JPH05336452A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH05336452A JPH05336452A JP4140488A JP14048892A JPH05336452A JP H05336452 A JPH05336452 A JP H05336452A JP 4140488 A JP4140488 A JP 4140488A JP 14048892 A JP14048892 A JP 14048892A JP H05336452 A JPH05336452 A JP H05336452A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 過大光量入力時、光電変換素子で発生した不
要電荷が水平転送レジスタにおいて溢れてしまうのを防
止して、画質の良好な撮像出力を得ることができる固体
撮像装置を提供する。 【構成】 ＣＣＤ駆動回路６により、フレームインター
ライントランスファ型のＣＣＤイメージセンサ２の光電
変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄積電荷量を可変制御して、
上記光電変換素子ＳO ，ＳE に発生した不要電荷を水平
転送レジスタＨRE G を介して掃き捨てる動作さモードに
上記最大電荷蓄積量を少なくする。
要電荷が水平転送レジスタにおいて溢れてしまうのを防
止して、画質の良好な撮像出力を得ることができる固体
撮像装置を提供する。 【構成】 ＣＣＤ駆動回路６により、フレームインター
ライントランスファ型のＣＣＤイメージセンサ２の光電
変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄積電荷量を可変制御して、
上記光電変換素子ＳO ，ＳE に発生した不要電荷を水平
転送レジスタＨRE G を介して掃き捨てる動作さモードに
上記最大電荷蓄積量を少なくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電荷結合素子（CCD :
Charge Coupled Device ）により形成したＣＣＤイメー
ジセンサなどの固体イメージセンサを使用した固体撮像
装置に関し、特に、マトリクス状に配設された光電変換
素子により得られる撮像電荷が読み出される垂直転送レ
ジスタを有する撮像部と、この撮像部の垂直転送レジス
タから撮像電荷が高速転送される垂直転送レジスタを有
する蓄積部と、この蓄積部の垂直転送レジスタから撮像
電荷が線順次に転送される水平転送レジスタとからなる
フレームインタライントランスファ型の固体イメージセ
ンサを備え、上記光電変換素子に発生した不要電荷を上
記蓄積部の垂直転送レジスタに読み出して上記水平転送
レジスタを介して掃き捨てる動作モードを有する固体撮
像装置に関する。
Charge Coupled Device ）により形成したＣＣＤイメー
ジセンサなどの固体イメージセンサを使用した固体撮像
装置に関し、特に、マトリクス状に配設された光電変換
素子により得られる撮像電荷が読み出される垂直転送レ
ジスタを有する撮像部と、この撮像部の垂直転送レジス
タから撮像電荷が高速転送される垂直転送レジスタを有
する蓄積部と、この蓄積部の垂直転送レジスタから撮像
電荷が線順次に転送される水平転送レジスタとからなる
フレームインタライントランスファ型の固体イメージセ
ンサを備え、上記光電変換素子に発生した不要電荷を上
記蓄積部の垂直転送レジスタに読み出して上記水平転送
レジスタを介して掃き捨てる動作モードを有する固体撮
像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＣＣＤイメージセンサなどの固
体イメージセンサは、マトリクス状に配設された光電変
換素子により得られる撮像電荷の読み出し構造により分
類されたフレームトランスファ型やインターライントラ
ンスファ型、フレームインターライントランスファ型な
どの各種構造のものが知られている。そして、このよう
な固体イメージセンサを使用した固体撮像装置では、上
記固体イメージセンサをフレーム蓄積モードやフィール
ド蓄積モードで駆動して、ＮＴＳＣ（National Televis
ion System Commitee ）方式など標準テレビジョン方式
に準拠した撮像出力信号を得るようにしている。
体イメージセンサは、マトリクス状に配設された光電変
換素子により得られる撮像電荷の読み出し構造により分
類されたフレームトランスファ型やインターライントラ
ンスファ型、フレームインターライントランスファ型な
どの各種構造のものが知られている。そして、このよう
な固体イメージセンサを使用した固体撮像装置では、上
記固体イメージセンサをフレーム蓄積モードやフィール
ド蓄積モードで駆動して、ＮＴＳＣ（National Televis
ion System Commitee ）方式など標準テレビジョン方式
に準拠した撮像出力信号を得るようにしている。
【０００３】すなわち、ＮＴＳＣ方式など標準テレビジ
ョン方式では、奇数フィールドの走査ラインと偶数フィ
ールドの走査ラインとが互いの走査ラインの間に位置す
るようにしたインターレース走査が採用されている。
ョン方式では、奇数フィールドの走査ラインと偶数フィ
ールドの走査ラインとが互いの走査ラインの間に位置す
るようにしたインターレース走査が採用されている。
【０００４】そして、光電変換素子がマトリクス状に配
設されてなるＣＣＤイメージセンサなどの固体イメージ
センサにより被写体を撮像する固体撮像装置では、フィ
ールド読み出しと呼ばれる動作モード（フィールド蓄積
モード）又はフレーム読み出しと呼ばれる動作モード
（フレーム蓄積モード）で上記固体イメージセンサを動
作させることにより、インターレース走査に対応した撮
像出力を得るようにしていた。
設されてなるＣＣＤイメージセンサなどの固体イメージ
センサにより被写体を撮像する固体撮像装置では、フィ
ールド読み出しと呼ばれる動作モード（フィールド蓄積
モード）又はフレーム読み出しと呼ばれる動作モード
（フレーム蓄積モード）で上記固体イメージセンサを動
作させることにより、インターレース走査に対応した撮
像出力を得るようにしていた。
【０００５】例えば、インターライントランスファ型Ｃ
ＣＤイメージセンサでは、フィールド読み出しモードの
動作の場合、図６に示すように、垂直ブランキン期間毎
の読み出しパルスにより、隣接する奇数列の光電変換素
子による撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子による撮
像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下の組み合わせを変え
て垂直転送レジスタに転送し、各フィールドの撮像電荷
Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａ i+1 を映像期間中に上記垂直転送
レジスタから水平転送レジスタを介して線順次に読み出
すことにより、インターレース走査に対応した撮像出力
を得ている。また、フレーム読み出しモードの動作の場
合、図７に示すように、垂直ブランキン期間毎の読み出
しパルスにより、隣接する奇数列の光電変換素子による
撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子による撮像電荷Ｂ
i を１フィールド毎に交互に垂直転送レジスタに転送
し、各フィールドの撮像電荷Ａi ，Ｂi を映像期間中に
上記垂直転送レジスタから水平転送レジスタを介して線
順次に読み出すことにより、インターレース走査に対応
した撮像出力を得ている。
ＣＤイメージセンサでは、フィールド読み出しモードの
動作の場合、図６に示すように、垂直ブランキン期間毎
の読み出しパルスにより、隣接する奇数列の光電変換素
子による撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子による撮
像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下の組み合わせを変え
て垂直転送レジスタに転送し、各フィールドの撮像電荷
Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａ i+1 を映像期間中に上記垂直転送
レジスタから水平転送レジスタを介して線順次に読み出
すことにより、インターレース走査に対応した撮像出力
を得ている。また、フレーム読み出しモードの動作の場
合、図７に示すように、垂直ブランキン期間毎の読み出
しパルスにより、隣接する奇数列の光電変換素子による
撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子による撮像電荷Ｂ
i を１フィールド毎に交互に垂直転送レジスタに転送
し、各フィールドの撮像電荷Ａi ，Ｂi を映像期間中に
上記垂直転送レジスタから水平転送レジスタを介して線
順次に読み出すことにより、インターレース走査に対応
した撮像出力を得ている。
【０００６】また、ＣＣＤイメージセンサなどの固体イ
メージセンサにおける各光電変換素子は、入射光量に比
例する撮像電荷を発生するが、その最大電荷蓄積量が例
えばオーバーフロードレインポテンシャルで定まり、こ
のオーバーフロードレインポテンシャルをサブストレー
ト基板に印加する電圧などによって可変することにより
制御することができる。そして、上記光電変換素子に発
生した撮像電荷を上記オーバーフロードレインポテンシ
ャルを介して掃き捨てるように上記サブストレート基板
にシャッタパルスを印加することにより、上記光電変換
素子の実効電荷蓄積期間を可変するようにして電子シャ
ッタ機能が実現されている。
メージセンサにおける各光電変換素子は、入射光量に比
例する撮像電荷を発生するが、その最大電荷蓄積量が例
えばオーバーフロードレインポテンシャルで定まり、こ
のオーバーフロードレインポテンシャルをサブストレー
ト基板に印加する電圧などによって可変することにより
制御することができる。そして、上記光電変換素子に発
生した撮像電荷を上記オーバーフロードレインポテンシ
ャルを介して掃き捨てるように上記サブストレート基板
にシャッタパルスを印加することにより、上記光電変換
素子の実効電荷蓄積期間を可変するようにして電子シャ
ッタ機能が実現されている。
【０００７】さらに、フームインターライントランスフ
ァ型ＣＣＤイメージセンサでは、光電変換素子で発生す
る不要電荷を撮像部の垂直転送レジスタに読み出して、
水平転送レジスタを介して高速転送して上記不要電荷を
掃き捨てることにより、実効電荷蓄積期間を制御するこ
とが行われている。
ァ型ＣＣＤイメージセンサでは、光電変換素子で発生す
る不要電荷を撮像部の垂直転送レジスタに読み出して、
水平転送レジスタを介して高速転送して上記不要電荷を
掃き捨てることにより、実効電荷蓄積期間を制御するこ
とが行われている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光電変換素
子で発生する不要電荷を撮像部の垂直転送レジスタに読
み出して、水平転送レジスタを介して高速転送して上記
不要電荷を掃き捨てる場合ようにした場合、上記水平転
送レジスタの最大電荷転送能力が問題となり、過大光量
入力時に、上記光電変換素子で発生した不要電荷が上記
水平転送レジスタにおいて溢れてしまい、映像部分に入
り込むことにより、画質が劣化する虞れがある。
子で発生する不要電荷を撮像部の垂直転送レジスタに読
み出して、水平転送レジスタを介して高速転送して上記
不要電荷を掃き捨てる場合ようにした場合、上記水平転
送レジスタの最大電荷転送能力が問題となり、過大光量
入力時に、上記光電変換素子で発生した不要電荷が上記
水平転送レジスタにおいて溢れてしまい、映像部分に入
り込むことにより、画質が劣化する虞れがある。
【０００９】そこで、本発明は、上述の如き従来の固体
撮像装置の問題点に鑑み、フレームインタライントラン
スファ型の固体イメージセンサを備え、光電変換素子に
発生した不要電荷を上記蓄積部の垂直転送レジスタに読
み出して水平転送レジスタを介して掃き捨てる動作モー
ドを有する固体撮像装置において、過大光量入力時に、
上記光電変換素子で発生した不要電荷が上記水平転送レ
ジスタにおいて溢れてしまうのを防止して、画質の良好
な撮像出力を得ることができるようにすることを目的と
するものである。
撮像装置の問題点に鑑み、フレームインタライントラン
スファ型の固体イメージセンサを備え、光電変換素子に
発生した不要電荷を上記蓄積部の垂直転送レジスタに読
み出して水平転送レジスタを介して掃き捨てる動作モー
ドを有する固体撮像装置において、過大光量入力時に、
上記光電変換素子で発生した不要電荷が上記水平転送レ
ジスタにおいて溢れてしまうのを防止して、画質の良好
な撮像出力を得ることができるようにすることを目的と
するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するために、マトリクス状に配設された光電変換素
子により得られる撮像電荷が読み出される垂直転送レジ
スタを有する撮像部と、この撮像部の垂直転送レジスタ
から撮像電荷が高速転送される垂直転送レジスタを有す
る蓄積部と、この蓄積部の垂直転送レジスタから撮像電
荷が線順次に転送される水平転送レジスタとからなるフ
レームインタライントランスファ型の固体イメージセン
サを備え、上記光電変換素子に発生した不要電荷を上記
蓄積部の垂直転送レジスタに読み出して上記水平転送レ
ジスタを介して掃き捨てる動作モードを有する固体撮像
装置において、上記光電変換素子の最大蓄積電荷量を可
変制御する蓄積電荷量制御手段を設け、上記光電変換素
子に発生した不要電荷を水平転送レジスタを介して掃き
捨てる動作モード時に、上記蓄積電荷量制御手段により
上記光電変換素子の最大蓄積電荷量を少なくすることを
特徴とするものである。上記蓄積電荷量制御手段は、上
記光電変換素子の最大蓄積電荷量を切り換える切り換え
スイッチを備えてなる。
解決するために、マトリクス状に配設された光電変換素
子により得られる撮像電荷が読み出される垂直転送レジ
スタを有する撮像部と、この撮像部の垂直転送レジスタ
から撮像電荷が高速転送される垂直転送レジスタを有す
る蓄積部と、この蓄積部の垂直転送レジスタから撮像電
荷が線順次に転送される水平転送レジスタとからなるフ
レームインタライントランスファ型の固体イメージセン
サを備え、上記光電変換素子に発生した不要電荷を上記
蓄積部の垂直転送レジスタに読み出して上記水平転送レ
ジスタを介して掃き捨てる動作モードを有する固体撮像
装置において、上記光電変換素子の最大蓄積電荷量を可
変制御する蓄積電荷量制御手段を設け、上記光電変換素
子に発生した不要電荷を水平転送レジスタを介して掃き
捨てる動作モード時に、上記蓄積電荷量制御手段により
上記光電変換素子の最大蓄積電荷量を少なくすることを
特徴とするものである。上記蓄積電荷量制御手段は、上
記光電変換素子の最大蓄積電荷量を切り換える切り換え
スイッチを備えてなる。
【００１１】また、本発明に係る固体撮像装置は、上記
固体イメージセンサの各光電変換素子の有効電荷蓄積期
間を奇数列の光電変換素子と偶数列の光電変換素子とで
独立に変えて、隣接する奇数列の光電変換素子と偶数列
の光電変換素子とにより得られる撮像電荷を１フィール
ド毎に加算混合して読み出す制御を行うイメージセンサ
駆動制御手段とを備えてなる。
固体イメージセンサの各光電変換素子の有効電荷蓄積期
間を奇数列の光電変換素子と偶数列の光電変換素子とで
独立に変えて、隣接する奇数列の光電変換素子と偶数列
の光電変換素子とにより得られる撮像電荷を１フィール
ド毎に加算混合して読み出す制御を行うイメージセンサ
駆動制御手段とを備えてなる。
【００１２】さらに、本発明に係る固体撮像装置は、上
記固体イメージセンサの奇数列の光電変換素子により得
られる撮像電荷と偶数列の光電変換素子により得られる
撮像電荷を、映像期間の途中で１フィールド毎に交互に
前記撮像部の垂直転送レジスタに読み出し、１フィール
ド毎の垂直ブランキング期間中に、上記撮像部の垂直転
送レジスタから前記蓄積部の垂直転送レジスタに高速転
送し、上記蓄積部の垂直転送レジスタから前記水平転送
レジスタを介して撮像電荷を線順次に高速転送して掃き
出す制御を行うとともに、隣接する奇数列の光電変換素
子と偶数列の光電変換素子とにより得られる撮像電荷を
１フィールド毎の垂直ブランキング期間中に加算混合し
て上記撮像部の垂直転送レジスタに読み出して上記蓄積
部の垂直転送レジスタに高速転送し、映像期間中に、上
記蓄積部の垂直転送レジスタから上記水平転送レジスタ
を介して撮像電荷を線順次に読み出す制御を行うイメー
ジセンサ駆動制御手段とを備えてなる。
記固体イメージセンサの奇数列の光電変換素子により得
られる撮像電荷と偶数列の光電変換素子により得られる
撮像電荷を、映像期間の途中で１フィールド毎に交互に
前記撮像部の垂直転送レジスタに読み出し、１フィール
ド毎の垂直ブランキング期間中に、上記撮像部の垂直転
送レジスタから前記蓄積部の垂直転送レジスタに高速転
送し、上記蓄積部の垂直転送レジスタから前記水平転送
レジスタを介して撮像電荷を線順次に高速転送して掃き
出す制御を行うとともに、隣接する奇数列の光電変換素
子と偶数列の光電変換素子とにより得られる撮像電荷を
１フィールド毎の垂直ブランキング期間中に加算混合し
て上記撮像部の垂直転送レジスタに読み出して上記蓄積
部の垂直転送レジスタに高速転送し、映像期間中に、上
記蓄積部の垂直転送レジスタから上記水平転送レジスタ
を介して撮像電荷を線順次に読み出す制御を行うイメー
ジセンサ駆動制御手段とを備えてなる。
【００１３】
【作用】本発明に係る固体撮像装置では、蓄積電荷量制
御手段によりフレームインタライントランスファ型の固
体イメージセンサの光電変換素子の最大蓄積電荷量を可
変制御して、上記光電変換素子に発生した不要電荷を水
平転送レジスタを介して掃き捨てる動作モード時に上記
光電変換素子の最大蓄積電荷量を少なくする。上記蓄積
電荷量制御手段は、切り換えスイッチにより上記光電変
換素子の最大蓄積電荷量を切り換える。
御手段によりフレームインタライントランスファ型の固
体イメージセンサの光電変換素子の最大蓄積電荷量を可
変制御して、上記光電変換素子に発生した不要電荷を水
平転送レジスタを介して掃き捨てる動作モード時に上記
光電変換素子の最大蓄積電荷量を少なくする。上記蓄積
電荷量制御手段は、切り換えスイッチにより上記光電変
換素子の最大蓄積電荷量を切り換える。
【００１４】また、本発明に係る固体撮像装置では、イ
メージセンサ駆動制御手段により、固体イメージセンサ
の各光電変換素子の有効電荷蓄積期間を奇数列の光電変
換素子と偶数列の光電変換素子とで独立に変えて、隣接
する奇数列の光電変換素子と偶数列の光電変換素子とに
より得られる撮像電荷を１フィールド毎に加算混合して
読み出す制御を行う。
メージセンサ駆動制御手段により、固体イメージセンサ
の各光電変換素子の有効電荷蓄積期間を奇数列の光電変
換素子と偶数列の光電変換素子とで独立に変えて、隣接
する奇数列の光電変換素子と偶数列の光電変換素子とに
より得られる撮像電荷を１フィールド毎に加算混合して
読み出す制御を行う。
【００１５】さらに、本発明に係る固体撮像装置では、
イメージセンサ駆動制御手段により、フレームインター
ライントランスファ型の固体イメージセンサの奇数列の
光電変換素子により得られる撮像電荷と偶数列の光電変
換素子により得られる撮像電荷を、映像期間の途中で１
フィールド毎に交互に上記撮像部の垂直転送レジスタに
読み出し、１フィールド毎の垂直ブランキング期間中
に、上記撮像部の垂直転送レジスタから上記蓄積部の垂
直転送レジスタに高速転送し、上記蓄積部の垂直転送レ
ジスタから上記水平転送レジスタを介して撮像電荷を線
順次に高速転送して掃き出す制御を行うとともに、隣接
する奇数列の光電変換素子と偶数列の光電変換素子とに
より得られる撮像電荷を１フィールド毎の垂直ブランキ
ング期間中に加算混合して上記撮像部の垂直転送レジス
タに読み出して上記蓄積部の垂直転送レジスタに高速転
送し、映像期間中に、上記蓄積部の垂直転送レジスタか
ら上記水平転送レジスタを介して撮像電荷を線順次に読
み出す制御を行う。
イメージセンサ駆動制御手段により、フレームインター
ライントランスファ型の固体イメージセンサの奇数列の
光電変換素子により得られる撮像電荷と偶数列の光電変
換素子により得られる撮像電荷を、映像期間の途中で１
フィールド毎に交互に上記撮像部の垂直転送レジスタに
読み出し、１フィールド毎の垂直ブランキング期間中
に、上記撮像部の垂直転送レジスタから上記蓄積部の垂
直転送レジスタに高速転送し、上記蓄積部の垂直転送レ
ジスタから上記水平転送レジスタを介して撮像電荷を線
順次に高速転送して掃き出す制御を行うとともに、隣接
する奇数列の光電変換素子と偶数列の光電変換素子とに
より得られる撮像電荷を１フィールド毎の垂直ブランキ
ング期間中に加算混合して上記撮像部の垂直転送レジス
タに読み出して上記蓄積部の垂直転送レジスタに高速転
送し、映像期間中に、上記蓄積部の垂直転送レジスタか
ら上記水平転送レジスタを介して撮像電荷を線順次に読
み出す制御を行う。
【００１６】
【実施例】以下、本発明に係る固体撮像装置の一実施例
について図面を参照しながら詳細に説明する。本発明に
係る固体撮像装置は、例えば図１に示すように構成され
る。
について図面を参照しながら詳細に説明する。本発明に
係る固体撮像装置は、例えば図１に示すように構成され
る。
【００１７】この図１に示す固体撮像装置は、撮像光Ｌ
i が撮像光学系１を介して入射される撮像部３のＣＣＤ
（Charge Coupled Device ）イメージセンサ２により被
写体像の３原色画像を撮像して、ＮＴＳＣ（National T
elevision System Commitee）方式に準拠したカラーテ
レビジョン信号を出力するカラーテレビジョンカメラ装
置に本発明を適用したもので、上記撮像部３から撮像信
号が供給される信号処理部４、この信号処理部４により
信号処理の施された撮像信号が供給されるエンコーダ
５、上記ＣＣＤイメージセンサ２を駆動するＣＣＤ駆動
回路６、これら各種回路ブロックの動作制御を行う制御
部７などから成る。
i が撮像光学系１を介して入射される撮像部３のＣＣＤ
（Charge Coupled Device ）イメージセンサ２により被
写体像の３原色画像を撮像して、ＮＴＳＣ（National T
elevision System Commitee）方式に準拠したカラーテ
レビジョン信号を出力するカラーテレビジョンカメラ装
置に本発明を適用したもので、上記撮像部３から撮像信
号が供給される信号処理部４、この信号処理部４により
信号処理の施された撮像信号が供給されるエンコーダ
５、上記ＣＣＤイメージセンサ２を駆動するＣＣＤ駆動
回路６、これら各種回路ブロックの動作制御を行う制御
部７などから成る。
【００１８】この固体撮像装置において、上記撮像部３
を構成するＣＣＤイメージセンサ２は、図２に示すよう
に、それぞれ撮像面に奇数フィールド画像および偶数フ
ィールドの画像の各画素に対応するホトダイオードなど
の光電変換素子ＳO ，ＳE がマトリックス状に配列され
た撮像部ＩＭと、この撮像部ＩＭの各光電変換素子Ｓに
より得られる蓄積電荷が垂直転送レジスタＩＭＶREG を
介して転送される蓄積部ＳＴとを有する所謂フレームイ
ンターライントランスファ（ＦＩＴ）型のＣＣＤイメー
ジセンサであって、上記ＣＣＤ駆動回路６によって駆動
されて、マトリクス状に配設された光電変換素子ＳO ，
ＳE により得られる撮像電荷が、垂直ブランキング毎に
転送ゲートＳＧを介して上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭＶREG から蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴ
REG に転送され、映像期間中に上記蓄積部ＳＴの垂直転
送レジスタＳＴREG 水平転送レジスタＨREG を介して１
ラインずつ線順次に読み出されるようになっている。
を構成するＣＣＤイメージセンサ２は、図２に示すよう
に、それぞれ撮像面に奇数フィールド画像および偶数フ
ィールドの画像の各画素に対応するホトダイオードなど
の光電変換素子ＳO ，ＳE がマトリックス状に配列され
た撮像部ＩＭと、この撮像部ＩＭの各光電変換素子Ｓに
より得られる蓄積電荷が垂直転送レジスタＩＭＶREG を
介して転送される蓄積部ＳＴとを有する所謂フレームイ
ンターライントランスファ（ＦＩＴ）型のＣＣＤイメー
ジセンサであって、上記ＣＣＤ駆動回路６によって駆動
されて、マトリクス状に配設された光電変換素子ＳO ，
ＳE により得られる撮像電荷が、垂直ブランキング毎に
転送ゲートＳＧを介して上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭＶREG から蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴ
REG に転送され、映像期間中に上記蓄積部ＳＴの垂直転
送レジスタＳＴREG 水平転送レジスタＨREG を介して１
ラインずつ線順次に読み出されるようになっている。
【００１９】上記信号処理部４は、上記ＣＣＤイメージ
センサ２から読み出された撮像信号について、ガンマ補
正などのプロセス処理を施した撮像信号を形成する。そ
して、この撮像信号を上記エンコーダ５に供給する。ま
た、上記エンコーダ５は、上記信号処理部４から供給さ
れる撮像信号からＮＴＳＣ方式に準拠したテレビジョン
信号を形成して出力端子８から出力する。
センサ２から読み出された撮像信号について、ガンマ補
正などのプロセス処理を施した撮像信号を形成する。そ
して、この撮像信号を上記エンコーダ５に供給する。ま
た、上記エンコーダ５は、上記信号処理部４から供給さ
れる撮像信号からＮＴＳＣ方式に準拠したテレビジョン
信号を形成して出力端子８から出力する。
【００２０】さらに、上記ＣＣＤ駆動回路６は、上記制
御部７により与えられるタイミング信号に基づいて、上
記撮像部ＩＭにおいて各光電変換素子ＳO ，ＳE により
得られた撮像電荷を垂直転送レジスタＩＭＶREG に転送
させるセンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 、上記撮
像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶREG 中の信号電荷を
垂直転送させる垂直転送パルス垂直転送パルスφＩＭ、
上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG 中の信号
電荷を垂直転送させる垂直転送パルス垂直転送パルスφ
ＳＴ、上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG か
ら上記水平転送レジスタＨREG に信号電荷を転送させる
転送パルスφＶＨや上記水平転送レジスタＨREG 中の信
号電荷を水平転送させる水平転送パルスφＨなどを上記
ＣＣＤイメージセンサ２に与える。
御部７により与えられるタイミング信号に基づいて、上
記撮像部ＩＭにおいて各光電変換素子ＳO ，ＳE により
得られた撮像電荷を垂直転送レジスタＩＭＶREG に転送
させるセンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 、上記撮
像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶREG 中の信号電荷を
垂直転送させる垂直転送パルス垂直転送パルスφＩＭ、
上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG 中の信号
電荷を垂直転送させる垂直転送パルス垂直転送パルスφ
ＳＴ、上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG か
ら上記水平転送レジスタＨREG に信号電荷を転送させる
転送パルスφＶＨや上記水平転送レジスタＨREG 中の信
号電荷を水平転送させる水平転送パルスφＨなどを上記
ＣＣＤイメージセンサ２に与える。
【００２１】また、上記ＣＣＤ駆動回路６は、図３に示
すように、電圧発生源６Ａにより発生される２種類の電
圧Ｖ−ＳＵＢ1 ，Ｖ−ＳＵＢ2 を切換スイッチ６Ｂを介
して選択的に出力し、上記ＣＣＤイメージセンサ２のサ
ブストレート基板に印加するようになっている。上記切
換スイッチ６Ｂは、上記制御部７により与えられる制御
信号に応じて、上記ＣＣＤイメージセンサ２のサブスト
レート基板に印加する電圧Ｖ−ＳＵＢを切り換えて、上
記ＣＣＤイメージセンサ２の各光電変換素子Ｓ O ，ＳE
の最大蓄積電荷量ＱMAX を決めるオーバーフロードレイ
ンポテンシャルを変化させる。上記ＣＣＤイメージセン
サ２は、各電圧Ｖ−ＳＵＢ1 ，Ｖ−ＳＵＢ2 は、一方の
電圧Ｖ−ＳＵＢ1 がサブストレート基板に印加された場
合の各光電変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄積電荷量ＱMAX1
よりも、他方の電圧Ｖ−ＳＵＢ2がサブストレート基板
に印加された場合の各光電変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄
積電荷量ＱMAX2の方が少なくなるように、設定されてい
る。
すように、電圧発生源６Ａにより発生される２種類の電
圧Ｖ−ＳＵＢ1 ，Ｖ−ＳＵＢ2 を切換スイッチ６Ｂを介
して選択的に出力し、上記ＣＣＤイメージセンサ２のサ
ブストレート基板に印加するようになっている。上記切
換スイッチ６Ｂは、上記制御部７により与えられる制御
信号に応じて、上記ＣＣＤイメージセンサ２のサブスト
レート基板に印加する電圧Ｖ−ＳＵＢを切り換えて、上
記ＣＣＤイメージセンサ２の各光電変換素子Ｓ O ，ＳE
の最大蓄積電荷量ＱMAX を決めるオーバーフロードレイ
ンポテンシャルを変化させる。上記ＣＣＤイメージセン
サ２は、各電圧Ｖ−ＳＵＢ1 ，Ｖ−ＳＵＢ2 は、一方の
電圧Ｖ−ＳＵＢ1 がサブストレート基板に印加された場
合の各光電変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄積電荷量ＱMAX1
よりも、他方の電圧Ｖ−ＳＵＢ2がサブストレート基板
に印加された場合の各光電変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄
積電荷量ＱMAX2の方が少なくなるように、設定されてい
る。
【００２２】そして、上記制御部７は、この固体撮像装
置のシステムクロックに基づいて、上記エンコーダ５に
同期信号や帰線消去信号などを与えるとともに、上記信
号処理部４やＣＣＤ駆動回路６に各種タイミング信号を
与えるようになっている。この制御部７は、図示しない
システムコントローラにより動作モードが第１乃至第３
の３種類の動作モードに切り換えられ、次のような制御
動作を行う。
置のシステムクロックに基づいて、上記エンコーダ５に
同期信号や帰線消去信号などを与えるとともに、上記信
号処理部４やＣＣＤ駆動回路６に各種タイミング信号を
与えるようになっている。この制御部７は、図示しない
システムコントローラにより動作モードが第１乃至第３
の３種類の動作モードに切り換えられ、次のような制御
動作を行う。
【００２３】先ず、第１の動作モードはフィールド読み
出しモードであって、上記制御部７は、フィールド読み
出しモードの各種タイミング信号を上記ＣＣＤ駆動回路
６に与える。
出しモードであって、上記制御部７は、フィールド読み
出しモードの各種タイミング信号を上記ＣＣＤ駆動回路
６に与える。
【００２４】この第１の動作モードにおいて、上記ＣＣ
Ｄ駆動回路６は、上記電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレー
ト基板に印加するとともに、１フィールド毎の垂直ブラ
ンキング期間ＴVBLK中にセンサゲートパルスφＳＧ1 ，
φＳＧ2 を上記撮像部ＩＭに同時に与えて、奇数列の光
電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数列の
光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１フィ
ールド毎に上下の組み合わせを交互に変えて垂直転送レ
ジスタＩＭＶREG に転送させることにより、フィールド
読み出しモードでインターライン走査に対応する撮像電
荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を上記垂直転送レジスタＩ
ＭＶREG に読み出す。
Ｄ駆動回路６は、上記電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレー
ト基板に印加するとともに、１フィールド毎の垂直ブラ
ンキング期間ＴVBLK中にセンサゲートパルスφＳＧ1 ，
φＳＧ2 を上記撮像部ＩＭに同時に与えて、奇数列の光
電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数列の
光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１フィ
ールド毎に上下の組み合わせを交互に変えて垂直転送レ
ジスタＩＭＶREG に転送させることにより、フィールド
読み出しモードでインターライン走査に対応する撮像電
荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を上記垂直転送レジスタＩ
ＭＶREG に読み出す。
【００２５】なお、上記センサゲートパルスφＳＧ1 ，
φＳＧ2 のタイミングの直前に、高速の垂直転送パルス
φＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩ
ＭＶ REG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶ
REG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭ
REG 内のスミア成分などの不要電荷を上記蓄積部ＳＴの
垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させる。この高
速転送動作により、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG 内は、不要電荷が掃き出された空の状態とな
る。
φＳＧ2 のタイミングの直前に、高速の垂直転送パルス
φＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩ
ＭＶ REG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶ
REG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭ
REG 内のスミア成分などの不要電荷を上記蓄積部ＳＴの
垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させる。この高
速転送動作により、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG 内は、不要電荷が掃き出された空の状態とな
る。
【００２６】そして、上記ＣＣＤ駆動回路６は、上記垂
直転送レジスタＩＭＶREG 内を空にさせた状態でセンサ
ゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を与えることにより、
上記撮像部ＩＭにおいて奇数列の光電変換素子ＳO によ
り得られた撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE に
より得られた撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下の組
み合わせを交互に変えて上記垂直転送レジスタＩＭＶ
REG に転送させる。
直転送レジスタＩＭＶREG 内を空にさせた状態でセンサ
ゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を与えることにより、
上記撮像部ＩＭにおいて奇数列の光電変換素子ＳO によ
り得られた撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE に
より得られた撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下の組
み合わせを交互に変えて上記垂直転送レジスタＩＭＶ
REG に転送させる。
【００２７】さらに、上記センサゲートパルスφＳ
Ｇ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直後に、高速の垂直転送
パルスφＩＭ1 ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レ
ジスタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタ
ＳＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジス
タＩＭＶREG 内の電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を上記
蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送さ
せる。
Ｇ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直後に、高速の垂直転送
パルスφＩＭ1 ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レ
ジスタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタ
ＳＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジス
タＩＭＶREG 内の電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を上記
蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送さ
せる。
【００２８】そして、上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジス
タＳＴＶREG に高速転送された信号電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂ
i ＋Ａi+1 は、その後の読み出し期間（映像期間）に、
上記水平転送レジスタＨREG を介して線順次に読み出さ
れる。
タＳＴＶREG に高速転送された信号電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂ
i ＋Ａi+1 は、その後の読み出し期間（映像期間）に、
上記水平転送レジスタＨREG を介して線順次に読み出さ
れる。
【００２９】このように第１の動作モードでは、上記サ
ブストレート基板に印加される電圧Ｖ−ＳＵＢ1 に応じ
た最大蓄積電荷量ＱMAX1の状態で上記ＣＣＤイメージセ
ンサ２により撮像動作を行い、上記撮像部ＩＭの奇数列
の光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数
列の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１
フィールド毎に上下の組み合わせを交互に変えて垂直転
送レジスタＩＭＶREGに転送させ、各フィールドの撮像
電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を映像期間中に上記蓄積
部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG から水平転送レジ
スタＨREG を介して線順次に読み出すことにより、フィ
ールド読み出しモードでインターレース走査に対応した
撮像出力を得る。そして、上記ＣＣＤイメージセンサ２
から読み出された撮像信号は、上記信号処理部４を介し
てエンコーダ５に供給されてＮＴＳＣ方式に準拠したテ
レビジョン信号にエンコードされ、上記出力端子８から
出力される。
ブストレート基板に印加される電圧Ｖ−ＳＵＢ1 に応じ
た最大蓄積電荷量ＱMAX1の状態で上記ＣＣＤイメージセ
ンサ２により撮像動作を行い、上記撮像部ＩＭの奇数列
の光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数
列の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１
フィールド毎に上下の組み合わせを交互に変えて垂直転
送レジスタＩＭＶREGに転送させ、各フィールドの撮像
電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を映像期間中に上記蓄積
部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG から水平転送レジ
スタＨREG を介して線順次に読み出すことにより、フィ
ールド読み出しモードでインターレース走査に対応した
撮像出力を得る。そして、上記ＣＣＤイメージセンサ２
から読み出された撮像信号は、上記信号処理部４を介し
てエンコーダ５に供給されてＮＴＳＣ方式に準拠したテ
レビジョン信号にエンコードされ、上記出力端子８から
出力される。
【００３０】次に第２の動作モードはフレーム読み出し
モードであって、上記制御部７は、フレーム読み出しモ
ードの各種タイミング信号を上記ＣＣＤ駆動回路６に与
える。
モードであって、上記制御部７は、フレーム読み出しモ
ードの各種タイミング信号を上記ＣＣＤ駆動回路６に与
える。
【００３１】この第２の動作モードにおいて、上記ＣＣ
Ｄ駆動回路６は、上記電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレー
ト基板に印加するとともに、垂直ブランキング期間Ｔ
VBLK中にセンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を１フ
ィールド毎に交互に上記撮像部ＩＭに与えて、奇数列の
光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数列
の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１フ
ィールド毎に交互に垂直転送レジスタＩＭＶREG に転送
させることにより、フレーム読み出しモードでインター
ライン走査に対応する撮像電荷Ａi ，Ｂi を上記垂直転
送レジスタＩＭＶ REG に読み出す。
Ｄ駆動回路６は、上記電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレー
ト基板に印加するとともに、垂直ブランキング期間Ｔ
VBLK中にセンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を１フ
ィールド毎に交互に上記撮像部ＩＭに与えて、奇数列の
光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数列
の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１フ
ィールド毎に交互に垂直転送レジスタＩＭＶREG に転送
させることにより、フレーム読み出しモードでインター
ライン走査に対応する撮像電荷Ａi ，Ｂi を上記垂直転
送レジスタＩＭＶ REG に読み出す。
【００３２】なお、この第２の動作モードにおいても、
上記センサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 のタイミン
グの直前には、高速の垂直転送パルスφＩＭ，φＳＴを
上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶREG と上記蓄
積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に与えて、上記
撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭREG 内のスミア成分
などの不要電荷を上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳ
ＴＶREG に高速転送させる。この高速転送動作により、
上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶREG内は、不
要電荷が掃き出された空の状態となる。
上記センサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 のタイミン
グの直前には、高速の垂直転送パルスφＩＭ，φＳＴを
上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶREG と上記蓄
積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に与えて、上記
撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭREG 内のスミア成分
などの不要電荷を上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳ
ＴＶREG に高速転送させる。この高速転送動作により、
上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶREG内は、不
要電荷が掃き出された空の状態となる。
【００３３】そして、上記ＣＣＤ駆動回路６は、上記垂
直転送レジスタＩＭＶREG 内を空にさせた状態でセンサ
ゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を与えて、上記撮像部
ＩＭにおいて奇数列の光電変換素子ＳO により得られた
撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE により得られ
た撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に交互に上記垂直転送
レジスタＩＭＶREG に転送させる。
直転送レジスタＩＭＶREG 内を空にさせた状態でセンサ
ゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を与えて、上記撮像部
ＩＭにおいて奇数列の光電変換素子ＳO により得られた
撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE により得られ
た撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に交互に上記垂直転送
レジスタＩＭＶREG に転送させる。
【００３４】さらに、上記センサゲートパルスφＳ
Ｇ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直後に、高速の垂直転送
パルスφＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳ
ＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG 内の電荷Ａi ，Ｂi を上記蓄積部ＳＴの垂直
転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させる。
Ｇ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直後に、高速の垂直転送
パルスφＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳ
ＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG 内の電荷Ａi ，Ｂi を上記蓄積部ＳＴの垂直
転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させる。
【００３５】そして、上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジス
タＳＴＶREG に高速転送された信号電荷Ａi ，Ｂi は、
その後の読み出し期間に、上記水平転送レジスタＨREG
を介して読み出される。
タＳＴＶREG に高速転送された信号電荷Ａi ，Ｂi は、
その後の読み出し期間に、上記水平転送レジスタＨREG
を介して読み出される。
【００３６】このように第２の動作モードでは、上記サ
ブストレート基板に印加される電圧Ｖ−ＳＵＢ1 に応じ
た最大電荷蓄積量ＱMAX1の状態で上記ＣＣＤイメージセ
ンサ２により撮像動作を行い、上記撮像部ＩＭの奇数列
の光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数
列の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１
フィールド毎に交互に垂直転送レジスタＩＭＶREG に転
送させ、各フィールドの撮像電荷Ａi ，Ｂi を映像期間
中に上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶ REG から
水平転送レジスタＨREG を介して線順次に読み出すこと
により、フレーム読み出しモードでインターレース走査
に対応した撮像出力を得る。そして、上記ＣＣＤイメー
ジセンサ２から読み出された撮像信号は、上記信号処理
部４を介してエンコーダ５に供給されてＮＴＳＣ方式に
準拠したテレビジョン信号にエンコードされ、上記出力
端子８から出力される。
ブストレート基板に印加される電圧Ｖ−ＳＵＢ1 に応じ
た最大電荷蓄積量ＱMAX1の状態で上記ＣＣＤイメージセ
ンサ２により撮像動作を行い、上記撮像部ＩＭの奇数列
の光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数
列の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１
フィールド毎に交互に垂直転送レジスタＩＭＶREG に転
送させ、各フィールドの撮像電荷Ａi ，Ｂi を映像期間
中に上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶ REG から
水平転送レジスタＨREG を介して線順次に読み出すこと
により、フレーム読み出しモードでインターレース走査
に対応した撮像出力を得る。そして、上記ＣＣＤイメー
ジセンサ２から読み出された撮像信号は、上記信号処理
部４を介してエンコーダ５に供給されてＮＴＳＣ方式に
準拠したテレビジョン信号にエンコードされ、上記出力
端子８から出力される。
【００３７】さらに、第３の動作モードは本発明に係る
固体撮像装置の動作モードであって、上記制御部７は、
各種タイミング信号を与えることにより上記ＣＣＤ駆動
回路６を次のように動作させる。
固体撮像装置の動作モードであって、上記制御部７は、
各種タイミング信号を与えることにより上記ＣＣＤ駆動
回路６を次のように動作させる。
【００３８】この第３の動作モードにおいて、上記ＣＣ
Ｄ駆動回路６は、上記電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレー
ト基板に印加するとともに、図４に示すように、各フィ
ールドの映像期間中に１フィールド毎に交互にセンサゲ
ートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ 2 を上記撮像部ＩＭに与え
るとともに、１フィールド毎の垂直ブランキング期間Ｔ
VBLK中にセンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を上記
撮像部ＩＭに同時に与えて、奇数列の光電変換素子ＳO
により得られる撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子Ｓ
E により得られる撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下
の組み合わせを交互に変えて垂直転送レジスタＩＭＶ
REG に転送させることにより、フィールド読み出しモー
ドでインターライン走査に対応する撮像電荷Ａi ＋
Ｂi ，Ｂi ＋Ａ i+1 を上記垂直転送レジスタＩＭＶREG
に読み出す。
Ｄ駆動回路６は、上記電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレー
ト基板に印加するとともに、図４に示すように、各フィ
ールドの映像期間中に１フィールド毎に交互にセンサゲ
ートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ 2 を上記撮像部ＩＭに与え
るとともに、１フィールド毎の垂直ブランキング期間Ｔ
VBLK中にセンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を上記
撮像部ＩＭに同時に与えて、奇数列の光電変換素子ＳO
により得られる撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子Ｓ
E により得られる撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下
の組み合わせを交互に変えて垂直転送レジスタＩＭＶ
REG に転送させることにより、フィールド読み出しモー
ドでインターライン走査に対応する撮像電荷Ａi ＋
Ｂi ，Ｂi ＋Ａ i+1 を上記垂直転送レジスタＩＭＶREG
に読み出す。
【００３９】なお、この第３の動作モードにおいても、
各垂直ブランキング期間ＴVBLK毎のセンサゲートパルス
φＳＧ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直前に、高速の垂直
転送パルスφＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送
レジスタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジス
タＳＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭREG 内のスミア成分などの不要電荷を上記蓄積
部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させ
る。この高速転送動作により、上記各フィールドの映像
期間中に１フィールド毎に交互にセンサゲートパルスφ
ＳＧ1 ，φＳＧ2を上記撮像部ＩＭに与えることにより
上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶ REG に読み出
された上記奇数列の光電変換素子ＳO の撮像電荷Ａi ’
と偶数列の光電変換素子ＳE の撮像電荷Ｂi ’が不要電
荷として掃き出され、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジス
タＩＭＶREG 内は、不要電荷が掃き出された空の状態と
なる。
各垂直ブランキング期間ＴVBLK毎のセンサゲートパルス
φＳＧ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直前に、高速の垂直
転送パルスφＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送
レジスタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジス
タＳＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭREG 内のスミア成分などの不要電荷を上記蓄積
部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させ
る。この高速転送動作により、上記各フィールドの映像
期間中に１フィールド毎に交互にセンサゲートパルスφ
ＳＧ1 ，φＳＧ2を上記撮像部ＩＭに与えることにより
上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタＩＭＶ REG に読み出
された上記奇数列の光電変換素子ＳO の撮像電荷Ａi ’
と偶数列の光電変換素子ＳE の撮像電荷Ｂi ’が不要電
荷として掃き出され、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジス
タＩＭＶREG 内は、不要電荷が掃き出された空の状態と
なる。
【００４０】そして、上記ＣＣＤ駆動回路６は、上記垂
直転送レジスタＩＭＶREG 内を空にさせた状態でセンサ
ゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を与えることにより、
上記撮像部ＩＭにおいて奇数列の光電変換素子ＳO によ
り得られた撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE に
より得られた撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下の組
み合わせを交互に変えて上記垂直転送レジスタＩＭＶ
REG に転送させる。
直転送レジスタＩＭＶREG 内を空にさせた状態でセンサ
ゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を与えることにより、
上記撮像部ＩＭにおいて奇数列の光電変換素子ＳO によ
り得られた撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE に
より得られた撮像電荷Ｂi を１フィールド毎に上下の組
み合わせを交互に変えて上記垂直転送レジスタＩＭＶ
REG に転送させる。
【００４１】さらに、上記センサゲートパルスφＳ
Ｇ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直後に、高速の垂直転送
パルスφＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳ
ＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG 内の電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を上記蓄
積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させ
る。
Ｇ1 ，φＳＧ2 のタイミングの直後に、高速の垂直転送
パルスφＩＭ，φＳＴを上記撮像部ＩＭの垂直転送レジ
スタＩＭＶREG と上記蓄積部ＳＴの垂直転送レジスタＳ
ＴＶREG に与えて、上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG 内の電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａi+1 を上記蓄
積部ＳＴの垂直転送レジスタＳＴＶREG に高速転送させ
る。
【００４２】ここで、この第３の動作モードでは、上記
各フィールドの映像期間中に１フィールド毎に交互にセ
ンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を上記撮像部ＩＭ
に与えることにより上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG に読み出された上記奇数列の光電変換素子Ｓ
O の撮像電荷Ａi ’と偶数列の光電変換素子ＳE の撮像
電荷Ｂi ’が不要電荷として掃き出されるので、多量の
不要電荷が発生することになる。そこで、上記垂直転送
レジスタＳＴＶREG に高速転送期間中は、水平転送パル
スφＨも高速パルスとすることにより、上記水平転送レ
ジスタＨREG を介して不要電荷を高速転送により掃き出
す。この第３の動作モードでは、上述のように多量の不
要電荷が発生することになるが、上記高速転送により上
記水平転送レジスタＨREG を介して多量の不要電荷を掃
き出すことができる。すなわち、上記水平転送レジスタ
ＨREG は、１転送毎の電荷転送量が少なくても、上記高
速転送で転送回数を増やすことにより、多量の不要電荷
を掃き捨てることができる。さらに、上述のように上記
電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレート基板に印加して各光
電変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄積電荷量をＱMAX2として
少なくすることにより、発生する不要電荷の量を少なく
することができる。これにより、過大光量入力時に、上
記光電変換素子ＳO ，ＳE で発生した不要電荷が上記水
平転送レジスタＳＴＶREG において溢れてしまうのを防
止して、画質の良好な撮像出力を得ることができる。
各フィールドの映像期間中に１フィールド毎に交互にセ
ンサゲートパルスφＳＧ1 ，φＳＧ2 を上記撮像部ＩＭ
に与えることにより上記撮像部ＩＭの垂直転送レジスタ
ＩＭＶREG に読み出された上記奇数列の光電変換素子Ｓ
O の撮像電荷Ａi ’と偶数列の光電変換素子ＳE の撮像
電荷Ｂi ’が不要電荷として掃き出されるので、多量の
不要電荷が発生することになる。そこで、上記垂直転送
レジスタＳＴＶREG に高速転送期間中は、水平転送パル
スφＨも高速パルスとすることにより、上記水平転送レ
ジスタＨREG を介して不要電荷を高速転送により掃き出
す。この第３の動作モードでは、上述のように多量の不
要電荷が発生することになるが、上記高速転送により上
記水平転送レジスタＨREG を介して多量の不要電荷を掃
き出すことができる。すなわち、上記水平転送レジスタ
ＨREG は、１転送毎の電荷転送量が少なくても、上記高
速転送で転送回数を増やすことにより、多量の不要電荷
を掃き捨てることができる。さらに、上述のように上記
電圧Ｖ−ＳＵＢ1 をサブストレート基板に印加して各光
電変換素子ＳO ，ＳE の最大蓄積電荷量をＱMAX2として
少なくすることにより、発生する不要電荷の量を少なく
することができる。これにより、過大光量入力時に、上
記光電変換素子ＳO ，ＳE で発生した不要電荷が上記水
平転送レジスタＳＴＶREG において溢れてしまうのを防
止して、画質の良好な撮像出力を得ることができる。
【００４３】このような第３の動作モードでは、上記サ
ブストレート基板に印加される電圧Ｖ−ＳＵＢ2 の応じ
た最大電荷蓄積量ＱMAX2の状態で上記ＣＣＤイメージセ
ンサ２により撮像動作を行い、上記各フィールドの映像
期間中に１フィールド毎に交互にセンサゲートパルスφ
ＳＧ1 ，φＳＧ2 を上記撮像部ＩＭに与えて、奇数列の
光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数列
の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１フ
ィールド毎に交互にダミーの読み出しを行うことによ
り、１フィールド毎の撮像電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａ
i+1 の加算混合比を通常のフィールド読み出しモードに
おける１：１から変化させることができる。そして、例
えば上記加算混合比を１：２として、上記撮像部ＩＭの
奇数列の光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi
と偶数列の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂ
i を１フィールド毎に上下の組み合わせを交互に変えて
垂直転送レジスタＩＭＶREG に転送させ、各フィールド
の撮像電荷Ａi ＋Ｂi を映像期間中に上記蓄積部ＳＴの
垂直転送レジスタＳＴＶREG から水平転送レジスタＨRE
G を介して線順次に読み出すことにより、フィールド読
み出しモードでインターレース走査に対応した撮像出力
を得る。そして、上記ＣＣＤイメージセンサ２から読み
出された撮像信号は、上記信号処理部４を介してエンコ
ーダ５に供給されてＮＴＳＣ方式に準拠したテレビジョ
ン信号にエンコードされ、上記出力端子８から出力され
る。
ブストレート基板に印加される電圧Ｖ−ＳＵＢ2 の応じ
た最大電荷蓄積量ＱMAX2の状態で上記ＣＣＤイメージセ
ンサ２により撮像動作を行い、上記各フィールドの映像
期間中に１フィールド毎に交互にセンサゲートパルスφ
ＳＧ1 ，φＳＧ2 を上記撮像部ＩＭに与えて、奇数列の
光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi と偶数列
の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂi を１フ
ィールド毎に交互にダミーの読み出しを行うことによ
り、１フィールド毎の撮像電荷Ａi ＋Ｂi ，Ｂi ＋Ａ
i+1 の加算混合比を通常のフィールド読み出しモードに
おける１：１から変化させることができる。そして、例
えば上記加算混合比を１：２として、上記撮像部ＩＭの
奇数列の光電変換素子ＳO により得られる撮像電荷Ａi
と偶数列の光電変換素子ＳE により得られる撮像電荷Ｂ
i を１フィールド毎に上下の組み合わせを交互に変えて
垂直転送レジスタＩＭＶREG に転送させ、各フィールド
の撮像電荷Ａi ＋Ｂi を映像期間中に上記蓄積部ＳＴの
垂直転送レジスタＳＴＶREG から水平転送レジスタＨRE
G を介して線順次に読み出すことにより、フィールド読
み出しモードでインターレース走査に対応した撮像出力
を得る。そして、上記ＣＣＤイメージセンサ２から読み
出された撮像信号は、上記信号処理部４を介してエンコ
ーダ５に供給されてＮＴＳＣ方式に準拠したテレビジョ
ン信号にエンコードされ、上記出力端子８から出力され
る。
【００４４】このように奇数列の光電変換素子ＳO によ
り得られる撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE に
より得られる撮像電荷Ｂi との加算混合比を変えること
により、図５に示すように第１の動作モードすなわち通
常のフィールド読み出しモードと第２の動作モードすな
わちフレーム読み出しモードとの中間の垂直の解像度
（ＭＴＦ）を得ることができる。そして、例えば上記加
算混合比を１：２として、フィールド読み出しモードで
インターレース走査に対応した撮像出力を得ることによ
り、第１の動作モードすなわち通常のフィールド読み出
しモードと比較して、垂直の解像度を向上させることが
でき、また、ダイナミックレンジ，感度を７５％に保つ
ことができ、第２の動作モードすなわちフレーム読み出
しモードよりも上記ダイナミックレンジ，感度を向上さ
せることができる。
り得られる撮像電荷Ａi と偶数列の光電変換素子ＳE に
より得られる撮像電荷Ｂi との加算混合比を変えること
により、図５に示すように第１の動作モードすなわち通
常のフィールド読み出しモードと第２の動作モードすな
わちフレーム読み出しモードとの中間の垂直の解像度
（ＭＴＦ）を得ることができる。そして、例えば上記加
算混合比を１：２として、フィールド読み出しモードで
インターレース走査に対応した撮像出力を得ることによ
り、第１の動作モードすなわち通常のフィールド読み出
しモードと比較して、垂直の解像度を向上させることが
でき、また、ダイナミックレンジ，感度を７５％に保つ
ことができ、第２の動作モードすなわちフレーム読み出
しモードよりも上記ダイナミックレンジ，感度を向上さ
せることができる。
【００４５】なお、上述の実施例では、ＣＣＤイメージ
センサ２のサブストレート基板に印加する電圧Ｖ−ＳＵ
Ｂ1 ，Ｖ−ＳＵＢ2 を切り換えて、各光電変換素子
ＳO ，Ｓ E の最大電荷蓄積量をＱMAX1からＱMAX2に切り
換えるようにしたが、上記ＣＣＤイメージセンサ２のサ
ブストレート基板に印加する電圧Ｖ−ＳＵＢを連続的に
可変制御することにより、各光電変換素子ＳO ，ＳE の
最大電荷蓄積量を連続的に変化させれるようにすること
もできる。
センサ２のサブストレート基板に印加する電圧Ｖ−ＳＵ
Ｂ1 ，Ｖ−ＳＵＢ2 を切り換えて、各光電変換素子
ＳO ，Ｓ E の最大電荷蓄積量をＱMAX1からＱMAX2に切り
換えるようにしたが、上記ＣＣＤイメージセンサ２のサ
ブストレート基板に印加する電圧Ｖ−ＳＵＢを連続的に
可変制御することにより、各光電変換素子ＳO ，ＳE の
最大電荷蓄積量を連続的に変化させれるようにすること
もできる。
【００４６】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明に係る固体撮像装置では、蓄積電荷量制御手段により
フレームインタライントランスファ型の固体イメージセ
ンサの光電変換素子の最大蓄積電荷量を可変制御して、
上記光電変換素子に発生した不要電荷を水平転送レジス
タを介して掃き捨てる動作モード時に上記光電変換素子
の最大蓄積電荷量を少なくするので、光電変換素子で発
生する不要電荷を撮像部の垂直転送レジスタに読み出し
て、水平転送レジスタを介して高速転送して上記不要電
荷を掃き捨てる場合に、過大光量入力時に上記光電変換
素子で発生した不要電荷が上記水平転送レジスタにおい
て溢れてしまうのを防止することができ、画質の良好な
撮像出力を得ることができる。
明に係る固体撮像装置では、蓄積電荷量制御手段により
フレームインタライントランスファ型の固体イメージセ
ンサの光電変換素子の最大蓄積電荷量を可変制御して、
上記光電変換素子に発生した不要電荷を水平転送レジス
タを介して掃き捨てる動作モード時に上記光電変換素子
の最大蓄積電荷量を少なくするので、光電変換素子で発
生する不要電荷を撮像部の垂直転送レジスタに読み出し
て、水平転送レジスタを介して高速転送して上記不要電
荷を掃き捨てる場合に、過大光量入力時に上記光電変換
素子で発生した不要電荷が上記水平転送レジスタにおい
て溢れてしまうのを防止することができ、画質の良好な
撮像出力を得ることができる。
【００４７】また、イメージセンサ駆動制御手段によ
り、フレームインターライントランスファ型の固体イメ
ージセンサの奇数列の光電変換素子により得られる撮像
電荷と偶数列の光電変換素子により得られる撮像電荷を
映像期間の途中で１フィールド毎に交互に上記撮像部の
垂直転送レジスタに読み出す制御を行うことによって、
各光電変換素子の有効電荷蓄積期間を奇数列の光電変換
素子と偶数列の光電変換素子とで独立に変えることがで
きる。上記映像期間の途中で１フィールド毎に交互に上
記撮像部の垂直転送レジスタに読み出された撮像電荷
は、１フィールド毎の垂直ブランキング期間中に、上記
撮像部の垂直転送レジスタから上記蓄積部の垂直転送レ
ジスタに高速転送され、上記蓄積部の垂直転送レジスタ
から上記水平転送レジスタを介して線順次に高速転送さ
れ、不要電荷として掃き出される。そして、上記光電変
換素子に発生した不要電荷を水平転送レジスタを介して
掃き捨てる動作モード時に上記光電変換素子の最大蓄積
電荷量を少なくすることにより、過大光量入力時に上記
光電変換素子で発生した不要電荷が上記水平転送レジス
タにおいて溢れてしまうのを防止することができ、画質
の良好な撮像出力を得ることができる。
り、フレームインターライントランスファ型の固体イメ
ージセンサの奇数列の光電変換素子により得られる撮像
電荷と偶数列の光電変換素子により得られる撮像電荷を
映像期間の途中で１フィールド毎に交互に上記撮像部の
垂直転送レジスタに読み出す制御を行うことによって、
各光電変換素子の有効電荷蓄積期間を奇数列の光電変換
素子と偶数列の光電変換素子とで独立に変えることがで
きる。上記映像期間の途中で１フィールド毎に交互に上
記撮像部の垂直転送レジスタに読み出された撮像電荷
は、１フィールド毎の垂直ブランキング期間中に、上記
撮像部の垂直転送レジスタから上記蓄積部の垂直転送レ
ジスタに高速転送され、上記蓄積部の垂直転送レジスタ
から上記水平転送レジスタを介して線順次に高速転送さ
れ、不要電荷として掃き出される。そして、上記光電変
換素子に発生した不要電荷を水平転送レジスタを介して
掃き捨てる動作モード時に上記光電変換素子の最大蓄積
電荷量を少なくすることにより、過大光量入力時に上記
光電変換素子で発生した不要電荷が上記水平転送レジス
タにおいて溢れてしまうのを防止することができ、画質
の良好な撮像出力を得ることができる。
【００４８】さらに、水平転送レジスタは、１転送毎の
電荷転送量が少なくても、高速転送で転送回数を増やす
ことにより、１フィールド毎の垂直ブランキング期間中
に多量の不要電荷を掃き捨てることができる。
電荷転送量が少なくても、高速転送で転送回数を増やす
ことにより、１フィールド毎の垂直ブランキング期間中
に多量の不要電荷を掃き捨てることができる。
【００４９】そして、隣接する奇数列の光電変換素子と
偶数列の光電変換素子とにより得られる撮像電荷を１フ
ィールド毎の垂直ブランキング期間中に加算混合して上
記撮像部の垂直転送レジスタに読み出して上記蓄積部の
垂直転送レジスタに高速転送し、映像期間中に、上記蓄
積部の垂直転送レジスタから上記水平転送レジスタを介
して撮像電荷を線順次に読み出すことにより、フィール
ド読み出しモードの場合よりも垂直の解像度（ＭＴＦ）
の低下が少なく、フレーム読み出しの場合よりも残像が
少なく、また、ダイナミックレンジが広い撮像出力を得
ることができる。
偶数列の光電変換素子とにより得られる撮像電荷を１フ
ィールド毎の垂直ブランキング期間中に加算混合して上
記撮像部の垂直転送レジスタに読み出して上記蓄積部の
垂直転送レジスタに高速転送し、映像期間中に、上記蓄
積部の垂直転送レジスタから上記水平転送レジスタを介
して撮像電荷を線順次に読み出すことにより、フィール
ド読み出しモードの場合よりも垂直の解像度（ＭＴＦ）
の低下が少なく、フレーム読み出しの場合よりも残像が
少なく、また、ダイナミックレンジが広い撮像出力を得
ることができる。
【図１】本発明に係る固体撮像装置の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】上記固体撮像装置に用いたフレームインターラ
イントランスファ型ＣＣＤイメージセンサの構成を示す
模式的な平面図である。
イントランスファ型ＣＣＤイメージセンサの構成を示す
模式的な平面図である。
【図３】上記固体撮像装置において、上記ＣＣＤイメー
ジセンサのサブストレート基板に印加する電圧の発生手
段を示す図である。
ジセンサのサブストレート基板に印加する電圧の発生手
段を示す図である。
【図４】上記固体撮像装置の動作を示すタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図５】上記固体撮像装置により得られる撮像信号の垂
直のＭＴＦ特性を示す特性線図である。
直のＭＴＦ特性を示す特性線図である。
【図６】フィールド読み出しモードの動作を示すタイミ
ングチャートである。
ングチャートである。
【図７】フレーム読み出しモードの動作を示すタイミン
グチャートである。
グチャートである。
１・・・・・・・・撮像光学系 ２・・・・・・・・ＣＣＤイメージセンサ ３・・・・・・・・撮像部 ４・・・・・・・・信号処理部 ５・・・・・・・・エンコーダ ６・・・・・・・・ＣＣＤ駆動回路 ６Ａ・・・・・・・電圧発生源 ６Ｂ・・・・・・・切換スイッチ ７・・・・・・・・制御部 ８・・・・・・・・出力端子 Ｓ・・・・・・・・光電変換素子 ＩＭ・・・・・・・・撮像部 ＩＭＶREG ・・・・・垂直転送レジスタ ＳＴ・・・・・・・・蓄積部 ＳＴＶREG ・・・・・垂直転送レジスタ ＨREG ・・・・・・・水平転送レジスタ
Claims (4)
- 【請求項１】 マトリクス状に配設された光電変換素子
により得られる撮像電荷が読み出される垂直転送レジス
タを有する撮像部と、この撮像部の垂直転送レジスタか
ら撮像電荷が高速転送される垂直転送レジスタを有する
蓄積部と、この蓄積部の垂直転送レジスタから撮像電荷
が線順次に転送される水平転送レジスタとからなるフレ
ームインタライントランスファ型の固体イメージセンサ
を備え、上記光電変換素子に発生した不要電荷を上記蓄
積部の垂直転送レジスタに読み出して上記水平転送レジ
スタを介して掃き捨てる動作モードを有する固体撮像装
置において、 上記光電変換素子の最大蓄積電荷量を可変制御する蓄積
電荷量制御手段を設け、 上記光電変換素子に発生した不要電荷を水平転送レジス
タを介して掃き捨てる動作モード時に、上記蓄積電荷量
制御手段により上記光電変換素子の最大蓄積電荷量を少
なくすることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記蓄積電荷量制御手段は、前記光電変
換素子の最大蓄積電荷量を切り換える切り換えスイッチ
を備えてなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
装置。 - 【請求項３】 前記固体イメージセンサの各光電変換素
子の有効電荷蓄積期間を奇数列の光電変換素子と偶数列
の光電変換素子とで独立に変えて、隣接する奇数列の光
電変換素子と偶数列の光電変換素子とにより得られる撮
像電荷を１フィールド毎に加算混合して読み出す制御を
行うイメージセンサ駆動制御手段とを備えてなる請求項
１又は請求項２記載の固体撮像装置。 - 【請求項４】 前記固体イメージセンサの奇数列の光電
変換素子により得られる撮像電荷と偶数列の光電変換素
子により得られる撮像電荷を、映像期間の途中で１フィ
ールド毎に交互に前記撮像部の垂直転送レジスタに読み
出し、１フィールド毎の垂直ブランキング期間中に、上
記撮像部の垂直転送レジスタから前記蓄積部の垂直転送
レジスタに高速転送し、上記蓄積部の垂直転送レジスタ
から前記水平転送レジスタを介して撮像電荷を線順次に
高速転送して掃き出す制御を行うとともに、隣接する奇
数列の光電変換素子と偶数列の光電変換素子とにより得
られる撮像電荷を１フィールド毎の垂直ブランキング期
間中に加算混合して上記撮像部の垂直転送レジスタに読
み出して上記蓄積部の垂直転送レジスタに高速転送し、
映像期間中に、上記蓄積部の垂直転送レジスタから上記
水平転送レジスタを介して撮像電荷を線順次に読み出す
制御を行うイメージセンサ駆動制御手段とを備えてなる
請求項１又は請求項２記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14048892A JP3216232B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14048892A JP3216232B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05336452A true JPH05336452A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3216232B2 JP3216232B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=15269782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14048892A Expired - Lifetime JP3216232B2 (ja) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3216232B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102680B2 (en) | 2000-03-13 | 2006-09-05 | Olympus Corporation | Image pickup device capable of adjusting the overflow level of the sensor based on the read out mode |
| JP2009159635A (ja) * | 2009-04-13 | 2009-07-16 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
| JP2009159634A (ja) * | 2009-04-13 | 2009-07-16 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
| JP2011155702A (ja) * | 2011-05-02 | 2011-08-11 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
-
1992
- 1992-06-01 JP JP14048892A patent/JP3216232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7102680B2 (en) | 2000-03-13 | 2006-09-05 | Olympus Corporation | Image pickup device capable of adjusting the overflow level of the sensor based on the read out mode |
| JP2009159635A (ja) * | 2009-04-13 | 2009-07-16 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
| JP2009159634A (ja) * | 2009-04-13 | 2009-07-16 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
| JP2011155702A (ja) * | 2011-05-02 | 2011-08-11 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3216232B2 (ja) | 2001-10-09 |
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