JPH0533554B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0533554B2
JPH0533554B2 JP60201463A JP20146385A JPH0533554B2 JP H0533554 B2 JPH0533554 B2 JP H0533554B2 JP 60201463 A JP60201463 A JP 60201463A JP 20146385 A JP20146385 A JP 20146385A JP H0533554 B2 JPH0533554 B2 JP H0533554B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
substrate
solvent
catalytic
electroless
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP60201463A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61113295A (ja
Inventor
Shii Furishu Debitsudo
Uiibaa Uiruherumu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AMP Akzo Corp
Original Assignee
AMP Akzo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AMP Akzo Corp filed Critical AMP Akzo Corp
Publication of JPS61113295A publication Critical patent/JPS61113295A/ja
Publication of JPH0533554B2 publication Critical patent/JPH0533554B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
    • C23C18/1612—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning through irradiation means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2026—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by radiant energy
    • C23C18/204—Radiation, e.g. UV, laser
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2053—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/206—Use of metal other than noble metals and tin, e.g. activation, sensitisation with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073—Multistep pretreatment
    • C23C18/208—Multistep pretreatment with use of metal first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
    • C23C18/24—Roughening, e.g. by etching using acid aqueous solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C23C18/36—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
    • C23C18/405—Formaldehyde
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/185—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method by making a catalytic pattern by photo-imaging
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0855—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using microwave

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は非導電性プラスチツク基材の感光性金
属化に関するものであり、特に、絶縁性基材の接
着性増進表面上の触媒性像を無電解メツキするこ
とによつてアデイテイブプリント回路を製造する
ことに関係がある。 従来技術 樹脂製絶縁性基材上にプリント回路を製作する
ために今日一般的に使用される「レジスト印画」
全アデイテイブ法では、樹脂製絶縁性基材の接着
性増進表面上に金属を無電解メツキすることによ
つて、導電体図形を作成する。接着性を増進する
前後に、プリント回路板上の導電体を無電解析出
させない部分である背景上にレジストを適用す
る。接着性を増進した表面を得るために、絶縁性
基材を微孔性かつ親水性にする。これはプラズマ
あるいは機械的手段によつて達成できるが、しか
し普通強酸あるいは酸化溶液によつて、あるいは
表面を溶媒で膨潤させ、そして次に予備処理した
表面をクロム酸のような強力な酸化剤の作用を受
けさせることによつて達成される。メツキするレ
ジストの表面が疎水性であるために、無電解メツ
キの間背景は疎水性となる。 「レジストレス印画」アデイテイブ法では、無
電解析出に対して触媒性である導電体図形像が、
接着性を増進し、またそのために親水性となつた
絶縁性基材表面上に形成される。全アデイテイブ
レジスト印画法は無電解メツキの間親水性の背景
をもつている。金属をメツキする間親水性の背景
表面が存在すると、上記背景は望ましくない無関
係な金属メツキに敏感になる。疎水性レジストマ
スク用層にたよるレジスト印画全アデイテイブ法
とは異なり、レジストレス方式は極度に安定化し
たメツキ浴、あるいはまた無関係な金属析出物の
付着を最小にするメツキ周期をもつ周期的「急速
エツチング」の場合に限つて当にできる。 米国特許第3562005号には、接着性を増進した
表面を塩化錫（）で処理するレジストレス印画
法を記述している。所要の回路図形の写真陽画を
通して表面を紫外線に露出することにより導電体
像を製作する。露出は導電体間の錫（）の一部
を錫（）の種に変える。続いて、表面を塩化パ
ラジウムで処理し、そして導電性図形に残る錫
（）の一部だけは塩化パラジウムと反応して、
無電解金属析出に対して触媒性の像を形成する。
本方法は非常に繊細な描写の導電体図形の再製作
が可能な反面、無関係な金属析出によつて生じる
欠陥のために、この製法には使用されていない。 「Plating and Surface Finishing」66巻、14
頁（1979年１月号）；米国特許第3674485号；米国
特許第4451505号；および米国特許第4085285号
は、所要の図形の写真陰画を通して二酸化チタン
をコーテイングあるいは充填した表面を照射し
て、表面充電を与えることによるレジストレス像
の製作を記述している。陽画図形における表面充
電をパラジウム含有溶液で処理して、無電解金属
析出に対して触媒性のレジストレス像を充電部分
に提供する。全面的な製造設備を含めて、本技術
の所有権者であるフイリツプスは多大の投資にも
かかわらず、無関係な金属析出に関する問題を解
決できず、この方法も実用化されなかつた。 ポリチエツチ等の米国特許第3772078号；第
3930963号；第3959547号；および第3994727号に
は、プリント回路を製作するためのレジストレス
像の製作を教示しているが、この場合ジメチルホ
ルムアミドのような溶媒を用いて、またクロム酸
あるいはまた硫酸を用いて処理し、表面接着性を
増進した絶縁性基材の表面上に実像を作成する。
接着性を増進した表面を銅塩類、２，６−アント
ラキノンジスルホン酸およびポリオールを含有す
る溶液で処理する。処理した表面を乾燥し、そし
て次に写真陰画を通してプリント用光線に露出さ
せて、無電解銅メツキに対して触媒性を示す銅核
の実像を作成する。アントラキノンジスルホン酸
および露出されなかつた銅塩類を表面から洗浄に
よつて除去する。実際には、本方法もまた、「光
斑」（無電解メツキ溶液中に垂直に置かれた基材
の絶縁性表面上の導電体の上に成長する無関係な
銅粒子の羽毛型の析出物）、また同様に導電体図
形の間の部分に一般的にランダムに形成される無
関係な金属析出物の両方の、無関係な銅析出があ
つた。 米国特許第4084023号；米国特許第4098922号；
米国特許第4133908号；米国特許第4167601号；お
よび米国特許第4268536号は、ポリチエツチ等の
方法における「明暗」を改良し、そして「かぶり
防止」を提供する方法を記述している。弱い明暗
およびかぶりは無関係な金属析出物の形成と同意
語である。前述の方法の中にはアルカリ性キレー
ト溶液および有機酸溶液中の予備浸漬があり、ア
ントラキノンジスルホン酸および露出されなかつ
た銅塩の除去を改良し、また特定の無電解メツキ
浴安定剤の使用はメツキ溶液による無関係な金属
析出を減少する。本方法は無関係な金属析出を防
ぐために厳密な制御を必要とする。 エーリツヒ等の米国特許第4262085号には無関
係な金属析出をなくすることに関するポリチエツ
チ等の方法に対する他の改良法を記述している。
ここでは、銅核の導電体像を形成した後、基材の
表面上で、銅核をパラジウムと交換し、洗浄し、
無電解ニツケルの薄いコーテイングを析出させ、
そして次にセレノシアン酸カリウムで安定化した
溶液から銅導電体図形を無電解析出させる。エー
リツヒ等の方法はパイロツトプラント操作で十分
な結果が達成されたことを報告しているけれど
も、導電体図形の完全な像を作成せず、また無関
係な金属析出物をなくすことができない傾向があ
つて信頼できないことを生産規模で発見した。 プリント回路板の製造に適切な信頼性のあるレ
ジストレス印画法の必要性は殆んど二十年間に亘
つて存在した。本方法を発展させるために世界中
の主要な化学会社および電気会社によつて過去に
相当な努力がなされたが成功していない。 塩化メチレンを用いる「蒸気艶出し」を使用し
て、ポリカーボネートのような熱可塑性プラスチ
ツクからかすり傷を除去し、平滑なガラス状仕上
りを残しているが、これはたとえばゼネラル・エ
レクトリツク社によるResin Lexan R
Technifact Bulletin（11／82）を参照されたい。
蒸気艶出しはまた、ポリスルホンを基材とする物
質上の半アデイテイブプリント回路を透明な状態
に復元するためにも使用されてきた。 発明の目的 本発明の目的は、無関係な金属を析出すること
なく、レジストレス印画技術により重合体基質上
に金属図形を形成することである。 本発明の目的は無関係な金属を析出することな
く、レジストレス印画および無電解メツキによつ
て、プリント回路を形成するための加工処理を提
供することである。 本発明の目的は樹脂製の絶縁性基材の親水性背
景表面を疎水性にすることである。 他の目的は金属析出によつて形成しようとする
図形に対応しない部分では、接着性を増進した熱
可塑性基材物質の表面上に存在する微孔性をなく
し、次に、金属メツキ工程で表面上に、この図形
を強化した像を形成させる加工処理を提供するこ
とである。 本発明の他の目的はエツチングした親水性重合
体表面を所要の金属図形に対応しない部分で疎水
性にし、その後図形の金属像あるいは金属メツキ
に触媒性である図形の像を、重合体表面の一部の
上に設定するための加工処理を提供することであ
る。 本発明の目的は無差別な金属析出を防ぎ、そし
て表面の電気的性質または同様にプリント回路板
の審美的品質を高めるために、基材が高温熱可塑
性重合体からなる全アデイテイブ法でメツキした
プリント回路の背景（所要の導電体図形に対応す
る部分の間の部分）に微孔性をなくすための加工
処理を提供する。 本発明の目的はまた、金属像あるいは金属メツ
キに対して触媒性である像を重合体物質の表面の
一部上に設定した後、熱硬化性樹脂重合体物質の
エツチングした親水性表面を疎水性にするための
加工処理を提供することである。 本発明の目的は金属内芯回路板を製造するため
の改良した加工処理を提供することである。 他の目的は三次元重合物品上に導電体図形を製
作するための改良した加工処理を提供することで
ある。 本発明の目的は170℃以下の加熱歪温度をもつ
熱可塑性物品上に、無関係な金属を析出すること
なく、金属図形を形成させるための加工処理を提
供することである。 本発明の目的は一画、二画および多層板を含め
て、高い表面抵抗および絶縁性基材とそれに接着
された無電解析出金属との間のすぐれた接着強
度、ハンダ付け温度での良好な安定性、および再
生産可能で、かつ経済的な製造法をもつプリント
配線板を製造するための改良した加工処理を提供
することである。 定 義 「芳香族ポリエーテル重合体」という語によつ
て重合体鎖中に芳香族とエーテルユニツトの繰返
しをもつことによつて特徴づけられる熱可塑性重
合体を意味する。実施例を制約するものではない
が、代表的なものにスルホン重合体、ポリエーテ
ルイミド類およびポリエーテルケトン類が含まれ
る。 「スルホン重合体」によつてスルホン基Ｏ＝Ｓ
＝Ｏを含有する熱可塑性重合体を意味し、以下の
重合体、すなわちポリスルホン、ポリエーテルス
ルホン、ポリアリルスルホンおよびポリフエニル
スルホンを含む。 「高温熱可塑性重合体」という語によつて約
245℃の温度に５秒間露出した後も液化あるいは
分解しない芳香族主鎖をもつ重合体を意味する。 「溶媒和」によつては重合体による表面層の溶
媒吸着を意味し、また重合体表面の膨潤を伴つて
もよい。 「アデイテイブ」、「接着性の増進」、「基材」、
「無関係な銅」、「プリント回路」、「プリント回路
板」、および「樹脂分の多い」のような他の語は、
Terms and Definitions for Interconnection
and Packaging Electr−onic Circuits（1980年
６月号）のANSI／IPC−Ｔ−50Bに定義された
ように使用する。 発明の構成及び作用効果 本発明は触媒性レジストレス像を印画した後基
材の接着性を増進した樹脂製表面の露出した表面
に疎水性を回復し、また平滑化するための加工処
理を提供する。基材は樹脂分の多いエポグシを含
浸させたガラス布ラミネート、樹脂をコーテイン
グした金属内芯基材、熱可塑性あるいは熱硬化性
重合体、あるいは高温熱可塑性重合体で被覆した
熱硬化性ラミネートからなつている。基材の表面
を処理して、微孔性かつ親水性にし、その結果無
電解形成された金属析出物を堅固に接着するのに
適切にする。表面領域を溶媒和にするには十分で
あるがしかし応力亀裂あるいは表面上にメツキし
た金属図形の上へ樹脂表面が流動するには不十分
な時間をかけて、樹脂表面領域を可溶性にする溶
媒あるいは溶媒蒸気に処理した樹脂表面を露出さ
せ、そしてその後溶媒が迅速に蒸発する温度で重
合体をただちに乾燥して、表面の疎水性を回復
し、そしてまた金属図形の上へ樹脂表面が流動す
ることを防ぐことによつて、処理した樹脂表面に
疎水性かつ平滑な表面を回復することができるこ
とを発見した。 本発明の一例は、非導電性基材上に金属図形を
調製する加工処理における改良法に関し、 接着性を増進することによつて、非導電性基材
の一ないしそれ以上の表面を親水性かつ微孔性に
するように上記表面を処理し、表面上に所要の金
属図形に対応する図形に、無電解金属析出に対し
て触媒性ある画像を形成する工程を含むものであ
り、 上記印画工程後、上記表面を第一無電解金属メ
ツキ工程に露出させて、金属析出を開始させ、上
記触媒性図形を強化し、 基材を基材が少なくとも部分的に可溶である溶
媒組成物と、基材表面を溶媒和するには十分であ
るが、しかし応力亀裂あるいはプリント回路の上
へ基材の流動が生じるには不十分な時間接触さ
せ、基材の印画のない表面を、金属析出浴に露出
したときに、疎水性で金属析出に対して抵抗性あ
るものとし、 基材溶媒和された表面を、溶媒が迅速に蒸発す
る温度でただちに乾燥して、表面の疎水性を回復
させ、そして 表面を第二の無電解メツキ工程に露出させて、
強化した触媒性図形上に金属を析出させて金属図
形を形成させ、疎水性を回復した印画のない表面
部分上には金属析出を阻止することを特徴とす
る。 本発明の他の一例は、非導電性基材上に金属図
形を調製する加工処理における改良法に関するも
ので、 接着性を増進することによつて、非導電性基材
の一ないしそれ以上の表面を親水性かつ微孔性に
するように上記表面を処理し、表面上に所要の金
属図形に対応する図形に、無電解金属析出に対し
て触媒性ある画像を形成する工程を含むもので、 上記印画工程後、上記表面を第一無電解金属メ
ツキ工程に露出させて、表面上に無電解金属メツ
キを開始させ、上記触媒性図形を強化し、 基材を基材が少なくとも部分的に可溶である溶
媒組成物と、基材表面を溶媒和するには十分であ
るが、しかし応力亀裂あるいは金属図形上に基材
の流動が生じるには不十分な時間接触させ、基材
の印画のない表面を、無電解金属析出浴に露出し
たときに、疎水性で金属析出に対して抵抗性ある
ようにし、基材の溶媒和された表面を、溶媒が迅
速に蒸発する温度でただちに乾燥して、表面の疎
水性を回復させ、 表面を第二の無電解金属メツキ工程に露出させ
て、強化した触媒性図形上に金属を析出させ、疎
水性を回復した印画のない表面部分には金属を析
出することなく金属図形を形成させ、 上記無電解金属析出後、表面を樹脂製表面が少
なくとも部分的に可溶性である溶媒と、溶媒和さ
れた樹脂製表面が金属図形のエツジに向つて流動
しかつ接着するには十分であるが、しかし溶媒和
された樹脂製表面が金属図形の上に流動するには
不十分な時間接触させ、 溶媒が迅速に蒸発する温度で、溶媒を樹脂表面
からただちに蒸発させて、上記流動を停止させ、
樹脂製表面に接着した金属図形のエツジをその交
点に残すことを特徴とする。 本発明の更に他の一例は、非導電性基材上に金
属図形を調製する加工処理における改良法に関す
るもので、 接着性を増進することによつて、非導電性基材
の一ないしそれ以上の表面を親水性かつ微孔性に
するように上記表面を処理し、表面上に所要の金
属図形に対応する触媒性図形を印画し、そして触
媒性図形上に金属を析出させて、金属図形を形成
させる工程を含むもので、 上記導電金属析出後、樹脂製表面を樹脂製表面
が少なくとも部分的に可溶である溶媒と、溶媒和
され樹脂製表面が金属図形のエツジに向つて流動
しかつ接着するには十分であるが、溶媒和された
樹脂製表面が金属図形の上に流動するには不十分
な時間接触させ、 溶媒が迅速に蒸発する温度で、溶媒を樹脂製表
面からただちに蒸発させて上記流動を停止させ、
樹脂製表面に接着した金属図形のエツジをその交
点に残す。 前述の本発明の加工処理は絶縁性樹脂基材上に
プリント回路を製造するのに有利に適用できる。 本発明の一具体例として、金属析出物を積載す
る重合体基材物質のような非導電性基材の表面を
処理するための加工処理が提供される。金属析出
に先立ち、慣用の技術、たとえば表面を親水性に
するのに十分な条件下で強力な酸化溶液を用い
て、あるいはプラズマを用いて化学的に処理する
ことにより、重合体基材の表面は接着性を増進さ
せる。親水性表面は金属層に化学的に、あるいは
また機械的に結合するための座席を提供する。 金属図形は慣用の技術、すなわち無電解金属析
出に対して触媒性である図形を慣用の写真形成技
術によつて表面上に印画することにより接着性を
増進した表面に適用できる。 本発明の方法で、次に金属図形が約0.5μmない
し約5μmの厚さになるまで、印画した図形を無電
解金属析出によつて強化する。 最初の無電解金属析出物で印画した図形を強化
した後、基材の印画のない表面を平滑、疎水性に
し、そして無関係な金属の析出に対してレジスト
化する。これは重合体が少くとも部分的に可溶で
ある溶媒中に、また重合体表面を溶媒和するには
十分であるが、しかし応力亀裂あるいは金属図形
の上へ重合体の流動が生じるには不十分な時間を
かけて、重合体を浸漬することによつて達成でき
る。選択した溶媒系と処理しようとする重合体系
に依存して、時間は約１秒間ないし約１分間の間
で変化するだろう。溶媒系は重合体に対する強力
な溶媒と適切な希釈剤とを含有する。希釈剤の中
には脂肪族炭化水素、脂肪族アルコール類および
水がある。溶媒と接触させた後ただちに、重合体
表面を溶媒が迅速に蒸発する温度で乾燥させる。
乾燥温度は使用した重合体および溶媒系に依存し
て、室温から約200℃までである。望ましくは、
乾燥温度は室温ないし約125℃である。 浸漬はケトン類、エステル類、芳香族あるいは
中性溶媒（アプロテイツク・ソルペント）のよう
な液体溶媒中で、あるいは重合体の加熱歪温度以
下の沸点をもつハロゲン化炭化水素の溶媒蒸気中
で行なわれる。 適切な非導電性基材はエポキシ樹脂のような熱
硬化性重合体；後文に定義するよな熱硬化性また
は熱可塑性樹脂をコーテイングした金属内芯基
材、熱可塑性重合体；高温熱可塑性重合体で被覆
した熱硬化性ラミネート；あるいはかなりの厚さ
の非強化表面層エポキシ樹脂をもつガラス布強化
エポキシ樹脂ラミネートのような樹脂分の多いラ
ミネートを含む。適当な表面層エポキシ樹脂はビ
フエノールＡのジグリシダルエーテルを含む。 絶縁した金属内芯基材はプリント回路孔図形を
打ち抜き、また絶縁性樹脂物質でコーテイングし
た鋼およびアルミニウムシートを含む。適切な絶
縁性樹脂物質は下文に記述するようなエポキシ樹
脂コーテイング組成物および高温熱可塑性重合体
を含む。有効なコーテイング方法の中にはとりわ
け、粉末噴霧コーテイング、静電的粉末コーテイ
ングおよび流動床コーテイングのような粉末コー
テイング技術がある。 適切な熱可塑性重合体はスルホン重合体、ポリ
エーテルイミド類、ポリフエニレンスルフイド類
およびポリエーテルエーテルケトン類のような高
温熱可塑性重合体を含み、またメツキ可能な品質
のポリエチレンおよびアクリロニトリル−ブタジ
エン−スチレン（ABS）のような低温熱可塑性
重合体を含むことも考えられる。 本発明による適当なスルホン重合体はポリスル
ホンおよびポリエーテルスルホンである。 鋳型成形あるいは押出成形したシート類、ロツ
ド類あるいはまたフイルム状態の上記高温熱可塑
性重合体は最初、親水性かつ接着力のある金属析
出を受け容れるように処理する前は、疎水性かつ
半透明ないしは透明な表面をもつている。 ポリスルホン類はユニオン・カーバイト社から
商品名UDELTMとして商業的に入手可能である。
ポリフエニルスルホン（ユニオン・カーバイト社
から商品名RADELTMとして商業的に入手可能）
およびポリエーテルスルホン（ICI社から商品名
VICTREXTMとして商業的に入手可能）もまた適
切である。 ポリスルホン重合体に加えて、他の適切なポリ
エーテル重合体はポリエーテルイミド（ゼネラ
ル・エレクトリツク社から商品名ULTEMとして
商業的入手可能）および商業的に入手可能なポリ
エーテルエーテルケトン（ICI社によつて商品名
PEEKとして市販）を含む。 説明の目的で、本発明の加工処理を適切な基材
の一つ、高温熱可塑性プラスチツクスを用いて以
下に記述する。鋳型あるいは押出し成形するの
で、上記高温熱可塑性プラスチツクスは疎水性の
ガラス状平滑表面をもつ。上記表面を金属層ある
いは図形の析出を受け容れるように、接着性を増
進する（後文ではまた「エツチングした」として
引用する）。接着性の増進は表面を微孔性かつ親
水性に、そして乳白色のかすんでだ外観にする。 代表的には、米国特許第4339303号および第
4424095号に記述された製法に従つて、８ないし
12時間をかける熱処理あるいは数分間の放射処理
によつて、高温熱可塑性基材を応力除去する。次
に、ドリル、パンチあるいは類似の方法で孔を作
成する。代りに、孔をもつ基材を鋳型成形するこ
とができる。孔を作成した後、基材をもつ一度上
述のように応力除去し、ジメチルホルムアミド溶
液中で約0.5ないし３分間予備処理し、そして強
力な酸化溶液中でエツチングする熱可塑性重合体
の表面はガラス状かつ疎水性からすんだ親水性か
つ微孔性に変化し、一方熱可塑性重合体表面に、
その上に形成される金属析出物に対して結合する
座席を提供する。これは本方法の接着性増進工程
を完全にする。 接着性を増進した基材を、米国特許第3772056
号；第3772078号；第3930963号；第3959547号；
第3993802号および第3994727号に記述されたよう
な放射増感組成物でコーテイングするが、それら
の内容を引用して本文に関連づける。孔壁を含め
て、基材の全親水性表面上のコーテイングを乾燥
する。 放射増感組成物の乾燥した層でコーテイングさ
れた絶縁性基材を写真用マスターを通して紫外線
に露出して、金属核のレジストレス像を製作す
る。放射増感組成物の露出しない乾燥層を除去
し、そして望ましくはキレートおよび還元剤を含
有するアルカリ性溶液中に浸漬かつ撹拌し、次に
洗浄することによつて像を定着させる。 アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン基質
をエツチングするために使用する代表的な酸調整
剤はまた、本発明に使用する高温熱可塑性プラス
チツクに対しても使用できる。上記調整剤の代表
的な組成物は重量基準で、60％H2SO4、10％
H3PO4、１％CrO3および30％H2Oである。 適当な酸調整剤組成物は本文の実施例、及び米
国特許第4339303号および第4424095号に記述され
ている。 基材の活性化した重合体表面上に無電解金属を
析出させるのに使用できる自己触媒性あるいは無
電解金属析出溶液の代表的なものは、析出させよ
うとする単数ないしは複数の金属の水溶性塩、金
属に対する錯化ないしは金属イオン封鎖剤、およ
び金属陽イオンに対する還元剤の水溶液からなつ
ている。錯化ないしは金属イオン封鎖剤の機能
は、溶解した金属陽イオンと水溶性錯化物を形成
し、その結果溶液中に金属を維持することであ
る。 代表的な上記溶液は無電解銅、ニツケル、コバ
ルト、銀、金溶液である。上記溶液は本技術では
衆知であつて、また電気を使用することなく確認
した金属を自己触媒作用によつて析出することが
できる。 使用できる代表的な無電解銅溶液は米国特許第
3095309号に記述されており、慣用的に、上記溶
液は銅（）イオンの供給源、たとえば硫酸銅、
銅（）イオンに対する還元剤、たとえばエチレ
ンジアミンテトラ酢酸四ナトリウム、PH調節剤、
たとえば水酸化ナトリウム、および安定剤と延性
増進剤からなつている。 使用できる代表的な無電解ニツケル浴は塩化ニ
ツケルのようなニツケル塩、次亜燐酸塩イオンの
ようなニツケル塩に対する活性な化学的還元剤、
カルボン酸およびその塩類のような錯化剤、およ
び安定剤からなつている。 使用できる無電解メツキ浴は米国特許第
3589916号に記述されており、金の水溶性塩、ボ
ロハイドライドあるいはアミンボラン還元剤、金
に対する錯化剤および約5μgないし500mgの量の
少量で有効な安定量のシアン化合物のアルカリ性
水溶液を含有する。浴のPHは約10ないし14であろ
う。 代表的な無電解コバルト系は衆知である。 適切な無電解銅析出浴は次の通りである。 硫酸銅 0.04モル／ Ｎ，Ｎ，N′，N′−テトラキス（２−ヒドロキ
シプロピルエチレンジアミン） 0.06モル／ シアン化ナトリウム 30mg／ ホルムアルデヒド 0.07モル／ ナトリウム２−メルカプトベンゾチアゾール
0.075mg／ 硫化カリウム 0.6mg／ ノニルフエノキシポリエトキシ 燐酸塩界面活性剤 0.14ｇ／ PH25℃における 12.7 温 度 58℃ 本浴は約58℃の温度で操作するのが適当でまた
約18時間に約35μm厚さの延性のある無電解銅の
コーテイングを析出するだろう。 記述した種類の無電解金属浴を使用して、重合
体素地の印画表面上に析出した非常に薄い導電体
金属フイルムあるいは層によつて、導電性図形の
触媒性像を強化することができる。普通、無電解
金属析出によつて重合体素地の表面上に積層した
金属フイルムは厚さ約0.3μmから厚ま約5μmま
で、またより望ましくは約0.5ないし約2.5μmの範
囲であろう。重合体素地の印画のない表面を平滑
な疎水性状態に回復させた後、無電解金属浴を使
用して、所要の厚い金属層を析出させる。 第１図を参照して、プリント回路板を調製する
工程をフローダイアグラムの形で説明する。水洗
のような慣用の中間処理工程は示してないが、し
かし必要に応じて使用することは本技術の習熟者
には明らであろう。 工程１で出発し、被覆しない基材のあらゆる表
面汚染を洗浄する。説明の基材は高温熱可塑性重
合体である。基材はまた、たとえば樹脂分の多い
表面、エポキシガラスラミネートあるいは流動床
でエポキシをコーテイングした鋼材のような重合
体をコーテイングした金属内芯であつてもよいこ
とは理解されよう。 工程２では、熱可塑性基材は、米国特許第
4424095号に記述されるように赤外線、マイクロ
波あるいは対流（炉熱処理）熱処理を受ける。 工程３では、基材の表面の接着性を増進させ
る。大部分の基材に対して、「膨潤およびエツチ
ング」接着性増進法を使用する。接着性の表面を
溶媒と接触させて、表面を「膨潤」させ、そして
次に溶媒処理表面をクロム酸溶液のような酸化溶
液と接触させ、その後重亜硫酸ナトリウムのよう
な中和溶液で処理し、水洗で終わる。 工程４では、表面を感光性触媒でコーテイング
する。代表的な触媒は、米国特許第3994727号に
記述されるように銅塩類および紫外線感光光化学
開始剤、アントラキノンジスルホン酸を含有す
る。 コーテイングの直後に、表面を乾燥してこの水
キヤリアを除去し、そして表面の粘着性をなく
す。工程５に明記した本製法は対流、赤外線／対
流組合せ、あるいはマイクロ波炉（バツチ式ある
いはコンベア式）のいずれかを使用して達成でき
る。 工程６では、表面を写真陰画を通して紫外線に
選択的に露出する。後で金属メツキをしようとす
る部分、たとえば軌跡および相互接続のためのメ
ツキ貫通孔のみを露出する。紫外線に対して必要
な周波数は使用する感光性触媒で変るだろう。
Polichetteらによつて教示された26−アントラキ
ノン系に対して、326nmにエネルギーピーク（あ
るいは帯）をもち、335nmないしは400nm以下に
スペクトルを含む帯端をもつ紫外線が使用でき
る。 工程７では、表面を浄化して露出しない触媒全
てを除去し、そして表面上の導電体図形の触媒性
像を定着、すなわち金属核を部分的に瘉着させ
る。 工程８では、この触媒性像を無電解金属メツキ
溶液中で強化する。触媒性像は強化、すなわち
0.5ないし5μmの範囲まで厚さを増加する。 洗浄および乾燥後、強化した像をもつ基材を工
程９で処理して、無関係な金属メツキに対して電
位的に核生成座席として作用する微孔性、親水性
の背景をなくする。本工程では、重合体表面を溶
媒化合物にするであろう溶媒に表面を露出させ
る。 選択する溶媒は重合体表面に依存して変化す
る。高温熱可塑性プラスチツクに対して、イソプ
ロピルアルコール（IPA）とジメチルホルムアミ
ド（DMF）との室温希釈溶媒溶液が使用できる。
DMFとIPAとの比は含まれる特定の熱可塑性重
合体によつて変化する。たとえば、ポリスルホン
表面を溶媒化合物にするとき約80％DMFが使用
できる。しかしながら一般には、IPAに対する
DMFの比は容量で50％から90％までの範囲であ
ろう。樹脂分の多いエポキシラミネートおよびエ
ポキシをコーテイングした金属内芯基質のような
エポキシ表面に対しては、100％DMFが使用でき
る。ある実施例、たとえばポリエーテルイミド表
面では、表面を溶媒化合物にするのに、DMF／
IPA溶液を約35℃ないし約65℃の温度に加熱する
必要がある。 重合体表面を溶媒に露出する時間には限界があ
る。不十分な時間では部分的に平滑化した表面を
生じ、また疎水性の回復は不完全なものになるだ
ろう。過剰な浸漬時間は応力亀裂あるいはプリン
ト回路図形の上へ熱可塑性樹脂の流動を生じる。
代表的には、１ないし10秒間の露出時間が表面を
溶媒化合物にするのに適している。たとえ強力な
溶媒（DMF）を非常に低い濃度で用いたとして
も、１分間を越える露出時間は熱可塑性プラスチ
ツクに筋をつけたりあるいは流動を生じることに
なる。一般に、約30秒間以下の露出時間が適当
で、より望ましくは約20秒間以下である。 溶媒に対する露出から重合体表面を取り出した
直後に、重合体表面を乾燥しなければならない。
対流あるいは赤外線／対流炉の組せが乾燥するの
に使用できる。表面を溶媒和すれば、熱可塑性基
材物質の親水性表面領域は流動可能となり、また
平滑で、非多孔性かつ疎水性となる。溶媒和され
た表面を乾燥するのに加熱を適用すれば、流動を
改善する。液体溶媒に露出した後の乾燥温度は約
60℃ないし約200℃の間が適当である。 溶媒露出を停止した後、乾燥を始めるまで長時
間置くと、後続の無関係な金属析をにいくらか貢
献する光をかすませあるいは艶を消す条件を高め
るだろう。接着性を増進する前に半透明ないし透
明な充填材のないあるいは顔料を含まない高温熱
可塑性プラスチツクの場合、適当に処理した表面
は平滑で半透明ないしは透明な外観を呈するだろ
う。同様に、高温熱可塑性プラスチクが顔料を最
初に含有しておけば、接着性を増進した表面の処
理は最初の色を回復するだろう。 溶媒浸漬に代るものには、蒸気脱脂法に使用さ
れるものと類似した溶媒蒸気に表面を露出するこ
とが含まれる。塩化メチレンは多くの熱可塑性表
面を平滑かつ疎水性状態に、室温以上の余分な加
熱を適用することなく、全面的に回復させること
を発見した。後続の炉熱処理は残留溶媒、結合し
た水を全部除去し、また応力を解除するのに適当
である。代りの溶媒蒸気系にはトリクロロエタ
ン、トリフルオロトリクロロエタンおよびそれら
と塩化メチレンとの混合物（イー・アイ・デユポ
ン社からFREON TMCTMとして商業的に入手可
能）が含まれると考える。 走査型電子顕微鏡を用いて倍率1000×で本工程
の重合体表面を検査すると、多孔性かつ親水性表
面が元の平滑かつ疎水性表面に復帰していること
を見出した。表面は水で湿潤されず、親水性表面
が疎水性状態を回復していることを示した。 処理後、次に部分的にメツキした基材を検査
し、回路を開閉する電気的試験を行なつて、そし
て以後のメツキ操作に備える。 工程10に示すように、全アデイテイブメツキ法
を使用して、増進かつ処理した表面を銅あるいは
ニツケルで無電解メツキし、金属像を所要の厚
さ、代表的には約35μmまで盛り上げる。背景表
面の平滑度および疎水性によつて、無関係な金属
を殆んど形成することなく、金属メツキを析出さ
せる。 次に仕上げた板を乾燥し、そして工程11で熱処
理する。熱処理温度は基質重合体組成に依存す
る。代表的な熱処理温度は60℃ないし200℃の範
囲である。 第２図は本発明の方法に従つて重合体基材上に
金属図形を形成させる各段階で、重合体基材の表
面領域２００の断面を側面図で示す。第２Ａ図は
加工処理を行なう前の平滑かつ疎水性である重合
体表面２０２を示す。接着性増進後、重合体表面
２０２は多孔性かつ親水性になる。第２Ｂ図は接
着性を増進した後の多孔性かつ親水性の表面２０
４を描写する。第２Ｃ図では、感光性触媒２０６
が接着性を増進した表面２０４に適用されてい
る。第２Ｄ図では、表面部分上の金属像図形２０
８を放射エネルギーに露出させることにより、印
画表面部分２０８が形成される。露出しない表面
部分を第２Ｄ図の２１２で示す。第２Ｄ図に示す
ように、印画表面部分２０８上で、感光性触媒２
０６を金属核２１０に放射エネルギーによつて選
択的に変える。変化しなかつた触媒２０６は背景
部分２１２に残る。第２Ｅ図は、像２１４を定着
（金属核を瘉着する）させ、そして変化しなかつ
た触媒を背景部分２１２から除去した後の、重合
体表面領域２００を示す。第２Ｆ図は、金属核を
無電解析出金属薄層２１６で強化した後の、重合
体表面領域２００を示す。第２Ｇ図は背景部分２
１２上の回復した重合体表面２１８を示す。第２
Ｈ図は、無電解金属層２２０を所要の厚さまで析
出させた後の、重合体表面領域２００を示す。第
２１図は、露出した表面の溶媒化合物化と乾燥と
を繰返して、金属図形２２０のエツジ２２４に向
けて重合体表面２１８をそれらの交点２２２で流
動させ、そしてそれによつて重合体表面領域２０
０に対する金属図形２２０の接着力を増加させた
後の、重合体表面領域２００を示す。 実施例 プリント回路に必要とする孔に対応して鋼素地
に孔を打ち抜き、そして粉末コーテイング技術に
よつて素地にエポキシ樹脂（ビスフエノールＡの
ジグリシジルエーテル）コーテイングからなる青
色顔料を含むコーテイングを適用することによつ
て、金属内芯プリント回路用絶縁性基材を提供す
る。次に絶縁性基材を以下の製法で接着性を増進
する。 Ａ 接着性増進 １ ジメチルホルムアミドからなる溶媒中に２分
間浸漬する。 ２ 基材物質を水中で洗浄する。 ３ １当り酸化クロム（）900ｇの水溶液中
に、55℃で５分間浸漬して、基材の表面をエツ
チングする。 ４ 基材を水中で洗浄する。 ５ 1.4％の過酸化水素と1.8％の硫酸との第一中
和剤水溶液中に５分間浸漬することによつて、
残留クロム化合物を中和し、そして除去する。 ６ 同一組成の第二中和剤溶液中で工程５を繰返
す。 ７ 水中で洗浄する。 接着性の増進は青色エポキシコーテイングの外
観を青色から乳白青色ないしは青白色に変えた。 接着性増進後、所要のプリント回路図形に対応
する無電解金属析出に触媒性の実像を、以下に記
述するように米国特許第3994727号の製法によつ
て、基材上に形成させる。 Ｂ 像形成 １ 接着性を増進した基材を、次の組成を有する
米国特許第3993802号による放射増感組成物の
水溶液中に５分間50℃で浸漬する。 ソルビトール 220ｇ／ ２，６−アントラキノンジスルホン酸 16ｇ／ ジナトリウム塩 酢酸銅（） ８ｇ／ 臭化銅（） 0.5ｇ／ ノニルフエノキシポリエトキシエタノール
2.0ｇ／ フルオロ硼酸 3.75のPHまで ２ 基材を50℃で５分間乾燥して、基材上に放射
増感コーテイングを得る。 ３ 基材を写真陰画を通して紫外線に露出させ
て、銅核像を得る。 ４ 基材を1.3モル／のホルムアルデヒドと0.1
モル／のエチレンジニトリロテトラ酢酸塩を
含有する水溶液中に、PH12.5で５分間浸漬し、
そして撹拌する。 ５ 0.13モル／ホルムアルデヒドを含有するこ
とを除いて、同一の組成の第二溶液中で工程４
を繰返す。 ６ 水中で洗浄する。 像形成法は基材の表面上に銅核の暗色像を製作
する。2μm厚さの銅層をを無電解メツキすること
により像を強化する。次の組成の水溶液から52℃
で銅をメツキする。 銅 0.05モル／ エチレンジアミンテトラ−２−プロパノール
0.08モル／ ホルムアルデヒド 0.05モル／ アルキルフエノキシグリシドール燐酸エステル
0.0009モル／ （GafacRE610、GAF社から商業的に入手可
能） シアン化ナトリウム 0.0002モル／ （特定イオン電極によつて） セレノシアン酸カリウム 0.007モル／ アルカリ金属水酸化物 25℃でPH12.8まで 強化した像をもつ表面をジメチルホルムアミド
中に30秒間浸漬し、そして125℃で15分間ただち
に乾燥する。接着性を増進した背景を多孔性でな
い疎水性状態に戻し、そしてエポキシコーテイン
グの外観を元の青色に戻す。強化したプリント回
路図形をもつ基材を上述したた銅メツキ溶液に戻
し、プリント回路図形の上に35μmの厚さまで銅
をさらに析出させる。 実施例 1.6mm厚さにポリスルホンを押出し成形したシ
ートをパネルに切断し、マイクロ波放射に２分間
露出して応力を解除した。ドリル穿孔して貫通孔
を作成した。 孔をもつパネルをブラツシングで浄化し、そし
てマイクロ波放射によつて応力を解除した。パネ
ルに以下のような接着性増進を行なつた。 接着性増進 １ 90％のジメチルホルムアミドと10％の水との
溶液中に１分間浸漬する。 ２ Gafac RE610 0.4ｇ／水溶液中に60℃で１
分間浸漬する。 ３ 48％の硫酸水溶液中に60℃で１分間浸漬す
る。 ４ 次の成分を含有する水溶液中に60℃で２分間
エツチングする。 酸化クロム（） 400ｇ／ 硫 酸 450ｇ／ パーフルオロアルキルスルホン酸塩 （3M社からFC−98TMとして商業的に入手可
能） 0.5ｇ／ ５ すくい出し（dragout）リンス中で洗浄す
る。 ６ 1.8％の硫酸と1.4％の過酸化水素とを含む溶
液中に５分間浸漬して、残留クロムを中和す
る。 ７ 同一組成の他の中和溶液中で工程６を繰返
す。 ８ 水中で２分間洗浄する。 次に実施例の製法によりポリスルホンパネル
にプリント図形を印画し、そして実施例のメツ
キ溶液によつて1μmの厚さまで像を強化する。 金属像で被覆しなかつた背景な、80％のジメチ
ルホルムアミドと20％のイソプロパノールの溶液
中にポリスルホンパネルを２秒間浸漬し、そして
65℃の炉内でただちに乾燥させることによつて、
平滑かつ疎水性となつた。 プリント回路図形を実施例に記述したように
35μmの銅厚までメツキした。 メツキ後、このように製作したプリント回路板
は無関係な銅は存在しなかつた。次にパネルを
125℃で60分間熱処理して、吸着している蒸気を
除去し、そして応力を解除した。 実施例 鉱物を充填したポリスルホン樹脂（UDELP−
8000TMとしてユニコン・カーバイド社から商業的
に入手可能）を使用して、絶縁性基材物質のシー
トを押出し成形した。パネルの大きさに切断し、
そしてパネルの接着性を増進して、プリント回路
導電体図形を印画し、そして像を実施例の製法
によつて強化した。 印画した基材物質パネルを72％のジメチルホル
ムアミドと28％のイソプロパノールからなる溶液
中に浸漬し、そしてただちに３ｍ／分のコンベア
速度をもつコンベア装着乾燥炉に３分間パネルを
通過させることによつて、表面の疎水性と平滑度
とを回復させ、コンベアは赤外線加熱と熱風対流
加熱との両方を備えていた。炉内におけるパネル
の最高表面温度は約60℃になると考えられた。疎
水性と平滑度とを回復させる処理前には、パネル
は白色不透明な外観をもつていた。炉を出た後、
半透明となつた。 パネルを４モル塩酸溶液中に浸漬して、像の上
の酸化物層を除去し、洗浄し、そして実施例と
同様に35μmの厚さまで銅で無電解メツキした。
パネルを乾燥するために65℃で１時間熱処理し
た。0.75mm巾の銅線に関して接着強度を測定し
た。 接着強度を改良するために、パネルを再び72％
ジメチルホルムアミド溶液中に浸漬し、そしてコ
ンベア装着炉を通過させて、基材物質の表面を銅
導電体のエツジに向けて流動させた。次にパネル
を再び65℃で１時間熱処理し、冷却し、そして、
0.76mm巾の銅線に関して接着強度を再測定した。 パネルが50％の鉱物充填パリスルホン樹脂
（UDELP2000）と50％の切断ガラス繊維充填ポ
リスルホン樹脂（UDEL GF−1006TMとしてユニ
オン・カーバイド社から商業的入手可能）との混
合物から押出し成形されたものであり、またジメ
チルホルムアミド溶液が60％溶液で、40℃である
ことを除いて、第二パネル上に上記方法を繰り返
した。 パネルが、ガラス繊維と鉱物とを充填したポリ
エーテルスルホン樹脂（VITREX KM−8TMとし
てICI社から商業的に入手可能）から押出し成形
されたものであり、またジメチルホルムアミド溶
液が55％溶液であることを除いて、第三のパネル
上に上記方法を繰り返した。結果を次の表に示
す。 【表】 スルホン
実施例 貫通孔を成形したポリスルホンの射出成形パネ
ルをマイクロ波放射によつて熱処理し、そして接
着性を増進し、印画し、そして実施例の製法に
よつて0.5μmの無電解銅で像を強化した。 80％のジメチルホルムアミドと20％のイソプロ
パノールとからなる溶液中に10秒間浸漬すること
によつて表面を平滑かつ疎水性状態に戻し、そし
て120℃に維持した対流炉内にパネルを置くこと
によつて溶媒をただちに表面から蒸発させた。 無電解析出銅の付加的な層で、35μmの全銅厚
までパパネルをメツキした。銅導電体間の疎水性
背景には無関係な銅析出物はなかつた。 実施例 ジクロロメタンの蒸気中に３秒間浸漬して表面
を平滑、疎水性状態に戻し、また65℃の炉内で10
分間溶媒を蒸発させることを除いて、実施例を
繰返した。 実施例 35μmの厚さまで銅をメツキした後、接着強度
を改良するために、パネルを再びジクロロメタン
蒸気中に浸漬し、そして65℃の炉内で30分間乾燥
させることを除いて、実施例を繰返した。 実施例 使用する溶媒が50％の水で希釈したジメチルホ
ルムアミドであつて、また実施例のコンベア装
着赤外線および熱風加熱炉でパネルで乾燥するこ
とを除いて、実施例PH繰返した。 実施例 Ｎ−メチルピロリドンをジメチルホルムアミド
の代りにすることを除いて、実施例を繰返し
た。 実施例 ジジメチルスルホキシドをジメチルホルムアミ
ドの代りにすることを除いて、実施例を繰返し
た。 実施例 ジクロロメタンと１，１，２−トリクロロ−
１，２，２−トリフルオロエタンとの混合物
（FREON TMCTMとしてイー、アイ、デユポン
社から商業的に入手可能）をジクロロメタンの代
りにすることを除いて、実施例を繰返した。 実施例XI 充填したポリフエニレンスルフイド樹脂（フイ
リツプ・ヘトロリウム社からRYTON Ｒ−4TMと
して商業的に入手可能）製パネルを、30％硝酸中
に60℃で３分間浸漬し、100％硝酸中を３分間浸
漬し、そして48％フルオロ硼酸中に１分間浸漬す
ることによつて接着性を増進した。 プリント回路像をパネル上に、実施例の製法
によつて作成した。2.5μmの厚さの銅析出物で像
を強化した後、パネルをジメチルホルムアミド中
に約15秒間浸漬することによつて銅導電体間の表
面を平滑かつ疎水性にし、そして次にコンベア速
度が1.5ｍ／分であり、また出口温度が80℃にな
ると考えられる相当高いことを除いて実施例の
コンベア装着炉内で溶媒を蒸発させた。 パネルを35μmの銅厚までさらにメツキしそし
てジメホルムアミド浸漬と乾燥工程とを繰返し
て、ポリエチレンスルフイド表面に対する銅導電
体の接着性を改良した。次にパネルを120℃で１
時間熱処理した。0.3mm導電体について測定した
接着強度は僅か0.05Kg／mmであつた。接着強度は
５日間の貯蔵後0.12Kg／mmに改良した。 実施例 XII 電磁放射および無線周波数の遮蔽を提供するた
めに、ポリカーボネート熱可塑性重合体からなる
鋳型成形したエンクロージヤーを実施例の製法
に従つて接着性を増進した。 引続き、写真陰画を使用しないことを除いて実
施例の部分Ｂの像形成法に従つてエンクロージ
ヤーを加工処理した。さらに適切にいえば鋳型成
形したエンクロージヤーの内部全体を光に露出し
て、上記エンクロージヤーの全内部表面上に金属
銅の均一なコーテイングを形成させた。 銅核像を強化した後、蒸気脱脂剤であるジクロ
ロメタンの蒸気中に３秒間浸漬して、エンクロー
ジヤーの外部表面を平滑疎水性状態に戻した。こ
れはまたエンクロージヤーの外部表面の外観を元
の状態に戻した。 エンクロージヤーの外部は実施例の金属メツ
キ溶液を用いて約15μmの厚さまでさらにメツキ
された。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に従つて重合体基材上にプリン
ト回路を製作するための加工処理を示すフローチ
ヤート図である。第２Ａ図〜第２Ｉ図は本発明方
法に従つてプリント回路を作成する各段階におけ
る表面領域を示す重合体基材の表面領域の断面に
おける側面図である。 ２００…表面領域、２０２…重合体表面、２０
４…親水性表面、２０６…感光性触媒、２０８…
金属像図形、２１０…金属核、２１２…背景部
分、２１４…像、２１６…金属薄層、２１８…重
合体表面、２２０…金属図形、２２２…交点、２
２４…エツジ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 接着性を増進することによつて、非導電性基
    材の一又はそれ以上の表面を、親水性かつ微孔性
    にするように処理し、該表面上に、所望の金属図
    形に対応する図形で、無電解金属析出に対して触
    媒性ある画像を形成し、 該画像を形成した後、上記表面を第一の無電解
    金属メツキ工程に露出させ、金属析出を開始さ
    せ、上記触媒性図形を強化し、 上記基材を、上記基材表面が少なくとも部分的
    に溶解する溶媒組成物と、上記基材表面を溶媒和
    するには、十分であるが、応力亀裂あるいは所望
    の金属図形上に該表面物質の流動が生ずるには不
    十分な時間、接触させ、上記金属図形の外側の表
    面部分を、疎水性で、無電解金属析出浴に露出し
    た際に金属析出に対してレジスト性あるものと
    し、 基材の溶媒和された表面を、溶媒が迅速に蒸発
    する温度で、直ちに乾燥し、該表面の疎水性を回
    復させ、そして この表面を第二の無電解金属メツキ工程に露出
    させて、強化した触媒性図形上に金属を析出させ
    るものであり、上記表面部分の回復した疎水性
    が、所望の金属図形の外側における金属析出を阻
    止する ことを特徴とする非導電性基材上に金属図形を形
    成する方法。 ２ 基材表面が、スルホン重合体、ポリエーテル
    イミド類及びポリフエニレンスルフイド類からな
    る群から選ばれる熱可塑性重合体を含むことを特
    徴とする請求項１記載の方法。 ３ 基材が、熱可塑性重合体を含む外側表面を有
    する強化内芯を有することを特徴とする請求項１
    記載の方法。 ４ 表面が少なくとも一部溶解する溶媒と希釈剤
    とを含む液状溶媒組成物と、該表面を接触させる
    ことを特徴とする請求項１記載の方法。 ５ 溶媒が、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
    ルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン及びそれらの
    混合物からなる群から選ばれ、希釈剤が水、アル
    コール類及びそれらの混合物からなる群から選ば
    れることを特徴とする請求項４記載の方法。 ６ 接着性を増進することによつて、絶縁性基材
    パネルの一以上の表面を、親水性かつ微孔性にす
    るように処理し、該表面上に、プリント回路図形
    に相当する図形で、無電解金属析出に対して触媒
    性ある画像を形成し、 該図形を形成した後、上記パネルを第一の無電
    解金属メツキ工程に露出させ、金属析出を開始さ
    せ、上記触媒性図形を強化し、 上記パネルを、その基材表面が少なくとも部分
    的に溶解する溶媒組成物と、基材表面を溶媒和す
    るには、十分であるが、応力亀裂あるいは所望の
    金属図形上に該表面物質の流動が生ずるには不十
    分な時間、接触させ、プリント回路の絶縁性の面
    に相当する表面部分を、疎水性で、無電解金属析
    出浴に露出した際に金属析出に対してレジスト性
    あるものとし、 基材の溶媒和された表面を、溶媒が迅速に蒸発
    する温度で、直ちに乾燥し、該表面の疎水性を回
    復させ、そして このパネルを第二の無電解金属メツキ工程に露
    出し、強化した触媒性図形上に金属を析出させ、
    プリント回路を形成するものであり、画像のない
    表面の回復した疎水性が、その上における金属析
    出を阻止する。 ことを特徴とするプリント回路板の製造方法。 ７ 基材がスルホン重合体、ポリエーテルイミド
    類及びポリフエニレンスルフイド類からなる群か
    ら選ばれる熱可塑性重合体を含む外側表面を持つ
    強化内芯を有することを特徴とする請求項６記載
    の方法。 ８ 表面が少なくとも一部溶解する溶媒と希釈剤
    とを含む液状溶媒組成物と、該表面が接触される
    ことを特徴とする請求項６記載の方法。 ９ 溶媒が、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
    ルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン及びそれらの
    混合物からなる群から選ばれ、希釈剤が水、アル
    コール類及びそれらの混合物からなる群から選ば
    れることを特徴とする請求項７記載の方法。 １０ 接着性を増進することによつて、絶縁性基
    材パネルの一以上の表面を、親水性かつ微孔性に
    するように処理し、該表面上に、プリント回路の
    導電性図形に相当する触媒性図形を印画し、この
    触媒性図形上に金属を析出させ、プリント回路を
    形成するという方法において、 無電解金属析出後、上記表面を、溶媒和した基
    材表面を金属図形のエツジに対して流動し、それ
    に接着するには十分であるが、溶媒和された基材
    を金属図形上に流動するには、不十分な時間、そ
    の基材表面が少なくとも部分的に溶解する溶媒と
    接触し、 溶媒が迅速に蒸発し、上記流動を停止する温度
    で、直ちに基材表面から溶媒を蒸発させ、基材表
    面に接着した導電体図形のエツジを、その交点に
    残すことを特徴とする、プリント回路の製造方
    法。
JP60201463A 1984-10-29 1985-09-10 非導電性基材上に金属図形を形成する方法 Granted JPS61113295A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/665,952 US4594311A (en) 1984-10-29 1984-10-29 Process for the photoselective metallization on non-conductive plastic base materials
US665952 1991-03-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61113295A JPS61113295A (ja) 1986-05-31
JPH0533554B2 true JPH0533554B2 (ja) 1993-05-19

Family

ID=24672215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60201463A Granted JPS61113295A (ja) 1984-10-29 1985-09-10 非導電性基材上に金属図形を形成する方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4594311A (ja)
EP (1) EP0183060B1 (ja)
JP (1) JPS61113295A (ja)
KR (1) KR930002907B1 (ja)
AU (1) AU576128B2 (ja)
CA (1) CA1265698A (ja)
DE (1) DE3538652A1 (ja)
IL (1) IL75797A (ja)
IN (1) IN164801B (ja)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62251136A (ja) * 1986-04-25 1987-10-31 三菱樹脂株式会社 金属複合積層板
DE3737889A1 (de) * 1987-11-07 1989-05-18 Basf Ag Leiterplattensubstrate mit verbesserter waermeleitfaehigkeit
US4872844A (en) * 1988-07-08 1989-10-10 Amp Incorporated Component-carrying adapter for chip carrier socket
US5049230A (en) * 1988-11-07 1991-09-17 Jp Laboratories, Inc. Single step pre-swelling and etching of plastics for plating
US5015329A (en) * 1988-11-07 1991-05-14 Jp Laboratories, Inc. Pre-swelling and etching of plastics for plating
US4871319A (en) * 1988-12-21 1989-10-03 Amp Incorporated Molded circuit board for ribbon cable connector
CA2031488A1 (en) * 1989-04-27 1990-10-28 George A. Salensky Apparatus and method for fabricating printed circuit boards
US4978569A (en) * 1989-08-14 1990-12-18 Eastman Kodak Company Process for preparing selectively metallized articles
US4985293A (en) * 1989-08-14 1991-01-15 Eastman Kodak Company Polymer blend for molded circuit boards and other selectively conductive molded devices
US4917761A (en) * 1989-08-14 1990-04-17 Eastman Kodak Company Method of rendering polymeric materials hydrophilic for etching
US5002493A (en) * 1989-09-19 1991-03-26 Amp Incorporated Panel mounted electronic assembly
US5013248A (en) * 1989-09-19 1991-05-07 Amp Incorporated Multicircuit connector assembly
US5178956A (en) * 1989-10-03 1993-01-12 Shipley Company Inc. Pretreatment process for electroless plating of polyimides
JPH03197687A (ja) * 1989-12-26 1991-08-29 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 樹脂成形品の金属メッキ前処理方法
US5441770A (en) * 1990-05-18 1995-08-15 Shipley Company Inc. Conditioning process for electroless plating of polyetherimides
JP2768390B2 (ja) * 1990-12-11 1998-06-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 無電解金属付着のために基体をコンディショニングする方法
US5631753A (en) * 1991-06-28 1997-05-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Black matrix base board and manufacturing method therefor, and liquid crystal display panel and manufacturing method therefor
US5731073A (en) * 1996-10-01 1998-03-24 W. L. Gore & Associates, Inc. Reusable, selectively conductive, Z-axis, elastomeric composite substrate
US6338809B1 (en) * 1997-02-24 2002-01-15 Superior Micropowders Llc Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom
US20030148024A1 (en) * 2001-10-05 2003-08-07 Kodas Toivo T. Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features
US7120454B1 (en) * 2001-12-26 2006-10-10 Bellsouth Intellectual Property Corp. Auto sensing home base station for mobile telephone with remote answering capabilites
AU2003220651B2 (en) * 2002-04-17 2009-02-19 Dyemansion Gmbh Smoothing method for layered deposition modeling
JP2004311957A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Seiko Epson Corp デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
US7354623B2 (en) * 2004-05-24 2008-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Surface modification of a porous organic material through the use of a supercritical fluid
US7824466B2 (en) * 2005-01-14 2010-11-02 Cabot Corporation Production of metal nanoparticles
WO2006076612A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation A process for manufacturing application specific printable circuits (aspc’s) and other custom electronic devices
WO2006076606A2 (en) 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Optimized multi-layer printing of electronics and displays
US8383014B2 (en) 2010-06-15 2013-02-26 Cabot Corporation Metal nanoparticle compositions
WO2006076610A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
DE102005032700A1 (de) * 2005-07-13 2007-01-25 Basf Ag Extrusionsverfahren zur Herstellung eines Werkstücks
EP1943051A1 (en) * 2005-10-13 2008-07-16 Stratasys, Inc. Transactional method for building three-dimensional objects
US7588995B2 (en) * 2005-11-14 2009-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method to create damage-free porous low-k dielectric films and structures resulting therefrom
US8105643B2 (en) * 2006-05-31 2012-01-31 Cabot Corporation Process for printing features with smaller dimensions
US8765045B2 (en) * 2007-01-12 2014-07-01 Stratasys, Inc. Surface-treatment method for rapid-manufactured three-dimensional objects
US8058195B2 (en) * 2007-06-19 2011-11-15 Cabot Corporation Nanoglass and flame spray processes for producing nanoglass
US8101231B2 (en) * 2007-12-07 2012-01-24 Cabot Corporation Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks
US8075300B2 (en) * 2008-06-30 2011-12-13 Stratasys, Inc. Vapor smoothing surface finishing system
JP5096273B2 (ja) * 2008-09-11 2012-12-12 トヨタ自動車株式会社 無電解めっき処理方法
US8172627B2 (en) * 2008-12-03 2012-05-08 Tyco Electronics Corporation Electrical connector with plated plug and receptacle
EP2496886B1 (en) 2009-11-04 2016-12-21 SSW Holding Company, Inc. Cooking appliance surfaces having spill containment pattern and methods of making the same
EP2664844A1 (de) 2012-05-15 2013-11-20 Odelo GmbH Verfahren und Vorrichtung zum Tempern von Fahrzeugleuchten
EP2835446A1 (de) * 2013-08-08 2015-02-11 FRANZ Oberflächentechnik GmbH & Co KG Metallisierungsverfahren mit Schutzschicht
US10197708B2 (en) 2013-12-19 2019-02-05 Hrl Laboratories, Llc Structures having selectively metallized regions and methods of manufacturing the same
WO2015110089A1 (en) * 2014-01-27 2015-07-30 Byd Company Limited Method for metalizing polymer substrate and polymer article prepared thereof
ES2646237B2 (es) * 2017-09-28 2018-07-27 Avanzare Innovacion Tecnologica S.L. Formulación para el mordentado de materiales poliméricos previo al recubrimiento de los mismos
US11407147B1 (en) 2020-06-10 2022-08-09 Entropie Systems, Inc. Vapor condensation thermoplastic parts finishing
EP4223905A1 (en) 2022-02-08 2023-08-09 Atotech Deutschland GmbH & Co. KG Etching composition and method for etching at least one surface of a sulfur-containing thermoplastic resin-substrate

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3443988A (en) * 1965-05-06 1969-05-13 Photocircuits Corp Printed circuits,work holders and method of preventing electroless metal deposition
NL157659B (nl) * 1967-09-22 1978-08-15 Philips Nv Werkwijze voor het langs fotografische weg vervaardigen van elektrisch geleidende koperpatronen.
US3562005A (en) * 1968-04-09 1971-02-09 Western Electric Co Method of generating precious metal-reducing patterns
US3994727A (en) * 1971-07-29 1976-11-30 Photocircuits Divison Of Kollmorgen Corporation Formation of metal images using reducible non-noble metal salts and light sensitive reducing agents
US3959547A (en) * 1971-07-29 1976-05-25 Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation Process for the formation of real images and products produced thereby
US3772078A (en) * 1971-07-29 1973-11-13 Kollmorgen Photocircuits Process for the formation of real images and products produced thereby
US3930963A (en) * 1971-07-29 1976-01-06 Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation Method for the production of radiant energy imaged printed circuit boards
US4085285A (en) * 1973-11-29 1978-04-18 U.S. Philips Corporation Method of manufacturing printed circuit boards
US3964906A (en) * 1973-12-12 1976-06-22 Western Electric Company, Inc. Method of forming a hydrophobic surface by exposing a colloidal sol to UV radiation
US4098922A (en) * 1976-06-07 1978-07-04 Western Electric Company, Inc. Method for depositing a metal on a surface
US4084023A (en) * 1976-08-16 1978-04-11 Western Electric Company, Inc. Method for depositing a metal on a surface
US4167601A (en) * 1976-11-15 1979-09-11 Western Electric Company, Inc. Method of depositing a stress-free electroless copper deposit
US4151313A (en) * 1977-03-11 1979-04-24 Hitachi, Ltd. Method for production of printed circuits by electroless metal plating employing a solid solution of metal oxides of titanium, nickel, and antimony as a masking material
JPS606556B2 (ja) * 1977-06-03 1985-02-19 旭化成株式会社 プリント回路板の製造法
US4133908A (en) * 1977-11-03 1979-01-09 Western Electric Company, Inc. Method for depositing a metal on a surface
DE2847298A1 (de) * 1978-10-27 1980-05-08 Schering Ag Verfahren zur herstellung von metallmustern auf einem isolierenden traegerstoff
US4268536A (en) * 1978-12-07 1981-05-19 Western Electric Company, Inc. Method for depositing a metal on a surface
US4388351A (en) * 1979-08-20 1983-06-14 Western Electric Company, Inc. Methods of forming a patterned metal film on a support
US4281034A (en) * 1980-04-03 1981-07-28 Sunbeam Corporation Plating on plastics by softening with trichloroethylene and methylene chloride bath
CA1164734A (en) * 1980-07-11 1984-04-03 Michael Schneider Method for applying an anti-reflection coating to a solar cell
US4424095A (en) * 1981-01-12 1984-01-03 Kollmorgen Technologies Corporation Radiation stress relieving of polymer articles
NL8102620A (nl) * 1981-05-29 1982-12-16 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van gedrukte bedrading en aldus verkregen produkten.
US4447471A (en) * 1982-12-30 1984-05-08 Gould Inc. Method of treating thermoplastic surfaces
US4511597A (en) * 1983-10-12 1985-04-16 Kollmorgen Technologies Corporation Method for depositing a metal on a surface
US4537799A (en) * 1984-04-16 1985-08-27 At&T Technologies, Inc. Selective metallization process

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61113295A (ja) 1986-05-31
EP0183060A3 (en) 1988-10-19
EP0183060A2 (en) 1986-06-04
DE3538652C2 (ja) 1988-06-16
KR860003751A (ko) 1986-05-28
KR930002907B1 (ko) 1993-04-15
IN164801B (ja) 1989-06-03
AU576128B2 (en) 1988-08-11
IL75797A0 (en) 1985-11-29
AU4876685A (en) 1986-05-08
EP0183060B1 (en) 1992-05-13
DE3538652A1 (de) 1986-04-30
IL75797A (en) 1989-06-30
CA1265698A (en) 1990-02-13
US4594311A (en) 1986-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0533554B2 (ja)
US3772078A (en) Process for the formation of real images and products produced thereby
US3772056A (en) Sensitized substrates for chemical metallization
US3925578A (en) Sensitized substrates for chemical metallization
JP3117386B2 (ja) 基板を選択的に金属被覆する方法
US4424095A (en) Radiation stress relieving of polymer articles
US4448804A (en) Method for selective electroless plating of copper onto a non-conductive substrate surface
US3808028A (en) Method of improving adhesive properties of a surface comprising a cured epoxy
US3959547A (en) Process for the formation of real images and products produced thereby
US4832799A (en) Process for coating at least one surface of a polyimide sheet with copper
JPH0632374B2 (ja) 相互接続をもつ電子回路板を選択的に金属化するための改良した方法
DK146780B (da) Fremgangsmaade til additiv fremstilling af ved metaludskillelse frembragte moenstre
JP3486864B2 (ja) 基板上の銅配線形成方法及び銅配線の形成された基板
CA1293605C (en) Process for treating reinforced polymer composite
AU575953B2 (en) Composition and process for conditioning the surface of plastic substrates prior to metal plating
JP4900036B2 (ja) 樹脂基板のオゾン溶液処理方法と配線基板の製造方法
JP4632580B2 (ja) 樹脂基材上への導電性皮膜の形成法
US4259435A (en) Additive method of manufacturing metal patterns on synthetic resin substrates
JP2003129247A (ja) 樹脂表面への導電性被膜及び導電性回路パターンの形成方法
JPH11246977A (ja) パターン状選択的銀の析出を利用する無電解めっきによる回路形成方法
JP2624068B2 (ja) プリント配線板の製造法
GB2121058A (en) Relieving stress in polymer articles
JP7753721B2 (ja) プリント配線板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JPH04229694A (ja) ポリイミド表面への金属の接着を改良する方法
JPS62296493A (ja) プリント配線板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees