JPH02163368A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

Info

Publication number
JPH02163368A
JPH02163368A JP63317477A JP31747788A JPH02163368A JP H02163368 A JPH02163368 A JP H02163368A JP 63317477 A JP63317477 A JP 63317477A JP 31747788 A JP31747788 A JP 31747788A JP H02163368 A JPH02163368 A JP H02163368A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
sputtering
gas
ratio
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63317477A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Tanaka
田中　邦生
Yoichi Onishi
陽一 大西
Masahide Yokoyama
政秀 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63317477A priority Critical patent/JPH02163368A/ja
Priority to KR1019890018307A priority patent/KR940001677B1/ko
Priority to US07/450,920 priority patent/US5082545A/en
Publication of JPH02163368A publication Critical patent/JPH02163368A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3421—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target using heated targets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497—Temperature of target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はスパッタリング装置に関し、特に化合物薄膜を
形成するために放電ガス中に反応性ガスを混入させる反
応性スパッタリングに用いられるスパッタリング装置に
関するものである。
従来の技術 放電ガス中に反応性のガスを混入させる反応性スパッタ
リング法により化合物薄膜を形成させたり、さらに反応
性のガスの流量を制御することにより化合物の組成比を
任意に変える反応性スパッタリング装置が一般に行われ
ている。
以下第６図を参照しながら、上述した反応性スパッタリ
ング装置について説明する。第６図は従来のスパッタリ
ング装置の断面図である。２４は内部が排気可能なチャ
ンバである。２５はチャンバ２４内に配置され薄膜が形
成される基板、２６は基板２５を保持しかつ自転ないし
公転させる基板ホルダである６２７は基板２６と対向し
て配置された金属ターゲットである。２８はターゲット
２７を保持するバッキングプレートである。２９はバッ
キングプレート２８を冷却する冷却水である。３０はＡ
ｒガス、３１は０２ガス・である。
３２．３３はガス流量を一定に保つバルブである。
まず陰極となるターゲット２７及びバッキングプレート
２８に高電圧を印加させ、グロー放電を発生させる。タ
ーゲット２７からスパッタされ飛散する粒子は０．ガス
３１と反応して基板２５上に堆積する。このときターゲ
ット２７としてＴｅを用いると、ターゲット２７表面で
プラズマによるＴｅと０２の反応が起きてＴｅ酸化物が
ターゲット２７表面に形成されるが、この酸化物形成速
度とターゲット２７のスパッタ速度の比によりＴｅ酸化
物薄膜のＯ／Ｔｅ比が決定される。したがって酸化物形
成速度と相関がある０□ガス分圧すなわち０２ガス量を
変えることにより、Ｔｅ酸化物膜のＯ／　Ｔ　ｅ比を変
えることが可能となる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、Ｔｅのように酸化
されやすい金属をターゲット材料として用いた場合、Ｔ
ｅターゲットが徐々に酸化してＴｅ酸化物形成速度が変
化し、第７図に示すように、○／Ｔｅ比が増加するとい
う問題があった。
このようにＯ／　Ｔ　ｅ比が変化すると、光記ｎ、膜の
ように組紘再現性が厳しく要求されるものでは、ｏ２ガ
ス量、を絶えず補正したり、ＴｅターゲットのＡｒイオ
ンによるスパッタクリーニングを行って表面の過剰な酸
化層を除去するといった作業が必要となり、生産上大き
な問題となっていた。
課題を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明のスパッタリング装
置は、ターゲットを加熱するための加熱手段を備えたこ
とを特徴とする。加熱手段としては赤外線などの光やレ
ーザ光が好適である。またターゲットの加熱状態を制御
するためターゲットの少なくともｌ＃分の温度を測定す
る、光を応用した温度計を備えると好適である。
作　　　用 本発明によれば、加熱手段でターゲットを加熱すること
により、ターゲット表面上で熱による酸化反応を併用し
てターゲット表面での、酸化とスパッタの各速度を平衡
させ、反応性スパッタにより形成される薄膜の組成を一
定にすることができる。
実施例 以下本発明の第１の実施例について第１図〜第４図を参
照して説明する。第１図は本実施例におけるスパッタリ
ング装置の断面図である。１は内部が排気可能なチャン
バである。２はチャンバ１内に配置され薄膜が形成され
る基板、３は基板２を保持しかつ自転ないし公転させる
基板ホルダである。４は基板２と対向して設置された金
属ターゲットである。５はターゲット４を保持するバッ
キングプレートである。６はバッキングプレート５を冷
却するための循環水、７はターゲット４表面を加熱する
ための赤外線ヒータである。８はＡｒガス、９は０２ガ
スである。１０．１１はガス流量を一定に保つバルブで
ある。１２は、ターゲット表面温度を測定するための光
を応用した温度系である。
まず、陰極となるターゲット４及びバッキングプレート
５に高電圧を印加し、グロー放電を発生させる。ターゲ
ット４からスパッタされ飛散する金属の粒子は０２ガス
９と反応して化合物となり基板２上に堆積する。このと
きターゲット４の材料としてＴｅを用いると薄膜として
Ｔｅ酸化膜が得られる。また、バルブ１１の開度を変え
ることにより０２ガス９の流量を変えＴｅ酸化膜のＯ／
Ｔｅ比を変えることが可能となる。
このようにＡｒガス８中に０２ガス９を混入させＴｅタ
ーゲット４をスパッタする場合、ターゲット４表面でＴ
ｅと○の反応が起きてＴｅ酸化物がターゲット４表面に
形成されるが、この酸化物形成速度とターゲット４のス
パッタ速度の比によりＯ／　Ｔ　ｅ比が決定される。し
たがってＯ／Ｔｅ比を一定に保つためには、酸化物形成
速度とスパッタ速度を一定にすることが要求される。
そのため本実施例では赤外線ヒータ７によりターゲット
４を加熱してターゲット４表面での熱による酸化反応を
併用している。これにより従来のプラズマによる酸化反
応のみの場合と比、較して低い０２ガス分圧下でも所定
のＯ／　Ｔ　ｅ比のＴｅ酸化膜が得られる。このため、
長時間の連続スパッタにともなうターゲット４の材質及
び形状の変化に対して、従来のプラズマのみによる酸化
反応ではＯ／　Ｔ　ｅ比を一定に保つためには、０２ガ
ス流量を絶えず補正したり、ＴｅターゲットのＡｒイオ
ンによるスパッタクリーニングを行う等の作業が必要だ
ったが、本実施例のように熱による酸化反応を併用した
場合では、ターゲット４表面での化学反応速度を決定す
るパラメータの１つであるターゲット温度を一定にする
ことができるので、安定したＯ／Ｔｅ比のＴｅ酸化膜の
形成が可能であり、また低い０２ガス分圧下でのスパッ
タが可能であるため、経時的にターゲット４の金属が酸
化して反応が安定しないということを改善できる。
第２図に本実施例のスパッタリング装置を用いたときの
成膜時間とＯ／Ｔｅ比の関係を示したグラフを示す。本
実施例のスパッタリング装置を用いることにより長時間
安定した成膜が可能となった。
また、ターゲット４としてＴｅを用いて成膜した場合の
ターゲット表面温度とＴｅＷ！！、化膜の反射率変化を
第３図に示す。Ｏ／Ｔｅ比とＴｅ酸化膜反射率との間に
は相関がありＯ／　Ｔ　ｅ比が大きいときには反射率は
小さくなる。グラフに示されるようにターゲット表面温
度を２５０℃以上に加熱した場合、反射率変化の小さい
安定した成膜ができる。
また第４図にスパッタ成膜後のターゲット表面温度の変
化を示す。ランプ加熱以外の循環水加熱ではスパッタ開
始後、徐々にターゲット表面温度は上昇し、やがて安定
する。このため、スパッタ開始直後の化学反応が安定せ
ず、所定のＯ／　Ｔ　ｅ比より小さい膜が形成される。
しかし本実施例のランプ加熱によれば、スパッタ開始後
すみやかにターゲット表面温度が安定するため、所定の
Ｏ／Ｔｅ比のＴｅ酸化膜が再現性良く形成できる。また
ランプ加熱でターゲット４表面のみを加熱するため、タ
ーゲツト４全体が加熱されター、ゲット４をバッキング
プレート５に固定するための半田が溶けてターゲット４
が剥離することが防げる。
またターゲット表面温度を測定するための光を応用した
温度計１２を用いて加熱状態を制御することにより±３
℃以下の再現性で加熱でき酸化物形成速度を一定にする
ことが可能となった。温度計１２として光を応用した計
測器を用いているため絶縁物や誘電体ターゲットのよう
に通常の直流スパッタが不可能で高周波スパッタを用い
る場合も、放電ノイズの影響・を受けず計測が可能であ
る。
以下本発明の第２の実施例について第５図を参照して説
明する。第５図は実施例におけるスパッタリング装置の
断面図である。１２は内部が排気可能なチャンバである
。１３はチャンバ１２内に配置され薄膜が形成される基
板、１４は基板１３を保持しかつ自転ないし公転させる
基板ホルダである。１５は基板１３と対向した設置され
た金属ターゲットである。１６はターゲット１５を保持
するバッキングプレートである。１７はバッキングプレ
ート１６を冷却するための循環水、１８はターゲット１
５の表面を照射するレーザビーム源、１９はそのレーザ
ビームによってターゲット１５表面上を走査するための
光学系、２０はＡｒカス、２１は０２ガスである。２２
．２３はガス流量を一定に保つバルブである。
まず陰極となるターゲット１５及びバッキングプレート
１６に高電圧を印加し、グロー放電を発生させる。ター
ゲット１５から飛散する金属の粒０２ガス２１と反応し
て化合物となり基板１３上に堆積する。このときターゲ
ット１５の材料としてＴｅを用いると薄膜としてＴｅ酸
化膜が得られる。また、バルブ２３の開度を変えること
により０２ガス２１の流量を変えることが可能となる。
このようにＡｒガス２ｏ中に０２ガス２１を混入させＴ
ｅターゲット１５をスパッタする場合、ターゲット１５
表面でＴｅと○の反応が起きてＴｅ酸化物がターゲット
１５表面に形成されるが、この酸化物形成速度とターゲ
ット１５のスパッタ速度の比によりＯ／　Ｔ　ｅ比が決
定される。ルたが、。
てＯ／　Ｔ　ｅ比を一定に保つためには酸化物形成速度
とスパッタ速度を一定にすることが要求される。
酸化物形成速度を一定にするには、ターゲット１５表面
での化学反応速度を決定するパラメータの１つであるタ
ーゲット表面温度を一定にすることが必要となる。スパ
ッタリング装置では通常プラズマを磁界により閉じ込め
るマグネトロンスパッタを用いるが、この場合、ターゲ
ット表面上の温度分布はプラズマ閉じ込め領域の温度が
高い不均一なものになる。また、近年、ターゲット１５
の材料効率を改善するためにコイル等を用いてプラズマ
閉じ込め領域を移動させる方法があるが、この場合ター
ゲット１５の温度分布が時間的に変化し、酸化物形成速
度が不安定である。
したがって本実施例では光学系１９によりレーザビーム
の走査領域及び走査速度を変えてターゲツト面内の温度
分布が均一となるように加熱している。これにより酸化
物形成速度を一定に保ち、Ｏ／Ｔｅ比の安定した組成再
現性のよい成膜ができる。
なお、実施例ではレーザビーム加熱による酸化を行って
いるが、エキシマレーザや第２高調波ＹＡＧレーザ等の
短波長レーザの光化学反応によるターゲット酸化を行っ
てもよい。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、反応性スパッタによ
り形成される薄膜の組成を一定にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例におけるスパッタリング
装置の断面図、再２図は同実施例のスパッタリング装置
を用いたときの成膜時間と０ＺＴｅ比の関係したグラフ
、第３図は同実施例のスパッタリング装置を用いたとき
のターゲット表面温度と反射率変化を示したグラフ、第
４図は同実施例のスパッタリング装置を用いたときのス
パッタ成膜後のターゲット表面温度の変化を示したグラ
フ、第５図は、本発明の第２の実施例におけるスパッタ
リング装置の断面図、第６図は、従来のスパッタリング
装置の断面図、第７図は従来のスパッタリング装置の成
膜時間とＯ／Ｔｅ比の関係を示したグラフである。 １．１２・・・・・・チャンバ、３，１４・・・・・・
基板ホルダ、４，１５・・・・・・ターゲット、５−１
６・・・・・・バッキングプレート、７・・・・・・赤
外線ヒータ、１０，１１゜２２．２３・・・・・・バル
ブ、１２．温度計、１８・・・・・・レーザビーム源、
１９光学系。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名第３図 タープ１．ト久佃彊、庄　〔゛り 第４図 □湾運ｊ（１幣 人腺Ｂ’？　］％”ｌ　＜蒔閏） 載 ｑ 家伝

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）真空を維持することが可能な真空容器と、真空容
    器内にガスを導入するためのガス導入手段と、真空容器
    内のターゲット近傍に低温プラズマを発生するためのプ
    ラズマ発生手段と、ターゲットを加熱するための加熱手
    段とを備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
  2. （２）加熱手段が光であることを特徴とする請求項１記
    載のスパッタリング装置。
  3. （３）加熱手段がレーザー光であることを特徴とする請
    求項１記載のスパッタリング装置。
  4. （４）ターゲットの加熱状態を制御するためターゲット
    の少なくとも１部分の温度を測定する光を応用した温度
    計を備えたことを特徴とする請求項１記載のスパッタリ
    ング装置。
JP63317477A 1988-12-15 1988-12-15 スパッタリング装置 Pending JPH02163368A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63317477A JPH02163368A (ja) 1988-12-15 1988-12-15 スパッタリング装置
KR1019890018307A KR940001677B1 (ko) 1988-12-15 1989-12-11 스퍼터링 장치
US07/450,920 US5082545A (en) 1988-12-15 1989-12-14 Sputtering apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63317477A JPH02163368A (ja) 1988-12-15 1988-12-15 スパッタリング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02163368A true JPH02163368A (ja) 1990-06-22

Family

ID=18088666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63317477A Pending JPH02163368A (ja) 1988-12-15 1988-12-15 スパッタリング装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5082545A (ja)
JP (1) JPH02163368A (ja)
KR (1) KR940001677B1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05331632A (ja) * 1992-06-01 1993-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザーアブレーション装置と薄膜形成方法
US5510088A (en) * 1992-06-11 1996-04-23 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Low temperature plasma film deposition using dielectric chamber as source material
US5444302A (en) * 1992-12-25 1995-08-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor device including multi-layer conductive thin film of polycrystalline material
US5429732A (en) * 1994-02-14 1995-07-04 Hughes Aircraft Company High rate ion beam sputtering process
US5490912A (en) * 1994-05-31 1996-02-13 The Regents Of The University Of California Apparatus for laser assisted thin film deposition
JP2882572B2 (ja) * 1994-08-31 1999-04-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 金属薄膜をレーザで平坦化する方法
US5628889A (en) * 1994-09-06 1997-05-13 International Business Machines Corporation High power capacity magnetron cathode
FR2744462B1 (fr) * 1996-02-02 1998-02-27 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif pour realiser un depot par pulverisation cathodique a partir d'une cible portee a haute temperature
JP3429957B2 (ja) * 1996-08-28 2003-07-28 松下電器産業株式会社 スパッタリング方法及び装置
JP3680029B2 (ja) * 2001-08-08 2005-08-10 三菱重工業株式会社 金属薄膜の気相成長方法およびその気相成長装置
DE10142831A1 (de) * 2001-08-21 2003-03-13 Siemens Ag Verfahren zur Konditionierung einer Targetoberfläche bei einem Sputterbeschichtungsprozess eines Substrats und entsprechende Sputteranlage
US7431807B2 (en) * 2005-01-07 2008-10-07 Universal Display Corporation Evaporation method using infrared guiding heater

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5644770A (en) * 1979-09-17 1981-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Preparation of thin film
JPS5647951A (en) * 1979-09-20 1981-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tone arm driver
JPS63162864A (ja) * 1986-12-26 1988-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反応性スパッタリング方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3472751A (en) * 1965-06-16 1969-10-14 Ion Physics Corp Method and apparatus for forming deposits on a substrate by cathode sputtering using a focussed ion beam
FR1534917A (fr) * 1967-06-22 1968-08-02 Alcatel Sa Perfectionnements à l'obtention de dépôts par pulvérisation cathodique
US4046666A (en) * 1976-05-07 1977-09-06 The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration Device for providing high-intensity ion or electron beam
US4033843A (en) * 1976-05-27 1977-07-05 General Dynamics Corporation Simple method of preparing structurally high quality PbSnTe films
US4407708A (en) * 1981-08-06 1983-10-04 Eaton Corporation Method for operating a magnetron sputtering apparatus
US4487675A (en) * 1983-01-31 1984-12-11 Meckel Benjamin B Magnetically-assisted sputtering method for producing vertical recording media
US4664769A (en) * 1985-10-28 1987-05-12 International Business Machines Corporation Photoelectric enhanced plasma glow discharge system and method including radiation means
JP2555045B2 (ja) * 1987-01-19 1996-11-20 株式会社日立製作所 薄膜形成方法及びその装置
JPH01152271A (ja) * 1987-12-09 1989-06-14 Toshiba Corp スパッタ装置
DE3834318A1 (de) * 1988-10-08 1990-04-12 Leybold Ag Vorrichtung zum aufbringen dielektrischer oder metallischer werkstoffe
US4923585A (en) * 1988-11-02 1990-05-08 Arch Development Corporation Sputter deposition for multi-component thin films

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5644770A (en) * 1979-09-17 1981-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Preparation of thin film
JPS5647951A (en) * 1979-09-20 1981-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Tone arm driver
JPS63162864A (ja) * 1986-12-26 1988-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反応性スパッタリング方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR900010048A (ko) 1990-07-06
US5082545A (en) 1992-01-21
KR940001677B1 (ko) 1994-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6238527B1 (en) Thin film forming apparatus and method of forming thin film of compound by using the same
JPH02163368A (ja) スパッタリング装置
US5019552A (en) Long-laser-pulse method of producing thin films
US6176978B1 (en) Pasting layer formation method for high density plasma deposition chambers
JP2511503B2 (ja) タングステン膜の形成方法
RU2117338C1 (ru) Система материалов для магнитооптической записи
JPS60204626A (ja) 酸化鉄薄膜の形成方法および装置
KR20050059097A (ko) 스퍼터 증착의 실버 셀레나이드 막 화학양론 및 형상 제어
JPH11172430A (ja) 薄膜形成装置及びそれを用いた化合物薄膜の形成法
JP2830000B2 (ja) スパッタリング方法及びその装置
Wu et al. Pulsed laser deposition of oxide superconducting thin films
JPS63162864A (ja) 反応性スパッタリング方法
JPH0711438A (ja) 基板温度を制御する成膜方法及びその装置
JPS6211685A (ja) 光学的記録媒体
JPH01275750A (ja) 金属薄膜の製造装置
JPH0776419B2 (ja) スパッタ成膜方法及び成膜装置
JPH06228741A (ja) 酸化物超電導テープ製造用加熱ヒータおよび酸化物超電導テープの製造方法
JP3281646B2 (ja) 透明導電膜の製造方法
JPH11100670A (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JPH01132760A (ja) スパッタ成膜方法及び成膜装置
JPH06158301A (ja) スパッタリング装置
JPH0444812B2 (ja)
SU1105946A1 (ru) Способ изготовлени тонкопленочных терморезисторов
JPS6329735Y2 (ja)
JPH02171289A (ja) 情報記録媒体