JPH05334179A - メモリ集積回路 - Google Patents

メモリ集積回路

Info

Publication number
JPH05334179A
JPH05334179A JP4163905A JP16390592A JPH05334179A JP H05334179 A JPH05334179 A JP H05334179A JP 4163905 A JP4163905 A JP 4163905A JP 16390592 A JP16390592 A JP 16390592A JP H05334179 A JPH05334179 A JP H05334179A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
address value
weight
address
row
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4163905A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Tsuchida
良憲 土田
Akira Nakamura
彰 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP4163905A priority Critical patent/JPH05334179A/ja
Publication of JPH05334179A publication Critical patent/JPH05334179A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Memory System (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数の異なるプロセッサを使用する処理装置
において、使用する各プロセッサに対応したデータ形式
に出力データを変換するビットの重み反転制御手段を具
備するメモリ集積回路を提供すること。 【構成】 データを記憶するメモリセルアレイ3と、ロ
ーアドレス値を入力する第1のアドレスバッファ1と、
この第1のアドレスバッファ1からのローアドレス値を
デコードするローデコーダ2と、カラムアドレス値を入
力する第2のアドレスバッファ8と、この第2のアドレ
スバッファ8からのカラムアドレス値をデコードするカ
ラムデコーダ6と、ローデコーダ2とカラムデコーダ6
からのアドレス値に従ってメモリセルアレイ3からデー
タの読み出しを行うセンススイッチ5と、重み反転信号
Sによりセンススイッチ5からのデータのビットの重み
反転を制御しデータバスに出力する出力データ重み反転
回路7とから構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリ集積回路に係
り、とくに複数の異なるプロセッサを使用する処理装置
に好適なメモリ集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】イメージ処理等で複数の異なるプロセッ
サを使用する場合、データ形式がプロセッサによってL
SB(Least Significant Bit)
ファーストのものとMSB(Most Signifi
cant Bit)ファーストのものがあり、データの
やりとりをする際に必要に応じてビットの重みを反転す
る必要がある。従来のメモリ集積回路においては、ビッ
トの重みを反転する場合には、図3に示されるようにメ
モリ集積回路12の外部に重み反転信号Sに基づいて入
出力データの重みを反転させる重み反転回路11が具備
されていた。 (1)データ書き込み時: .重み反転回路11は、方向制御信号DIRに基づき
データの出力方向をメモリ集積回路12側にする。 .また重み反転回路11は、重み反転信号Sに基づき
データの重みを反転するかしないかを選択する。 ここで、重み反転信号Sが反転指示の場合は、重み反転
回路11は、入力データI/O1〜I/O8を反転させメ
モリ集積回路12に出力する。一方、重み反転信号Sが
非反転指示の場合は、重み反転回路11は、入力データ
I/O1〜I/O8を反転させずにメモリ集積回路12に
出力する。 .メモリ集積回路12は重み反転回路11からの入力
データを書き込む。 (2)データ読み出し時: .重み反転回路11は、方向制御信号DIRに基づき
データの出力方向を外部データバス側にする。 .また重み反転回路11は、重み反転信号Sに基づき
データの重みを反転するかしないかを選択する。 ここで、重み反転信号Sが反転指示の場合は、重み反転
回路11は、メモリ集積回路12からの出力信号を反転
させデータI/O1〜I/O8として外部データバスに出
力する。一方、重み反転信号Sが非反転指示の場合は、
重み反転回路11は、メモリ集積回路12からの出力信
号を反転させずデータI/O1〜I/O8として外部デー
タバスに出力する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、ビットの重み反転制御用の重み反転回
路を外付けとしているために、回路が複雑になるととも
に部品点数が多く、省電力化や小型化が困難であるとい
う不都合があった。
【0004】
【発明の目的】本発明の目的は、かかる従来例の有する
不都合を改善し、とくに複数の異なるプロセッサを使用
する処理装置において、使用する各プロセッサに対応し
たデータ形式に出力データを変換するビットの重み反転
制御手段を具備するメモリ集積回路を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、デ
ータを記憶するメモリセルアレイと、ローアドレス値を
入力する第1のアドレスバッファと、この第1のアドレ
スバッファからのローアドレス値をデコードするローデ
コーダと、カラムアドレス値を入力する第2のアドレス
バッファと、この第2のアドレスバッファからのカラム
アドレス値をデコードするカラムデコーダと、ローデコ
ーダとカラムデコーダからのアドレス値に従ってメモリ
セルアレイからデータの読み出しを行うセンススイッチ
とを備えている。そして、外部から入力される重み反転
信号によりセンススイッチからのデータのビットの重み
反転を制御しデータバスに出力する出力データ重み反転
回路とを具備するという構成を採っている。これによっ
て前述した目的を達成しようとするものである。
【0006】
【作用】読み出しアドレス値のうちローアドレス値は第
1のアドレスバッファに入力され、カラムアドレス値を
第2のアドレスバッファに入力される。CS(Chip
Select:チップ選択信号)とOE(Outpu
t Enable:読み出し信号)が「ローレベル」に
なると、第1のアドレスバッファに格納されたローアド
レス値は、ローデコーダに送られデコードされ、一方第
2のアドレスバッファに格納されたカラムアドレス値
は、カラムデコーダに送られデコードされる。センスス
イッチは、ローデコーダとカラムデコーダからの読み出
しアドレス値によりメモリセルアレイの中の読み出すべ
きメモリセルを選択し、当該メモリセルからデータを読
み出す。このメモリセルアレイから読み出されたデータ
はセンススイッチを介して出力データ重み反転回路に出
力される。出力データ重み反転回路は、重み反転信号が
反転指示であれば、センススイッチからのデータの重み
を反転し、データバスに出力する。一方、重み反転信号
が非反転指示であれば、出力データ重み反転回路はセン
ススイッチからのデータの重みを反転せずそのままデー
タバスに出力する。
【0007】
【発明の実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし
図2に基づいて説明する。第1の実施例は、図1に示さ
れるように、データを記憶するメモリセルアレイ3と、
ローアドレス値ARを入力する第1のアドレスバッファ
1と、第1のアドレスバッファ1からのローアドレス値
ARをデコードするローデコーダ2と、カラムアドレス
値ACを入力する第2のアドレスバッファ8と、第2の
アドレスバッファ8からのカラムアドレス値ACをデコ
ードするカラムデコーダ6と、入出力データバスI/O
1〜I/O8上のデータを入力する入力データコントロー
ル4と、ローデコーダ2とカラムデコーダ6からのアド
レス値に従って入力データコントロール4からの入力デ
ータをメモリセルアレイ3に格納するとともに、メモリ
セルアレイ3からデータの読み出しを行うセンススイッ
チ5と、重み反転信号Sによりセンススイッチ5からの
データのビットの重み反転を制御し入出力データバスI
/O1〜I/O8に出力する出力データ重み反転回路7と
から構成される。ここで、第1のアドレスバッファ1
は、CS(Chip Select:チップ選択信号)
が「ローレベル」になるとアドレスバス上のローアドレ
ス値ARを取り込む。入力データコントロール4は、C
S(Chip Select:チップ選択信号)とWE
(Wright Enable:書き込み信号)がとも
に、「ローレベル」になると入出力データバスI/O1
〜I/O8上のデータを取り込む。出力データ重み反転
回路7は、CS(Chip Select:チップ選択
信号)とOE(Output Enable:読み出し
信号)がともに「ローレベル」で、かつWE(Wrig
ht Enable:書き込み信号)が「ハイレベル」
になると動作する。次に、本実施例の動作について説明
する。 (1)データ書き込み時: .書き込みアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。書き込みアドレス
値のうちカラムアドレス値ACを第2のアドレスバッフ
ァ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とWE(WrightEnable:書き込み信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .入力データコントロール4は、入出力データバスI
/O1〜I/O8上のデータ[a,b,c,d,e,f,
g,h]を取り込み、センススイッチ5に出力する。 .センススイッチ5は、入力データコントロール4か
らの入力データ[a,b,c,d,e,f,g,h]
を、ローデコーダ2とカラムデコーダ6からの書き込み
アドレス値に従いメモリセルアレイ3の当該アドレス位
置のメモリセルに書き込む。 (2)データの読み出し時: .読み出しアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。 読み出しアドレス値のうちカラムアドレス値ACを第2
のアドレスバッファ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とOE(OutputEnable:読み出し信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .センススイッチ5は、ローデコーダ2とカラムデコ
ーダ6からの読み出しアドレス値によりメモリセルアレ
イ3の中の読み出すべきメモリセルを選択し、当該メモ
リセルから8ビットのデータ[a,b,c,d,e,
f,g,h]を読み出す。 .メモリセルアレイ3から読み出されたデータ[a,
b,c,d,e,f,g,h]は、センススイッチ5を
介して出力データ重み反転回路7に出力される。 .出力データ重み反転回路7は、重み反転信号Sが反
転指示であれば、センススイッチ5からのデータ[a,
b,c,d,e,f,g,h]の重みを反転し、[h,
g,f,e,d,c,b,a]というデータに変換して
データバスI/O1〜I/O8にそれぞれ出力する。 一方、重み反転信号Sが非反転指示であれば、出力デー
タ重み反転回路7はセンススイッチ5からのデータ
[a,b,c,d,e,f,g,h]の重みを反転せ
ず、そのままデータバスI/O1〜I/O8にそれぞれ出
力する。第2の実施例は、図2に示されるように、デー
タを記憶するメモリセルアレイ3と、ローアドレス値A
Rを入力する第1のアドレスバッファ1と、第1のアド
レスバッファ1からのローアドレス値ARをデコードす
るローデコーダ2と、カラムアドレス値ACを入力する
第2のアドレスバッファ8と、第2のアドレスバッファ
8からのカラムアドレス値ACをデコードするカラムデ
コーダ6と、入出力データバスI/O1〜I/O8上のデ
ータを入力する入力データコントロール4と、ローデコ
ーダ2とカラムデコーダ6からのアドレス値に従って入
力データコントロール4からのデータをメモリセルアレ
イ3に格納するとともにメモリセルアレイ3からデータ
の読み出しを行うセンススイッチ5と、重み反転信号S
と分割信号Wによりセンススイッチ5からのデータのビ
ットの重み反転を制御し入出力データバスI/O1〜I
/O8に出力する出力データ分割・重み反転回路10と
から構成される。ここで、第1のアドレスバッファ1
は、CS(Chip Select:チップ選択信号)
が「ローレベル」になるとアドレスバス上のローアドレ
ス値ARを取り込む。入力データコントロール4は、C
S(Chip Select:チップ選択信号)とWE
(Wright Enable:書き込み信号)がとも
に、「ローレベル」になると入出力データバスI/O1
〜I/O8上のデータを取り込む。出力データ分割・重
み反転回路10は、CS(Chip Select:チ
ップ選択信号)とOE(Output Enable:
読み出し信号)がともに「ローレベル」で、かつWE
(Wright Enable:書き込み信号)が「ハ
イレベル」になると動作する。次に、本実施例の動作に
ついて説明する。 (1)データ書き込み時: .書き込みアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。書き込みアドレス
値のうちカラムアドレス値ACを第2のアドレスバッフ
ァ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とWE(WrightEnable:書き込み信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .入力データコントロール4は、入出力データバスI
/O1〜I/O8上のデータ[a,b,c,d,e,f,
g,h]を取り込み、センススイッチ5に出力する。 .センススイッチ5は、入力データコントロール4か
らの入力データ[a,b,c,d,e,f,g,h]
を、ローデコーダ2とカラムデコーダ6からの書き込み
アドレス値に従いメモリセルアレイ3の当該アドレス位
置のメモリセルに書き込む。 (2)データの読み出し時: .読み出しアドレス値のうちローアドレス値ARを第
1のアドレスバッファ1に入力する。読み出しアドレス
値のうちカラムアドレス値ACを第2のアドレスバッフ
ァ8に入力する。 .CS(Chip Select:チップ選択信号)
とOE(OutputEnable:読み出し信号)を
「ローレベル」にする。 .第1のアドレスバッファ1に格納されたローアドレ
ス値ARは、ローデコーダ2に送られデコードされる。
第2のアドレスバッファ8に格納されたカラムアドレス
値ACは、カラムデコーダ6に送られデコードされる。 .センススイッチ5は、ローデコーダ2とカラムデコ
ーダ6からの読み出しアドレス値によりメモリセルアレ
イ3の中の読み出すべきメモリセルを選択し、当該メモ
リセルから8ビットのデータ[a,b,c,d,e,
f,g,h]を読み出す。 .メモリセルアレイ3から読み出されたデータ[a,
b,c,d,e,f,g,h]はセンススイッチ5を介
して出力データ分割・重み反転回路10に出力される。 .出力データ分割・重み反転回路10は、重み反転信
号Sが非反転に選択されていれば、データの重みを反転
せず、センススイッチ5からのデータ[a,b,c,
d,e,f,g,h]をそのままデータバスI/O1〜
I/O8にそれぞれ出力する。 また、重み反転信号Sが反転に選択されており、かつ分
割信号Wが分割に選択されていれば、出力データ分割・
重み反転回路10はセンススイッチ5からのデータ
[a,b,c,d,e,f,g,h]を4ビットずつに
分割して重みを反転し、[d,c,b,a,h,g,
f,e]というデータに変換してデータバスI/O1〜
I/O8にそれぞれ出力する。あるいは重み反転信号S
が反転に選択されており、かつ分割信号Wが非分割に選
択されていれば、出力データ分割・重み反転回路10は
センススイッチ5からのデータ[a,b,c,d,e,
f,g,h]を分割せずに重みを反転し、[h,g,
f,e,d,c,b,a]というデータに変換してデー
タバスI/O1〜I/O8にそれぞれ出力する。
【0008】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、複数の異なるプロセッサを使用す
る処理装置において、使用する各プロセッサに対応した
データ形式に出力データを変換するためのビットの重み
反転制御用の重み反転回路を外付けすることなく出力デ
ータのビットの重みを反転制御することができ、これが
ため、回路構成が簡単になり、部品点数を減らすことが
できるとともに、装置の小型化、信頼性および経済性の
向上を図ることができるという従来にない優れたメモリ
集積回路を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示す構成図である。
【図2】本発明の第2の実施例を示す構成図である。
【図3】従来例を示す構成図である。
【符号の説明】
1 第1のアドレスバッファ 2 ローデコーダ 3 メモリセルアレイ 4 入力データコントロール 5 センススイッチ 6 カラムデコーダ 7 出力データ重み反転回路 8 第2のアドレスバッファ 9 出力データ分割・重み反転回路 S 重み反転信号 W 分割信号

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データを記憶するメモリセルアレイと、
    ローアドレス値を入力する第1のアドレスバッファと、
    この第1のアドレスバッファからのローアドレス値をデ
    コードするローデコーダと、カラムアドレス値を入力す
    る第2のアドレスバッファと、この第2のアドレスバッ
    ファからのカラムアドレス値をデコードするカラムデコ
    ーダと、前記ローデコーダと前記カラムデコーダからの
    アドレス値に従って前記メモリセルアレイからデータの
    読み出しを行うセンススイッチとを備え、外部から入力
    される重み反転信号により前記センススイッチからのデ
    ータのビットの重み反転を制御しデータバスに出力する
    出力データ重み反転回路を装備したことを特徴とするメ
    モリ集積回路。
  2. 【請求項2】 データを記憶するメモリセルアレイと、
    ローアドレス値を入力する第1のアドレスバッファと、
    この第1のアドレスバッファからのローアドレス値をデ
    コードするローデコーダと、カラムアドレス値を入力す
    る第2のアドレスバッファと、この第2のアドレスバッ
    ファからのカラムアドレス値をデコードするカラムデコ
    ーダと、前記ローデコーダと前記カラムデコーダからの
    アドレス値に従って前記メモリセルアレイからデータの
    読み出しを行うセンススイッチとを備え、外部から入力
    された重み反転信号と分割信号により前記センススイッ
    チからのデータのビットの重み反転を制御しデータバス
    に出力する出力データ分割・重み反転回路を装備したこ
    とを特徴とするメモリ集積回路。
JP4163905A 1992-05-29 1992-05-29 メモリ集積回路 Withdrawn JPH05334179A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4163905A JPH05334179A (ja) 1992-05-29 1992-05-29 メモリ集積回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4163905A JPH05334179A (ja) 1992-05-29 1992-05-29 メモリ集積回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05334179A true JPH05334179A (ja) 1993-12-17

Family

ID=15783058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4163905A Withdrawn JPH05334179A (ja) 1992-05-29 1992-05-29 メモリ集積回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05334179A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013542529A (ja) * 2010-11-02 2013-11-21 マイクロン テクノロジー, インク. データ信号ミラーリング

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013542529A (ja) * 2010-11-02 2013-11-21 マイクロン テクノロジー, インク. データ信号ミラーリング
US10108684B2 (en) 2010-11-02 2018-10-23 Micron Technology, Inc. Data signal mirroring

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3676411B2 (ja) レジスタファイル装置及びレジスタファイルアクセス方法
JPH05282147A (ja) レジスタファイル
JP2001052479A (ja) メモリ装置
JPH05334179A (ja) メモリ集積回路
JPH0612608B2 (ja) 半導体記憶装置
JPS63226735A (ja) レジスタ回路
JPH07226079A (ja) 半導体メモリ装置
JP2517126B2 (ja) 半導体記憶装置
JPH0520173A (ja) キヤツシユメモリ回路
JPH03191450A (ja) メモリーカードの不良チップ代替え回路
KR920000401B1 (ko) 데이터 버퍼링회로
JPS6180341A (ja) スタテツク・ランダム・アクセス・メモリ装置
JP3091522B2 (ja) メモリ回路
JPH04263332A (ja) マルチポート型ランダムアクセスメモリ内蔵情報処理            装置
JPS63208142A (ja) 情報処理装置
JPH05289938A (ja) メモリアクセス装置
JPS62298990A (ja) 高速メモリ装置
JP2000003588A (ja) 半導体メモリ
JPS6121541A (ja) 記憶回路
JPS61251945A (ja) 記憶装置のアクセス制御方式
JPS58146081A (ja) メモリ入出力回路
JPH06275079A (ja) 半導体記憶装置
JPS59191184A (ja) メモリ装置
JPH04344991A (ja) マイクロコンピュータ
JPH11162171A (ja) 半導体メモリおよび半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990803