JPH05331076A - シクロドデセンの製造方法 - Google Patents
シクロドデセンの製造方法Info
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- JPH05331076A JPH05331076A JP4180248A JP18024892A JPH05331076A JP H05331076 A JPH05331076 A JP H05331076A JP 4180248 A JP4180248 A JP 4180248A JP 18024892 A JP18024892 A JP 18024892A JP H05331076 A JPH05331076 A JP H05331076A
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- JP
- Japan
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- ruthenium
- cyclododecene
- reaction
- catalyst
- cyclododecatriene
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/02—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by hydrogenation
- C07C5/03—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by hydrogenation of non-aromatic carbon-to-carbon double bonds
- C07C5/05—Partial hydrogenation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/18—Systems containing only non-condensed rings with a ring being at least seven-membered
- C07C2601/20—Systems containing only non-condensed rings with a ring being at least seven-membered the ring being twelve-membered
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、シクロドデカトリエンを選択的に水
表化してシクロドデセンを製造する方法に関する。シク
ロドデカトリエン−１，５，９をルテニウム錯体，３級
リン化合物および塩基とからなる触媒の存在下で水素化
することを特徴とするシクロドデセンの製造方法であ
る。 【効果】本発明では、シクロドデセンへの高い選択率を
維持したまま高い反応速度を得ることが出来て、しかも
触媒量を削減出来る方法を提供した。
表化してシクロドデセンを製造する方法に関する。シク
ロドデカトリエン−１，５，９をルテニウム錯体，３級
リン化合物および塩基とからなる触媒の存在下で水素化
することを特徴とするシクロドデセンの製造方法であ
る。 【効果】本発明では、シクロドデセンへの高い選択率を
維持したまま高い反応速度を得ることが出来て、しかも
触媒量を削減出来る方法を提供した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シクロドデカトリエン
を選択的に水素化してシクロドデセンを製造する方法に
関する。使用する選択的水素化触媒として、ルテニウム
錯体、３級リン化合物および塩基とからなる触媒の存在
下、シクロドデカトリエンを水素化することによるシク
ロドデセンの製造方法に係わる。シクロドデセンは、ド
デカン二酸，ドデカンジアミンや１２−ナイロン製造用
などのモノマーであるラウロラクタムの中間原料として
利用されることが一般に知られている。
を選択的に水素化してシクロドデセンを製造する方法に
関する。使用する選択的水素化触媒として、ルテニウム
錯体、３級リン化合物および塩基とからなる触媒の存在
下、シクロドデカトリエンを水素化することによるシク
ロドデセンの製造方法に係わる。シクロドデセンは、ド
デカン二酸，ドデカンジアミンや１２−ナイロン製造用
などのモノマーであるラウロラクタムの中間原料として
利用されることが一般に知られている。
【０００２】
【従来技術の説明】シクロドデセンは、ブタジエンの３
量化により製造されるシクロドデカトリエン−１，５，
９の部分水素化により製造されることが知られている。
シクロドデカトリエン−１，５，９の部分水素化により
シクロドデセンを製造する方法において、触媒としてル
テニウム錯体および３級リン化合物を使用ことが開示さ
れ、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．３３，８０（１９７３），
アメリカ特許３，８０４，９１４が知られている。しか
しながら、これらの方法ではその反応の反応速度が遅い
ため選択性が低いなどの問題点がある。また、反応速度
が遅いため、反応時間が長く掛かり、装置単位当たりの
生産効率が低いので、工業的には不利である間題点があ
る。
量化により製造されるシクロドデカトリエン−１，５，
９の部分水素化により製造されることが知られている。
シクロドデカトリエン−１，５，９の部分水素化により
シクロドデセンを製造する方法において、触媒としてル
テニウム錯体および３級リン化合物を使用ことが開示さ
れ、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．３３，８０（１９７３），
アメリカ特許３，８０４，９１４が知られている。しか
しながら、これらの方法ではその反応の反応速度が遅い
ため選択性が低いなどの問題点がある。また、反応速度
が遅いため、反応時間が長く掛かり、装置単位当たりの
生産効率が低いので、工業的には不利である間題点があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】上記した公知のＲｕ
Ｃｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体とＰｈ３Ｐとから
なる触媒では、シクロドデカトリエンの部分水素化反応
は、反応速度が非常に遅く、特に工業上では９０％以上
の高いシクロドデセンの選択率を得るためには、多量の
触媒を使用して反応時間を短くすることが可能である
が、触媒コストを低減するためには触媒を何度も回収し
て再使用する必要があり、しかも反応を速くするために
反応温度を高くすると重合等の副反応が起きる問題点が
有る。また、反応速度の速いルテニウム触媒でもシクロ
ドデセンの高い選択率を得ることが出来ないことが問題
となっている。従って、シクロドデカトリエン−１，
５，９の部分水素化のための選択的水素化触媒の公知方
法では、高いシクロドデセンの選択率を与え、かつ反応
速度の速い触媒は知られていないため、この問題点が解
決された工業的に使用するための触媒が必要とされてい
るのである。
Ｃｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体とＰｈ３Ｐとから
なる触媒では、シクロドデカトリエンの部分水素化反応
は、反応速度が非常に遅く、特に工業上では９０％以上
の高いシクロドデセンの選択率を得るためには、多量の
触媒を使用して反応時間を短くすることが可能である
が、触媒コストを低減するためには触媒を何度も回収し
て再使用する必要があり、しかも反応を速くするために
反応温度を高くすると重合等の副反応が起きる問題点が
有る。また、反応速度の速いルテニウム触媒でもシクロ
ドデセンの高い選択率を得ることが出来ないことが問題
となっている。従って、シクロドデカトリエン−１，
５，９の部分水素化のための選択的水素化触媒の公知方
法では、高いシクロドデセンの選択率を与え、かつ反応
速度の速い触媒は知られていないため、この問題点が解
決された工業的に使用するための触媒が必要とされてい
るのである。
【０００４】
【問題点を解決する手段】本発明の目的は、前記問題点
を解決することのできる触媒を提供することにある。本
発明者らは、シクロドデセンへの選択率と反応速度を向
上せしめるため鋭意研究を重ねた結果、ＲｕＣｌ２（Ｃ
Ｏ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体とＰｈ３Ｐに更に反応系に塩
基性物質を添加することにより反応速度を大幅に改善出
来ることを見出し、また、シクロドデセンへの非常に高
い選択率を維持したまま高い反応速度を得ることが出来
て、しかも触媒量を削減出来る非常に経済的な方法を確
立する本発明を完成するに至った。
を解決することのできる触媒を提供することにある。本
発明者らは、シクロドデセンへの選択率と反応速度を向
上せしめるため鋭意研究を重ねた結果、ＲｕＣｌ２（Ｃ
Ｏ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体とＰｈ３Ｐに更に反応系に塩
基性物質を添加することにより反応速度を大幅に改善出
来ることを見出し、また、シクロドデセンへの非常に高
い選択率を維持したまま高い反応速度を得ることが出来
て、しかも触媒量を削減出来る非常に経済的な方法を確
立する本発明を完成するに至った。
【０００５】すなわち、本発明は、シクロドデカトリエ
ン−１，５，９を一般式ＲｕＸ２（ＣＯ）２（Ｒ３Ｐ）
２（Ｘはハロゲン（Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ），Ｒはアルキル
基，シクロアルキル基またはアリール基を示す。）で表
されるルテニウム錯体、一般式Ｒ１ ３Ｐ（Ｒ１はアルキ
ル基，シクロアルキル基もしくはアリール基を示す。）
で表される３級リン化合物および塩基とからなる触媒の
存在下、水素化しシクロドデセンを生成することを特徴
とするシクロドデセンの製造方法に関する。
ン−１，５，９を一般式ＲｕＸ２（ＣＯ）２（Ｒ３Ｐ）
２（Ｘはハロゲン（Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ），Ｒはアルキル
基，シクロアルキル基またはアリール基を示す。）で表
されるルテニウム錯体、一般式Ｒ１ ３Ｐ（Ｒ１はアルキ
ル基，シクロアルキル基もしくはアリール基を示す。）
で表される３級リン化合物および塩基とからなる触媒の
存在下、水素化しシクロドデセンを生成することを特徴
とするシクロドデセンの製造方法に関する。
【０００６】本発明に用いられる一般式ＲｕＸ２（Ｃ
Ｏ）２（Ｒ３Ｐ）２で表されるルテニウム錯体としての
触媒は、種々のものを使用することができるが、例えば
ビスカルボニルビストリフェニルホスフィンルテニウム
ジクロライド、ビスカルボニルビストリフェニルホスフ
ィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリ
フェニルホスフィンルテニウムジアイオダイド、ビスカ
ルボニルビストリメチルホスフィンルテニウムジクロラ
イド、ビスカルボニルビストリメチルホスフィンルテニ
ウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリメチルホス
フィンルテニウムジアイオダイド、ビスカルボニルビス
トリエチルホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカ
ルボニルビストリエチルホスフィンルテニウムジブロマ
イド、ビスカルボニルビストリエチルホスフィンルテニ
ウムジアイオダイド、ビスカルボニルビストリプロピル
ホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビ
ストリプロピルホスフィンルテニウムジブロマイド、ビ
スカルボニルビストリプロピルホスフィンルテニウムジ
アイオダイド、ビスカルボニルビストリイソプロピルホ
スフィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビス
トリイソプロピルホスフィンルテニウムジブロマイド、
ビスカルボニルビストリイソプロピルホスフィンルテニ
ウムジアイオダイドが挙げられる。
Ｏ）２（Ｒ３Ｐ）２で表されるルテニウム錯体としての
触媒は、種々のものを使用することができるが、例えば
ビスカルボニルビストリフェニルホスフィンルテニウム
ジクロライド、ビスカルボニルビストリフェニルホスフ
ィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリ
フェニルホスフィンルテニウムジアイオダイド、ビスカ
ルボニルビストリメチルホスフィンルテニウムジクロラ
イド、ビスカルボニルビストリメチルホスフィンルテニ
ウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリメチルホス
フィンルテニウムジアイオダイド、ビスカルボニルビス
トリエチルホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカ
ルボニルビストリエチルホスフィンルテニウムジブロマ
イド、ビスカルボニルビストリエチルホスフィンルテニ
ウムジアイオダイド、ビスカルボニルビストリプロピル
ホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビ
ストリプロピルホスフィンルテニウムジブロマイド、ビ
スカルボニルビストリプロピルホスフィンルテニウムジ
アイオダイド、ビスカルボニルビストリイソプロピルホ
スフィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビス
トリイソプロピルホスフィンルテニウムジブロマイド、
ビスカルボニルビストリイソプロピルホスフィンルテニ
ウムジアイオダイドが挙げられる。
【０００７】更に、ビスカルボニルビストリ−ｎ−ブチ
ルホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニル
ビストリ−ｎ−ブチルホスフィンルテニウムジブロマイ
ド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−ブチルホスフィンル
テニウムジアイオダイド、ビスカルボニルビストリ−Ｓ
ｅｃ−ブチルホスフィンルテニウムジクロライド、ビス
カルボニルビストリ−Ｓｅｃ−ブチルホスフィンルテニ
ウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリ−Ｓｅｃ−
ブチルホスフィンルテニウムジアイオダイド、ビスカル
ボニルビストリ−ｔ−ブチルホスフィンルテニウムジク
ロライド、ビスカルボニルビストリ−ｔ−ブチルホスフ
ィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリ
−ｔ−ブチルホスフィンルテニウムジアイオダイド、ビ
スカルボニルビストリシクロヘキシルホスフィンルテニ
ウムジクロライド、ビスカルボニルビストリシクロヘキ
シルホスフィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニ
ルビストリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジアイ
オダイド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−ヘキシルホス
フィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビスト
リ−ｎ−ヘキシルホスフィンルテニウムジブロマイド、
ビスカルボニルビストリ−ｎ−ヘキシルホスフィンルテ
ニウムジアイオダイド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−
オクチルホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカル
ボニルビストリ−ｎ−オクチルホスフィンルテニウムジ
ブロマイド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−オクチルホ
スフィンルテニウムジアイオダイドが挙げられる。
ルホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニル
ビストリ−ｎ−ブチルホスフィンルテニウムジブロマイ
ド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−ブチルホスフィンル
テニウムジアイオダイド、ビスカルボニルビストリ−Ｓ
ｅｃ−ブチルホスフィンルテニウムジクロライド、ビス
カルボニルビストリ−Ｓｅｃ−ブチルホスフィンルテニ
ウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリ−Ｓｅｃ−
ブチルホスフィンルテニウムジアイオダイド、ビスカル
ボニルビストリ−ｔ−ブチルホスフィンルテニウムジク
ロライド、ビスカルボニルビストリ−ｔ−ブチルホスフ
ィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリ
−ｔ−ブチルホスフィンルテニウムジアイオダイド、ビ
スカルボニルビストリシクロヘキシルホスフィンルテニ
ウムジクロライド、ビスカルボニルビストリシクロヘキ
シルホスフィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニ
ルビストリシクロヘキシルホスフィンルテニウムジアイ
オダイド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−ヘキシルホス
フィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビスト
リ−ｎ−ヘキシルホスフィンルテニウムジブロマイド、
ビスカルボニルビストリ−ｎ−ヘキシルホスフィンルテ
ニウムジアイオダイド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−
オクチルホスフィンルテニウムジクロライド、ビスカル
ボニルビストリ−ｎ−オクチルホスフィンルテニウムジ
ブロマイド、ビスカルボニルビストリ−ｎ−オクチルホ
スフィンルテニウムジアイオダイドが挙げられる。
【０００８】更に、ビスカルボニルビストリトリルホス
フィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビスト
リトリルホスフィンルテニウムジブロマイド、ビスカル
ボニルビストリトリルホスフィンルテニウムジアイオダ
イド、ビスカルボニルビストリキシリルホスフィンルテ
ニウムジクロライド、ビスカルボニルビストリキシリル
ホスフィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビ
ストリキシリルホスフィンルテニウムジアイオダイド、
ビスカルボニルビストリアリルホスフィンルテニウムジ
クロライド、ビスカルボニルビストリアリルホスフィン
ルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリアリ
ルホスフィンルテニウムジアイオダイド等を用いること
が挙げられる。
フィンルテニウムジクロライド、ビスカルボニルビスト
リトリルホスフィンルテニウムジブロマイド、ビスカル
ボニルビストリトリルホスフィンルテニウムジアイオダ
イド、ビスカルボニルビストリキシリルホスフィンルテ
ニウムジクロライド、ビスカルボニルビストリキシリル
ホスフィンルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビ
ストリキシリルホスフィンルテニウムジアイオダイド、
ビスカルボニルビストリアリルホスフィンルテニウムジ
クロライド、ビスカルボニルビストリアリルホスフィン
ルテニウムジブロマイド、ビスカルボニルビストリアリ
ルホスフィンルテニウムジアイオダイド等を用いること
が挙げられる。
【０００９】本発明に用いられる一般式Ｒ１ ３Ｐ（Ｒ１
は炭素数１〜８のアルキル基，シクロアルキル基もしく
はアリール基を示す。）で表される３級リン化合物の触
媒としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリメチ
ルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホ
スフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブ
チルホスフィン、トリ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、ト
リ−ｔ−ブチルホスフィン、トリ−ｎ−ヘキシルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｎ−オク
チルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリキシリル
ホスフィン、トリアリルホスフィンなどが挙げられる。
は炭素数１〜８のアルキル基，シクロアルキル基もしく
はアリール基を示す。）で表される３級リン化合物の触
媒としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリメチ
ルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホ
スフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブ
チルホスフィン、トリ−ｓｅｃ−ブチルホスフィン、ト
リ−ｔ−ブチルホスフィン、トリ−ｎ−ヘキシルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｎ−オク
チルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリキシリル
ホスフィン、トリアリルホスフィンなどが挙げられる。
【００１０】本発明に用いられる塩基としては、例えば
アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド、フェ
ノキシド、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、リン酸塩
および３級アミンなどを単独または組み合わせて使用す
ることができる。例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ナトリウ
ムメトキシド、酢酸ナトリウム、トリエチルアミン、ト
リブチルアミンなどが好ましい。
アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド、フェ
ノキシド、水酸化物、炭酸塩、カルボン酸塩、リン酸塩
および３級アミンなどを単独または組み合わせて使用す
ることができる。例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ナトリウ
ムメトキシド、酢酸ナトリウム、トリエチルアミン、ト
リブチルアミンなどが好ましい。
【００１１】反応溶媒としては、通常の有機溶媒が使用
することができる。例えばベンゼン、トルエン、キシレ
ン、シクロヘキサン、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−
メチルピロリドン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミ
ド、アセトンなどを使用することが出来る。また無溶媒
でもよい。
することができる。例えばベンゼン、トルエン、キシレ
ン、シクロヘキサン、メタノール、エタノール、イソプ
ロパノール、ブタノール、ジエチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−
メチルピロリドン、酢酸エチル、ジメチルホルムアミ
ド、アセトンなどを使用することが出来る。また無溶媒
でもよい。
【００１２】反応条件としての水素分圧は、１〜３００
ｋｇ／ｃｍ２が好ましく、特に２〜１５０ｋｇ／ｃｍ２
が好ましい。反応時に水素圧力が高くなるとシクロドデ
センの選択率が低下する。また、反応温度は、８０〜２
００℃が最適であり、特に１００〜１８０℃が好まし
い。反応温度が低すぎると反応速度が遅くなり、反応温
度が高すぎると副生成物の生成量が増加する。仕込のシ
クロドデカトリエン−１，５，９の濃度は、０．０１ｍ
ｏｌ／ｌ以上が好ましい。仕込のシクロドデカトリエン
−１，５，９の濃度が低いと反応速度が低下し、生産性
が非常に悪くなるので好ましくない。
ｋｇ／ｃｍ２が好ましく、特に２〜１５０ｋｇ／ｃｍ２
が好ましい。反応時に水素圧力が高くなるとシクロドデ
センの選択率が低下する。また、反応温度は、８０〜２
００℃が最適であり、特に１００〜１８０℃が好まし
い。反応温度が低すぎると反応速度が遅くなり、反応温
度が高すぎると副生成物の生成量が増加する。仕込のシ
クロドデカトリエン−１，５，９の濃度は、０．０１ｍ
ｏｌ／ｌ以上が好ましい。仕込のシクロドデカトリエン
−１，５，９の濃度が低いと反応速度が低下し、生産性
が非常に悪くなるので好ましくない。
【００１３】ルテニウム錯体の濃度は、０．００５〜５
００ｍｍｏｌ／ｌが好適であるが、特に０．０１〜１０
０ｍｍｏｌ／ｌが好ましい。またシクロドデカトリエン
に対するルテニウム錯体のモル比は、０．０００００１
〜１が好適であるが、特には０．０００００２〜０．２
が好ましい。触媒量が少なすぎると反応速度が遅くな
り、触媒量が多すぎると触媒費用が高くなるので好まし
くない。リン化合物の濃度は、０．００５〜５０００ｍ
ｍｏｌ／ｌが好適であるが、特に０．０５〜１０００ｍ
ｍｏｌ／ｌが好ましい。またルテニウム錯体に対するリ
ン化合物のモル比は、１〜１０００００が好適である
が、特には５〜２００００が好ましい。
００ｍｍｏｌ／ｌが好適であるが、特に０．０１〜１０
０ｍｍｏｌ／ｌが好ましい。またシクロドデカトリエン
に対するルテニウム錯体のモル比は、０．０００００１
〜１が好適であるが、特には０．０００００２〜０．２
が好ましい。触媒量が少なすぎると反応速度が遅くな
り、触媒量が多すぎると触媒費用が高くなるので好まし
くない。リン化合物の濃度は、０．００５〜５０００ｍ
ｍｏｌ／ｌが好適であるが、特に０．０５〜１０００ｍ
ｍｏｌ／ｌが好ましい。またルテニウム錯体に対するリ
ン化合物のモル比は、１〜１０００００が好適である
が、特には５〜２００００が好ましい。
【００１４】リン化合物は、多すぎると反応が遅くな
り、少な過ぎるとシクロドデセンの選択率が低下する。
塩基化合物の量はルテニウム錯体に対して０．０５〜２
倍モルが好適であり、特に０．１〜１．５倍モルが好ま
しい。塩基化合物が、少なすぎても多くても反応速度が
遅くなる。
り、少な過ぎるとシクロドデセンの選択率が低下する。
塩基化合物の量はルテニウム錯体に対して０．０５〜２
倍モルが好適であり、特に０．１〜１．５倍モルが好ま
しい。塩基化合物が、少なすぎても多くても反応速度が
遅くなる。
【００１５】以下、実施例を示し、この発明をさらに詳
しく説明する。なお、この発明は、その趣旨を越えない
限り以下の実施例に限定されるものではない。
しく説明する。なお、この発明は、その趣旨を越えない
限り以下の実施例に限定されるものではない。
実施例１ ５００ｍｌ容量のオートクレーブ中に、エタノール２０
ｇとＲｕＣｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体９２．７
ｍｇ，トリフェニルホスフィン３２６．３ｍｇをいれ、
シクロドデカトリエン−１，５，９を２ｇと炭酸ナトリ
ウムを７．３ｍｇ入れた。室温下で水素にて１０ｋｇ／
ｃｍ２まで加圧し、次に１４０℃まで加熱し２．５時間
反応を行った。冷却後、反応液をガスクロマトグラフィ
で分析した。その結果、シクロドデセンを収率９９％
（選択率９９％）で得られた。反応速度は４０ｍｏｌ／
ｈｒ・Ｒｕｍｏｌであった。反応速度、収率、選択率の
各々の計算式は、数１、数２、数３で計算した。
ｇとＲｕＣｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体９２．７
ｍｇ，トリフェニルホスフィン３２６．３ｍｇをいれ、
シクロドデカトリエン−１，５，９を２ｇと炭酸ナトリ
ウムを７．３ｍｇ入れた。室温下で水素にて１０ｋｇ／
ｃｍ２まで加圧し、次に１４０℃まで加熱し２．５時間
反応を行った。冷却後、反応液をガスクロマトグラフィ
で分析した。その結果、シクロドデセンを収率９９％
（選択率９９％）で得られた。反応速度は４０ｍｏｌ／
ｈｒ・Ｒｕｍｏｌであった。反応速度、収率、選択率の
各々の計算式は、数１、数２、数３で計算した。
【００１６】
【数１】
【００１７】
【数２】
【００１８】
【数３】
【００１９】実施例２ ５００ｍｌ容量のオートクレーブ中に、エタノール２５
ｇとＲｕＣｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体９．３ｍ
ｇ，トリフェニルホスフィン１．６１ｇをいれ、シクロ
ドデカトリエン−１，５，９を１００ｇと炭酸ナトリウ
ムを０．７ｍｇ入れた。室温下で水素にて２０ｋｇ／ｃ
ｍ２まで加圧し、次に１６０℃まで加熱し２７時間反応
を行った。反応中水素を間欠的に供給して、反応圧力を
１５〜２５ｋｇ／ｃｍ２に保持した。冷却後、反応液を
ガスクロマトグラフィで分析した。その結果、シクロド
デセンが収率９５％（選択率９７％）で得られた。反応
速度は１７５５ｍｏｌ／ｈｒ・Ｒｕ・ｍｏｌであった。
ｇとＲｕＣｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体９．３ｍ
ｇ，トリフェニルホスフィン１．６１ｇをいれ、シクロ
ドデカトリエン−１，５，９を１００ｇと炭酸ナトリウ
ムを０．７ｍｇ入れた。室温下で水素にて２０ｋｇ／ｃ
ｍ２まで加圧し、次に１６０℃まで加熱し２７時間反応
を行った。反応中水素を間欠的に供給して、反応圧力を
１５〜２５ｋｇ／ｃｍ２に保持した。冷却後、反応液を
ガスクロマトグラフィで分析した。その結果、シクロド
デセンが収率９５％（選択率９７％）で得られた。反応
速度は１７５５ｍｏｌ／ｈｒ・Ｒｕ・ｍｏｌであった。
【００２１】実施例３〜１０ リン化合物および塩基の種類を変えて実施例２と同じ反
応条件で、同じルテニウム錯体を同量使用して、シクロ
ドデカトリエン−１，５，９の部分水素化反応を行っ
た。結果を表１に示した。（ルテニウム触媒に対する塩
基物質のモル数は、２価の塩基では０．５倍モル、１価
の塩基では等モル使用した。）
応条件で、同じルテニウム錯体を同量使用して、シクロ
ドデカトリエン−１，５，９の部分水素化反応を行っ
た。結果を表１に示した。（ルテニウム触媒に対する塩
基物質のモル数は、２価の塩基では０．５倍モル、１価
の塩基では等モル使用した。）
【００２２】
【表１】
【００２３】比較例 ５００ｍｌ容量のオートクレーブ中に、エタノール２０
ｇとＲｕＣｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体９２．５
ｍｇ，トリフェニルホスフィン３２７．２ｍｇをいれ、
シクロドデカトリエン−１，５，９を２ｇ入れた。室温
下で水素にて１０ｋｇ／ｃｍ２まで加圧し、次に１４０
℃まで加熱し７時間反応を行った。冷却後、反応液をガ
スクロマトグラフィで分析した。その結果、シクロドデ
センが収率９８％（選択率９９％）で得られた。反応速
度は１４ｍｏｌ／ｈｒ・Ｒｕ・ｍｏｌであった。
ｇとＲｕＣｌ２（ＣＯ）２（Ｐｈ３Ｐ）２錯体９２．５
ｍｇ，トリフェニルホスフィン３２７．２ｍｇをいれ、
シクロドデカトリエン−１，５，９を２ｇ入れた。室温
下で水素にて１０ｋｇ／ｃｍ２まで加圧し、次に１４０
℃まで加熱し７時間反応を行った。冷却後、反応液をガ
スクロマトグラフィで分析した。その結果、シクロドデ
センが収率９８％（選択率９９％）で得られた。反応速
度は１４ｍｏｌ／ｈｒ・Ｒｕ・ｍｏｌであった。
Claims (1)
- 【請求項１】シクロドデカトリエン−１，５，９を一般
式ＲｕＸ２（ＣＯ）２（Ｒ３Ｐ）２（Ｘはハロゲン（Ｃ
ｌ，Ｂｒ，Ｉ），Ｒはアルキル基，シクロアルキル基ま
たはアリール基を示す。）で表されるルテニウム錯体、
一般式Ｒ１ ３Ｐ（Ｒ１はアルキル基，シクロアルキル基
もしくはアリール基を示す。）で表される３級リン化合
物および塩基とからなる触媒の存在下、水素化しシクロ
ドデセンを生成することを特徴とするシクロドデセンの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180248A JPH05331076A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | シクロドデセンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180248A JPH05331076A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | シクロドデセンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05331076A true JPH05331076A (ja) | 1993-12-14 |
Family
ID=16079957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4180248A Pending JPH05331076A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | シクロドデセンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05331076A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021510678A (ja) * | 2017-12-28 | 2021-04-30 | ハンワ ソリューションズ コーポレイションＨａｎｗｈａ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | シクロドデセンの製造方法およびその合成装置 |
| CN113227046A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-08-06 | 韩华思路信(株) | 新型十二内酰胺制备方法及合成装置 |
| JP2022514224A (ja) * | 2018-12-19 | 2022-02-10 | ハンワ ソリューションズ コーポレイション | 選択的均一系水素化触媒の回収方法および再使用方法 |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP4180248A patent/JPH05331076A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021510678A (ja) * | 2017-12-28 | 2021-04-30 | ハンワ ソリューションズ コーポレイションＨａｎｗｈａ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | シクロドデセンの製造方法およびその合成装置 |
| US11608304B2 (en) | 2017-12-28 | 2023-03-21 | Hanwha Chemical Corporation | Method for preparing cyclododecene and synthesis device therefor |
| CN113227046A (zh) * | 2018-12-19 | 2021-08-06 | 韩华思路信(株) | 新型十二内酰胺制备方法及合成装置 |
| JP2022514224A (ja) * | 2018-12-19 | 2022-02-10 | ハンワ ソリューションズ コーポレイション | 選択的均一系水素化触媒の回収方法および再使用方法 |
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