JPH05334648A - 磁気記録媒体とその製造方法および装置 - Google Patents
磁気記録媒体とその製造方法および装置Info
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- JPH05334648A JPH05334648A JP16529992A JP16529992A JPH05334648A JP H05334648 A JPH05334648 A JP H05334648A JP 16529992 A JP16529992 A JP 16529992A JP 16529992 A JP16529992 A JP 16529992A JP H05334648 A JPH05334648 A JP H05334648A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力Ｈｃとした磁気記録媒体と、この磁
気記録媒体の製造に適した方法および装置を提供する。 【構成】 磁気記録媒体は、基板上のＣｏＣｒＴａ層が
Ｃｒ層を挟んで複数層としてある。製造装置は、スパッ
タリング室にＣｏＣｒＴａターゲットとＣｒターゲット
を設置すると共に、基板ホルダー上の基板が、ＣｏＣｒ
ＴａターゲットとＣｒターゲットに順次対向可能に構成
する。このような装置で、基板をＣｏＣｒＴａターゲッ
トとＣｒターゲットに交互に静止対向させてスパッタリ
ングを行い、ＣｏＣｒＴａ膜とＣｒ膜を順次成膜する。
気記録媒体の製造に適した方法および装置を提供する。 【構成】 磁気記録媒体は、基板上のＣｏＣｒＴａ層が
Ｃｒ層を挟んで複数層としてある。製造装置は、スパッ
タリング室にＣｏＣｒＴａターゲットとＣｒターゲット
を設置すると共に、基板ホルダー上の基板が、ＣｏＣｒ
ＴａターゲットとＣｒターゲットに順次対向可能に構成
する。このような装置で、基板をＣｏＣｒＴａターゲッ
トとＣｒターゲットに交互に静止対向させてスパッタリ
ングを行い、ＣｏＣｒＴａ膜とＣｒ膜を順次成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、保磁力を向上した磁
気記録媒体と、その製造方法および装置に関する。
気記録媒体と、その製造方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、円盤型の磁気記録媒体は、図７に
示したように、アルミニウムなどの非磁性材料製の基板
１の表面にＮｉＰメッキ層２を形成した後、Ｃｒ又はＣ
ｒ合金の下地層３と、磁性材料でなるＣｏＣｒＴａ層４
を順次設けて構成している（例えば特開平３−４９０２
０号公報）。前記下地層３やＣｏＣｒＴａ層４は、スパ
ッタリング法による成膜技術が採用され、量産型の設備
では、基板がスパッタリング室を通過する連続処理方式
とされているものもあった。前記ＣｏＣｒＴａ層４は磁
性膜層を構成する為で、ＣｏＣｒＴａの他、ＣｏＣｒＴ
ａＮｉ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣｒＴａＷ、ＣｏＣｒ
Ｎｉ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、又はＣｏＣｒＮｉＷ膜とする
場合もあった。
示したように、アルミニウムなどの非磁性材料製の基板
１の表面にＮｉＰメッキ層２を形成した後、Ｃｒ又はＣ
ｒ合金の下地層３と、磁性材料でなるＣｏＣｒＴａ層４
を順次設けて構成している（例えば特開平３−４９０２
０号公報）。前記下地層３やＣｏＣｒＴａ層４は、スパ
ッタリング法による成膜技術が採用され、量産型の設備
では、基板がスパッタリング室を通過する連続処理方式
とされているものもあった。前記ＣｏＣｒＴａ層４は磁
性膜層を構成する為で、ＣｏＣｒＴａの他、ＣｏＣｒＴ
ａＮｉ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣｒＴａＷ、ＣｏＣｒ
Ｎｉ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、又はＣｏＣｒＮｉＷ膜とする
場合もあった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような磁気記録媒
体は、記録密度の高密度化の為に磁性膜層の保磁力Ｈｃ
を向上することが要請されているが、現在の所、保磁力
ＨｃはＣｏＣｒＴａ膜で１５００Ｏｅが限界であった。
この限界を超える為に、磁性膜層をＰｔ系の合金材料に
代える試みや、スパッタリング中に基板にバイアス電圧
を印加する試みがなされている。
体は、記録密度の高密度化の為に磁性膜層の保磁力Ｈｃ
を向上することが要請されているが、現在の所、保磁力
ＨｃはＣｏＣｒＴａ膜で１５００Ｏｅが限界であった。
この限界を超える為に、磁性膜層をＰｔ系の合金材料に
代える試みや、スパッタリング中に基板にバイアス電圧
を印加する試みがなされている。
【０００４】然し乍ら、磁性材料をＰｔ系の合金材料と
するには、Ｐｔ系の合金ターゲットを必要とし、コスト
（Ｃｏ系の５０倍以上）が高騰して採用が難しかった。
また、スパッタリング中に基板にバイアス電圧を印加す
る試みは、保磁力Ｈｃを１８００Ｏｅ程度に向上できる
（ＣｏＣｒＴａ膜の場合）に止まり、それ程の効果は期
待できなかった。更に、基板がスパッタリング室を通過
するようにした連続処理方式とした量産型の設備では、
基板ホルダーが移動するため、接地電位から絶縁するこ
とが難しく、安定したバイアス電圧の印加が困難であっ
た。
するには、Ｐｔ系の合金ターゲットを必要とし、コスト
（Ｃｏ系の５０倍以上）が高騰して採用が難しかった。
また、スパッタリング中に基板にバイアス電圧を印加す
る試みは、保磁力Ｈｃを１８００Ｏｅ程度に向上できる
（ＣｏＣｒＴａ膜の場合）に止まり、それ程の効果は期
待できなかった。更に、基板がスパッタリング室を通過
するようにした連続処理方式とした量産型の設備では、
基板ホルダーが移動するため、接地電位から絶縁するこ
とが難しく、安定したバイアス電圧の印加が困難であっ
た。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】この発明は、前記の如くの
問題点に鑑みてなされたもので、基板にＣｏＣｒＴａ膜
その他の磁性膜を形成した磁気記録媒体であって、高い
保磁力Ｈｃとした媒体を提供することを目的としてい
る。
問題点に鑑みてなされたもので、基板にＣｏＣｒＴａ膜
その他の磁性膜を形成した磁気記録媒体であって、高い
保磁力Ｈｃとした媒体を提供することを目的としてい
る。
【０００６】また、この発明は、このような高保磁力Ｈ
ｃの磁気記録媒体の製造に適した方法および装置を提供
することも目的としている。
ｃの磁気記録媒体の製造に適した方法および装置を提供
することも目的としている。
【０００７】斯る目的を達成するこの発明の磁気記録媒
体は、基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜を形成して
なる磁気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＴａ膜その他
の磁性膜がＣｒ又はＣｒ合金膜を挟んで複数層としてあ
ることを特徴としている。
体は、基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜を形成して
なる磁気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＴａ膜その他
の磁性膜がＣｒ又はＣｒ合金膜を挟んで複数層としてあ
ることを特徴としている。
【０００８】ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜は、ＣｏＣ
ｒＴａ、ＣｏＣｒＴａＮｉ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣ
ｒＴａＷ、ＣｏＣｒＮｉ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、ＣｏＣｒ
ＮｉＷの何れかの膜とすることができる。
ｒＴａ、ＣｏＣｒＴａＮｉ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣ
ｒＴａＷ、ＣｏＣｒＮｉ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、ＣｏＣｒ
ＮｉＷの何れかの膜とすることができる。
【０００９】ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜は、２層以
上何層でも良いが、好ましくは２〜４層である。
上何層でも良いが、好ましくは２〜４層である。
【００１０】また、この発明の磁気記録媒体の製造方法
は、基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜をスパッタリ
ング法で成膜して磁気記録媒体を製造する方法におい
て、一つのスパッタリング室内で、基板を磁性膜材料の
合金ターゲットと、Ｃｒ又はＣｒ合金ターゲットに交互
に静止対向させ、静止対向時にスパッタリングを行い、
基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜とＣｒ又はＣｒ合
金膜を順次成膜することを特徴としている。
は、基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜をスパッタリ
ング法で成膜して磁気記録媒体を製造する方法におい
て、一つのスパッタリング室内で、基板を磁性膜材料の
合金ターゲットと、Ｃｒ又はＣｒ合金ターゲットに交互
に静止対向させ、静止対向時にスパッタリングを行い、
基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜とＣｒ又はＣｒ合
金膜を順次成膜することを特徴としている。
【００１１】ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜は、前記の
通り、２〜４層とし、ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜の
間にＣｒ又はＣｒ合金膜を挟むようにするのが望まし
い。
通り、２〜４層とし、ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜の
間にＣｒ又はＣｒ合金膜を挟むようにするのが望まし
い。
【００１２】スパッタリング中には、基板にバイアス電
圧を印加するようにしても良い。
圧を印加するようにしても良い。
【００１３】次に、この発明の磁気記録媒体の製造装置
は、スパッタリング室に、ターゲットと基板ホルダーを
対向設置して構成した磁気記録媒体の製造装置におい
て、前記ターゲットは、少くとも一つのＣｏＣｒＴａそ
の他の磁性材料でなる合金ターゲットと、少くとも一つ
のＣｒ又はＣｒ合金ターゲットの複数種とし、前記基板
ホルダーは、少くとも一枚の基板を保持する為のホルダ
ーとしてあり、基板ホルダーに、基板を前記ターゲット
中の一つと対向する位置に順次移動し、停止させる為の
駆動機構が設けてあることを特徴としている。
は、スパッタリング室に、ターゲットと基板ホルダーを
対向設置して構成した磁気記録媒体の製造装置におい
て、前記ターゲットは、少くとも一つのＣｏＣｒＴａそ
の他の磁性材料でなる合金ターゲットと、少くとも一つ
のＣｒ又はＣｒ合金ターゲットの複数種とし、前記基板
ホルダーは、少くとも一枚の基板を保持する為のホルダ
ーとしてあり、基板ホルダーに、基板を前記ターゲット
中の一つと対向する位置に順次移動し、停止させる為の
駆動機構が設けてあることを特徴としている。
【００１４】ターゲットは、基板ホルダーの一側に設置
した構成でも良いが、基板ホルダーの両側に、夫々複数
種設置して、基板の両面に成膜できる構造とするのが望
ましい。
した構成でも良いが、基板ホルダーの両側に、夫々複数
種設置して、基板の両面に成膜できる構造とするのが望
ましい。
【００１５】このような装置において、ターゲットは、
円周に沿って等間隔で配置してあると共に、基板ホルダ
ーは回転可能な円盤で構成してあり、ターゲットを配置
した円周と同一の円周に沿って等間隔に、基板保持部が
設けてある構成とすることができる。
円周に沿って等間隔で配置してあると共に、基板ホルダ
ーは回転可能な円盤で構成してあり、ターゲットを配置
した円周と同一の円周に沿って等間隔に、基板保持部が
設けてある構成とすることができる。
【００１６】また、基板ホルダーは、接地電位から絶縁
され、バイアス印加電源を接続された構成とすることが
できる。
され、バイアス印加電源を接続された構成とすることが
できる。
【００１７】更に、スパッタリング室を複数連設して、
そのうちの少くとも一つのスパッタリング室を、前記の
ような構成（ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜およびＣｒ
又はＣｒ合金膜を成膜する為の構成）とし、全てのスパ
ッタリング室に亘って、基板ホルダーを移送する為の搬
送機構を設けるようにして、他のスパッタリング室で、
下地層や表面保護膜を成膜できるようにすることもでき
る。
そのうちの少くとも一つのスパッタリング室を、前記の
ような構成（ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜およびＣｒ
又はＣｒ合金膜を成膜する為の構成）とし、全てのスパ
ッタリング室に亘って、基板ホルダーを移送する為の搬
送機構を設けるようにして、他のスパッタリング室で、
下地層や表面保護膜を成膜できるようにすることもでき
る。
【００１８】
【作用】この発明の磁気記録媒体によれば、ＣｏＣｒＴ
ａ膜その他の磁性膜を複数層としたので、各層の膜厚を
薄くすることができ、保磁力Ｈｃを向上することができ
る。尚、保磁力ＨｃとＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜の
膜厚の関係は図８に示したＣｏＣｒＴａ膜の場合のよう
に、膜厚の増加と共に保磁力Ｈｃが減少する傾向にある
ことが判っているものである。
ａ膜その他の磁性膜を複数層としたので、各層の膜厚を
薄くすることができ、保磁力Ｈｃを向上することができ
る。尚、保磁力ＨｃとＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜の
膜厚の関係は図８に示したＣｏＣｒＴａ膜の場合のよう
に、膜厚の増加と共に保磁力Ｈｃが減少する傾向にある
ことが判っているものである。
【００１９】ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜の膜厚を薄
くすると、記録再生時の出力特性を左右する値である、
Ｂｒ・δ（Ｂｒは残留磁束密度、δは膜厚）が小さくな
り、再生出力を低下させるが、この発明ではＣｏＣｒＴ
ａ膜その他の磁性膜を複数層としてδの減少をなくした
ので、出力特性の維持と保磁力Ｈｃの向上を両立するこ
とができる。
くすると、記録再生時の出力特性を左右する値である、
Ｂｒ・δ（Ｂｒは残留磁束密度、δは膜厚）が小さくな
り、再生出力を低下させるが、この発明ではＣｏＣｒＴ
ａ膜その他の磁性膜を複数層としてδの減少をなくした
ので、出力特性の維持と保磁力Ｈｃの向上を両立するこ
とができる。
【００２０】基板上にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜と
Ｃｒ又はＣｒ合金膜を順次成膜する場合、成膜プロセス
のインターバル期間や、ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜
がさらされる雰囲気（気体の種類）によってＣｏＣｒＴ
ａ膜その他の磁性膜が変質し、磁気記録媒体の磁気履歴
曲線における角形比が悪化することがある。この点、こ
の発明の製造方法および装置によれば、一つのスパッタ
リング室で１〜１０秒程度の短いインターバルでＣｏＣ
ｒＴａ膜その他の磁性膜と、Ｃｒ又はＣｒ合金膜を順次
成膜できるので、角形比の悪化を避けることができる。
Ｃｒ又はＣｒ合金膜を順次成膜する場合、成膜プロセス
のインターバル期間や、ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜
がさらされる雰囲気（気体の種類）によってＣｏＣｒＴ
ａ膜その他の磁性膜が変質し、磁気記録媒体の磁気履歴
曲線における角形比が悪化することがある。この点、こ
の発明の製造方法および装置によれば、一つのスパッタ
リング室で１〜１０秒程度の短いインターバルでＣｏＣ
ｒＴａ膜その他の磁性膜と、Ｃｒ又はＣｒ合金膜を順次
成膜できるので、角形比の悪化を避けることができる。
【００２１】また、スパッタリング中は基板を停止した
状態でターゲットと対向させるので、ＣｏＣｒＴａ膜そ
の他の磁性膜の厚さ方向に関し、一定の成長速度で成膜
できることになり、厚さ方向に均質な膜とすることがで
きる。また、各ターゲットの投入電力は、個々に、独立
して制御できるので、１０オングストローム以下の精度
で膜厚の調整ができる。
状態でターゲットと対向させるので、ＣｏＣｒＴａ膜そ
の他の磁性膜の厚さ方向に関し、一定の成長速度で成膜
できることになり、厚さ方向に均質な膜とすることがで
きる。また、各ターゲットの投入電力は、個々に、独立
して制御できるので、１０オングストローム以下の精度
で膜厚の調整ができる。
【００２２】
【実施例】始めに、磁性膜ＣｏＣｒＴａ膜とした磁気記
録媒体について説明する。図１に示したように、表面に
ＮｉＰメッキ層２を形成したアルミニウム製の基板１
に、Ｃｒの下地層３（１０００オングストローム）をス
パッタリングで形成し、その上に、ＣｏＣｒＴａ膜４を
Ｃｒ膜５（１００オングストローム）を挟んで複数層に
形成した。ＣｏＣｒＴａ膜４およびＣｒ膜５は以下で説
明する静止対向型のスパッタリング装置で成膜したもの
で、装置のバックグラウンド真空は１０-8Ｔｏｒｒ台で
あり、スパッタリング前に基板１を約２００〜２８０℃
に加熱して脱ガスをした。スパッタリング中はアルゴン
ガスを導入して、３×１０-3Ｔｏｒｒとし、基板１を保
持した基板ホルダーには−３００Ｖのバイアスを印加し
た。ＣｏＣｒＴａ膜４を成膜する為のターゲットは、Ｃ
ｒを１２ａｔｍ％、Ｔａを２ａｔｍ％含んだＣｏ合金を
用いた。
録媒体について説明する。図１に示したように、表面に
ＮｉＰメッキ層２を形成したアルミニウム製の基板１
に、Ｃｒの下地層３（１０００オングストローム）をス
パッタリングで形成し、その上に、ＣｏＣｒＴａ膜４を
Ｃｒ膜５（１００オングストローム）を挟んで複数層に
形成した。ＣｏＣｒＴａ膜４およびＣｒ膜５は以下で説
明する静止対向型のスパッタリング装置で成膜したもの
で、装置のバックグラウンド真空は１０-8Ｔｏｒｒ台で
あり、スパッタリング前に基板１を約２００〜２８０℃
に加熱して脱ガスをした。スパッタリング中はアルゴン
ガスを導入して、３×１０-3Ｔｏｒｒとし、基板１を保
持した基板ホルダーには−３００Ｖのバイアスを印加し
た。ＣｏＣｒＴａ膜４を成膜する為のターゲットは、Ｃ
ｒを１２ａｔｍ％、Ｔａを２ａｔｍ％含んだＣｏ合金を
用いた。
【００２３】保磁力Ｈｃの向上およびＢｒ・δの変化を
調べる為に、図７に示したようにＣｏＣｒＴａ層４を一
層のものと、ＣｏＣｒＴａ層４をＣｒ膜５を挟んで２〜
４層としたものを作成した。何れの場合も、ＣｏＣｒＴ
ａ層４の膜厚は、合計５４０オングストロームとなるよ
うに、２層の場合で２７０オングストローム、３層の場
合で１８０オングストローム、４層の場合で１３５オン
グストロームとした。
調べる為に、図７に示したようにＣｏＣｒＴａ層４を一
層のものと、ＣｏＣｒＴａ層４をＣｒ膜５を挟んで２〜
４層としたものを作成した。何れの場合も、ＣｏＣｒＴ
ａ層４の膜厚は、合計５４０オングストロームとなるよ
うに、２層の場合で２７０オングストローム、３層の場
合で１８０オングストローム、４層の場合で１３５オン
グストロームとした。
【００２４】各磁気記録媒体の保磁力ＨｃとＢｒ・δは
図２に示した通りであった。即ち、ＣｏＣｒＴａ層４を
複数層とすることで、保磁力Ｈｃを２０００Ｏｅ以上、
最大２２５７Ｏｅとすることができた。基板側にバイア
スを印加したのみでは、保磁力Ｈｃの向上は１７７０Ｏ
ｅ（１層の場合）に止まっており、ＣｏＣｒＴａ層を複
数層に分割することが効果的であることが判明した。
図２に示した通りであった。即ち、ＣｏＣｒＴａ層４を
複数層とすることで、保磁力Ｈｃを２０００Ｏｅ以上、
最大２２５７Ｏｅとすることができた。基板側にバイア
スを印加したのみでは、保磁力Ｈｃの向上は１７７０Ｏ
ｅ（１層の場合）に止まっており、ＣｏＣｒＴａ層を複
数層に分割することが効果的であることが判明した。
【００２５】Ｂｒ・δは、何れの場合も約４００Ｇ・μ
ｍと略一定であり、ＣｏＣｒＴａ層４の合計膜厚を確保
することで、Ｂｒ・δを一定に保てることが判明した。
ｍと略一定であり、ＣｏＣｒＴａ層４の合計膜厚を確保
することで、Ｂｒ・δを一定に保てることが判明した。
【００２６】ＣｏＣｒＴａ層４の層数と保磁力Ｈｃの関
係は３層とした時を最大として、２層および４層の時
は、それよりい低い値であった。
係は３層とした時を最大として、２層および４層の時
は、それよりい低い値であった。
【００２７】保磁力Ｈｃを２０００Ｏｅ以上とするこ
と、並びに、下地層３上に形成できる成膜の許容範囲
や、ＣｏＣｒＴａ層４の制御可能の膜厚等を考慮する
と、ＣｏＣｒＴａ層４の層数は２〜４層が適当と認めら
れた。
と、並びに、下地層３上に形成できる成膜の許容範囲
や、ＣｏＣｒＴａ層４の制御可能の膜厚等を考慮する
と、ＣｏＣｒＴａ層４の層数は２〜４層が適当と認めら
れた。
【００２８】次に、前記の磁気記録媒体を製造した装置
の実施例について説明する。装置は図３のように加熱チ
ャンバーＡ、下地スパッタチャンバーＢ、磁性膜スパッ
タチャンバーＣを連設したものとした。チャンバーの連
設方向に沿って、搬送機構３７が設置してあり、基板を
支持した基板ホルダー１２を加熱チャンバーＡ、下地ス
パッタチャンバーＢ、磁性膜スパッタチャンバーＣへと
順次、移送できるようになっている。各チャンバーには
夫々排気装置１４が設置してあると共に、加熱チャンバ
ーＡと下地スパッタチャンバーＢの隣接部、下地スパッ
タチャンバーＢと磁性膜スパッタチャンバーＣの隣接
部、並びに加熱チャンバーＡの外側壁および磁性膜スパ
ッタチャンバーＣの外側壁には、夫々、搬送機構３７上
の基板ホルダー１２の通過が可能としたゲートバルブ３
８が設置してある。
の実施例について説明する。装置は図３のように加熱チ
ャンバーＡ、下地スパッタチャンバーＢ、磁性膜スパッ
タチャンバーＣを連設したものとした。チャンバーの連
設方向に沿って、搬送機構３７が設置してあり、基板を
支持した基板ホルダー１２を加熱チャンバーＡ、下地ス
パッタチャンバーＢ、磁性膜スパッタチャンバーＣへと
順次、移送できるようになっている。各チャンバーには
夫々排気装置１４が設置してあると共に、加熱チャンバ
ーＡと下地スパッタチャンバーＢの隣接部、下地スパッ
タチャンバーＢと磁性膜スパッタチャンバーＣの隣接
部、並びに加熱チャンバーＡの外側壁および磁性膜スパ
ッタチャンバーＣの外側壁には、夫々、搬送機構３７上
の基板ホルダー１２の通過が可能としたゲートバルブ３
８が設置してある。
【００２９】前記スパッタチャンバーＢ、Ｃは、図４お
よび図５に示したように、スパッタリング室１１の側壁
にカソード１３、１３を複数設置して構成した。スパッ
タチャンバーを構成したスパッタリング室１１には、図
示していないガス導入系を通して、アルゴンガスなどを
導入して所定圧力のガス雰囲気に調整できるようになっ
ている。
よび図５に示したように、スパッタリング室１１の側壁
にカソード１３、１３を複数設置して構成した。スパッ
タチャンバーを構成したスパッタリング室１１には、図
示していないガス導入系を通して、アルゴンガスなどを
導入して所定圧力のガス雰囲気に調整できるようになっ
ている。
【００３０】基板ホルダー１２は、前記搬送機構３７に
沿って走行する走行部材１５に絶縁材１６を介して立設
した支持脚１７で回転自在に支持された円盤状のもの
で、一つの円周に沿って、８ヶ所、等間隔に透孔１８、
１８が形成されて、各透孔部を基板保持部としてある。
基板保持部とした透孔１８の内周に沿って、バネ片１
９、１９が設けてあり、円形の基板１を透孔１８の中央
部に保持できるようになっている。
沿って走行する走行部材１５に絶縁材１６を介して立設
した支持脚１７で回転自在に支持された円盤状のもの
で、一つの円周に沿って、８ヶ所、等間隔に透孔１８、
１８が形成されて、各透孔部を基板保持部としてある。
基板保持部とした透孔１８の内周に沿って、バネ片１
９、１９が設けてあり、円形の基板１を透孔１８の中央
部に保持できるようになっている。
【００３１】基板ホルダー１２の中央の支持軸２０の両
端には、夫々カップリング２１、２２が設けてある。一
方のカップリング２１は、スパッタリング室１１の一側
壁に設置したステップ回転機構２３の出力軸２４と結合
するものであり、他方のカップリング２２は、スパッタ
リング室１１の他側壁に設置したバイアス印加電源２５
の出力軸２６と結合するものである。
端には、夫々カップリング２１、２２が設けてある。一
方のカップリング２１は、スパッタリング室１１の一側
壁に設置したステップ回転機構２３の出力軸２４と結合
するものであり、他方のカップリング２２は、スパッタ
リング室１１の他側壁に設置したバイアス印加電源２５
の出力軸２６と結合するものである。
【００３２】ステップ回転機構２３の出力軸２４は、中
間に絶縁材２７が介設されて、先端部が絶縁されてお
り、ステップ回転機構２３によって、矢示２８のように
ステップ回転すると共に、矢示２９のように進退してカ
ップリング２１と接続又は離脱できるように構成されて
いる。
間に絶縁材２７が介設されて、先端部が絶縁されてお
り、ステップ回転機構２３によって、矢示２８のように
ステップ回転すると共に、矢示２９のように進退してカ
ップリング２１と接続又は離脱できるように構成されて
いる。
【００３３】一方、バイアス印加電源２５の出力軸２６
は、側壁に設けた絶縁材３０で、接地電位から絶縁され
ており、矢示３１のように進退して、カップリング２２
と接続又は離脱できるように構成されている。
は、側壁に設けた絶縁材３０で、接地電位から絶縁され
ており、矢示３１のように進退して、カップリング２２
と接続又は離脱できるように構成されている。
【００３４】基板ホルダー１２の走行部の両側には、基
板ホルダー１２と対向するように、シールド板３２、３
２が設置してある。シールド板３２は、図５に示したよ
うに矩形の板体で、四側縁中央部に、夫々開口部３３を
形成して、基板ホルダー１２に保持された８枚の基板
１、１のうち、１枚おきに、４枚の基板１を露出させ、
残りの基板１を覆いかくすことができるようにしたもの
である。
板ホルダー１２と対向するように、シールド板３２、３
２が設置してある。シールド板３２は、図５に示したよ
うに矩形の板体で、四側縁中央部に、夫々開口部３３を
形成して、基板ホルダー１２に保持された８枚の基板
１、１のうち、１枚おきに、４枚の基板１を露出させ、
残りの基板１を覆いかくすことができるようにしたもの
である。
【００３５】スパッタリング室１１の側壁に設置したカ
ソード１３、１３は、前記シールド板３２の開口部３３
の位置に対応させて、設置してある。各カソード１３
は、基板１と対向するターゲット３４と、ターゲットホ
ルダー３５およびターゲットホルダー３５の冷却機構
や、スパッタリング空間に磁界を与える為の、回転磁石
などが収容されたカソード本体３６から構成され、カソ
ード本体３６を通して、ターゲット３４に、図示してい
ない電源から、直流電力又は高周波電力を導入できるよ
うになっている。
ソード１３、１３は、前記シールド板３２の開口部３３
の位置に対応させて、設置してある。各カソード１３
は、基板１と対向するターゲット３４と、ターゲットホ
ルダー３５およびターゲットホルダー３５の冷却機構
や、スパッタリング空間に磁界を与える為の、回転磁石
などが収容されたカソード本体３６から構成され、カソ
ード本体３６を通して、ターゲット３４に、図示してい
ない電源から、直流電力又は高周波電力を導入できるよ
うになっている。
【００３６】スパッタリング室１１の各側壁に設置され
た４個所のカソード１３、１３は、磁性膜スパッタチャ
ンバーＣでは、上下２個所のカソード１３のターゲット
３４をＣｒターゲットとし、左右２個所のカソード１３
のターゲット３４をＣｏＣｒＴａ合金ターゲットとし、
下地スパッタチャンバーＢでは、全てのカソード１３の
ターゲット３４をＣｒターゲットとした。
た４個所のカソード１３、１３は、磁性膜スパッタチャ
ンバーＣでは、上下２個所のカソード１３のターゲット
３４をＣｒターゲットとし、左右２個所のカソード１３
のターゲット３４をＣｏＣｒＴａ合金ターゲットとし、
下地スパッタチャンバーＢでは、全てのカソード１３の
ターゲット３４をＣｒターゲットとした。
【００３７】加熱チャンバーＡは、側壁に、前記カソー
ド１３に代えて、加熱機構３９を設置したものである。
加熱機構３９は、赤外線放射ランプなどを熱源としたも
ので、前記基板ホルダー１２に支持された基板１に対向
する位置（図の実施例の場合、８ヶ所）に、夫々設置し
たものである。
ド１３に代えて、加熱機構３９を設置したものである。
加熱機構３９は、赤外線放射ランプなどを熱源としたも
ので、前記基板ホルダー１２に支持された基板１に対向
する位置（図の実施例の場合、８ヶ所）に、夫々設置し
たものである。
【００３８】以上のように構成した磁気記録媒体の製造
装置を用いて、図１に示したような構造の磁気記録媒体
を製造した。
装置を用いて、図１に示したような構造の磁気記録媒体
を製造した。
【００３９】基板ホルダー１２の各基板保持部に、３．
５インチの基板１を保持し、搬送機構３７を介して、加
熱チャンバーＡ、下地スパッタリングチャンバーＢ、磁
性膜スパッタリングチャンバーＣへと、間欠移送した。
５インチの基板１を保持し、搬送機構３７を介して、加
熱チャンバーＡ、下地スパッタリングチャンバーＢ、磁
性膜スパッタリングチャンバーＣへと、間欠移送した。
【００４０】加熱チャンバーＡにおいては、真空ポンプ
１４でチャンバー内を排気し乍ら、基板１を約２００℃
に加熱して、基板１の脱ガス処理を行なった。脱ガス処
理においては、Ｈ2 Ｏ等のガスが放出されるので、スパ
ッタリングチャンバーＢ、Ｃ側に流入しないように、ゲ
ートバルブ３８、３８は閉鎖して行なった。
１４でチャンバー内を排気し乍ら、基板１を約２００℃
に加熱して、基板１の脱ガス処理を行なった。脱ガス処
理においては、Ｈ2 Ｏ等のガスが放出されるので、スパ
ッタリングチャンバーＢ、Ｃ側に流入しないように、ゲ
ートバルブ３８、３８は閉鎖して行なった。
【００４１】脱ガス処理を終了した後、基板ホルダー１
２を下地スパッタリングチャンバーＢ内に移送し、基板
１の表面に、下地層３として、Ｃｒ膜（１０００オング
ストローム）をスパッタリングにより成膜した。スパッ
タリングに要した時間は、１ｋｗで約８秒であった。下
地スパッタリングチャンバーＢには、カソード１３を４
個所としてあるのに対し、基板ホルダー１２には基板１
が８枚、夫々、同一円周上に、等間隔で配置してある。
従って、スパッタリングは、基板ホルダー１２を４５度
ステップ回転させて２回行なった。
２を下地スパッタリングチャンバーＢ内に移送し、基板
１の表面に、下地層３として、Ｃｒ膜（１０００オング
ストローム）をスパッタリングにより成膜した。スパッ
タリングに要した時間は、１ｋｗで約８秒であった。下
地スパッタリングチャンバーＢには、カソード１３を４
個所としてあるのに対し、基板ホルダー１２には基板１
が８枚、夫々、同一円周上に、等間隔で配置してある。
従って、スパッタリングは、基板ホルダー１２を４５度
ステップ回転させて２回行なった。
【００４２】スパッタリング室１１の圧力は、バックグ
ラウンドとして１０-8Ｔｏｒｒ台まで真空に排気した
後、Ａｒガスを導入して３×１０-3Ｔｏｒｒとした。
ラウンドとして１０-8Ｔｏｒｒ台まで真空に排気した
後、Ａｒガスを導入して３×１０-3Ｔｏｒｒとした。
【００４３】下地層３の成膜終了後、基板ホルダー１２
を磁性膜スパッタリングチャンバーＣに移送し、下地層
３の表面に、ＣｏＣｒＴａ層４とＣｒ層５を交互に成膜
した。
を磁性膜スパッタリングチャンバーＣに移送し、下地層
３の表面に、ＣｏＣｒＴａ層４とＣｒ層５を交互に成膜
した。
【００４４】ＣｏＣｒＴａ層４の成膜は、基板１をＣｏ
ＣｒＴａターゲットと対向させ、Ｃｒ層４の成膜は、基
板１をＣｒターゲットと対向させてスパッタリングを行
うのは言うまでもなく、各基板１が、ＣｏＣｒＴａター
ゲットとＣｒターゲットに交互に対向するように、ステ
ップ回転機構２３を制御し、スパッタリング中は、ステ
ップ回転機構を停止して、基板１とターゲット３４の正
対関係を維持した。又、スパッタリング中は、基板ホル
ダー１２に、バイアス印加電源２５を介してバイアス電
位を与えた。スパッタリング室１１の圧力は、前記と同
様に、１０-8Ｔｏｒｒ台に排気したスパッタリング室１
１にＡｒガスを導入して、３×１０-3Ｔｏｒｒとした。
ＣｒＴａターゲットと対向させ、Ｃｒ層４の成膜は、基
板１をＣｒターゲットと対向させてスパッタリングを行
うのは言うまでもなく、各基板１が、ＣｏＣｒＴａター
ゲットとＣｒターゲットに交互に対向するように、ステ
ップ回転機構２３を制御し、スパッタリング中は、ステ
ップ回転機構を停止して、基板１とターゲット３４の正
対関係を維持した。又、スパッタリング中は、基板ホル
ダー１２に、バイアス印加電源２５を介してバイアス電
位を与えた。スパッタリング室１１の圧力は、前記と同
様に、１０-8Ｔｏｒｒ台に排気したスパッタリング室１
１にＡｒガスを導入して、３×１０-3Ｔｏｒｒとした。
【００４５】各基板１がＣｏＣｒＴａターゲットとＣｒ
ターゲットに交互に対向する為の、基板ホルダー１２の
ステップ回転シーケンスには、種々の態様が考えられる
が、例えば図５中、Ｂで示した基板１は、図示した位置
でＣｏＣｒＴａターゲットに対向し、次いで、９０度ず
つ４回のステップ回転を繰り返すことで、Ｃｒターゲッ
ト、ＣｏＣｒＴａターゲット、Ｃｒターゲット、ＣｏＣ
ｒＴａターゲットと順次対向し、２層のＣｒ層５を挟ん
で３層のＣｏＣｒＴａ層４を成膜することができる。
ターゲットに交互に対向する為の、基板ホルダー１２の
ステップ回転シーケンスには、種々の態様が考えられる
が、例えば図５中、Ｂで示した基板１は、図示した位置
でＣｏＣｒＴａターゲットに対向し、次いで、９０度ず
つ４回のステップ回転を繰り返すことで、Ｃｒターゲッ
ト、ＣｏＣｒＴａターゲット、Ｃｒターゲット、ＣｏＣ
ｒＴａターゲットと順次対向し、２層のＣｒ層５を挟ん
で３層のＣｏＣｒＴａ層４を成膜することができる。
【００４６】ＣｏＣｒＴａ層４およびＣｒ層５の膜厚
は、カソード１３を通して導入される電力で制御し、所
定の膜厚が同一のスパッタリング時間で得られるように
する。実施例の場合、基板１とターゲット３４の距離は
４０mm、ターゲット３４の径は１５２mmであり、ＣｏＣ
ｒＴａ層４を１８０オングストローム、Ｃｒ層５を１０
０オングストロームとする場合で、ＣｏＣｒＴａターゲ
ットには０．０５〜０．３ｋｗ、Ｃｒターゲットには
０．１〜０．３ｋｗの電力を投入して、ＣｏＣｒＴａ層
４又はＣｒ層５の一層のスパッタリング時間を１〜１０
秒とすることができた。従って、３層のＣｏＣｒＴａ層
４と２層のＣｒ層５の合計５層をスパッタリングするの
に、約１分の時間が必要である。尚、ＣｏＣｒＴａ層４
のみを一層、５４０オングストロームの厚さとする場合
には、電力を約０．７ｋｗとして、約８秒の時間が必要
である。
は、カソード１３を通して導入される電力で制御し、所
定の膜厚が同一のスパッタリング時間で得られるように
する。実施例の場合、基板１とターゲット３４の距離は
４０mm、ターゲット３４の径は１５２mmであり、ＣｏＣ
ｒＴａ層４を１８０オングストローム、Ｃｒ層５を１０
０オングストロームとする場合で、ＣｏＣｒＴａターゲ
ットには０．０５〜０．３ｋｗ、Ｃｒターゲットには
０．１〜０．３ｋｗの電力を投入して、ＣｏＣｒＴａ層
４又はＣｒ層５の一層のスパッタリング時間を１〜１０
秒とすることができた。従って、３層のＣｏＣｒＴａ層
４と２層のＣｒ層５の合計５層をスパッタリングするの
に、約１分の時間が必要である。尚、ＣｏＣｒＴａ層４
のみを一層、５４０オングストロームの厚さとする場合
には、電力を約０．７ｋｗとして、約８秒の時間が必要
である。
【００４７】３．５インチの基板１に成膜されるＣｏＣ
ｒＴａ膜とＣｒ膜の膜厚分布特性を調べた所、図６の通
りであった。図中（ａ）がＣｏＣｒＴａ膜の分布、
（ｂ）がＣｒ膜の分布である。何れも、半径２２、３
２、４２mmの円周に沿って、４５度間隔で膜厚を測定し
て求めた。ＣｏＣｒＴａ膜、Ｃｒ膜ともに平均膜厚の±
５％以内の分布であった。
ｒＴａ膜とＣｒ膜の膜厚分布特性を調べた所、図６の通
りであった。図中（ａ）がＣｏＣｒＴａ膜の分布、
（ｂ）がＣｒ膜の分布である。何れも、半径２２、３
２、４２mmの円周に沿って、４５度間隔で膜厚を測定し
て求めた。ＣｏＣｒＴａ膜、Ｃｒ膜ともに平均膜厚の±
５％以内の分布であった。
【００４８】以上、この発明の磁気記録媒体の製造方法
および装置の実施例について説明したが、この発明は実
施例に限定されるものではない。例えば、磁性膜スパッ
タリングチャンバーＣ内のＣｏＣｒＴａターゲトとＣｒ
ターゲットは、少なくとも１枚ずつ、スパッタリング室
１１内に設置してあれば、この発明の製造方法を実施す
ることができる。又、基板ホルダー１２に保持する基板
の数も、少なくとも１枚保持してあれば、この発明の製
造方法を実施することができる。更に、基板ホルダー１
２も円盤状のものに限定されることなく、少なくとも１
枚の基板１を保持し、直線運動機構を介して、異なる種
類のターゲット間で基板１を移動できるようにすること
でこの発明の製造方法を実施することができる。
および装置の実施例について説明したが、この発明は実
施例に限定されるものではない。例えば、磁性膜スパッ
タリングチャンバーＣ内のＣｏＣｒＴａターゲトとＣｒ
ターゲットは、少なくとも１枚ずつ、スパッタリング室
１１内に設置してあれば、この発明の製造方法を実施す
ることができる。又、基板ホルダー１２に保持する基板
の数も、少なくとも１枚保持してあれば、この発明の製
造方法を実施することができる。更に、基板ホルダー１
２も円盤状のものに限定されることなく、少なくとも１
枚の基板１を保持し、直線運動機構を介して、異なる種
類のターゲット間で基板１を移動できるようにすること
でこの発明の製造方法を実施することができる。
【００４９】磁性膜スパッタリングチャンバーＣも１つ
に限定されるものではなく、２以上の磁性膜スパッタリ
ングチャンバーＣを連設して、ＣｏＣｒＴａ層４とＣｒ
層５の多層膜を成膜するようにしても良い。
に限定されるものではなく、２以上の磁性膜スパッタリ
ングチャンバーＣを連設して、ＣｏＣｒＴａ層４とＣｒ
層５の多層膜を成膜するようにしても良い。
【００５０】又、実施例では、磁性膜をＣｏＣｒＴａと
して、ターゲット３４をＣｏＣｒＴａ合金ターゲットと
したが、ＣｏＣｒＴａＮｉ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣ
ｒＴａＷ、ＣｏＣｒＮｉ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、又はＣｏ
ＣｒＮｉＷの磁性膜も、ターゲット３４を変更すること
で、同様に実施できる。Ｃｒ層５の為のＣｒターゲット
もＣｒ合金ターゲットとして、Ｃｒ層５をＣｒ合金層と
することもできる。
して、ターゲット３４をＣｏＣｒＴａ合金ターゲットと
したが、ＣｏＣｒＴａＮｉ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣ
ｒＴａＷ、ＣｏＣｒＮｉ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、又はＣｏ
ＣｒＮｉＷの磁性膜も、ターゲット３４を変更すること
で、同様に実施できる。Ｃｒ層５の為のＣｒターゲット
もＣｒ合金ターゲットとして、Ｃｒ層５をＣｒ合金層と
することもできる。
【００５１】
【発明の効果】この発明によれば、高い保磁力ＨｃとＢ
ｒ・δの磁気記録媒体を提供できる。
ｒ・δの磁気記録媒体を提供できる。
【００５２】また、ＣｏＣｒＴａその他の磁性膜層のス
パッタリングを基板とターゲットを静止対向させて行う
ので、ＣｏＣｒＴａその他の磁性膜層を厚さ方向で均質
なものにできる。
パッタリングを基板とターゲットを静止対向させて行う
ので、ＣｏＣｒＴａその他の磁性膜層を厚さ方向で均質
なものにできる。
【００５３】更に、ＣｏＣｒＴａその他の磁性膜層のス
パッタリングとＣｒ又はＣｒ合金層のスパッタリングを
短いタイムインターバルで行うことができ、かつ各層を
有害なガスを含む雰囲気にさらなさいようにできるの
で、ＣｏＣｒＴａその他の磁性膜層の変質を防ぐことが
できる。
パッタリングとＣｒ又はＣｒ合金層のスパッタリングを
短いタイムインターバルで行うことができ、かつ各層を
有害なガスを含む雰囲気にさらなさいようにできるの
で、ＣｏＣｒＴａその他の磁性膜層の変質を防ぐことが
できる。
【図１】この発明の実施例の磁気記録媒体の一部を拡大
した断面図である。
した断面図である。
【図２】この発明の実施例の磁気記録媒体のＣｏＣｒＴ
ａ層の数と保磁力Ｈｃの関係を示すグラフである。
ａ層の数と保磁力Ｈｃの関係を示すグラフである。
【図３】この発明の製造装置の実施例の構成図である。
【図４】同じく実施例のスパッタリングチャンバーの概
略断面図である。
略断面図である。
【図５】図４中、Ａ−Ａ線から見た図である。
【図６】実施例の装置の膜厚分布特性のグラフで、
（ａ）はＣｏＣｒＴａ膜の分布、（ｂ）はＣｒ膜の分布
のグラフである。
（ａ）はＣｏＣｒＴａ膜の分布、（ｂ）はＣｒ膜の分布
のグラフである。
【図７】従来の磁気記録媒体の一部を拡大した断面図で
ある。
ある。
【図８】磁気記録媒体における、保磁力ＨｃとＣｏＣｒ
Ｔａ膜の膜厚の関係を示すグラフである。
Ｔａ膜の膜厚の関係を示すグラフである。
１ 基板 ２ ＮｉＰメッキ層 ３ 下地層 ４ ＣｏＣｒＴａ層 ５ Ｃｒ層 １１ スパッタリング室 １２ 基板ホルダー １３ カソード １４ 真空ポンプ ２３ ステップ回転機構 ２５ バイアス印加電源 ３２ シールド板 ３４ ターゲット ３７ 搬送機構 ３８ ゲートバルブ ３９ 加熱機構
Claims (11)
- 【請求項１】 基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜を
形成してなる磁気記録媒体において、前記ＣｏＣｒＴａ
膜その他の磁性膜がＣｒ又はＣｒ合金膜を挟んで複数層
としてあることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜は、Ｃｏ
ＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａＮｉ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、Ｃｏ
ＣｒＴａＷ、ＣｏＣｒＮｉ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、ＣｏＣ
ｒＮｉＷの何れかの膜とした請求項１記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜は、２〜
４層とした請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜を
スパッタリング法で成膜して磁気記録媒体を製造する方
法において、一つのスパッタリング室内で、基板を磁性
膜材料の合金ターゲットと、Ｃｒ又はＣｒ合金ターゲッ
トに交互に静止対向させ、静止対向時にスパッタリング
を行い、基板にＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜とＣｒ又
はＣｒ合金膜を順次成膜することを特徴とする磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項５】 ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜を２〜４
層とし、ＣｏＣｒＴａ膜その他の磁性膜の間にＣｒ又は
Ｃｒ合金膜を挟むようにする請求項４記載の磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項６】 スパッタリング中、基板にバイアス電圧
を印加する請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 スパッタリング室にターゲットと基板ホ
ルダーを対向設置して構成した磁気記録媒体の製造装置
において、前記ターゲットは、少くとも一つのＣｏＣｒ
Ｔａその他の磁性材料でなる合金ターゲットと、少くと
も一つのＣｒ又はＣｒ合金ターゲットの複数種とし、前
記基板ホルダーは、少くとも一枚の基板を保持する為の
ホルダーとしてあり、基板ホルダーに基板を、前記ター
ゲット中の一つと対向する位置に順次移動し、停止させ
る為の駆動機構が設けてあることを特徴とする磁気記録
媒体の製造装置。 - 【請求項８】 ターゲットは、基板ホルダーの両側に夫
々設置してある請求項７記載の磁気記録媒体の製造装
置。 - 【請求項９】 ターゲットは、円周に沿って等間隔で配
置してあると共に、基板ホルダーは回転可能な円盤で構
成してあり、ターゲットを配置した円周と同一の円周に
沿って、等間隔に基板保持部が設けてある請求項７又は
８記載の磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項１０】 基板ホルダーは、接地電位から絶縁さ
れ、バイアス印加電源と接続されている請求項９記載の
磁気記録媒体の製造装置。 - 【請求項１１】 スパッタリング室が複数連設され、そ
のうちの少くとも一つのスパッタリング室が請求項７又
は８記載の構成とされ、全てのスパッタリング室に亘っ
て、基板ホルダーを移送する為の搬送機構が設けてある
磁気記録媒体の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16529992A JP3286736B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16529992A JP3286736B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05334648A true JPH05334648A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3286736B2 JP3286736B2 (ja) | 2002-05-27 |
Family
ID=15809697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16529992A Expired - Fee Related JP3286736B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 磁気記録媒体の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3286736B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762766A (en) * | 1995-11-20 | 1998-06-09 | Anelva Corporation | Method for depositing magnetic film on both substrate surfaces and mechanism for performing same |
| WO2013061506A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP16529992A patent/JP3286736B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762766A (en) * | 1995-11-20 | 1998-06-09 | Anelva Corporation | Method for depositing magnetic film on both substrate surfaces and mechanism for performing same |
| WO2013061506A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
| JPWO2013061506A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2015-04-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3286736B2 (ja) | 2002-05-27 |
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