等なもの
には同一の符号を付してある。
【００２９】図１および図２に示すように、上記半導体
装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成するなどして得られる
リードフレームから製造された、いわゆるフレームタイ
プの半導体装置Ｘとして構成されたものであり、本実施
形態では発光ダイオードとして構成された半導体装置Ｘ
について説明する。具体的には、上記半導体装置Ｘは、
半導体チップとしての発光素子３が実装される第１リー
ド端子１と、上記発光素子３の上面３０とワイヤＷを介
して電気的に導通される第２のリード端子２と、上記発
光素子３およびワイヤＷを封入するようにして直方体状
に形成された樹脂パッケージ４と、を備えて大略構成さ
れている。
装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成するなどして得られる
リードフレームから製造された、いわゆるフレームタイ
プの半導体装置Ｘとして構成されたものであり、本実施
形態では発光ダイオードとして構成された半導体装置Ｘ
について説明する。具体的には、上記半導体装置Ｘは、
半導体チップとしての発光素子３が実装される第１リー
ド端子１と、上記発光素子３の上面３０とワイヤＷを介
して電気的に導通される第２のリード端子２と、上記発
光素子３およびワイヤＷを封入するようにして直方体状
に形成された樹脂パッケージ４と、を備えて大略構成さ
れている。
【００３０】図１ないし図４に良く表れているように、
上記第１のリード端子１は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第１の内部リード１０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第１および第３の外
部リード（外部端子）１１，１２とを有している。
上記第１のリード端子１は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第１の内部リード１０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第１および第３の外
部リード（外部端子）１１，１２とを有している。
【００３１】上記第１の内部リード１０は、上記樹脂パ
ッケージ４の第１の側面４０および第２の側面４１間に
おいて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に
延びる内部リード本体部１０ａを有しており、この内部
リード本体部１０ａの中央部から上記樹脂パッケージ４
の中心側に向けて突出するようにして小耳片部１０ｂが
形成されている。この小耳片部１０ｂと上記内部リード
本体部１０ａの一部領域とによってダイボンディング領
域が構成されており、このダイボンディング領域は、平
面視において上記樹脂パッケージ４の第３の側面４３側
に変移した位置に設けられている。上記ダイボンディン
グ領域には、上記発光素子３が実装されるのであるが、
上記ダイボンディング領域が平面視において上記樹脂パ
ッケージ４の第３の側面４３側に変移した位置に設けら
れていることから、上記発光素子３も上記第３の側面４
３側に変移した位置に設けられることになる。
ッケージ４の第１の側面４０および第２の側面４１間に
おいて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に
延びる内部リード本体部１０ａを有しており、この内部
リード本体部１０ａの中央部から上記樹脂パッケージ４
の中心側に向けて突出するようにして小耳片部１０ｂが
形成されている。この小耳片部１０ｂと上記内部リード
本体部１０ａの一部領域とによってダイボンディング領
域が構成されており、このダイボンディング領域は、平
面視において上記樹脂パッケージ４の第３の側面４３側
に変移した位置に設けられている。上記ダイボンディン
グ領域には、上記発光素子３が実装されるのであるが、
上記ダイボンディング領域が平面視において上記樹脂パ
ッケージ４の第３の側面４３側に変移した位置に設けら
れていることから、上記発光素子３も上記第３の側面４
３側に変移した位置に設けられることになる。
【００３２】上記第１および第３の外部リード１１，１
２は、上記第１の内部リード１０の両端部からそれぞれ
連続して形成されており、第１および第３の外部リード
１１，１２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の
側面４１および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして
下方に延びる第１外部端子部１１ａ，１２ａとされてい
る。そして、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底
面４５にまで上記第１および第３の外部リードが形成さ
れてそれぞれ第２外部端子部１１ｂ，１２ｂとされてお
り、第１および第３の外部リード１１，１２の先端部
は、上記樹脂パッケージ４の第３の側面４３に沿うよう
にして上方に延びる第３外部端子部１１ｃ，１２ｃとさ
れている。すなわち、上記第１および第３の外部リード
１１，１２によって、上記樹脂パッケージ４の底面４５
側の角部のうちの２つが囲まれた恰好とされている。
２は、上記第１の内部リード１０の両端部からそれぞれ
連続して形成されており、第１および第３の外部リード
１１，１２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の
側面４１および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして
下方に延びる第１外部端子部１１ａ，１２ａとされてい
る。そして、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底
面４５にまで上記第１および第３の外部リードが形成さ
れてそれぞれ第２外部端子部１１ｂ，１２ｂとされてお
り、第１および第３の外部リード１１，１２の先端部
は、上記樹脂パッケージ４の第３の側面４３に沿うよう
にして上方に延びる第３外部端子部１１ｃ，１２ｃとさ
れている。すなわち、上記第１および第３の外部リード
１１，１２によって、上記樹脂パッケージ４の底面４５
側の角部のうちの２つが囲まれた恰好とされている。
【００３３】図１ないし図４に良く表れているように、
上記第２の端子リード２は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第２の内部リード２０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第１および第３の外
部リード（外部端子）２１，２２とを有している。
上記第２の端子リード２は、上記樹脂パッケージ４内に
封入された第２の内部リード２０と、上記樹脂パッケー
ジ４の外部において屈曲形成された第１および第３の外
部リード（外部端子）２１，２２とを有している。
【００３４】上記第２の内部リード２０は、上記樹脂パ
ッケージ４の第１の側面４０および第２の側面４１間に
おいて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に
延びるようにして、かつ上記第１の内部リード１０と平
行とされた内部リード本体部２０ａを有している。この
内部リード本体部２０ａの中央部からは、上記第１の内
部リード１０側に突出するようにして大耳片部２０ｂが
形成されているが、この大耳片部２０ｂは、ワイヤＷを
介して上記発光素子３の上面と繋げられてワイヤボンデ
ィング領域とされている。このワイヤボンディング領域
は、平面視における上記樹脂パッケージ４の中央部に位
置するようにして設けられている。このため、上記ワイ
ヤＷと上記大耳片部２０ｂとの接続部位は、平面視にお
ける上記樹脂パッケージ４の中央部に位置することとな
る。
ッケージ４の第１の側面４０および第２の側面４１間に
おいて上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に
延びるようにして、かつ上記第１の内部リード１０と平
行とされた内部リード本体部２０ａを有している。この
内部リード本体部２０ａの中央部からは、上記第１の内
部リード１０側に突出するようにして大耳片部２０ｂが
形成されているが、この大耳片部２０ｂは、ワイヤＷを
介して上記発光素子３の上面と繋げられてワイヤボンデ
ィング領域とされている。このワイヤボンディング領域
は、平面視における上記樹脂パッケージ４の中央部に位
置するようにして設けられている。このため、上記ワイ
ヤＷと上記大耳片部２０ｂとの接続部位は、平面視にお
ける上記樹脂パッケージ４の中央部に位置することとな
る。
【００３５】上記第２および第４の外部リード２１，２
２は、上記第２の内部リード２０の両端部から連続して
形成されており、第２よび第４の外部リード２１，２２
の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１お
よび第２の側面４２にそれぞれ沿うようして下方に延び
る第１外部端子部２１ａ，２２ａとされている。そし
て、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底面４５お
よび第３の側面４３に沿うようにして第２外部端子部２
１ｂ，２２ｂおよび第３外部端子部２１ｃ，２２ｃがそ
れぞれ形成されている。このように、上記第２および第
４の外部リード２１，２２によって、上記樹脂パッケー
ジ４の底面側の角部のうちの残りの２つが囲まれた恰好
とされており、結局、上記各外部リード１１，１２，２
１，２２によって上記樹脂パッケージ４における底面４
５側の各角部が実質的に保護されている。
２は、上記第２の内部リード２０の両端部から連続して
形成されており、第２よび第４の外部リード２１，２２
の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１お
よび第２の側面４２にそれぞれ沿うようして下方に延び
る第１外部端子部２１ａ，２２ａとされている。そし
て、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底面４５お
よび第３の側面４３に沿うようにして第２外部端子部２
１ｂ，２２ｂおよび第３外部端子部２１ｃ，２２ｃがそ
れぞれ形成されている。このように、上記第２および第
４の外部リード２１，２２によって、上記樹脂パッケー
ジ４の底面側の角部のうちの残りの２つが囲まれた恰好
とされており、結局、上記各外部リード１１，１２，２
１，２２によって上記樹脂パッケージ４における底面４
５側の各角部が実質的に保護されている。
【００３６】上記樹脂パッケージ４は、後述する金型成
形などによって形成されており、上方に突出する半球状
の凸レンズ部４６を有しているが、全体形状としては直
方体状とされている。上記凸レンズ部４６は、その頂部
が上記発光素子３の直上に位置するようにして形成され
ており、発光素子３から発せられた光が四方に拡散しな
いようになされている。ところで、上記発光素子３は、
平面視における上記樹脂パッケージ４中心から変移した
第３の側面側に形成されている。このため、上記発光素
子３の直上に設けられた凸レンズ部４６もまた、平面視
において上記樹脂パッケージ４の第３の側面側に変移し
た部位に形成されており、上記樹脂パッケージ４の上面
における第４の側面側に、比較的に大きな平坦面とされ
たスペースが確保されている。
形などによって形成されており、上方に突出する半球状
の凸レンズ部４６を有しているが、全体形状としては直
方体状とされている。上記凸レンズ部４６は、その頂部
が上記発光素子３の直上に位置するようにして形成され
ており、発光素子３から発せられた光が四方に拡散しな
いようになされている。ところで、上記発光素子３は、
平面視における上記樹脂パッケージ４中心から変移した
第３の側面側に形成されている。このため、上記発光素
子３の直上に設けられた凸レンズ部４６もまた、平面視
において上記樹脂パッケージ４の第３の側面側に変移し
た部位に形成されており、上記樹脂パッケージ４の上面
における第４の側面側に、比較的に大きな平坦面とされ
たスペースが確保されている。
【００３７】このように構成された半導体装置Ｘでは、
図１に良く表れているように、上記樹脂パッケージ４の
第１の側面４１には、第１の内部リード１０に導通する
第１の外部リード１１の第１外部端子部１１ａが形成さ
れているとともに、第２の内部リード２０に導通する第
２の外部リード２１の第１外部端子部２１ａが形成され
ている。このため、上記第１の側面４１を回路基板など
の実装対象に対する実装面とすることができる。また、
図３および図４に良く表れているように、上記樹脂パッ
ケージ４の第２の側面４２にも、第１および第２の内部
リード１０，２０のそれぞれと導通する第３の外部リー
ド１２の第１外部端子部１２ａおよび第４の外部リード
２２の第１外部端子部２２ａがそれぞれ形成されている
ため、第２の側面を実装面とすることができる。さら
に、図４に良く表れているように、上記樹脂パッケージ
４の底面４５には、上記第１および第３の外部リード１
１，１２の第２外部端子部１１ｂ，１２ｂがそれぞれ形
成されているとともに、上記第２および第４の外部リー
ド２１，２２の第２外部端子部２１ｂ，２２ｂがそれぞ
れ形成されているため、底面４５をも実装面とすること
ができる。
図１に良く表れているように、上記樹脂パッケージ４の
第１の側面４１には、第１の内部リード１０に導通する
第１の外部リード１１の第１外部端子部１１ａが形成さ
れているとともに、第２の内部リード２０に導通する第
２の外部リード２１の第１外部端子部２１ａが形成され
ている。このため、上記第１の側面４１を回路基板など
の実装対象に対する実装面とすることができる。また、
図３および図４に良く表れているように、上記樹脂パッ
ケージ４の第２の側面４２にも、第１および第２の内部
リード１０，２０のそれぞれと導通する第３の外部リー
ド１２の第１外部端子部１２ａおよび第４の外部リード
２２の第１外部端子部２２ａがそれぞれ形成されている
ため、第２の側面を実装面とすることができる。さら
に、図４に良く表れているように、上記樹脂パッケージ
４の底面４５には、上記第１および第３の外部リード１
１，１２の第２外部端子部１１ｂ，１２ｂがそれぞれ形
成されているとともに、上記第２および第４の外部リー
ド２１，２２の第２外部端子部２１ｂ，２２ｂがそれぞ
れ形成されているため、底面４５をも実装面とすること
ができる。
【００３８】次に上記構成の半導体装置Ｘの製造方法に
ついて図５ないし図９を参照しつつ簡単に説明するが、
便宜上、この製造方法に使用されるリードフレーム６に
ついて図５を参照しつつ先に説明する。
ついて図５ないし図９を参照しつつ簡単に説明するが、
便宜上、この製造方法に使用されるリードフレーム６に
ついて図５を参照しつつ先に説明する。
【００３９】上記リードフレーム６は、銅や鉄あるいは
ニッケル合金などの金属板を打ち抜くなどして得られる
ものであり、図５に示すように、平行に延びる一対のサ
イドフレーム６０，６０を有している。これらのサイド
フレーム６０，６０を掛け渡すようにして２つのクロス
フレーム６１ａ，６１ｂからなるクロスフレーム対６１
が等間隔毎に形成されており、各クロスフレーム対６１
を構成するクロスフレーム６１ａ，６１ｂは上記各サイ
ドフレーム６０，６０よりの部位においてサポートフレ
ーム６２，６２によって連結されている。また、各クロ
スフレーム対６１の一方のクロスフレーム６１ａは、隣
合うクロスフレーム対６１の他方のクロスフレーム６１
ｂと２つのタイバー６３，６３によってそれぞれ連結さ
れている。上記クロスフレーム対６１および上記各サポ
ートフレーム６２，６２によって囲まれる矩形領域に
は、一方のクロスフレーム６１ａ側から他方のクロスフ
レーム６１ｂ側に突出するようにして小耳片部１０ｂ
が、この小耳片部１０ｂに対峙するようにして他方のク
ロスフレーム６１ｂ側から一方のクロスフレーム６１ａ
側に突出する大耳片部２０ｂがそれぞれ打ち抜き形成さ
れている。
ニッケル合金などの金属板を打ち抜くなどして得られる
ものであり、図５に示すように、平行に延びる一対のサ
イドフレーム６０，６０を有している。これらのサイド
フレーム６０，６０を掛け渡すようにして２つのクロス
フレーム６１ａ，６１ｂからなるクロスフレーム対６１
が等間隔毎に形成されており、各クロスフレーム対６１
を構成するクロスフレーム６１ａ，６１ｂは上記各サイ
ドフレーム６０，６０よりの部位においてサポートフレ
ーム６２，６２によって連結されている。また、各クロ
スフレーム対６１の一方のクロスフレーム６１ａは、隣
合うクロスフレーム対６１の他方のクロスフレーム６１
ｂと２つのタイバー６３，６３によってそれぞれ連結さ
れている。上記クロスフレーム対６１および上記各サポ
ートフレーム６２，６２によって囲まれる矩形領域に
は、一方のクロスフレーム６１ａ側から他方のクロスフ
レーム６１ｂ側に突出するようにして小耳片部１０ｂ
が、この小耳片部１０ｂに対峙するようにして他方のク
ロスフレーム６１ｂ側から一方のクロスフレーム６１ａ
側に突出する大耳片部２０ｂがそれぞれ打ち抜き形成さ
れている。
【００４０】このように構成されたリードフレーム６に
おいては、まず、上記小耳片部１０ｂを含む２点鎖線で
囲んだ領域Ｈに半導体チップ３が実装される。上記した
ように上記半導体装置Ｘが発光ダイオードとして構成さ
れる場合には、半導体チップ３としては発光ダイオード
チップなどの発光素子が使用されるが、上記半導体装置
Ｘがフォトダイオードとして構成される場合には上記半
導体チップ３としてはフォトダイオードチップなどの受
光素子などが使用される。もちろん、用途に応じて例示
したもの以外の半導体チップを適宜実装してもよい。
おいては、まず、上記小耳片部１０ｂを含む２点鎖線で
囲んだ領域Ｈに半導体チップ３が実装される。上記した
ように上記半導体装置Ｘが発光ダイオードとして構成さ
れる場合には、半導体チップ３としては発光ダイオード
チップなどの発光素子が使用されるが、上記半導体装置
Ｘがフォトダイオードとして構成される場合には上記半
導体チップ３としてはフォトダイオードチップなどの受
光素子などが使用される。もちろん、用途に応じて例示
したもの以外の半導体チップを適宜実装してもよい。
【００４１】次いで、上記半導体チップ３の上面３０と
他方のクロスフレーム６１ｂとをワイヤＷによって接続
する。このワイヤＷによる接続は、上記半導体チップ３
の上面３０について行われるファーストボンディングと
他方のクロスフレーム６１ｂについて行われるセカンド
ボンディングとからなる。
他方のクロスフレーム６１ｂとをワイヤＷによって接続
する。このワイヤＷによる接続は、上記半導体チップ３
の上面３０について行われるファーストボンディングと
他方のクロスフレーム６１ｂについて行われるセカンド
ボンディングとからなる。
【００４２】図６に示すように、ファーストボンディン
グは、キャピラリ７の先端部からワイヤＷの先端部を突
出させておき、この部位を溶融させてボール状とし、こ
れを上記半導体チップ３の上面に圧し付けることによっ
ておこなわれる。セカンドボンディングは、上記キャピ
ラリ７の先端部からワイヤＷを引き出しつつ他方のクロ
スフレーム６１ｂの大耳片部２０ｂ（ワイヤボンディン
グ領域）にまで上記キャピラリ７を移動させ、ワイヤＷ
を圧着することによって行われる。なお、ワイヤボンデ
ィングを行うのに際して、上記リードフレーム６を支持
台８などによって加熱してもよく、またセカンドボンデ
ィングを行う際に超音波を供給してもよい。
グは、キャピラリ７の先端部からワイヤＷの先端部を突
出させておき、この部位を溶融させてボール状とし、こ
れを上記半導体チップ３の上面に圧し付けることによっ
ておこなわれる。セカンドボンディングは、上記キャピ
ラリ７の先端部からワイヤＷを引き出しつつ他方のクロ
スフレーム６１ｂの大耳片部２０ｂ（ワイヤボンディン
グ領域）にまで上記キャピラリ７を移動させ、ワイヤＷ
を圧着することによって行われる。なお、ワイヤボンデ
ィングを行うのに際して、上記リードフレーム６を支持
台８などによって加熱してもよく、またセカンドボンデ
ィングを行う際に超音波を供給してもよい。
【００４３】続いて、所定の金型を用いて上記リードフ
レーム６において仮想線で囲まれた領域Ｐに樹脂パッケ
ージ４を形成する、この工程はたとえば以下のようにし
て行われる。すなわち、図７に示すように、まず、上下
の各金型９Ａ，９Ｂによって形成されるキャビティ空間
９０内に上記半導体チップ３を収容した状態で上記リー
ドフレーム６の所定領域を挟持するようにして金型を型
締めする。そして、上記キャビティ空間９０に溶融した
エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入し、注入樹脂が
硬化した後に金型を型開きすることによって樹脂パッケ
ージ４が形成される。このとき、凸レンズ部４６も同時
に形成される。
レーム６において仮想線で囲まれた領域Ｐに樹脂パッケ
ージ４を形成する、この工程はたとえば以下のようにし
て行われる。すなわち、図７に示すように、まず、上下
の各金型９Ａ，９Ｂによって形成されるキャビティ空間
９０内に上記半導体チップ３を収容した状態で上記リー
ドフレーム６の所定領域を挟持するようにして金型を型
締めする。そして、上記キャビティ空間９０に溶融した
エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入し、注入樹脂が
硬化した後に金型を型開きすることによって樹脂パッケ
ージ４が形成される。このとき、凸レンズ部４６も同時
に形成される。
【００４４】上記半導体装置Ｘが発光ダイオードとして
構成される場合には、上記樹脂パッケージ４を形成する
材料としては透明性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂
などが好適に採用される。もちろん、半導体チップ３と
してフォトダイオードチップやフォトトランジスタチッ
プなどの受光素子を採用する場合にも、上記樹脂パッケ
ージ４を形成する材料としては、透明性の高いエポキシ
樹脂などが好適に採用されるが、発光や受光を行う半導
体装置Ｘとは異なる半導体装置として構成する場合に
は、必ずしも透明性の高い樹脂によって上記樹脂パッケ
ージ４を形成する必要はなく、上記凸レンズ部４６を設
ける必要もない。また、受光素子として赤外光を選択的
に受光できるものを使用する場合には、赤外光を選択的
に透過させる黒色の樹脂によって上記樹脂パッケージ４
を形成するのが好ましい。
構成される場合には、上記樹脂パッケージ４を形成する
材料としては透明性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂
などが好適に採用される。もちろん、半導体チップ３と
してフォトダイオードチップやフォトトランジスタチッ
プなどの受光素子を採用する場合にも、上記樹脂パッケ
ージ４を形成する材料としては、透明性の高いエポキシ
樹脂などが好適に採用されるが、発光や受光を行う半導
体装置Ｘとは異なる半導体装置として構成する場合に
は、必ずしも透明性の高い樹脂によって上記樹脂パッケ
ージ４を形成する必要はなく、上記凸レンズ部４６を設
ける必要もない。また、受光素子として赤外光を選択的
に受光できるものを使用する場合には、赤外光を選択的
に透過させる黒色の樹脂によって上記樹脂パッケージ４
を形成するのが好ましい。
【００４５】このようにして樹脂パッケージ４が形成さ
れた後に、リードフレーム６における一点鎖線で示した
ラインに沿って切断することによって、図８に示すよう
な半導体装置の中間品Ｙが得られる。この中間品Ｙは、
上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２の側
面４２から外部リード１１，１２，２１，２２となるべ
き部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２ＡがそれぞれＬ字
状に突出したような形状をなしており、上記各Ｌ字状の
部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａが折り曲げられて
図１に示したような半導体装置Ｘとされる。
れた後に、リードフレーム６における一点鎖線で示した
ラインに沿って切断することによって、図８に示すよう
な半導体装置の中間品Ｙが得られる。この中間品Ｙは、
上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２の側
面４２から外部リード１１，１２，２１，２２となるべ
き部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２ＡがそれぞれＬ字
状に突出したような形状をなしており、上記各Ｌ字状の
部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａが折り曲げられて
図１に示したような半導体装置Ｘとされる。
【００４６】具体的には、まず、図９に示すように、上
記各Ｌ字状の部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを下
方に折り曲げて、これらの各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの基端部が上記樹脂パッケージ４の第１およ
び第２の側面４１，４２に沿うようにする。これによ
り、各外部リード１１，１２，２１，２２の第１外部端
子部１１ａ，１２ａ，２１ａ，２２ａが形成される。
記各Ｌ字状の部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを下
方に折り曲げて、これらの各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの基端部が上記樹脂パッケージ４の第１およ
び第２の側面４１，４２に沿うようにする。これによ
り、各外部リード１１，１２，２１，２２の第１外部端
子部１１ａ，１２ａ，２１ａ，２２ａが形成される。
【００４７】次に、図１０に示すように、上記各部位１
１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを上記樹脂パッケージ４
の底面４５に沿うようにしてさらに折り曲げて、各外部
リード１１，１２，２１，２２の第２外部端子部１１
ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂを形成する。このとき、各
部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先端部は、平面
視において上記樹脂パッケージ４の側方にはみ出したよ
うな恰好とされている。
１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを上記樹脂パッケージ４
の底面４５に沿うようにしてさらに折り曲げて、各外部
リード１１，１２，２１，２２の第２外部端子部１１
ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂを形成する。このとき、各
部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先端部は、平面
視において上記樹脂パッケージ４の側方にはみ出したよ
うな恰好とされている。
【００４８】続いて、図１１に示すように、上記樹脂パ
ッケージ４からはみ出した各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの先端部を上方に向けて折り曲げて上記第３
または第４の側面４３，４４に沿うようにする。これに
より、上記各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先
端部が上記各外部リード１１，１２，２１，２２の第２
外部端子部１１ｂ，１２ｃ，２１ｃ，２２ｃとされ、図
１に示したような半導体装置Ｘとされる。
ッケージ４からはみ出した各部位１１Ａ，１２Ａ，２１
Ａ，２２Ａの先端部を上方に向けて折り曲げて上記第３
または第４の側面４３，４４に沿うようにする。これに
より、上記各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先
端部が上記各外部リード１１，１２，２１，２２の第２
外部端子部１１ｂ，１２ｃ，２１ｃ，２２ｃとされ、図
１に示したような半導体装置Ｘとされる。
【００４９】このようにして製造された半導体装置Ｘ
は、回路基板などに実装されて使用されるが、上記半導
体チップ３として発光素子が採用された半導体装置Ｘで
は、この半導体装置Ｘを各種の光源、たとえば光センサ
の発光部として使用することができる。上記半導体チッ
プでは、適宜の実装面（本実施形態では、樹脂パッケー
ジ４の第１の側面４１、第２の側面４２、および底面４
５のいずれか）を選択することによって、回路基板など
の実装対象に垂直に光を発するような実装状態と、実装
対象に対して平行に光を発するような実装状態とを選択
することができるようになる。たとえば、発光ダイオー
ドとして構成された半導体装置Ｘにおいて、発光素子３
の上面３０が発光面となされている場合には、図１２に
示すように、上記樹脂パッケージ４の底面４５を実装面
とすれば、実装対象５に垂直に光を発するように構成す
ることができ、第１または第２の側面４１，４２を実装
面とすれば実装対象に対して平行に光を発するように構
成することができる。なお、上記半導体チップ３として
受光素子を用いた場合には、光センサの受光部などとし
て使用することができる。
は、回路基板などに実装されて使用されるが、上記半導
体チップ３として発光素子が採用された半導体装置Ｘで
は、この半導体装置Ｘを各種の光源、たとえば光センサ
の発光部として使用することができる。上記半導体チッ
プでは、適宜の実装面（本実施形態では、樹脂パッケー
ジ４の第１の側面４１、第２の側面４２、および底面４
５のいずれか）を選択することによって、回路基板など
の実装対象に垂直に光を発するような実装状態と、実装
対象に対して平行に光を発するような実装状態とを選択
することができるようになる。たとえば、発光ダイオー
ドとして構成された半導体装置Ｘにおいて、発光素子３
の上面３０が発光面となされている場合には、図１２に
示すように、上記樹脂パッケージ４の底面４５を実装面
とすれば、実装対象５に垂直に光を発するように構成す
ることができ、第１または第２の側面４１，４２を実装
面とすれば実装対象に対して平行に光を発するように構
成することができる。なお、上記半導体チップ３として
受光素子を用いた場合には、光センサの受光部などとし
て使用することができる。
【００５０】上記半導体装置Ｘの実装には、たとえばハ
ンダリフローの手法が好適に採用される。このハンダリ
フローの手法では、予め上記半導体装置Ｘの外部リード
１１，１２，２１，２２の表面に、あるいは回路基板な
どの実装対象５に形成された端子パッド５０，５０の表
面にクリームハンダを塗布しておき、上記外部リード１
１，１２，２１，２２と上記端子パッド５０，５０とを
対応させて半導体装置Ｘを上記回路基板５に載置した状
態でリフロー炉に搬入して加熱される。そして、ハンダ
ペーストを２００℃程度にまで加熱して再溶融させた後
に、リフロー炉から搬出してハンダペーストを冷却固化
させることによってする発光ダイオードＸが回路基板５
に実装される。
ンダリフローの手法が好適に採用される。このハンダリ
フローの手法では、予め上記半導体装置Ｘの外部リード
１１，１２，２１，２２の表面に、あるいは回路基板な
どの実装対象５に形成された端子パッド５０，５０の表
面にクリームハンダを塗布しておき、上記外部リード１
１，１２，２１，２２と上記端子パッド５０，５０とを
対応させて半導体装置Ｘを上記回路基板５に載置した状
態でリフロー炉に搬入して加熱される。そして、ハンダ
ペーストを２００℃程度にまで加熱して再溶融させた後
に、リフロー炉から搬出してハンダペーストを冷却固化
させることによってする発光ダイオードＸが回路基板５
に実装される。
【００５１】上記回路基板５に対して半導体装置Ｘを載
置する場合には、たとえば適宜のトレイなどに複数個の
半導体装置Ｘを収容しておき、これをマウンタなどを用
いて自動的に行うことができる。図２に良く表れている
ように、上記半導体装置Ｘでは、上記樹脂パッケージ４
の上方に突出するようにして球状表面とされた凸レンズ
部４６が形成されているが、上記樹脂パッケージ４の上
面における第４の側面４４側に領域には比較的に大きな
平坦面の領域が確保されているのは上述の通りである。
したがって、上記半導体装置Ｘをマウンタなどを用いて
移動・載置させる場合には、通常に用いられているコレ
ット９０を使用することができ、球状表面を吸着できる
特殊なコレットを使用する必要はなく、便利である。
置する場合には、たとえば適宜のトレイなどに複数個の
半導体装置Ｘを収容しておき、これをマウンタなどを用
いて自動的に行うことができる。図２に良く表れている
ように、上記半導体装置Ｘでは、上記樹脂パッケージ４
の上方に突出するようにして球状表面とされた凸レンズ
部４６が形成されているが、上記樹脂パッケージ４の上
面における第４の側面４４側に領域には比較的に大きな
平坦面の領域が確保されているのは上述の通りである。
したがって、上記半導体装置Ｘをマウンタなどを用いて
移動・載置させる場合には、通常に用いられているコレ
ット９０を使用することができ、球状表面を吸着できる
特殊なコレットを使用する必要はなく、便利である。
【００５２】ところで、従来においては、半導体装置の
実装工程における樹脂パッケージの熱膨張あるいは熱収
縮によって、セカンドボンディング部位（ワイヤボンデ
ィング領域におけるワイヤとの接続部位）に大きな応力
が作用していたのは既に述べた通りである。
実装工程における樹脂パッケージの熱膨張あるいは熱収
縮によって、セカンドボンディング部位（ワイヤボンデ
ィング領域におけるワイヤとの接続部位）に大きな応力
が作用していたのは既に述べた通りである。
【００５３】これに対して、上記半導体装置Ｘでは、上
記ワイヤボンディング領域が平面視における上記樹脂パ
ッケージ４の中心部に形成されているため、セカンドボ
ンディング部位に作用する応力が極力低減されている。
すなわち、加熱・冷却時における上記樹脂パッケージ４
の熱膨張量あるいは熱収縮量は、上記樹脂パッケージ４
の中心部において最小であり、中心から離れるほど大き
くなるから、上記樹脂パッケージ４の平面視における中
心部は、同一平面におけるその周囲と比較すれば熱膨張
または熱収縮量は小さい。このため、加熱・冷却時にお
ける熱膨張または熱収縮量が小さい領域に上記セカンド
ボンディング部位が設けられた上記半導体装置Ｘでは、
セカンドボンディング部位に作用する応力が格段に低減
されており、半導体装置Ｘの実装時にワイヤＷがセカン
ドボンディング部位において断線してしまうこともな
い。
記ワイヤボンディング領域が平面視における上記樹脂パ
ッケージ４の中心部に形成されているため、セカンドボ
ンディング部位に作用する応力が極力低減されている。
すなわち、加熱・冷却時における上記樹脂パッケージ４
の熱膨張量あるいは熱収縮量は、上記樹脂パッケージ４
の中心部において最小であり、中心から離れるほど大き
くなるから、上記樹脂パッケージ４の平面視における中
心部は、同一平面におけるその周囲と比較すれば熱膨張
または熱収縮量は小さい。このため、加熱・冷却時にお
ける熱膨張または熱収縮量が小さい領域に上記セカンド
ボンディング部位が設けられた上記半導体装置Ｘでは、
セカンドボンディング部位に作用する応力が格段に低減
されており、半導体装置Ｘの実装時にワイヤＷがセカン
ドボンディング部位において断線してしまうこともな
い。
【００５４】なお、上記実施形態においては、上記樹脂
パッケージ４の第１の側面４１側に第１の外部リード１
１および第２の外部リード２１が形成され、第２の側面
４２側第３の外部リード１２および第４の外部リード２
２が形成されていたが、図１３に示すように、上記第１
および第２の外部リード１１，２１のみが形成された半
導体装置Ｘも本願発明の適用範囲であるのはいうまでも
ない。
パッケージ４の第１の側面４１側に第１の外部リード１
１および第２の外部リード２１が形成され、第２の側面
４２側第３の外部リード１２および第４の外部リード２
２が形成されていたが、図１３に示すように、上記第１
および第２の外部リード１１，２１のみが形成された半
導体装置Ｘも本願発明の適用範囲であるのはいうまでも
ない。
【００５５】また、上記第１ないし第４の外部リード１
１，１２，２１，２２が、従来例の半導体装置Ｘのよう
な構成とされたものであってもよい。すなわち、図１４
に示すように、各外部リード１１，１２，２１，２２の
先端部１１ｄ，１２ｄ，２１ｄ，２２ｄが屈曲形成され
て、上記樹脂パッケージ４の底面４５と同等高さ位置に
おいて水平に延びるようにして形成されたものであって
もよい。
１，１２，２１，２２が、従来例の半導体装置Ｘのよう
な構成とされたものであってもよい。すなわち、図１４
に示すように、各外部リード１１，１２，２１，２２の
先端部１１ｄ，１２ｄ，２１ｄ，２２ｄが屈曲形成され
て、上記樹脂パッケージ４の底面４５と同等高さ位置に
おいて水平に延びるようにして形成されたものであって
もよい。
【００５６】もちろん、図１５に示すように、第１およ
び第２の外部リード１１，２１のみが形成され、これら
の外部リード１１，２１の先端部が屈曲形成されて、上
記樹脂パッケージ４の底面４５と同等高さ位置において
水平に延びるようにして形成されたものも本願発明の適
用範囲である。
び第２の外部リード１１，２１のみが形成され、これら
の外部リード１１，２１の先端部が屈曲形成されて、上
記樹脂パッケージ４の底面４５と同等高さ位置において
水平に延びるようにして形成されたものも本願発明の適
用範囲である。
【００５７】次に、本願発明に係る半導体装置Ｘの第２
の実施形態について図１６および図１７を参照しつつ説
明する。なお、図１６は、本願発明に係る半導体装置の
第２の実施形態を表す全体斜視図、図１７は、図１６の
XVII−XVII線に沿う断面図であり、これらの図に示され
た部材や要素などのうち、上述した第１の実施形態にお
いて説明したものと同等なものには同一の符号を付して
あり、これらのものについての説明は省略する。
の実施形態について図１６および図１７を参照しつつ説
明する。なお、図１６は、本願発明に係る半導体装置の
第２の実施形態を表す全体斜視図、図１７は、図１６の
XVII−XVII線に沿う断面図であり、これらの図に示され
た部材や要素などのうち、上述した第１の実施形態にお
いて説明したものと同等なものには同一の符号を付して
あり、これらのものについての説明は省略する。
【００５８】本実施形態の半導体装置Ｘは、いわゆる基
板タイプとして構成されたものである。上記半導体装置
Ｘは、ポリイミドなどの絶縁性フィルムなどによって形
成された長矩形状の基板８５を有しており、この基板８
５の表面には第１および第２のリード端子１，２が形成
されている。これらのリード端子１，２は、それぞれの
一端部１０ａ，２０ａが対峙するようにして形成されて
おり、それぞの他端部が上記基板８５の端縁にまで至っ
ている。なお、これらのリード端子１，２は、たとえば
上記基板８５の表面に銅被膜を形成した後に、エッチン
グ処理を施すなどして形成されている。
板タイプとして構成されたものである。上記半導体装置
Ｘは、ポリイミドなどの絶縁性フィルムなどによって形
成された長矩形状の基板８５を有しており、この基板８
５の表面には第１および第２のリード端子１，２が形成
されている。これらのリード端子１，２は、それぞれの
一端部１０ａ，２０ａが対峙するようにして形成されて
おり、それぞの他端部が上記基板８５の端縁にまで至っ
ている。なお、これらのリード端子１，２は、たとえば
上記基板８５の表面に銅被膜を形成した後に、エッチン
グ処理を施すなどして形成されている。
【００５９】上記第１のリード端子１の一端部１ａに
は、発光素子など半導体チップ３が実装されている。一
方、上記第２のリード端子２の一端部２ａは、上記基板
８５における中央部に位置するようにして形成されてお
り、上記半導体チップ３の上面と上記第２のリード端子
の一端部２ａとがワイヤＷを介して電気的に導通接続さ
れている。そして、上記発光素子３およびワイヤ３を封
入するようにして、上記基板８５の両端部がはみ出すよ
うにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パッケージ４が
形成されており、この樹脂パッケージ４には、その頂部
が上記発光素子３の直上に位置するようにして半球状の
凸レンズ部４６が形成されている。
は、発光素子など半導体チップ３が実装されている。一
方、上記第２のリード端子２の一端部２ａは、上記基板
８５における中央部に位置するようにして形成されてお
り、上記半導体チップ３の上面と上記第２のリード端子
の一端部２ａとがワイヤＷを介して電気的に導通接続さ
れている。そして、上記発光素子３およびワイヤ３を封
入するようにして、上記基板８５の両端部がはみ出すよ
うにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パッケージ４が
形成されており、この樹脂パッケージ４には、その頂部
が上記発光素子３の直上に位置するようにして半球状の
凸レンズ部４６が形成されている。
【００６０】このようにして樹脂パッケージ４が形成さ
れた半導体装置Ｘにおいては、上記第１および第２のリ
ード端子１，２のうちの上記樹脂パッケージ４によって
封入された部位が第１の内部リード１０および第２の内
部リード２０とされ、上記樹脂パッケージ４によって封
入されていない部位が第１の外部リード１１および第２
の外部リード２１とされている。
れた半導体装置Ｘにおいては、上記第１および第２のリ
ード端子１，２のうちの上記樹脂パッケージ４によって
封入された部位が第１の内部リード１０および第２の内
部リード２０とされ、上記樹脂パッケージ４によって封
入されていない部位が第１の外部リード１１および第２
の外部リード２１とされている。
【００６１】上記基板８５における上記樹脂パッケージ
４からはみ出した部位８５Ａ，８５Ｂには、貫通孔８５
ａ，８５ｂがそれぞれ形成されており、これらの貫通孔
８５ａ，８５ｂの内部にまで上記各リード端子１，２が
形成されている。そして、上記各貫通孔８５ａ，８５ｂ
に形成された各リード端子１，２と接触するようにして
ハンダボール１１ｅ，２１ｅがそれぞれ形成されてい
る。
４からはみ出した部位８５Ａ，８５Ｂには、貫通孔８５
ａ，８５ｂがそれぞれ形成されており、これらの貫通孔
８５ａ，８５ｂの内部にまで上記各リード端子１，２が
形成されている。そして、上記各貫通孔８５ａ，８５ｂ
に形成された各リード端子１，２と接触するようにして
ハンダボール１１ｅ，２１ｅがそれぞれ形成されてい
る。
【００６２】このように形成された半導体装置Ｘにおい
ても、リフロー炉などにおいて上記ハンダボール１１
ｅ，２１ｅを再溶融させて回路基板などに面実装可能と
されている。また、上記半導体装置Ｘにおいても、第２
のリード端子２の一端部、すなわちワイヤＷのセカンド
ボンディング部位が平面視における上記樹脂パッケージ
４の中央部に形成されていることから、実装工程におけ
る加熱・冷却によってワイヤＷが断線してしまうといっ
た事態が回避される。さらに、上記凸レンズ部４６が一
方向に変移した部位に設けられていることから、上記半
導体装置Ｘにおける極性（陽極および陰極）の判断が容
易となるとともに、通常に使用されている平坦面用の吸
着コレットを使用できるといった利点を享受することも
できる。
ても、リフロー炉などにおいて上記ハンダボール１１
ｅ，２１ｅを再溶融させて回路基板などに面実装可能と
されている。また、上記半導体装置Ｘにおいても、第２
のリード端子２の一端部、すなわちワイヤＷのセカンド
ボンディング部位が平面視における上記樹脂パッケージ
４の中央部に形成されていることから、実装工程におけ
る加熱・冷却によってワイヤＷが断線してしまうといっ
た事態が回避される。さらに、上記凸レンズ部４６が一
方向に変移した部位に設けられていることから、上記半
導体装置Ｘにおける極性（陽極および陰極）の判断が容
易となるとともに、通常に使用されている平坦面用の吸
着コレットを使用できるといった利点を享受することも
できる。
【００６３】なお、上記基板８５が上記樹脂パッケージ
４の底面サイズと略同一とされて上記各外部リード１
１，２１が形成されておらず、ハンダボールが上記樹脂
パッケージ４の直下に形成されたものも本願発明の適用
範囲であるのはいうまでない。
４の底面サイズと略同一とされて上記各外部リード１
１，２１が形成されておらず、ハンダボールが上記樹脂
パッケージ４の直下に形成されたものも本願発明の適用
範囲であるのはいうまでない。
【図１】本願発明に係る半導体装置の第１の実施形態を
表す全体斜視図である。
表す全体斜視図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面に相当する図であ
る。
る。
【図３】上記半導体装置の平面透視図である。
【図４】上記半導体装置の底面図である。
【図５】上記半導体装置の製造に用いられるリードフレ
ームの平面図である。
ームの平面図である。
【図６】ワイヤボンディング工程を説明するための図で
ある。
ある。
【図７】樹脂パッケージング工程を説明するための断面
図である。
図である。
【図８】上記半導体装置の外部リードをフォーミングし
ていない中間品の状態を表す全体斜視図である。
ていない中間品の状態を表す全体斜視図である。
【図９】図８の半導体装置の外部リードとなるべき部位
を下方に折り曲げた状態を表す全体斜視図である。
を下方に折り曲げた状態を表す全体斜視図である。
【図１０】図９の半導体装置の外部リードとなるべき部
位をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図で
ある。
位をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図で
ある。
【図１１】図１０の半導体装置の外部リードとなるべき
部位をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図
である。
部位をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図
である。
【図１２】図１の半導体装置を回路基板に実装した状態
を表す側面図である。
を表す側面図である。
【図１３】本願発明に係る半導体装置の変形例を表す透
視平面図である。
視平面図である。
【図１４】本願発明に係る半導体装置のその他の変形例
を表す透視平面図である。
を表す透視平面図である。
【図１５】本願発明に係る半導体装置のさらにその他の
変形例を表す透視平面図である。
変形例を表す透視平面図である。
【図１６】本願発明に係る半導体装置の第２の実施形態
を表す全体斜視図である。
を表す全体斜視図である。
【図１７】図１６のXVII−XVII線に沿う断面図である。
【図１８】従来の半導体装置の一例を表す全体斜視図で
ある。
ある。
【図１９】従来例の半導体装置の断面図である。
Ｘ 半導体装置 ３ 半導体チップ（受光素子） ４ 樹脂パッケージ ５ 回路基板（実装対象としての） １０ 第１の内部リード １１ 第１の外部リード（第１の外部端子） １２ 第３の外部リード（第３の外部端子） ２０ 第２の内部リード ２１ 第２の外部リード（第２の外部端子） ２２ 第４の外部リード（第４の外部端子） ４１ 第１の側面（樹脂パッケージの） ４２ 第２の側面（樹脂パッケージの） ４３ 第３の側面（樹脂パッケージの） ４４ 第４の側面（樹脂パッケージの） ４５ 底面（樹脂パッケージの） ４６ 凸レンズ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｎ
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体チップが搭載されるダイボンディ
ング領域を有する第１の内部リードと、上記半導体チッ
プとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング
領域を有する第２の内部リードと、上記半導体チップな
いし第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを
有する平面視略矩形状の形態に形成された樹脂パッケー
ジと、上記第１の内部リードに連続するとともに上記樹
脂パッケージの外部に形成された第１の外部端子と、上
記第２の内部リードに連続するとともに上記樹脂パッケ
ージの外部に形成された第２の外部端子と、を備えた半
導体装置であって、 上記ダイボンディング領域は、平面視における上記樹脂
パッケージの中心から変移した部位に設けられており、 上記ワイヤボンディング領域は、平面視における上記樹
脂パッケージの中心またはその近傍に設けられているこ
とを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項２】 上記第１の内部リードおよび第２の内部
リードは、金属板を打ち抜くことによって得られたリー
ドフレームから形成されている、請求項１に記載の半導
体装置。 - 【請求項３】 上記第１の外部端子および第２の外部端
子は、それぞれの基端部が上記樹脂パッケージの第１の
側面に沿うようにして、かつ下方に延びるようにして形
成されているとともに、上記樹脂パッケージの底面にま
で連続して形成されている、請求項１または２に記載の
半導体装置。 - 【請求項４】 上記第１の内部リードに連続するととも
に上記第１の側面に対向する第２の側面側に形成された
第３の外部端子と、上記第２の内部リードに連続すると
ともに上記第２の側面側に形成された第４の外部端子と
をさらに有している、請求項１ないし３のいずれかに記
載の半導体装置。 - 【請求項５】 上記第３の外部端子および第４の外部端
子は、それぞれの基端部が上記第２の側面に沿うように
して、かつ下方に延びるようにして形成されているとと
もに、上記樹脂パッケージの底面にまで連続して形成さ
れている、請求項４に記載の半導体装置。 - 【請求項６】 上記第１の外部端子および第３の外部端
子は、上記樹脂パッケージの底面からさらに連続して上
記第１の側面および第２の側面のそれぞれに連続する第
３の側面にまで連続して形成されており、上記第２の外
部端子および第４の外部端子は、上記樹脂パッケージの
底面からさらに連続して上記第３の側面に対向する第４
の側面にまで形成されている、請求項５に記載の半導体
装置。 - 【請求項７】 上記第１の内部リードおよび第２の内部
リードは、絶縁性基板の表面に形成されている、請求項
１に記載の半導体装置。 - 【請求項８】 上記半導体チップは、発光素子または受
光素子である、請求項１ないし７のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項９】 上記樹脂パッケージは、上方側に突出す
る凸レンズ部を有しており、この凸レンズ部は、その頂
部が上記半導体チップの直上となるようにして設けられ
ている、請求項８に記載の半導体装置。
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