JPH0533131A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPH0533131A JPH0533131A JP18596291A JP18596291A JPH0533131A JP H0533131 A JPH0533131 A JP H0533131A JP 18596291 A JP18596291 A JP 18596291A JP 18596291 A JP18596291 A JP 18596291A JP H0533131 A JPH0533131 A JP H0533131A
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- JP
- Japan
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- chamber
- wafer
- sputtering
- temp
- temperature
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】加熱されるスパッタリングチャンバ１の温度の
影響をなくし、ウェーハの温度を正確に把え、ウェーハ
の温度を所定値に制御して膜質の変動の少い金属膜を形
成する。 【構成】スパッタリングチャンバ１から隔離される搬送
室１２に温度センサを配置することによって、正確なウ
ェーハの温度を検出する。
影響をなくし、ウェーハの温度を正確に把え、ウェーハ
の温度を所定値に制御して膜質の変動の少い金属膜を形
成する。 【構成】スパッタリングチャンバ１から隔離される搬送
室１２に温度センサを配置することによって、正確なウ
ェーハの温度を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板であるウェ
ーハを搬送し、スパッタリングチャンバにウェーハを装
填するロードロックチャンバを備えるスパッタリング装
置に関する。
ーハを搬送し、スパッタリングチャンバにウェーハを装
填するロードロックチャンバを備えるスパッタリング装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の一例を示すスパッタリング
装置の模式図である。従来、この種のスパッタリング装
置は、図２に示すように、あらかじめウェーハを収納
し、真空ポンプ１３により真空状態に維持するロードロ
ックチャン１５と、ロードロックチャンバ１５と搬送室
１２を介して取付けられるスパッタリングチャンバ１
と、スパッタリングチャンバ１の温度センサ８によりウ
ェーハの温度を検出し、ヒータ２を制御する制御回路９
と、スパッタリングチャンバ１を真空排気する真空ポン
プ１０と、電源部６により電圧を印加し、プラズマ放電
することによって金属をスパッタするターゲット５とを
有していた。
装置の模式図である。従来、この種のスパッタリング装
置は、図２に示すように、あらかじめウェーハを収納
し、真空ポンプ１３により真空状態に維持するロードロ
ックチャン１５と、ロードロックチャンバ１５と搬送室
１２を介して取付けられるスパッタリングチャンバ１
と、スパッタリングチャンバ１の温度センサ８によりウ
ェーハの温度を検出し、ヒータ２を制御する制御回路９
と、スパッタリングチャンバ１を真空排気する真空ポン
プ１０と、電源部６により電圧を印加し、プラズマ放電
することによって金属をスパッタするターゲット５とを
有していた。
【０００３】次に、このスパッタリング装置の動作を説
明する。まず、ロードロックチャンバ１５にウェーハを
吸収し、真空ポンプ１３により所定の真空度に真空排気
する。次に、あらかじめ真空排気されたスパッタリング
チャンバ１及び搬送室１２にウェーハを搬送し、陰電極
側にある熱伝導板にウェーハ１１を取付ける。次に、不
活性ガスをスパッタリングチャンバ１に導入し、ターゲ
ット５に電圧を印加し、プラズマ放電を起す。このこと
によりターゲット５が金属スパッタリングし、加熱され
たウェーハに金属膜を形成する。
明する。まず、ロードロックチャンバ１５にウェーハを
吸収し、真空ポンプ１３により所定の真空度に真空排気
する。次に、あらかじめ真空排気されたスパッタリング
チャンバ１及び搬送室１２にウェーハを搬送し、陰電極
側にある熱伝導板にウェーハ１１を取付ける。次に、不
活性ガスをスパッタリングチャンバ１に導入し、ターゲ
ット５に電圧を印加し、プラズマ放電を起す。このこと
によりターゲット５が金属スパッタリングし、加熱され
たウェーハに金属膜を形成する。
【０００４】次に、金属膜が形成されたウェーハ１１
は、搬送室１２を通りロードロックチャンバ１５に収納
される。次に、ロードロックチャンバ１５と搬送室１２
の間のバルブを閉じ、ロードロックチャンバ１５の真空
を解放し、ロードロックチャンバ１５よりウェーハを取
出す。このように一連の動作をさせ、半導体基板である
ウェーハに酸化膜を形成することなく金属膜を形成して
いた。
は、搬送室１２を通りロードロックチャンバ１５に収納
される。次に、ロードロックチャンバ１５と搬送室１２
の間のバルブを閉じ、ロードロックチャンバ１５の真空
を解放し、ロードロックチャンバ１５よりウェーハを取
出す。このように一連の動作をさせ、半導体基板である
ウェーハに酸化膜を形成することなく金属膜を形成して
いた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のスパッタリ
ング装置では、スパッタリングチャンバ内にウェーハの
温度を測定する温度センサと、加熱するヒータが配置さ
れているので、スパッタチャンバ自体がヒータにより加
熱されるので、このスパッタチャンバの加熱された壁か
らの輻射熱、伝導熱等により、温度センサが影響され、
正確にウェオーハの温度が把握出来ず、ウェーハの温度
制御が困難になり、ウェーハに被着する金属膜の膜質が
変動するという問題があった。
ング装置では、スパッタリングチャンバ内にウェーハの
温度を測定する温度センサと、加熱するヒータが配置さ
れているので、スパッタチャンバ自体がヒータにより加
熱されるので、このスパッタチャンバの加熱された壁か
らの輻射熱、伝導熱等により、温度センサが影響され、
正確にウェオーハの温度が把握出来ず、ウェーハの温度
制御が困難になり、ウェーハに被着する金属膜の膜質が
変動するという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
半導体ウェーハの温度を正確に検知し、温度制御するこ
とによって膜質に変動のない金属膜が形成されるスパッ
タリング装置を提供することである。
半導体ウェーハの温度を正確に検知し、温度制御するこ
とによって膜質に変動のない金属膜が形成されるスパッ
タリング装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、予め半導体基板を収納し、真空排気するロード
ロックチャンバと、このロードロックチャンバと真空排
気される搬送室を介して取付けられるスパッタリングチ
ャンバと、スパッタリングチャンバに収納される前記半
導体基板を加熱するヒータと、電圧を印加して前記半導
体基板は金属をスパッタリングするターゲットとを備え
るスパッタリング装置において、前記半導体基板の温度
を検出する温度センサが前記スパッタリングチャンバの
壁の温度から遮断される前記搬送室に取付けられ、この
温度センサの出力値で前記ヒータを制御することを特徴
としている。
装置は、予め半導体基板を収納し、真空排気するロード
ロックチャンバと、このロードロックチャンバと真空排
気される搬送室を介して取付けられるスパッタリングチ
ャンバと、スパッタリングチャンバに収納される前記半
導体基板を加熱するヒータと、電圧を印加して前記半導
体基板は金属をスパッタリングするターゲットとを備え
るスパッタリング装置において、前記半導体基板の温度
を検出する温度センサが前記スパッタリングチャンバの
壁の温度から遮断される前記搬送室に取付けられ、この
温度センサの出力値で前記ヒータを制御することを特徴
としている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明のスパッタリング装置の一実
施例を示す模式図である。このスパッタリング装置は、
ウェーハの温度を検知する温度センサ８をスパッタリン
グチャンバ１より隔離された搬送室１２に配置したこと
である。それ以外は従来例と同じである。このように壁
が加熱されるスパッタリングチャンバ１からの輻射熱・
伝導熱の影響がなくなり、ウェーハの温度を正確に測定
出来る。従って、この温度センサ８の出力値によりヒー
タ２を制御する制御回路９は、ヒータ２を制御してウェ
ーハ１１を所要の温度に維持することが出来る。
施例を示す模式図である。このスパッタリング装置は、
ウェーハの温度を検知する温度センサ８をスパッタリン
グチャンバ１より隔離された搬送室１２に配置したこと
である。それ以外は従来例と同じである。このように壁
が加熱されるスパッタリングチャンバ１からの輻射熱・
伝導熱の影響がなくなり、ウェーハの温度を正確に測定
出来る。従って、この温度センサ８の出力値によりヒー
タ２を制御する制御回路９は、ヒータ２を制御してウェ
ーハ１１を所要の温度に維持することが出来る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェーハ
の温度を測定する温度センサを加熱されたスパッタリン
グチャンバとは隔離された真空室内に設置することによ
って、温度センサが、スパッタチャンバ自体の温度変化
の影響を受けずに連続処理しているときのウェーハの温
度を正確に把握し、一定の任意の温度に制御でき、被着
する金属膜の膜質の再現性が良く形成されるスパッタリ
ング装置が得られるという効果がある。
の温度を測定する温度センサを加熱されたスパッタリン
グチャンバとは隔離された真空室内に設置することによ
って、温度センサが、スパッタチャンバ自体の温度変化
の影響を受けずに連続処理しているときのウェーハの温
度を正確に把握し、一定の任意の温度に制御でき、被着
する金属膜の膜質の再現性が良く形成されるスパッタリ
ング装置が得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すスパッタリング装置の
模式図である。
模式図である。
【図２】従来の一例を示すスパッタリング装置の模式図
である。
である。
１ スパッタリングチャンバ ２ ヒータ ３ 不活性ガス導入口 ５ ターゲット ６ 電源部 ８ 温度センサ ９ 制御回路 １０，１３ 真空ポンプ １１ ウェーハ １２ 搬送室
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 予め半導体基板を収納し、真空排気する
ロードロックチャンバと、このロードロックチャンバと
真空排気される搬送室を介して取付けられるスパッタリ
ングチャンバと、スパッタリングチャンバに収納される
前記半導体基板を加熱するヒータと、電圧を印加して前
記半導体基板は金属をスパッタリングするターゲットと
を備えるスパッタリング装置において、前記半導体基板
の温度を検出する温度センサが前記スパッタリングチャ
ンバの壁の温度から遮断される前記搬送室に取付けら
れ、この温度センサの出力値で前記ヒータを制御するこ
とを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596291A JPH0533131A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18596291A JPH0533131A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0533131A true JPH0533131A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16179927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18596291A Pending JPH0533131A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951138A (en) * | 1995-09-12 | 1999-09-14 | Enplas Corporation | Surface light source device of side light type |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18596291A patent/JPH0533131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951138A (en) * | 1995-09-12 | 1999-09-14 | Enplas Corporation | Surface light source device of side light type |
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