JPH05339053A - 温度補償用誘電体磁器組成物 - Google Patents
温度補償用誘電体磁器組成物Info
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- JPH05339053A JPH05339053A JP4147743A JP14774392A JPH05339053A JP H05339053 A JPH05339053 A JP H05339053A JP 4147743 A JP4147743 A JP 4147743A JP 14774392 A JP14774392 A JP 14774392A JP H05339053 A JPH05339053 A JP H05339053A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｑ値、誘電率の温度特性が温度補償用コンデ
ンサーとして満足する値を有する温度補償用誘電体磁器
組成物。 【構成】 一般式 （ｘ・ＢａＯ−ｙ・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）−ｃ
・ＴｉＯ2 で表される組成物のｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の成分割合を三
元系図で特定範囲内とし、ＴｉＯ2の値を特定し、更に
ｚ・ＲｅＯ 3/2がｄ・Ｎｄ−ｅ・Ｌａからなり、その組
成の成分割合を特定し、また、Ｙ2Ｏ3を前記組成物に対
し特定範囲に添加した温度補償用誘電体磁器組成物。
ンサーとして満足する値を有する温度補償用誘電体磁器
組成物。 【構成】 一般式 （ｘ・ＢａＯ−ｙ・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）−ｃ
・ＴｉＯ2 で表される組成物のｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の成分割合を三
元系図で特定範囲内とし、ＴｉＯ2の値を特定し、更に
ｚ・ＲｅＯ 3/2がｄ・Ｎｄ−ｅ・Ｌａからなり、その組
成の成分割合を特定し、また、Ｙ2Ｏ3を前記組成物に対
し特定範囲に添加した温度補償用誘電体磁器組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｑ値に優れ、誘電率の
温度変化係数が小さく、誘電率の高い温度補償用誘電体
磁器組成物に関する。
温度変化係数が小さく、誘電率の高い温度補償用誘電体
磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｒｅ2Ｏ3
系（Ｒｅは希土類元素を表す）から成る組成物は、Ｑ値
に優れ、誘電率の温度変化係数が小さく、誘電率の高い
温度補償用誘電体磁器組成物として知られている。
系（Ｒｅは希土類元素を表す）から成る組成物は、Ｑ値
に優れ、誘電率の温度変化係数が小さく、誘電率の高い
温度補償用誘電体磁器組成物として知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2−Ｒｅ2Ｏ3系の温度補償用誘電体磁器組成物は、
誘電率が９０以下、温度係数が−２０ｐｐｍ、Ｑ値が４
０００程度が限界であり、これらの電気的特性値は円板
コンデンサーや円筒コンデンサーのような単層構造のコ
ンデンサーを更に小型化、容量拡大として使用するとき
満足な値ではないという問題がある。
ｉＯ2−Ｒｅ2Ｏ3系の温度補償用誘電体磁器組成物は、
誘電率が９０以下、温度係数が−２０ｐｐｍ、Ｑ値が４
０００程度が限界であり、これらの電気的特性値は円板
コンデンサーや円筒コンデンサーのような単層構造のコ
ンデンサーを更に小型化、容量拡大として使用するとき
満足な値ではないという問題がある。
【０００４】本発明はかかる問題点を解消し、Ｑ値、誘
電率の温度特性が温度補償用コンデンサーとして満足す
る値を有する温度補償用誘電体磁器組成物を提供するこ
とを目的とする。
電率の温度特性が温度補償用コンデンサーとして満足す
る値を有する温度補償用誘電体磁器組成物を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の温度補償用誘電
体磁器組成物は、一般式 （ｘ・ＢａＯ−ｙ・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）−ｃ
・ＴｉＯ2からなり、Ｒｅは希土類元素を表し、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１００の組成を有する組成物であって、これらの
成分割合が三元系図において次の組成点Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ ｘ・ＢａＯ ｙ・ＢｉＯ 3/2 ｚ・ＲｅＯ 3/2 Ａ ３５ ３０ ３５ Ｂ ３０ ３０ ４０ Ｃ ２５ ３５ ４０ Ｄ ２０ ３５ ４５ Ｅ ２０ ３０ ５０ Ｆ ３５ １５ ５０ を結ぶ線上およびこの線に囲まれる組成範囲内のモル量
であり、また、ＴｉＯ2の値ｃが（ｘ・ＢａＯ−ｙ・Ｂ
ｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）に対して１１０〜１４０の
範囲であり、また、ＲｅＯ 3/2はｄ・Ｎｄ＋ｅ・Ｌａか
らなり、かつ、ｄ＋ｅ＝ｚであって、ｚ＝１００とした
ときｚ＝ｄ′＋ｅ′の組成を有し、更にｄ′＝２０〜９
０の範囲であり、また、前記組成物１００重量部に対
し、Ｙ2Ｏ3を２〜１０重量部を添加したことを特徴とす
る。
体磁器組成物は、一般式 （ｘ・ＢａＯ−ｙ・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）−ｃ
・ＴｉＯ2からなり、Ｒｅは希土類元素を表し、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１００の組成を有する組成物であって、これらの
成分割合が三元系図において次の組成点Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ ｘ・ＢａＯ ｙ・ＢｉＯ 3/2 ｚ・ＲｅＯ 3/2 Ａ ３５ ３０ ３５ Ｂ ３０ ３０ ４０ Ｃ ２５ ３５ ４０ Ｄ ２０ ３５ ４５ Ｅ ２０ ３０ ５０ Ｆ ３５ １５ ５０ を結ぶ線上およびこの線に囲まれる組成範囲内のモル量
であり、また、ＴｉＯ2の値ｃが（ｘ・ＢａＯ−ｙ・Ｂ
ｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）に対して１１０〜１４０の
範囲であり、また、ＲｅＯ 3/2はｄ・Ｎｄ＋ｅ・Ｌａか
らなり、かつ、ｄ＋ｅ＝ｚであって、ｚ＝１００とした
ときｚ＝ｄ′＋ｅ′の組成を有し、更にｄ′＝２０〜９
０の範囲であり、また、前記組成物１００重量部に対
し、Ｙ2Ｏ3を２〜１０重量部を添加したことを特徴とす
る。
【０００６】
【作用】温度補償用誘電体磁器組成物の主成分たるｘ・
ＢａＯ−ｙ・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2の組成をｘ＋
ｙ＋ｚ＝１００とし、かつこれらの成分割合が三元系図
において、各組成点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを結ぶ線上
およびこの線に囲まれる組成範囲内のモル量とした理由
は、図１に示す領域Ｌにおいては誘電率が従来の温度補
償用誘電体磁器組成物と比べて優位差がなく、また、領
域Ｍにおいては焼結性が著しく困難となり実現性が低下
し、また、領域Ｎになると温度係数が満足する値が得ら
れなくなるからである。
ＢａＯ−ｙ・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2の組成をｘ＋
ｙ＋ｚ＝１００とし、かつこれらの成分割合が三元系図
において、各組成点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆを結ぶ線上
およびこの線に囲まれる組成範囲内のモル量とした理由
は、図１に示す領域Ｌにおいては誘電率が従来の温度補
償用誘電体磁器組成物と比べて優位差がなく、また、領
域Ｍにおいては焼結性が著しく困難となり実現性が低下
し、また、領域Ｎになると温度係数が満足する値が得ら
れなくなるからである。
【０００７】また、ＴｉＯ2の値ｃが（ｘ・ＢａＯ−ｙ
・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）に対して１１０〜１４
０の範囲とした理由は、ｃ値が１１０未満の場合は焼結
性が著しく悪化し、Ｑ値が低下するからであり、ｃ値が
１４０を超えた場合は誘電率が小さくなり、温度係数が
マイナス側に増大するからである。
・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）に対して１１０〜１４
０の範囲とした理由は、ｃ値が１１０未満の場合は焼結
性が著しく悪化し、Ｑ値が低下するからであり、ｃ値が
１４０を超えた場合は誘電率が小さくなり、温度係数が
マイナス側に増大するからである。
【０００８】また、Ｒｅ（希土類元素）の組成を主成分
モル量範囲内で、かつ、ｄ＋ｅ＝ｚであって、ｚ＝１０
０としたときｚ＝ｄ′＋ｅ′とした理由は、希土類元素
が単一成分のときには顕著な添加効果が得られないから
であり、更にｄ′＝２０〜９０の範囲としたのはｄ′が
２０未満の場合は誘電率は満足する値となるが、温度係
数が増大するからであり、また、ｄ′が９０を超えた場
合は温度係数は満足する値となるが誘電率が小さくなる
からである。
モル量範囲内で、かつ、ｄ＋ｅ＝ｚであって、ｚ＝１０
０としたときｚ＝ｄ′＋ｅ′とした理由は、希土類元素
が単一成分のときには顕著な添加効果が得られないから
であり、更にｄ′＝２０〜９０の範囲としたのはｄ′が
２０未満の場合は誘電率は満足する値となるが、温度係
数が増大するからであり、また、ｄ′が９０を超えた場
合は温度係数は満足する値となるが誘電率が小さくなる
からである。
【０００９】そして、希土類元素をＬａ，Ｎｄに選択し
た理由は、工業的に使用するのに安価であって、生産コ
ストの低い製品化を図ることが出来るからである。
た理由は、工業的に使用するのに安価であって、生産コ
ストの低い製品化を図ることが出来るからである。
【００１０】また、前記組成物１００重量部に対し、添
加するＹ2Ｏ3の量を２〜１０重量部とした理由は、Ｙ2
Ｏ3量が２重量部未満の場合は温度係数を改善する効果
が小さいからであり、また、Ｙ2Ｏ3量が１０重量部を超
えた場合は温度係数を改善する効果が得られず、逆に温
度係数が無添加の場合より悪化するからである。
加するＹ2Ｏ3の量を２〜１０重量部とした理由は、Ｙ2
Ｏ3量が２重量部未満の場合は温度係数を改善する効果
が小さいからであり、また、Ｙ2Ｏ3量が１０重量部を超
えた場合は温度係数を改善する効果が得られず、逆に温
度係数が無添加の場合より悪化するからである。
【００１１】
【実施例】先ず、添付図面について説明する。
【００１２】図１は本発明の温度補償用誘電体磁器組成
物の主成分の組成範囲を示す三元系図を表し、組成点
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆで囲まれた領域（太線）が本発
明組成物の組成範囲であり、図１中にプロットした番号
は後記する表１の試料番号を示す。
物の主成分の組成範囲を示す三元系図を表し、組成点
Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆで囲まれた領域（太線）が本発
明組成物の組成範囲であり、図１中にプロットした番号
は後記する表１の試料番号を示す。
【００１３】次に、本発明の具体的な実施例を比較例と
共に説明する。
共に説明する。
【００１４】実験例 先ず、出発原料として、高純度の炭酸バリウム（ＢａＣ
ｏ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化ネオジム（Ｎ
ｄ2Ｏ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）の粉末を夫々用
意した。次に各原料を表１（試料番号１〜２７）、表２
（試料番号２８〜５５）、表３（試料番号５６〜８
３）、表４（試料番号８４〜１０７）に示す量となるよ
うに秤量した。
ｏ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ2）、酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、酸化ネオジム（Ｎ
ｄ2Ｏ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）の粉末を夫々用
意した。次に各原料を表１（試料番号１〜２７）、表２
（試料番号２８〜５５）、表３（試料番号５６〜８
３）、表４（試料番号８４〜１０７）に示す量となるよ
うに秤量した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】
【表４】
【００１９】尚、表１，２，３，４中で＊印を付けたも
のは本発明の範囲内の組成物であり、その他は本発明の
範囲外の組成物である。また、表２，３，４中で＊印と
同じ位置に付されている番号（６，９，１４，２３）は
表１の試料番号と同じものであり、他の試料と対比のた
めに記載した。そして、表１、表２、表３、表４に示す
ように配合された各原料を内壁を樹脂コーティングされ
たボールミルにジルコニア製のボールと、純水と共に入
れ、数時間の湿式混合後、脱水乾燥を施して、これを乾
式粉砕して、粉末混合物を得た。この粉末混合物を磁器
製の鞘に入れ、酸化雰囲気中で粉末混合物の組成に合わ
せて温度１１００℃から１２００℃の範囲で、２時間仮
焼して焼結体を作成した。作成された焼結体を再び乳鉢
で乾式粉砕した後、前記ボールミルにて湿式粉砕し、微
粉末とした。この微粉末に有機バインダーとしてポリビ
ニルアルコールを加え、造粒した後、乾式成型機を用い
て２ｔ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、直径１０ｍｍ、
厚さ０．５ｍｍの円板状の成形物を作成した。
のは本発明の範囲内の組成物であり、その他は本発明の
範囲外の組成物である。また、表２，３，４中で＊印と
同じ位置に付されている番号（６，９，１４，２３）は
表１の試料番号と同じものであり、他の試料と対比のた
めに記載した。そして、表１、表２、表３、表４に示す
ように配合された各原料を内壁を樹脂コーティングされ
たボールミルにジルコニア製のボールと、純水と共に入
れ、数時間の湿式混合後、脱水乾燥を施して、これを乾
式粉砕して、粉末混合物を得た。この粉末混合物を磁器
製の鞘に入れ、酸化雰囲気中で粉末混合物の組成に合わ
せて温度１１００℃から１２００℃の範囲で、２時間仮
焼して焼結体を作成した。作成された焼結体を再び乳鉢
で乾式粉砕した後、前記ボールミルにて湿式粉砕し、微
粉末とした。この微粉末に有機バインダーとしてポリビ
ニルアルコールを加え、造粒した後、乾式成型機を用い
て２ｔ／ｃｍ2の圧力でプレス成形し、直径１０ｍｍ、
厚さ０．５ｍｍの円板状の成形物を作成した。
【００２０】作成された成形物をアルミナ製の鞘に入
れ、酸化雰囲気中で成形物の組成に合わせて温度１３０
０℃から１３５０℃の範囲で２時間焼結して、円板状の
温度補償用誘電体磁器組成物を作成した。作成された円
板状の各温度補償用誘電体磁器組成物の両面に一定面積
の銀電極を焼き付けし、ＹＨＰ社製のインピーダンスア
ナライザー（型式４１９２Ａ）により夫々の温度補償用
誘電体磁器組成物の静電容量、Ｑ値、静電容量の温度特
性について測定した。また、各温度補償用誘電体磁器組
成物の形状と電極面積とから比誘電率（下記式参照）を
求めた。また、インピーダンスアナライザーでの測定条
件は、測定周波数１ＭＨｚ、信号電圧１Ｖとした。ま
た、温度２０℃と８５℃で測定した静電容量値より温度
係数（下記式参照）を求めた。
れ、酸化雰囲気中で成形物の組成に合わせて温度１３０
０℃から１３５０℃の範囲で２時間焼結して、円板状の
温度補償用誘電体磁器組成物を作成した。作成された円
板状の各温度補償用誘電体磁器組成物の両面に一定面積
の銀電極を焼き付けし、ＹＨＰ社製のインピーダンスア
ナライザー（型式４１９２Ａ）により夫々の温度補償用
誘電体磁器組成物の静電容量、Ｑ値、静電容量の温度特
性について測定した。また、各温度補償用誘電体磁器組
成物の形状と電極面積とから比誘電率（下記式参照）を
求めた。また、インピーダンスアナライザーでの測定条
件は、測定周波数１ＭＨｚ、信号電圧１Ｖとした。ま
た、温度２０℃と８５℃で測定した静電容量値より温度
係数（下記式参照）を求めた。
【００２１】 比誘電率ε＝（４／ε0／π）×Ｃ２０×ｔ／Ｄ2 温度係数Ｔｃ＝（Ｃ８５−Ｃ２０）／Ｃ２０／６５×１
０6 尚、式中、ε0：真空中の誘電率、 π：円周
率、ｔ：焼結体の厚さ（ｍｍ）、 Ｄ：電極面積（ｍ
ｍ2）、Ｃ２０：２０℃の静電容量（ｐＦ）、Ｃ８５：
８５℃の静電容量（ｐＦ）を示す。
０6 尚、式中、ε0：真空中の誘電率、 π：円周
率、ｔ：焼結体の厚さ（ｍｍ）、 Ｄ：電極面積（ｍ
ｍ2）、Ｃ２０：２０℃の静電容量（ｐＦ）、Ｃ８５：
８５℃の静電容量（ｐＦ）を示す。
【００２２】得られた結果を表１、表２、表３、表４の
夫々の試料番号に対応させて表５、表６、表７、表８に
示す。
夫々の試料番号に対応させて表５、表６、表７、表８に
示す。
【００２３】
【表５】
【００２４】
【表６】
【００２５】
【表７】
【００２６】
【表８】
【００２７】尚、表５，６，７，８中で＊印を付けたも
のは本発明の範囲内の組成物であり、その他は本発明の
範囲外の組成物である。また、表６，７，８中で＊印と
同じ位置に付されている番号（６，９，１４，２３）は
表５の試料番号と同じものであり、他の試料と対比のた
めに記載した。また、表６中の温度係数Ｔｃの欄でデー
タが記載されていないものは、温度に対する静電容量の
変化が直線的でないために測定出来なかった試料であ
る。
のは本発明の範囲内の組成物であり、その他は本発明の
範囲外の組成物である。また、表６，７，８中で＊印と
同じ位置に付されている番号（６，９，１４，２３）は
表５の試料番号と同じものであり、他の試料と対比のた
めに記載した。また、表６中の温度係数Ｔｃの欄でデー
タが記載されていないものは、温度に対する静電容量の
変化が直線的でないために測定出来なかった試料であ
る。
【００２８】表５，６，７，８から明らかなように、本
発明の組成範囲内（表１〜表８に＊印で示した）にある
温度補償用誘電体磁器組成物は温度補償用コンデンサー
として満足せるＱ値、誘電率の温度特性を有しているこ
とが分かる。これに対して本発明の組成範囲外にある組
成、例えば前記表における試料番号１，５，１１，１
６，２４，２６等はＱ値、または誘電率が小さいか、温
度係数が大きいか、または焼結性が悪化し、特性の再現
性に劣り実用に適しない。
発明の組成範囲内（表１〜表８に＊印で示した）にある
温度補償用誘電体磁器組成物は温度補償用コンデンサー
として満足せるＱ値、誘電率の温度特性を有しているこ
とが分かる。これに対して本発明の組成範囲外にある組
成、例えば前記表における試料番号１，５，１１，１
６，２４，２６等はＱ値、または誘電率が小さいか、温
度係数が大きいか、または焼結性が悪化し、特性の再現
性に劣り実用に適しない。
【００２９】
【発明の効果】このように本発明によるときは、Ｑ値、
誘電率の温度特性が温度補償用コンデンサーとして満足
する値を有し、かつ誘電率が従来の温度補償用誘電体磁
器組成物より大きな値が得られるため、製品の小型化、
大容量化が可能な温度補償用誘電体磁器組成物を提供す
ることが出来る効果を有する。
誘電率の温度特性が温度補償用コンデンサーとして満足
する値を有し、かつ誘電率が従来の温度補償用誘電体磁
器組成物より大きな値が得られるため、製品の小型化、
大容量化が可能な温度補償用誘電体磁器組成物を提供す
ることが出来る効果を有する。
【図１】 本発明の温度補償用誘電体磁器組成物の主成
分の組成範囲を示す三元系図であり、組成点Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆで囲まれた領域が本発明組成物の主成分
の組成範囲を示す。
分の組成範囲を示す三元系図であり、組成点Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆで囲まれた領域が本発明組成物の主成分
の組成範囲を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式 （ｘ・ＢａＯ−ｙ・ＢｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）−ｃ
・ＴｉＯ2からなり、Ｒｅは希土類元素を表し、ｘ＋ｙ
＋ｚ＝１００の組成を有する組成物であって、これらの
成分割合が三元系図において次の組成点Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆ ｘ・ＢａＯ ｙ・ＢｉＯ 3/2 ｚ・ＲｅＯ 3/2 Ａ ３５ ３０ ３５ Ｂ ３０ ３０ ４０ Ｃ ２５ ３５ ４０ Ｄ ２０ ３５ ４５ Ｅ ２０ ３０ ５０ Ｆ ３５ １５ ５０ を結ぶ線上およびこの線に囲まれる組成範囲内のモル量
であり、また、ＴｉＯ2の値ｃが（ｘ・ＢａＯ−ｙ・Ｂ
ｉＯ 3/2−ｚ・ＲｅＯ 3/2）に対して１１０〜１４０の
範囲であり、また、ＲｅＯ 3/2はｄ・Ｎｄ＋ｅ・Ｌａか
らなり、かつ、ｄ＋ｅ＝ｚであって、ｚ＝１００とした
ときｚ＝ｄ′＋ｅ′の組成を有し、更にｄ′＝２０〜９
０の範囲であり、また、前記組成物１００重量部に対
し、Ｙ2Ｏ3を２〜１０重量部を添加したことを特徴とす
る温度補償用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4147743A JPH05339053A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4147743A JPH05339053A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339053A true JPH05339053A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=15437143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4147743A Pending JPH05339053A (ja) | 1992-06-08 | 1992-06-08 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05339053A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857843A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | デ−タ回線交換装置のチエツク方式 |
-
1992
- 1992-06-08 JP JP4147743A patent/JPH05339053A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857843A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Fujitsu Ltd | デ−タ回線交換装置のチエツク方式 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980331 |