JPH05339713A - 微粒子と薄膜の製造装置 - Google Patents
微粒子と薄膜の製造装置Info
- Publication number
- JPH05339713A JPH05339713A JP15037292A JP15037292A JPH05339713A JP H05339713 A JPH05339713 A JP H05339713A JP 15037292 A JP15037292 A JP 15037292A JP 15037292 A JP15037292 A JP 15037292A JP H05339713 A JPH05339713 A JP H05339713A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fine particles
- fine particle
- crucible
- thin film
- vacuum container
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- Pending
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- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】微粒子と薄膜とを単一の装置で同時に製造する
微粒子及び薄膜製造装置を提供する。 【構成】真空容器１内のるつぼ３の斜め上方に設置した
微粒子の補足板７とるつぼ３鉛直上方に設置した薄膜付
着用基板８とを設ける。また、真空容器１内の圧力を制
御する機構１１を設け、微粒子補足板７を冷却する機構
１０を設ける。 【効果】真空容器内圧力により微粒子の進行方向が微粒
子でない蒸発物質と異なり、るつぼ鉛直上方から曲げら
れるので、微粒子と微粒子でない蒸発物質とを分離する
ことができる。
微粒子及び薄膜製造装置を提供する。 【構成】真空容器１内のるつぼ３の斜め上方に設置した
微粒子の補足板７とるつぼ３鉛直上方に設置した薄膜付
着用基板８とを設ける。また、真空容器１内の圧力を制
御する機構１１を設け、微粒子補足板７を冷却する機構
１０を設ける。 【効果】真空容器内圧力により微粒子の進行方向が微粒
子でない蒸発物質と異なり、るつぼ鉛直上方から曲げら
れるので、微粒子と微粒子でない蒸発物質とを分離する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、粉末成形体等に用いら
れる金属微粒子の製造装置と電極材等に用いられる金属
薄膜の製造装置に関する。
れる金属微粒子の製造装置と電極材等に用いられる金属
薄膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の微粒子製造装置は、例えば、特開
昭62−225271号公報に述べられているように真空容器内
に設置された蒸発源を有し、るつぼ上方のノズル中に蒸
気を通過させることで微粒子を形成するノズル法、また
は特開昭63−95101 号公報に述べられているように真空
容器内のガス圧力を０.１Torr(数十Torr程度でも良い）
にして微粒子を形成するガス中蒸発法を用いた装置があ
る。
昭62−225271号公報に述べられているように真空容器内
に設置された蒸発源を有し、るつぼ上方のノズル中に蒸
気を通過させることで微粒子を形成するノズル法、また
は特開昭63−95101 号公報に述べられているように真空
容器内のガス圧力を０.１Torr(数十Torr程度でも良い）
にして微粒子を形成するガス中蒸発法を用いた装置があ
る。
【０００３】従来の薄膜製造装置は、微粒子製造装置と
同じ構成を持つ。蒸発源の加熱手段として、抵抗加熱，
高周波加熱，電子ビーム加熱，レーザ加熱が用いられ
る。このとき、微粒子が形成されても基板上で融合すれ
ば薄膜が形成される。このような装置については、例え
ば、薄膜ハンドブック、日本学術振興会薄膜第１３１委
員会編（１９８３年、オーム社）、第９６頁から第１０
１頁において論じられている。
同じ構成を持つ。蒸発源の加熱手段として、抵抗加熱，
高周波加熱，電子ビーム加熱，レーザ加熱が用いられ
る。このとき、微粒子が形成されても基板上で融合すれ
ば薄膜が形成される。このような装置については、例え
ば、薄膜ハンドブック、日本学術振興会薄膜第１３１委
員会編（１９８３年、オーム社）、第９６頁から第１０
１頁において論じられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】微粒子製造装置と薄膜
製造装置との類似性を利用して、単一の装置で微粒子と
薄膜とを同時に製造する。さらに、蒸気中の微粒子と微
粒子でない蒸発物質とを分離する。
製造装置との類似性を利用して、単一の装置で微粒子と
薄膜とを同時に製造する。さらに、蒸気中の微粒子と微
粒子でない蒸発物質とを分離する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は蒸着膜を付着させる基板をるつぼの鉛直
上方に設置しかつ微粒子を補足する手段をるつぼ斜め上
方に設置することにした。さらに、蒸気中の微粒子と微
粒子でない蒸発物質とを分別する手段として、真空容器
内の圧力を制御することにしたものである。さらに、補
足した微粒子が融合しないようにするために、微粒子を
補足する手段に冷却機構を持たせた。
めに、本発明は蒸着膜を付着させる基板をるつぼの鉛直
上方に設置しかつ微粒子を補足する手段をるつぼ斜め上
方に設置することにした。さらに、蒸気中の微粒子と微
粒子でない蒸発物質とを分別する手段として、真空容器
内の圧力を制御することにしたものである。さらに、補
足した微粒子が融合しないようにするために、微粒子を
補足する手段に冷却機構を持たせた。
【０００６】
【作用】本発明では、微粒子と微粒子でない蒸発物質と
では蒸気中での挙動が大きく異なり微粒子でない蒸発物
質はるつぼから直線的に飛行し、微粒子は衝突により進
行方向を曲げられるため、るつぼ鉛直上方の基板に薄膜
が得られ、るつぼの斜め上方に微粒子が得られる。ま
た、真空容器内のガス圧力を制御することにより、残留
ガスとの衝突回数を制御できるので微粒子の進行方向を
曲げる程度を制御できるので微粒子と微粒子でない物質
とを分離できる。さらに、微粒子を補足する手段に冷却
機構により、補足した微粒子を融点の３分の２の温度以
下に保つことで、微粒子の融合を抑制できる。
では蒸気中での挙動が大きく異なり微粒子でない蒸発物
質はるつぼから直線的に飛行し、微粒子は衝突により進
行方向を曲げられるため、るつぼ鉛直上方の基板に薄膜
が得られ、るつぼの斜め上方に微粒子が得られる。ま
た、真空容器内のガス圧力を制御することにより、残留
ガスとの衝突回数を制御できるので微粒子の進行方向を
曲げる程度を制御できるので微粒子と微粒子でない物質
とを分離できる。さらに、微粒子を補足する手段に冷却
機構により、補足した微粒子を融点の３分の２の温度以
下に保つことで、微粒子の融合を抑制できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を用いて詳細に説
明する。
明する。
【０００８】図１は本発明の実施例の構成を示してい
る。真空容器１内でるつぼ３内の蒸発物質は電子ビーム
４により蒸発させられる。発生した蒸発物質の蒸気５は
るつぼ上方へ進行するが、真空排気機構２と真空容器内
圧力制御機構１１とから決まる真空容器１内の圧力によ
って、蒸気中の蒸発物質原子密度が高いるつぼの近くで
微粒子６が生成される。この微粒子６は残留ガス等との
衝突により進行方向が曲げられて、るつぼ３の鉛直上方
ではなく斜め上方に進行し、微粒子補足板７上に堆積す
る。微粒子補足板７は微粒子補足板冷却機構１０により
冷却されているので微粒子６同士の微粒子補足板７上で
の融合が抑制される。一方、微粒子化しなかった蒸発物
質の蒸気は、るつぼ鉛直上方へそのまま進行して薄膜付
着用基板８上に蒸着して薄膜９を形成する。
る。真空容器１内でるつぼ３内の蒸発物質は電子ビーム
４により蒸発させられる。発生した蒸発物質の蒸気５は
るつぼ上方へ進行するが、真空排気機構２と真空容器内
圧力制御機構１１とから決まる真空容器１内の圧力によ
って、蒸気中の蒸発物質原子密度が高いるつぼの近くで
微粒子６が生成される。この微粒子６は残留ガス等との
衝突により進行方向が曲げられて、るつぼ３の鉛直上方
ではなく斜め上方に進行し、微粒子補足板７上に堆積す
る。微粒子補足板７は微粒子補足板冷却機構１０により
冷却されているので微粒子６同士の微粒子補足板７上で
の融合が抑制される。一方、微粒子化しなかった蒸発物
質の蒸気は、るつぼ鉛直上方へそのまま進行して薄膜付
着用基板８上に蒸着して薄膜９を形成する。
【０００９】この実施例において、銅を蒸発物質とした
場合、電子ビーム出力８ｋＷ，真空容器内圧力１０-4To
rr（１０-2Ｐａ）の条件で直径３μｍまでの銅微粒子が
形成された。これら銅微粒子はるつぼ上方２cmるつぼ中
心から横方向５cmに設置した微粒子補足板上で存在が確
認された。また、るつぼ鉛直上方５cmの高さでは微粒子
の存在を確認することはできなかった。従って、本実施
例の場合、薄膜付着用基板は少なくともるつぼ上方５cm
以上に設置すれば良い。
場合、電子ビーム出力８ｋＷ，真空容器内圧力１０-4To
rr（１０-2Ｐａ）の条件で直径３μｍまでの銅微粒子が
形成された。これら銅微粒子はるつぼ上方２cmるつぼ中
心から横方向５cmに設置した微粒子補足板上で存在が確
認された。また、るつぼ鉛直上方５cmの高さでは微粒子
の存在を確認することはできなかった。従って、本実施
例の場合、薄膜付着用基板は少なくともるつぼ上方５cm
以上に設置すれば良い。
【００１０】なお、本実施例では特に微粒子冷却機構を
用いなかったが、微粒子補足板の温度が十分低いためで
ある。微粒子補足板の温度が高くなる場合は、冷却する
必要がある。さらに、本実施例は加熱手段として電子ビ
ームを用いたが、本発明はこれに限定するものではな
い。
用いなかったが、微粒子補足板の温度が十分低いためで
ある。微粒子補足板の温度が高くなる場合は、冷却する
必要がある。さらに、本実施例は加熱手段として電子ビ
ームを用いたが、本発明はこれに限定するものではな
い。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、予め設定した３波長以
上の各々の波長のみを透過させる波長フィルタと、各々
の波長フィルタを透過した光のみを検出する光検出器と
により、各々の波長での光放射量が得られ、最小自乗法
により光放射量が最大となる波長を求めることができる
ので、物体の温度を精度良く得ることができる。
上の各々の波長のみを透過させる波長フィルタと、各々
の波長フィルタを透過した光のみを検出する光検出器と
により、各々の波長での光放射量が得られ、最小自乗法
により光放射量が最大となる波長を求めることができる
ので、物体の温度を精度良く得ることができる。
【図１】本発明の実施例を示す説明図。
【符号の説明】 １…真空容器、２…真空排気機構、３…るつぼ、４…電
子ビーム、５…蒸気、６…微粒子、７…微粒子補足板、
８…薄膜付着用基板、９…薄膜、１０…微粒子補足板冷
却機構、１１…真空容器内圧力制御機構。
子ビーム、５…蒸気、６…微粒子、７…微粒子補足板、
８…薄膜付着用基板、９…薄膜、１０…微粒子補足板冷
却機構、１１…真空容器内圧力制御機構。
Claims (3)
- 【請求項１】真空容器と、前記真空容器内の圧力を制御
する手段と、蒸発物質を装荷するるつぼと、前記蒸発物
質を加熱する手段と、蒸気から前記蒸発物質の微粒子を
補足する手段と、前記蒸発物質の蒸着膜を付着させる基
板とを有する微粒子と薄膜製造装置において、前記基板
がるつぼ鉛直上方に設置され、前記微粒子を補足する手
段がるつぼ斜め上方に設置されていることを特徴とする
微粒子と薄膜の製造装置。 - 【請求項２】請求項１において、蒸気中の蒸発物質の前
記微粒子と微粒子でない前記蒸発物質とを分別する手段
が、前記真空容器内の圧力の制御である微粒子と薄膜の
製造装置。 - 【請求項３】請求項１において、前記微粒子を補足する
手段が冷却機構を有する微粒子と薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15037292A JPH05339713A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 微粒子と薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15037292A JPH05339713A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 微粒子と薄膜の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05339713A true JPH05339713A (ja) | 1993-12-21 |
Family
ID=15495555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15037292A Pending JPH05339713A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 微粒子と薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05339713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011214090A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | ガスデポジション用ナノ粒子生成装置、及びガスデポジション装置 |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP15037292A patent/JPH05339713A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011214090A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | ガスデポジション用ナノ粒子生成装置、及びガスデポジション装置 |
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