JPH05331632A - レーザーアブレーション装置と薄膜形成方法 - Google Patents
レーザーアブレーション装置と薄膜形成方法Info
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- JPH05331632A JPH05331632A JP4140656A JP14065692A JPH05331632A JP H05331632 A JPH05331632 A JP H05331632A JP 4140656 A JP4140656 A JP 4140656A JP 14065692 A JP14065692 A JP 14065692A JP H05331632 A JPH05331632 A JP H05331632A
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- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 比較的低温で成膜の結晶状態制御が可能で、
成膜の酸素欠陥を充分低減させることができ、酸化状態
改善のための高温アニールが不要な酸化物薄膜形成用の
レーザーアブレーション装置を提供する。 【構成】 排気手段５と酸化反応性ガスを導入するガス
導入口６と受光窓７とを備えた真空槽１と、この真空槽
１内に設置された、酸化物の成膜材料からなるターゲッ
ト２を保持するターゲットホルダー２′と、このターゲ
ットホルダー２′に対向する位置に設置されて被薄膜形
成体４を保持する被薄膜形成体ホルダー３と、前記真空
槽１の外部から前記受光窓７を通して、前記真空槽１内
の前記ターゲット２に短波長レーザー光１３を照射する
短波長レーザー８とを有す。
成膜の酸素欠陥を充分低減させることができ、酸化状態
改善のための高温アニールが不要な酸化物薄膜形成用の
レーザーアブレーション装置を提供する。 【構成】 排気手段５と酸化反応性ガスを導入するガス
導入口６と受光窓７とを備えた真空槽１と、この真空槽
１内に設置された、酸化物の成膜材料からなるターゲッ
ト２を保持するターゲットホルダー２′と、このターゲ
ットホルダー２′に対向する位置に設置されて被薄膜形
成体４を保持する被薄膜形成体ホルダー３と、前記真空
槽１の外部から前記受光窓７を通して、前記真空槽１内
の前記ターゲット２に短波長レーザー光１３を照射する
短波長レーザー８とを有す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、短波長レーザー光を使
用した薄膜形成用のレーザーアブレーション装置に関
し、特に、酸化物の軟磁性薄膜形成用のレーザーアブレ
ーション装置に関するものである。
用した薄膜形成用のレーザーアブレーション装置に関
し、特に、酸化物の軟磁性薄膜形成用のレーザーアブレ
ーション装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】短波長レーザー光を使用した酸化物薄膜
形成用のレーザーアブレーション装置の従来例は、Ｓ．
Ｋｏｍｕｒａ ｅｔ ａｌ；Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖ
ｏｌ．２７（１９８８）に示されているもので、図５に
基づいて、その構成を説明する。
形成用のレーザーアブレーション装置の従来例は、Ｓ．
Ｋｏｍｕｒａ ｅｔ ａｌ；Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ，ｖ
ｏｌ．２７（１９８８）に示されているもので、図５に
基づいて、その構成を説明する。
【０００３】図５において、従来例の薄膜形成用のレー
ザーアブレーション装置は、排気手段４９とガス導入口
４８と受光窓４７とを備えた真空槽４０内に、酸化物の
成膜材料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライトの焼結体からな
るターゲット４１を保持するターゲットホルダー４１′
と、このターゲットホルダー４１′に対向する位置に設
置されて基板（被薄膜形成体）４３を保持する基板ホル
ダー（被薄膜形成体ホルダー）４２とを有し、真空槽４
０の外部にある可視光のＱスイッチＹＡＧレーザー４４
の第２高調波レーザー光である短波長レーザー光（波長
５３２ｎｍ）４５を、光学系４６で集光し、前記受光窓
４７を通して、前記ターゲット４１上に照射する構成に
なっている。尚、基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダ
ー）４２内には、内蔵ヒーター４２′が設けられてお
り、保持している基板（被薄膜形成体）４３を所定温度
に加熱するようになっている。
ザーアブレーション装置は、排気手段４９とガス導入口
４８と受光窓４７とを備えた真空槽４０内に、酸化物の
成膜材料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライトの焼結体からな
るターゲット４１を保持するターゲットホルダー４１′
と、このターゲットホルダー４１′に対向する位置に設
置されて基板（被薄膜形成体）４３を保持する基板ホル
ダー（被薄膜形成体ホルダー）４２とを有し、真空槽４
０の外部にある可視光のＱスイッチＹＡＧレーザー４４
の第２高調波レーザー光である短波長レーザー光（波長
５３２ｎｍ）４５を、光学系４６で集光し、前記受光窓
４７を通して、前記ターゲット４１上に照射する構成に
なっている。尚、基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダ
ー）４２内には、内蔵ヒーター４２′が設けられてお
り、保持している基板（被薄膜形成体）４３を所定温度
に加熱するようになっている。
【０００４】次に、その動作を図５に基づいて説明す
る。
る。
【０００５】図５において、排気手段４９によって真空
槽４０内を真空排気し、ガス導入口４８からＯ2 ガス又
はＮ2 Ｏガスを導入し、短波長レーザー光４５をターゲ
ット４１に照射する。このようにすると、短波長レーザ
ー光のエネルギによって、前記ターゲット４１の構成材
料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライトの焼結体から、アブレ
ーション粒子が飛び出し、このアブレーション粒子が、
前記ターゲット４１の対向位置にある基板ホルダー（被
薄膜形成体ホルダー）４２が保持する基板（被薄膜形成
体）４３上に、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライトの薄膜を成膜す
る。
槽４０内を真空排気し、ガス導入口４８からＯ2 ガス又
はＮ2 Ｏガスを導入し、短波長レーザー光４５をターゲ
ット４１に照射する。このようにすると、短波長レーザ
ー光のエネルギによって、前記ターゲット４１の構成材
料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライトの焼結体から、アブレ
ーション粒子が飛び出し、このアブレーション粒子が、
前記ターゲット４１の対向位置にある基板ホルダー（被
薄膜形成体ホルダー）４２が保持する基板（被薄膜形成
体）４３上に、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライトの薄膜を成膜す
る。
【０００６】そして、この薄膜形成時に、基板ホルダー
（被薄膜形成体ホルダー）４２の内蔵ヒーター４２′が
基板（被薄膜形成体）４３を所定温度に加熱すること
と、ガス導入口４８から導入されたＯ2 ガス或いはＮ2
Ｏガス等の酸化反応性ガスが存在することとによって、
基板（被薄膜形成体）４３上に形成されるＮｉ−Ｚｎ−
フェライト薄膜を酸素と反応させ、Ｎｉ−Ｚｎ−フェラ
イト薄膜の酸素欠陥を低減させるようにしている。
（被薄膜形成体ホルダー）４２の内蔵ヒーター４２′が
基板（被薄膜形成体）４３を所定温度に加熱すること
と、ガス導入口４８から導入されたＯ2 ガス或いはＮ2
Ｏガス等の酸化反応性ガスが存在することとによって、
基板（被薄膜形成体）４３上に形成されるＮｉ−Ｚｎ−
フェライト薄膜を酸素と反応させ、Ｎｉ−Ｚｎ−フェラ
イト薄膜の酸素欠陥を低減させるようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライトに代表される多成
分酸化物に対しては、酸素の反応が不足し、形成された
薄膜の酸素欠陥を充分低減させることができず、高保磁
力の薄膜しかできないという問題点がある。
の構成では、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライトに代表される多成
分酸化物に対しては、酸素の反応が不足し、形成された
薄膜の酸素欠陥を充分低減させることができず、高保磁
力の薄膜しかできないという問題点がある。
【０００８】従って、従来のレーザーアブレーション装
置で成膜されたＮｉ−Ｚｎ−フェライトのような多成分
酸化物薄膜を、低保磁力の軟磁性薄膜として使用するに
は、低保磁力化が必要であり、そのためには、薄膜の酸
化状態（価数等）を精密に再調整して酸素欠陥を充分に
低減させることが必要で、薄膜を形成した基板（被薄膜
形成体）４３を、別工程で高温（例えば、８００°Ｃ以
上）加熱して数時間アニールしている。このため、工程
数が増加しコスト高になるという問題点がある。
置で成膜されたＮｉ−Ｚｎ−フェライトのような多成分
酸化物薄膜を、低保磁力の軟磁性薄膜として使用するに
は、低保磁力化が必要であり、そのためには、薄膜の酸
化状態（価数等）を精密に再調整して酸素欠陥を充分に
低減させることが必要で、薄膜を形成した基板（被薄膜
形成体）４３を、別工程で高温（例えば、８００°Ｃ以
上）加熱して数時間アニールしている。このため、工程
数が増加しコスト高になるという問題点がある。
【０００９】そして、高温アニールは、薄膜ヘッドのよ
うに、使用材質の耐熱性に限界があり、低温（３５０°
Ｃ以下）でしか処理できないものについては使用でき
ず、従来の薄膜形成用のレーザーアブレーション装置
は、薄膜ヘッドの製造に使用できないという問題点があ
る。
うに、使用材質の耐熱性に限界があり、低温（３５０°
Ｃ以下）でしか処理できないものについては使用でき
ず、従来の薄膜形成用のレーザーアブレーション装置
は、薄膜ヘッドの製造に使用できないという問題点があ
る。
【００１０】本発明は、上記の問題点を解決し、比較的
低温で成膜の結晶状態（酸化状態等を含む）の制御が可
能で、成膜の酸素欠陥を充分低減させることができ、酸
化状態改善のための高温アニールが不要なレーザーアブ
レーション装置を提供することを課題としている。
低温で成膜の結晶状態（酸化状態等を含む）の制御が可
能で、成膜の酸素欠陥を充分低減させることができ、酸
化状態改善のための高温アニールが不要なレーザーアブ
レーション装置を提供することを課題としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願第１発明のレーザー
アブレーション装置は、排気手段と酸化反応性ガスを導
入するガス導入口と受光窓とを備えた真空槽と、この真
空槽内に設置された、酸化物の成膜材料からなるターゲ
ットを保持するターゲットホルダーと、このターゲット
ホルダーに対向する位置に設置されて被薄膜形成体を保
持する被薄膜形成体ホルダーと、前記真空槽の外部から
前記受光窓を通して、前記真空槽内の前記ターゲットに
短波長レーザー光を照射する短波長レーザーとを有する
薄膜形成用のレーザーアブレーション装置において、前
記ターゲットに照射される短波長レーザー光の１／１０
以下の強度の短波長レーザー光を、前記真空槽の外部か
ら前記受光窓を通して、前記真空槽内の前記被薄膜形成
体ホルダーが保持する被薄膜形成体上に照射する短波長
レーザー光照射手段を有することを特徴とする。
アブレーション装置は、排気手段と酸化反応性ガスを導
入するガス導入口と受光窓とを備えた真空槽と、この真
空槽内に設置された、酸化物の成膜材料からなるターゲ
ットを保持するターゲットホルダーと、このターゲット
ホルダーに対向する位置に設置されて被薄膜形成体を保
持する被薄膜形成体ホルダーと、前記真空槽の外部から
前記受光窓を通して、前記真空槽内の前記ターゲットに
短波長レーザー光を照射する短波長レーザーとを有する
薄膜形成用のレーザーアブレーション装置において、前
記ターゲットに照射される短波長レーザー光の１／１０
以下の強度の短波長レーザー光を、前記真空槽の外部か
ら前記受光窓を通して、前記真空槽内の前記被薄膜形成
体ホルダーが保持する被薄膜形成体上に照射する短波長
レーザー光照射手段を有することを特徴とする。
【００１２】本願第２発明のレーザーアブレーション装
置は、排気手段と酸化反応性ガスを導入するガス導入口
と受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に設置され
た、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保持するタ
ーゲットホルダーと、このターゲットホルダーに対向す
る位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被薄膜形成
体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光窓を通し
て、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レーザー光
を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成用のレー
ザーアブレーション装置において、短波長レーザー光
を、前記真空槽の外部から前記受光窓を通して、前記真
空槽内の前記被薄膜形成体ホルダーが保持する被薄膜形
成体の表面近傍を被薄膜形成体と略平行に通過させる短
波長レーザー光照射手段を有することを特徴とする。
置は、排気手段と酸化反応性ガスを導入するガス導入口
と受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に設置され
た、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保持するタ
ーゲットホルダーと、このターゲットホルダーに対向す
る位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被薄膜形成
体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光窓を通し
て、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レーザー光
を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成用のレー
ザーアブレーション装置において、短波長レーザー光
を、前記真空槽の外部から前記受光窓を通して、前記真
空槽内の前記被薄膜形成体ホルダーが保持する被薄膜形
成体の表面近傍を被薄膜形成体と略平行に通過させる短
波長レーザー光照射手段を有することを特徴とする。
【００１３】又、本願第１、第２発明のレーザーアブレ
ーション装置の短波長レーザー光照射手段は、短波長レ
ーザーからの短波長レーザー光を分岐する光学系である
ことが好適である。
ーション装置の短波長レーザー光照射手段は、短波長レ
ーザーからの短波長レーザー光を分岐する光学系である
ことが好適である。
【００１４】本願第３発明の薄膜形成方法は、本願発明
のレーザーアブレーション装置を使用し、酸化物の軟磁
性材料をターゲットとして、被薄膜形成体上に薄膜を形
成することを特徴とする。
のレーザーアブレーション装置を使用し、酸化物の軟磁
性材料をターゲットとして、被薄膜形成体上に薄膜を形
成することを特徴とする。
【００１５】
【作用】本願第１発明のレーザーアブレーション装置
は、排気手段と酸化反応性ガスを導入するガス導入口と
受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に設置され
た、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保持するタ
ーゲットホルダーと、このターゲットホルダーに対向す
る位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被薄膜形成
体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光窓を通し
て、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レーザー光
を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成用の従来
のレーザーアブレーション装置に、前記ターゲットに照
射される短波長レーザー光の１／１０以下の強度の短波
長レーザー光を、前記真空槽の外部から前記受光窓を通
して、前記真空槽内の前記被薄膜形成体ホルダーが保持
する被薄膜形成体上に照射する短波長レーザー光照射手
段を付加しているので、酸化反応性ガスを導入した真空
槽内で、短波長レーザーを照射された真空槽内のターゲ
ットから、このターゲットを構成する成膜材料のアブレ
ーション粒子が飛び出し、このアブレーション粒子が、
被薄膜形成体ホルダーに保持された被薄膜形成体上をマ
イグレーション（移動して動き回る）して薄膜を形成し
ているときに、この被薄膜形成体上に、前記ターゲット
に照射される短波長レーザー光の１／１０以下の強度の
短波長レーザー光を、前記受光窓を通して照射すること
によって、マイグレーションしているアブレーション粒
子を励起して、被薄膜形成体近傍の酸化反応性ガスと反
応し易くし、酸化反応を促進させ、成膜の酸化を促進
し、成膜の酸素欠陥を低減し、結晶性を改善する。
は、排気手段と酸化反応性ガスを導入するガス導入口と
受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に設置され
た、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保持するタ
ーゲットホルダーと、このターゲットホルダーに対向す
る位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被薄膜形成
体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光窓を通し
て、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レーザー光
を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成用の従来
のレーザーアブレーション装置に、前記ターゲットに照
射される短波長レーザー光の１／１０以下の強度の短波
長レーザー光を、前記真空槽の外部から前記受光窓を通
して、前記真空槽内の前記被薄膜形成体ホルダーが保持
する被薄膜形成体上に照射する短波長レーザー光照射手
段を付加しているので、酸化反応性ガスを導入した真空
槽内で、短波長レーザーを照射された真空槽内のターゲ
ットから、このターゲットを構成する成膜材料のアブレ
ーション粒子が飛び出し、このアブレーション粒子が、
被薄膜形成体ホルダーに保持された被薄膜形成体上をマ
イグレーション（移動して動き回る）して薄膜を形成し
ているときに、この被薄膜形成体上に、前記ターゲット
に照射される短波長レーザー光の１／１０以下の強度の
短波長レーザー光を、前記受光窓を通して照射すること
によって、マイグレーションしているアブレーション粒
子を励起して、被薄膜形成体近傍の酸化反応性ガスと反
応し易くし、酸化反応を促進させ、成膜の酸化を促進
し、成膜の酸素欠陥を低減し、結晶性を改善する。
【００１６】本願第２発明のレーザーアブレーション装
置は、排気手段と酸化反応性ガスを導入するガス導入口
と受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に設置され
た、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保持するタ
ーゲットホルダーと、このターゲットホルダーに対向す
る位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被薄膜形成
体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光窓を通し
て、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レーザー光
を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成用の従来
のレーザーアブレーション装置に、短波長レーザー光
を、前記真空槽の外部から前記受光窓を通して、前記真
空槽内の前記被薄膜形成体ホルダーが保持する被薄膜形
成体の表面近傍を被薄膜形成体と略平行に通過させる短
波長レーザー光照射手段を付加しているので、酸化反応
性ガスを導入した真空槽内で、短波長レーザーを照射さ
れた真空槽内のターゲットから、このターゲットを構成
する成膜材料のアブレーション粒子が飛び出し、このア
ブレーション粒子が、被薄膜形成体ホルダーに保持され
た被薄膜形成体上をマイグレーション（移動して動き回
る）して薄膜を形成しているときに、短波長レーザー光
を、前記受光窓を通して、この被薄膜形成体の表面近傍
を被薄膜形成体と略平行に通過させることによって、こ
の短波長レーザー光に、被薄膜形成体上に到達する前の
前記アブレーション粒子を照射させて、このアブレーシ
ョン粒子を励起して、被薄膜形成体近傍の酸化反応性ガ
スと反応し易くし、その酸化反応を促進し、成膜の酸素
欠陥を低減し、且つ、この短波長レーザー光に、被薄膜
形成体近傍の酸化反応性ガスを照射させて解離しＯラジ
カルを発生させ、前記アブレーション粒子との酸化反応
を促進して、成膜の酸化を促進し、成膜の酸素欠陥を低
減し、結晶性を改善する。
置は、排気手段と酸化反応性ガスを導入するガス導入口
と受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に設置され
た、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保持するタ
ーゲットホルダーと、このターゲットホルダーに対向す
る位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被薄膜形成
体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光窓を通し
て、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レーザー光
を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成用の従来
のレーザーアブレーション装置に、短波長レーザー光
を、前記真空槽の外部から前記受光窓を通して、前記真
空槽内の前記被薄膜形成体ホルダーが保持する被薄膜形
成体の表面近傍を被薄膜形成体と略平行に通過させる短
波長レーザー光照射手段を付加しているので、酸化反応
性ガスを導入した真空槽内で、短波長レーザーを照射さ
れた真空槽内のターゲットから、このターゲットを構成
する成膜材料のアブレーション粒子が飛び出し、このア
ブレーション粒子が、被薄膜形成体ホルダーに保持され
た被薄膜形成体上をマイグレーション（移動して動き回
る）して薄膜を形成しているときに、短波長レーザー光
を、前記受光窓を通して、この被薄膜形成体の表面近傍
を被薄膜形成体と略平行に通過させることによって、こ
の短波長レーザー光に、被薄膜形成体上に到達する前の
前記アブレーション粒子を照射させて、このアブレーシ
ョン粒子を励起して、被薄膜形成体近傍の酸化反応性ガ
スと反応し易くし、その酸化反応を促進し、成膜の酸素
欠陥を低減し、且つ、この短波長レーザー光に、被薄膜
形成体近傍の酸化反応性ガスを照射させて解離しＯラジ
カルを発生させ、前記アブレーション粒子との酸化反応
を促進して、成膜の酸化を促進し、成膜の酸素欠陥を低
減し、結晶性を改善する。
【００１７】本願第１、第２発明のレーザーアブレーシ
ョン装置は、短波長レーザー光照射手段を、短波長レー
ザーからの短波長レーザー光を分岐する光学系にするこ
とによって、１つの短波長レーザーで構成できる。
ョン装置は、短波長レーザー光照射手段を、短波長レー
ザーからの短波長レーザー光を分岐する光学系にするこ
とによって、１つの短波長レーザーで構成できる。
【００１８】本願第３発明の薄膜形成方法は、本願発明
のレーザーアブレーション装置を使用し、酸化物の軟磁
性材料をターゲットとして、被薄膜形成体上に薄膜を形
成するので、上記のようにして、酸素欠陥が少なく、結
晶性が良い薄膜を形成でき、その結果として、低保磁力
の軟磁性薄膜を得る。
のレーザーアブレーション装置を使用し、酸化物の軟磁
性材料をターゲットとして、被薄膜形成体上に薄膜を形
成するので、上記のようにして、酸素欠陥が少なく、結
晶性が良い薄膜を形成でき、その結果として、低保磁力
の軟磁性薄膜を得る。
【００１９】
【実施例】本願第１発明のレーザーアブレーション装置
の一実施例の構成を図１に基づいて説明する。
の一実施例の構成を図１に基づいて説明する。
【００２０】図１において、本実施例は、排気手段５と
酸化反応性ガス（Ｏ2 ガス、Ｎ2 Ｏガス等）を導入する
ガス導入口６と受光窓７とを備えた真空槽１と、この真
空槽１内に設置された、酸化物の成膜材料であるＮｉ−
Ｚｎ−フェライトの焼結体からなるターゲット２を保持
するターゲットホルダー２′（特にターゲットホルダー
を設けないで、ターゲットを置く場合もある）と、この
ターゲットホルダー２′に対向する位置に設置されて基
板（被薄膜形成体）４を保持する基板ホルダー（被薄膜
形成体ホルダー）３と、前記真空槽１の外部から前記受
光窓７を通して、前記真空槽１内の前記ターゲット２に
短波長レーザー光を照射する短波長レーザー８（この短
波長レーザー８からの短波長レーザー光をハーフミラー
１１を通しミラー９で反射しレンズ１０で集光し前記受
光窓７を通して短波長レーザー光１３としてターゲット
２を照射させる光学系を有する）とを有する薄膜形成用
の従来例のレーザーアブレーション装置に付加して、前
記短波長レーザー８からの短波長レーザー光をハーフミ
ラー１１とミラー１２とで反射させて前記受光窓７を通
して短波長レーザー光１４として被薄膜形成体４を照射
させる光学系とを有する。尚、基板ホルダー（被薄膜形
成体ホルダー）３内には、内蔵ヒーター３′が設けられ
ており、保持している基板（被薄膜形成体）４を所定温
度に加熱するようになっている。又、レンズ１０で集光
された短波長レーザー光１３がターゲット２に照射され
る位置は、図示していないが、短波長レーザー光１３を
移動させたりターゲット２を移動させたりする機構があ
り、変更可能である。
酸化反応性ガス（Ｏ2 ガス、Ｎ2 Ｏガス等）を導入する
ガス導入口６と受光窓７とを備えた真空槽１と、この真
空槽１内に設置された、酸化物の成膜材料であるＮｉ−
Ｚｎ−フェライトの焼結体からなるターゲット２を保持
するターゲットホルダー２′（特にターゲットホルダー
を設けないで、ターゲットを置く場合もある）と、この
ターゲットホルダー２′に対向する位置に設置されて基
板（被薄膜形成体）４を保持する基板ホルダー（被薄膜
形成体ホルダー）３と、前記真空槽１の外部から前記受
光窓７を通して、前記真空槽１内の前記ターゲット２に
短波長レーザー光を照射する短波長レーザー８（この短
波長レーザー８からの短波長レーザー光をハーフミラー
１１を通しミラー９で反射しレンズ１０で集光し前記受
光窓７を通して短波長レーザー光１３としてターゲット
２を照射させる光学系を有する）とを有する薄膜形成用
の従来例のレーザーアブレーション装置に付加して、前
記短波長レーザー８からの短波長レーザー光をハーフミ
ラー１１とミラー１２とで反射させて前記受光窓７を通
して短波長レーザー光１４として被薄膜形成体４を照射
させる光学系とを有する。尚、基板ホルダー（被薄膜形
成体ホルダー）３内には、内蔵ヒーター３′が設けられ
ており、保持している基板（被薄膜形成体）４を所定温
度に加熱するようになっている。又、レンズ１０で集光
された短波長レーザー光１３がターゲット２に照射され
る位置は、図示していないが、短波長レーザー光１３を
移動させたりターゲット２を移動させたりする機構があ
り、変更可能である。
【００２１】次に、本実施例の動作を図１、図２に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００２２】図１、図２において、成膜材料であるＮｉ
−Ｚｎ−フェライトの焼結体（焼結体に限らない）から
なるターゲット２を、ターゲットホルダー２′に保持さ
せる。基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）３に基板
（被薄膜形成体）４を保持させる。排気手段５によって
真空槽１内を真空排気して所定の真空度に到達後、ガス
導入口６からＯ2 ガス或いはＮ2 Ｏガス等の酸化反応性
ガスを導入し所定の真空度に維持する。この状態で、短
波長レーザー８から短波長レーザー光を射出すると、こ
のレーザー光の一部はハーフミラー１１を通りミラー９
で反射されレンズ１０で集光され前記受光窓７を通って
短波長レーザー光１３としてターゲット２を照射する。
前記レーザー光の残部はハーフミラー１１とミラー１２
とで反射され前記受光窓７を通して短波長レーザー光１
４として被薄膜形成体４を照射する。前記短波長レーザ
ー光１３を照射されたターゲット２から、このターゲッ
ト２を構成する成膜材料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライト
の焼結体のアブレーション粒子１５が飛び出し、このア
ブレーション粒子１５が、基板ホルダー（被薄膜形成体
ホルダー）３に保持された基板（被薄膜形成体）４上を
マイグレーション（移動して動き回る）して薄膜１６を
形成する。この薄膜１６が形成されているときに、この
基板（被薄膜形成体）４上に、前記短波長レーザー光１
４が照射されると、マイグレーションしているアブレー
ション粒子１７が励起され、基板（被薄膜形成体）４近
傍の酸化反応性ガスのＯ2 分子１８等と酸化反応し易く
なる。
−Ｚｎ−フェライトの焼結体（焼結体に限らない）から
なるターゲット２を、ターゲットホルダー２′に保持さ
せる。基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）３に基板
（被薄膜形成体）４を保持させる。排気手段５によって
真空槽１内を真空排気して所定の真空度に到達後、ガス
導入口６からＯ2 ガス或いはＮ2 Ｏガス等の酸化反応性
ガスを導入し所定の真空度に維持する。この状態で、短
波長レーザー８から短波長レーザー光を射出すると、こ
のレーザー光の一部はハーフミラー１１を通りミラー９
で反射されレンズ１０で集光され前記受光窓７を通って
短波長レーザー光１３としてターゲット２を照射する。
前記レーザー光の残部はハーフミラー１１とミラー１２
とで反射され前記受光窓７を通して短波長レーザー光１
４として被薄膜形成体４を照射する。前記短波長レーザ
ー光１３を照射されたターゲット２から、このターゲッ
ト２を構成する成膜材料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライト
の焼結体のアブレーション粒子１５が飛び出し、このア
ブレーション粒子１５が、基板ホルダー（被薄膜形成体
ホルダー）３に保持された基板（被薄膜形成体）４上を
マイグレーション（移動して動き回る）して薄膜１６を
形成する。この薄膜１６が形成されているときに、この
基板（被薄膜形成体）４上に、前記短波長レーザー光１
４が照射されると、マイグレーションしているアブレー
ション粒子１７が励起され、基板（被薄膜形成体）４近
傍の酸化反応性ガスのＯ2 分子１８等と酸化反応し易く
なる。
【００２３】このことによって、前記薄膜１６内の酸素
欠陥を低減することができ、又、マイグレーションして
いるアブレーション粒子１７が励起されて堆積するの
で、形成される薄膜１６の結晶性が改善され、３００°
Ｃ前後の基板（被薄膜形成体）温度｛基板ホルダー（被
薄膜形成体ホルダー）３の前記内蔵ヒーター３′の加熱
による｝でも、スピネル単相構造のＮｉ−Ｚｎ−フェラ
イト膜が形成される。
欠陥を低減することができ、又、マイグレーションして
いるアブレーション粒子１７が励起されて堆積するの
で、形成される薄膜１６の結晶性が改善され、３００°
Ｃ前後の基板（被薄膜形成体）温度｛基板ホルダー（被
薄膜形成体ホルダー）３の前記内蔵ヒーター３′の加熱
による｝でも、スピネル単相構造のＮｉ−Ｚｎ−フェラ
イト膜が形成される。
【００２４】このように、アブレーションと同時に、基
板（被薄膜形成体）４に短波長レーザー光１４を照射す
ることによって、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライト膜の保磁力
は、照射無しの場合の１００エルステッドから、２０エ
ルステッド以下にまで改善できる。
板（被薄膜形成体）４に短波長レーザー光１４を照射す
ることによって、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライト膜の保磁力
は、照射無しの場合の１００エルステッドから、２０エ
ルステッド以下にまで改善できる。
【００２５】この場合、基板（被薄膜形成体）４に照射
する短波長レーザー光１４の強度は、レンズで集光して
いないので、レンズで集光した短波長レーザー光１３の
１／１０〜１／１００程度であり、基板（被薄膜形成
体）４上で、再アブレーションは生じない。しかし、前
記短波長レーザー光１４の強度が強過ぎる場合には、成
膜１６からＺｎ等が再アブレーションして成膜１６の磁
気特性を低下させる。
する短波長レーザー光１４の強度は、レンズで集光して
いないので、レンズで集光した短波長レーザー光１３の
１／１０〜１／１００程度であり、基板（被薄膜形成
体）４上で、再アブレーションは生じない。しかし、前
記短波長レーザー光１４の強度が強過ぎる場合には、成
膜１６からＺｎ等が再アブレーションして成膜１６の磁
気特性を低下させる。
【００２６】尚、短波長レーザー光１４は、ハーフミラ
ーを使用して短波長レーザー光１３と分割したが、基板
（被薄膜形成体）照射用の短波長レーザーを設け、前記
短波長レーザー８と略同時に発信させても同様の作用・
効果が得られる。
ーを使用して短波長レーザー光１３と分割したが、基板
（被薄膜形成体）照射用の短波長レーザーを設け、前記
短波長レーザー８と略同時に発信させても同様の作用・
効果が得られる。
【００２７】本願第２発明のレーザーアブレーション装
置の一実施例の構成を図３に基づいて説明する。
置の一実施例の構成を図３に基づいて説明する。
【００２８】図３において、本実施例は、排気手段２３
と酸化反応性ガス（Ｏ2 ガス、Ｎ2Ｏガス等）を導入す
るガス導入口２４と受光窓２５とを備えた真空槽１９
と、この真空槽１９内に設置された、成膜材料であるＮ
ｉ−Ｚｎ−フェライトの焼結体からなるターゲット２０
を保持するターゲットホルダー２０′（特にターゲット
ホルダーを設けないで、ターゲットを置く場合もある）
と、このターゲットホルダー２０′に対向する位置に設
置されて基板（被薄膜形成体）２２を保持する基板ホル
ダー（被薄膜形成体ホルダー）２１と、前記真空槽１９
の外部から前記受光窓２５を通して、前記真空槽１９内
の前記ターゲット２０に短波長レーザー光を照射する短
波長レーザー２６（この短波長レーザー２６からの短波
長レーザー光をハーフミラー２９を通しミラー２７で反
射しレンズ２８で集光し前記受光窓２５を通して短波長
レーザー光３０としてターゲット２０を照射させる光学
系を有する）とを有する薄膜形成用の従来例のレーザー
アブレーション装置に付加して、前記短波長レーザー２
６からの短波長レーザー光をハーフミラー２９で反射さ
せて前記受光窓２５を通して短波長レーザー光３１とし
て被薄膜形成体２１の近傍（３０ｍｍ以内）を通過させ
る光学系とを有する。尚、基板ホルダー（被薄膜形成体
ホルダー）２１内には、内蔵ヒーター２１′が設けられ
ており、保持している基板（被薄膜形成体）２２を所定
温度に加熱するようになっている。又、レンズ２８で集
光された短波長レーザー光３０がターゲット２０に照射
される位置は、図示していないが、短波長レーザー光３
０を移動させたりターゲット２０を移動させたりする機
構があり、変更可能である。
と酸化反応性ガス（Ｏ2 ガス、Ｎ2Ｏガス等）を導入す
るガス導入口２４と受光窓２５とを備えた真空槽１９
と、この真空槽１９内に設置された、成膜材料であるＮ
ｉ−Ｚｎ−フェライトの焼結体からなるターゲット２０
を保持するターゲットホルダー２０′（特にターゲット
ホルダーを設けないで、ターゲットを置く場合もある）
と、このターゲットホルダー２０′に対向する位置に設
置されて基板（被薄膜形成体）２２を保持する基板ホル
ダー（被薄膜形成体ホルダー）２１と、前記真空槽１９
の外部から前記受光窓２５を通して、前記真空槽１９内
の前記ターゲット２０に短波長レーザー光を照射する短
波長レーザー２６（この短波長レーザー２６からの短波
長レーザー光をハーフミラー２９を通しミラー２７で反
射しレンズ２８で集光し前記受光窓２５を通して短波長
レーザー光３０としてターゲット２０を照射させる光学
系を有する）とを有する薄膜形成用の従来例のレーザー
アブレーション装置に付加して、前記短波長レーザー２
６からの短波長レーザー光をハーフミラー２９で反射さ
せて前記受光窓２５を通して短波長レーザー光３１とし
て被薄膜形成体２１の近傍（３０ｍｍ以内）を通過させ
る光学系とを有する。尚、基板ホルダー（被薄膜形成体
ホルダー）２１内には、内蔵ヒーター２１′が設けられ
ており、保持している基板（被薄膜形成体）２２を所定
温度に加熱するようになっている。又、レンズ２８で集
光された短波長レーザー光３０がターゲット２０に照射
される位置は、図示していないが、短波長レーザー光３
０を移動させたりターゲット２０を移動させたりする機
構があり、変更可能である。
【００２９】次に、本実施例の動作を図３、図４に基づ
いて説明する。
いて説明する。
【００３０】図３、図４において、成膜材料であるＮｉ
−Ｚｎ−フェライトの焼結体からなるターゲット２０
を、ターゲットホルダー２０′に保持させる。基板ホル
ダー（被薄膜形成体ホルダー）２１に基板（被薄膜形成
体）２２を保持させる。排気手段２３によって真空槽１
９内を真空排気して所定の真空度に到達後、ガス導入口
２４から酸化反応性ガスを導入し所定の真空度に維持す
る。この状態で、短波長レーザー２６から短波長レーザ
ー光を射出すると、このレーザー光の一部はハーフミラ
ー２９を通りミラー２７で反射されレンズ２８で集光さ
れ前記受光窓２５を通って短波長レーザー光３０として
ターゲット２０を照射する。前記レーザー光３０の残部
はハーフミラー２９で反射され前記受光窓２５を通して
短波長レーザー光３１として被薄膜形成体２２の近傍
（３０ｍｍ以内）を通過する。前記短波長レーザー光３
０を照射されたターゲット２０から、このターゲット２
０を構成する成膜材料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライトの
焼結体のアブレーション粒子３２が飛び出し、このアブ
レーション粒子３２が、基板ホルダー（被薄膜形成体ホ
ルダー）２１に保持された基板（被薄膜形成体）２２上
をマイグレーション（移動して動き回る）して薄膜３３
を形成する。この薄膜３３が形成されているときに、こ
の基板（被薄膜形成体）２２近傍を短波長レーザー光３
１が通過すると、基板（被薄膜形成体）２２に到達する
前のアブレーション粒子３２が励起され反応性が向上し
て、基板（被薄膜形成体）２２に到達し、基板（被薄膜
形成体）２２近傍の酸化反応性ガスのＯ2 分子３４等と
の反応が促進されて薄膜３３の酸素欠陥を低減する。
又、基板（被薄膜形成体）２２近傍のＯ2 分子３４が、
短波長レーザー光３１で励起されてＯラジカル３５にな
り、アブレーション粒子３２や励起されたアブレーショ
ン粒子との反応が促進されて薄膜３３の酸素欠陥を低減
する。
−Ｚｎ−フェライトの焼結体からなるターゲット２０
を、ターゲットホルダー２０′に保持させる。基板ホル
ダー（被薄膜形成体ホルダー）２１に基板（被薄膜形成
体）２２を保持させる。排気手段２３によって真空槽１
９内を真空排気して所定の真空度に到達後、ガス導入口
２４から酸化反応性ガスを導入し所定の真空度に維持す
る。この状態で、短波長レーザー２６から短波長レーザ
ー光を射出すると、このレーザー光の一部はハーフミラ
ー２９を通りミラー２７で反射されレンズ２８で集光さ
れ前記受光窓２５を通って短波長レーザー光３０として
ターゲット２０を照射する。前記レーザー光３０の残部
はハーフミラー２９で反射され前記受光窓２５を通して
短波長レーザー光３１として被薄膜形成体２２の近傍
（３０ｍｍ以内）を通過する。前記短波長レーザー光３
０を照射されたターゲット２０から、このターゲット２
０を構成する成膜材料であるＮｉ−Ｚｎ−フェライトの
焼結体のアブレーション粒子３２が飛び出し、このアブ
レーション粒子３２が、基板ホルダー（被薄膜形成体ホ
ルダー）２１に保持された基板（被薄膜形成体）２２上
をマイグレーション（移動して動き回る）して薄膜３３
を形成する。この薄膜３３が形成されているときに、こ
の基板（被薄膜形成体）２２近傍を短波長レーザー光３
１が通過すると、基板（被薄膜形成体）２２に到達する
前のアブレーション粒子３２が励起され反応性が向上し
て、基板（被薄膜形成体）２２に到達し、基板（被薄膜
形成体）２２近傍の酸化反応性ガスのＯ2 分子３４等と
の反応が促進されて薄膜３３の酸素欠陥を低減する。
又、基板（被薄膜形成体）２２近傍のＯ2 分子３４が、
短波長レーザー光３１で励起されてＯラジカル３５にな
り、アブレーション粒子３２や励起されたアブレーショ
ン粒子との反応が促進されて薄膜３３の酸素欠陥を低減
する。
【００３１】更に、アブレーション粒子３２が励起され
て基板（被薄膜形成体）２２上に堆積されるので、薄膜
３３の結晶性が向上し、３００°Ｃ前後の基板（被薄膜
形成体）温度｛基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）
３の前記内蔵ヒーター３′の加熱による｝でも、スピネ
ル単相構造のＮｉ−Ｚｎ−フェライト膜が形成され、第
１実施例と同様に磁気特性が改善される。
て基板（被薄膜形成体）２２上に堆積されるので、薄膜
３３の結晶性が向上し、３００°Ｃ前後の基板（被薄膜
形成体）温度｛基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー）
３の前記内蔵ヒーター３′の加熱による｝でも、スピネ
ル単相構造のＮｉ−Ｚｎ−フェライト膜が形成され、第
１実施例と同様に磁気特性が改善される。
【００３２】尚、本実施例では、成膜材料としてＮｉ−
Ｚｎ−フェライトを使用したが、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライ
トに限らず、酸化物であれば、同様の酸化促進作用と結
晶性改善作用とが得られる。又、酸化反応性ガスはＯ2
ガスやＮ2 Ｏガスに限らない。又、短波長レーザー光３
１は、ハーフミラーを使用して短波長レーザー光３０と
分割したが、基板（被薄膜形成体）照射用の短波長レー
ザーを設け、前記短波長レーザー２６と略同時に発信さ
せても同様の作用・効果が得られる。
Ｚｎ−フェライトを使用したが、Ｎｉ−Ｚｎ−フェライ
トに限らず、酸化物であれば、同様の酸化促進作用と結
晶性改善作用とが得られる。又、酸化反応性ガスはＯ2
ガスやＮ2 Ｏガスに限らない。又、短波長レーザー光３
１は、ハーフミラーを使用して短波長レーザー光３０と
分割したが、基板（被薄膜形成体）照射用の短波長レー
ザーを設け、前記短波長レーザー２６と略同時に発信さ
せても同様の作用・効果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】本願第１発明のレーザーアブレーション
装置は、レーザー光のアブレーション作用によって酸化
物の薄膜を形成する場合に、被薄膜形成体上に、短波長
レーザー光を照射することによって、被薄膜形成体上を
マイグレーションしているアブレーション粒子を励起し
て、被薄膜形成体近傍の酸化反応性ガスと反応し易く
し、酸化反応を促進させ、成膜の酸素欠陥を低減し、結
晶性を改善できるので、酸化状態改善のための高温アニ
ールが不要になるという効果を奏する。
装置は、レーザー光のアブレーション作用によって酸化
物の薄膜を形成する場合に、被薄膜形成体上に、短波長
レーザー光を照射することによって、被薄膜形成体上を
マイグレーションしているアブレーション粒子を励起し
て、被薄膜形成体近傍の酸化反応性ガスと反応し易く
し、酸化反応を促進させ、成膜の酸素欠陥を低減し、結
晶性を改善できるので、酸化状態改善のための高温アニ
ールが不要になるという効果を奏する。
【００３４】本願第２発明のレーザーアブレーション装
置は、レーザー光のアブレーション作用によって酸化物
の薄膜を形成する場合に、短波長レーザー光を、被薄膜
形成体の表面近傍を被薄膜形成体と略平行に通過させる
ことによって、被薄膜形成体上に到達する前の前記アブ
レーション粒子を励起し、且つ、被薄膜形成体近傍の酸
化反応性ガスを解離しＯラジカルを発生させて、前記ア
ブレーション粒子とＯラジカルとの酸化反応を促進し、
成膜の酸素欠陥を低減し、結晶性を改善できるので、酸
化状態改善のための高温アニールが不要になるという効
果を奏する。
置は、レーザー光のアブレーション作用によって酸化物
の薄膜を形成する場合に、短波長レーザー光を、被薄膜
形成体の表面近傍を被薄膜形成体と略平行に通過させる
ことによって、被薄膜形成体上に到達する前の前記アブ
レーション粒子を励起し、且つ、被薄膜形成体近傍の酸
化反応性ガスを解離しＯラジカルを発生させて、前記ア
ブレーション粒子とＯラジカルとの酸化反応を促進し、
成膜の酸素欠陥を低減し、結晶性を改善できるので、酸
化状態改善のための高温アニールが不要になるという効
果を奏する。
【００３５】本願第１、第２発明のレーザーアブレーシ
ョン装置は、短波長レーザー光照射手段を、短波長レー
ザーからの短波長レーザー光を分岐する光学系にするこ
とによって、１つの短波長レーザーで構成できるという
効果を奏する。
ョン装置は、短波長レーザー光照射手段を、短波長レー
ザーからの短波長レーザー光を分岐する光学系にするこ
とによって、１つの短波長レーザーで構成できるという
効果を奏する。
【００３６】本願第３発明の薄膜形成方法は、本願発明
のレーザーアブレーション装置を使用し、酸化物の軟磁
性材料をターゲットとして、被薄膜形成体上に薄膜を形
成するので、上記のようにして、酸素欠陥が少なく、結
晶性が良い薄膜を形成でき、その結果として、従来は低
保磁力化のために必要であった酸化状態改善のための高
温アニール工程を省略して低保磁力の軟磁性薄膜を得ら
れるという効果を奏する。
のレーザーアブレーション装置を使用し、酸化物の軟磁
性材料をターゲットとして、被薄膜形成体上に薄膜を形
成するので、上記のようにして、酸素欠陥が少なく、結
晶性が良い薄膜を形成でき、その結果として、従来は低
保磁力化のために必要であった酸化状態改善のための高
温アニール工程を省略して低保磁力の軟磁性薄膜を得ら
れるという効果を奏する。
【図１】本願第１発明の一実施例の構成図である。
【図２】図１の動作図である。
【図３】本願第２発明の一実施例の構成図である。
【図４】図３の動作図である。
【図５】従来例の構成図である。
１ 真空槽 ２ ターゲット ２′ ターゲットホルダー ３ 基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー） ４ 基板（被薄膜形成体） ５ 排気手段 ６ ガス導入口 ７ 受光窓 ８ 短波長レーザー ９ ミラー １０ レンズ １１ ハーフミラー（短波長レーザー光照射手段） １２ ミラー（短波長レーザー光照射手段） １３ 短波長レーザー光 １４ 短波長レーザー光 １５ アブレーション粒子 １６ 薄膜 １７ マイグレーションしているアブレーション粒子 １８ Ｏ2 分子 １９ 真空槽 ２０ ターゲット ２０′ ターゲットホルダー ２１ 基板ホルダー（被薄膜形成体ホルダー） ２２ 基板（被薄膜形成体） ２３ 排気手段 ２４ ガス導入口 ２５ 受光窓 ２６ 短波長レーザー ２７ ミラー ２８ レンズ ２９ ハーフミラー（短波長レーザー光照射手段） ３０ 短波長レーザー光 ３１ 短波長レーザー光 ３２ アブレーション粒子 ３３ 薄膜 ３４ Ｏ2 分子 ３５ Ｏラジカル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西川 幸男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 排気手段と酸化反応性ガスを導入するガ
ス導入口と受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に
設置された、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保
持するターゲットホルダーと、このターゲットホルダー
に対向する位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被
薄膜形成体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光
窓を通して、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レ
ーザー光を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成
用のレーザーアブレーション装置において、前記ターゲ
ットに照射される短波長レーザー光の１／１０以下の強
度の短波長レーザー光を、前記真空槽の外部から前記受
光窓を通して、前記真空槽内の前記被薄膜形成体ホルダ
ーが保持する被薄膜形成体上に照射する短波長レーザー
光照射手段を有することを特徴とするレーザーアブレー
ション装置。 - 【請求項２】 排気手段と酸化反応性ガスを導入するガ
ス導入口と受光窓とを備えた真空槽と、この真空槽内に
設置された、酸化物の成膜材料からなるターゲットを保
持するターゲットホルダーと、このターゲットホルダー
に対向する位置に設置されて被薄膜形成体を保持する被
薄膜形成体ホルダーと、前記真空槽の外部から前記受光
窓を通して、前記真空槽内の前記ターゲットに短波長レ
ーザー光を照射する短波長レーザーとを有する薄膜形成
用のレーザーアブレーション装置において、短波長レー
ザー光を、前記真空槽の外部から前記受光窓を通して、
前記真空槽内の前記被薄膜形成体ホルダーが保持する被
薄膜形成体の表面近傍を被薄膜形成体と略平行に通過さ
せる短波長レーザー光照射手段を有することを特徴とす
るレーザーアブレーション装置。 - 【請求項３】 短波長レーザー光照射手段は、短波長レ
ーザーからの短波長レーザー光を分岐する光学系である
請求項１又は２に記載のレーザーアブレーション装置。 - 【請求項４】 請求項１、２又は３に記載のレーザーア
ブレーション装置を使用し、酸化物の軟磁性材料をター
ゲットとして、被薄膜形成体上に薄膜を形成することを
特徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP4140656A JPH05331632A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | レーザーアブレーション装置と薄膜形成方法 |
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| JP4140656A JPH05331632A (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | レーザーアブレーション装置と薄膜形成方法 |
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