JPH0816078B2 - 光学活性フェニル酢酸誘導体の製造法 - Google Patents

光学活性フェニル酢酸誘導体の製造法

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JPH0816078B2
JPH0816078B2 JP62162690A JP16269087A JPH0816078B2 JP H0816078 B2 JPH0816078 B2 JP H0816078B2 JP 62162690 A JP62162690 A JP 62162690A JP 16269087 A JP16269087 A JP 16269087A JP H0816078 B2 JPH0816078 B2 JP H0816078B2
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憲男 河村
一樹 武元
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住友化学工業株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本発明は、医・農薬等の中間体として有用な一般式
(I) (式中、R1およびR2は水素原子または低級アルキル基
を、R3およびR4は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
ル基または低級アルコキシル基を示す) で示される光学活性フェニル酢酸誘導体の製造法に関す
る。
<従来の技術> 不斉水素還元法によって、光学活性フェニル酢酸を得
る方法において、その触媒として一般式(IV) (式中、Mはロジウム原子、ルテニウム原子またはイリ
ジウム原子を、Lはフェロセニルホスフィン、ピロリジ
ニルホスフィンの不斉配位子を示す。また、olefinは1,
5−ノルボルナルジエンまたは1,5−シクロオクタジエン
を、XはClO4,BF4またはPF6を示す) で示される触媒を用いる方法は米国特許第4,409,397号
明細書に示されている。
<発明が解決しようとする問題点> しかし、このようなフェロセニルホスフィンやピロリ
ジニルホスフィンを不斉配位子として有する触媒を用い
る方法では転化率や光学収率が必ずしも十分でなく、工
業的に十分に満足するものではなかった。
<問題点を解決するための手段> このようなことから、本発明者らは上記問題点を解決
し、好転化率、好光学収率で光学活性フェニル酢酸誘導
体を製造すべく鋭意検討の結果、不斉配位子としての光
学活性ビナフチル誘導体で修飾したロジウム触媒を用い
ることにより、すぐれた転化率、光学収率で目的物が得
られ、さらには使用する不斉配位子の立体配置を選択す
ることにより所望の立体配置を有する光学活性フェニル
酢酸誘導体が得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち本発明は、一般式(II) (式中、R1、R2、R3およびR4は前記と同じ意味を有す
る) で示されるオレフィン誘導体を、一般式(III) (式中、Rは低級アルキルフェニル基、低級アルコキシ
フェニル基またはC3〜C8のシクロアルキル基を示す) で示される光学活性ビナフチル誘導体で修飾したロジウ
ム触媒の存在下に不斉水素還元することを特徴とする前
記一般式(I)で示される光学活性フェニル酢酸誘導体
の製造法を提供するものである。
本発明において、原料として用いられる一般式(II)
で示されるオレフィン誘導体としては、たとえば2−フ
ェニル−8−メチルクロトン酸、2−(4−クロロフェ
ニル)−3−メチルクロトン酸、2−(4−メトキシフ
ェニル)−3−メチルクロトン酸、2−フェニル−3−
エチルペンテン酸、2−(4−クロロフェニル)−3−
エチルペンテン酸などが例示され、これらは前記米国特
許明細書に記載の方法に準じて製造することができる。
また、ロジウム触媒形成のための修飾剤である前記一
般式(III)で示される光学活性ビナフチル誘導体の置
換基Rにおいて、低級アルキルフェニル基としてはトリ
ル、エチルフェニル、ブチルフェニルなどが、低級アル
コキシフェニル基としてはメトキシフェニル、エトキシ
フェニル、プロポキシフェニル等が、シクロアルキル基
としはシクロプロピル、シクロヘキシル、シクロオクチ
ル等が例示され、これら低級アルキルフェニル基または
低級アルコキシフェニル基において、低級アルキル基ま
たは低級アルコキシル基の置換位置はp−位であること
が好ましい。
かかるロジウム触媒として、具体的には Rh〔P−CH3(BINAP)〕(NBD)BF4, Rh〔P−CH3O(BINAP)〕(NBD)BF4, Rh〔シクロヘキシル(BINAP)〕(NBD)BF4, Rh〔P−CH3(BINAP)〕2ClO4, Rh〔P−CH3(BINAP)〕(COD)BF4, 〔但し、上式においてP−CH3(BINAP)は2,2′−ビス
〔ジ−(p−メチルフェニル)ホスフィノ〕−1,1′−
ビナフチルを、p−CH3O(BINAP)は2,2′−ビス〔ジ
(p−メトキシフェニル)ホスフィノ〕−1,1′−ビナ
フチルを、シクロヘキシル(BINAP)は2,2′−ビス(ジ
シクロヘキシルホスフィノ)−1,1′−ビナフチルを、C
ODは1,5−シクロオクタジエンを、NBDは2,5−ノルボル
ナジエンをそれぞれ示す。〕 などが例示され、これらロジウム触媒の製造はTetrahed
ron,40,1245(1984),J.Chem.Soc.,Chem.Commum.,922
(1985)および特開昭60−61587号公報などに記載の方
法に準じて、たとえばRh〔P−CH3(BINAP)〕(NBD)B
F4を製造する場合には、Rh2(NBD)2Cl2をメタノール
中、AgBF4の存在下にP−CH3(BINAP)と反応させ、P
−CH3(BINAP)とNBDを配位交換することにより製造す
ることができる。
本発明の方法において、ロジウム触媒の使用量は原料
オレフィン誘導体に対して0.001〜10モル%、好ましく
は0.1〜1モル%である。
反応は通常溶媒中で行われ、その溶媒としてはたとえ
ばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノ
ール、酢酸メチル、ベンゼン、トルエン、キシレン、テ
トラヒドロフランなどの有機溶媒または水あるいはこれ
らの混合物が挙げられるが、メタノール、エタノールが
好ましく使用される。
かかる溶媒の使用量は原料オレフィン誘導体に対して
通常1〜500重量倍、好ましくは10〜200重量倍である。
反応に際しての水素圧力は、一般的には常圧〜500Kg/
cm2での範囲であるが、好ましくは30〜150kg/cm2であ
る。
反応温度は0〜150℃、好ましくは50〜100℃である。
反応時間は特に制限されないが、一般的には1〜20時
間である。
尚、反応に際して反応系に三級アミンたとえばトリエ
チルアミン、トリ−n−プロピルアミンなどを添加する
ことは反応をより円滑に進めるうえで好ましい。
三級アミンを使用する場合、その使用量はロジウム触
媒に対して0.1〜100倍モル、好ましくは1〜20倍モルで
ある。
<発明の効果> かくして、本発明の方法によれば前記一般式(I)で
示される光学活性フェニル酢酸誘導体を好転化率、好光
学収率で得ることができ、また用いるロジウム触媒の立
体配位を変えることにより、生成する光学活性フェニル
酢酸誘導体の立体配置を制御することができる。
<実施例> 以下、実施例により本発明を説明する。
実施例1 Rh2(NBD)2Cl22.3mg(0.005mmol),S(−)−2,2′
−ビス(ジシクロヘキスルホスフィノ)−1,1′−ビナ
フチル8.1mg(0.0125mmol)、AgBF4 1.9mg(0.01mmo
l)、トリエチルアミン5.1mg(0.05mmol)およびメタノ
ール15mlを35ml容のオートクレーブに仕込み、溶解す
る。これに2−(4−クロロフェニル)−3−メチルク
ロトン酸0.42g(2mmol)を仕込み、溶解させた。
オートクレーブ内を水素ガスで置換後、水素圧50Kg/c
m2に加圧し、室温で24時間撹拌した。
反応終了後、水素を除圧後、メタノールを留去し、更
にアルカリ抽出、酸析、エーテル抽出および濃縮を行う
ことにより(S)−2−(4−クロロフェニル)−3−
メチル酪酸0.42gを得た。
転化率 100% 選択率 >98% 光学収率 76.5%(+)体 実施例2 Rh2(NBD)2Cl2 2.3mg(0.005mmol),R(+)−2,
2′−ビス〔ジ(p−トリル)ホスフィノ〕−1,1′−ビ
ナフチル8.5mg(0.0125mmol)、AgBF4 1.9mg(0.01mmo
l)、トリエチルアミン5.1mg(0.05mmol)およびメタノ
ール15mgを35ml容のオートクレーブに仕込み、溶解す
る。これに2−(4−クロロフェニル)−3−メチルク
ロトン酸0.42g(2mmol)を仕込み、溶解させた。
オートクレーブ内を水素ガスで置換後、水素圧50Kg/c
m2に加圧し、80℃4時間撹拌した。
反応終了後、水素を除圧後、メタノールを留去し、更
にアルカリ抽出、酸析、エーテル抽出および濃縮を行う
ことにより(S)−2−(4−クロロフェニル)−3−
メチル酪酸0.42gを得た。
転化率 95% 選択率 >98% 光学収率 63.0%(+)体 実施例3 R(+)−2,2′−ビス〔ジ(p−トリル)ホスフィ
ノ〕−1,1′−ビナフチルに代えてR(+)−2,2′−ビ
ス〔ジ(p−メトキシフェニル)ホスフィノ〕−1,1′
−ビナフチル9.3mg(0.0125mmol)を使用する以外は実
施例2と同様に反応、後処理を行って(S)−2−(4
−クロロフェニル)−3−メチル酪酸を得た。
転化率 95% 選択率 >98% 光学収率 57.9%(+)体 実施例4〜7 2−(4−クロロフェニル)−3−メチルクロトン酸
に代えて表−1に記載の基質を用いる以外は実施例1と
同様に反応、後処理して表−1に示す結果を得た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07B 53/00 B 7419−4H 61/00 300 C07M 7:00

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(II) (式中、R1およびR2は水素原子または低級アルキル基
    を、R3およびR4は水素原子、ハロゲン原子、低級アルキ
    ル基または低級アルコキシル基を示す) で示されるオレフィン誘導体を、一般式(III) (式中、Rは低級アルキルフェニル基、低級アルコキシ
    フェニル基またはC3〜C8のシクロアルキル基を示す) で示される光学活性ビナフチル誘導体で修飾したロジウ
    ム触媒の存在下に不斉水素還元することを特徴とする一
    般式(I) (式中、R1、R2、R3、R4は前記したと同じ意味を有す
    る) で示される光学活性フェニル酢酸誘導体の製造法。
JP62162690A 1987-06-29 1987-06-29 光学活性フェニル酢酸誘導体の製造法 Expired - Lifetime JPH0816078B2 (ja)

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