JPH0230754A

JPH0230754A - 蒸着方法

Info

Publication number: JPH0230754A
Application number: JP18010588A
Authority: JP
Inventors: Hajime Ichikawa; 市川　一
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1988-07-18
Filing date: 1988-07-18
Publication date: 1990-02-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、蒸着方法に関する。

（従来の技術〕一般に、基板に蒸着物質（誘電体又は金属）を堆積させ
る方法において、被蒸着物質の加熱溶融は、例えば”７
１１４膜ハンドブツク、２章真空蒸着法」に記載される
ごとく、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法等が用いられて
いる。

例えば、融点の低いＳｉＯを蒸着物質とした場合、第３
図に示すように、ポート状の抵抗発熱体１に顆粒状のＳ
　ｉ０４をのせ、取付電極３に数１０Ａの電流を流して
ＳｉＯ４を溶融し、真空中（Ｉ　Ｘ　１０　”’〜５　
Ｘ　Ｉ　Ｏ−’Ｔｏｒｒ）で数人／Ｓの蒸着速度で基板
上に蒸着させている。

また、融点の比較的高いＣｒを被蒸着物質とした場合、
第４図に示すように、冷却るつぼ５にＣｒ６を入れ、Ｃ
ｒ６に電子銃７から電子ビーム８を照射して基板上に蒸
着している。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記抵抗発熱体によりＳｉＯを蒸着する抵抗加熱法にあ
っては、蒸＠物質のＳｉＯを溶融制御する際の取付電極
に流す電流の大、小により、抵抗発熱体からＳｉＯがこ
ぼれ落ちて基板蒸着に必要な絶対量を蒸着できない場合
がある。さらに、蒸着速度の制御が不安定になり易く、
蒸着速度が大きくなりすぎた場合、基板側に蒸着物質が
［飛び」と称せられる「ツブ」として付着する不具合が
あった（表１、従来例１参照）。

一方、電子ビームによりＣｒを加熱する電子ビーム加熱
法にあっては、Ｃ「への電子ビーム照射面とＣ「の内部
とに温度差が生しるとともにＣｒは昇華性蒸着物質のた
め、Ｃｒの加熱に際し均熱効果を取り入でガス出しをし
つつ蒸着を行わないと、Ｃｒが急激に高熱を受けてガス
と共に突沸し、上記と同様に「ツブ」が飛び出し、基板
側に付着する不具合があった。かかる「ツブ」は、大き
い場合、数１０〜１００μｍの大きさとなり、膜剥離の
原因となったり、レンズ等の場合では光学視野中で障害
物となり、外観不良、歩留りを低下させる原因となる不
具合があった（表１、従来例２参照）。

本発明は、上記問題点に迄みてなされたものであって、
蒸着物質の「飛び」を極力少なくするとともに、溶融パ
ワー、溶融サイズをデジタル可変し得る電子ビーム熔融
による一定した蒸着速度を得る薄着方法を提供すること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段および作用〕上記目的を達
成するために、本発明の蒸着方法においては、蒸着物質
を基板に真空蒸着するにあたり、蒸着物質を覆うように
溶融ボート上面に上記蒸着物質より高融点のメンシュ状
板材を設置して上記蒸着物質を蒸発させるものである。

即ち、高電圧低電流電子銃加熱方式により蒸着物質Ｓｉ
Ｏを蒸着する場合、ＳｉＯより高融点のＭｏまたはＷ等
のボックス型ボートに顆粒状のＳｉＯを入れ、ＳｉＯを
覆うようにボート上面にＷまたはＴａ等の１０〜２０μ
ｍメソシュサイズのネット状板を配置し、ネット状板の
上から電子ビームを蒸着物質に照射するものである。か
かる場合、ネット状板、ボートの底および周辺は照射面
温度に近似して昇温するためＳｉＯの溶融とガス出し時
に全均加熱作用が働き一定した蒸着速度が保持されると
ともに、常に蒸着物質の均一な超微細粒子（入オーダー
）の蒸発が行われる。さらに、ネット状板により１０〜
３０μｍ以上の大きいツブ状の突沸性蒸着物質が捕獲さ
れるので、基板面に付着する「飛び」が最小限に防止さ
れる。

また、低電圧高電流電子銃加熱方式により蒸着物質Ｃｒ
を蒸着する場合、Ｃｒより高融点のＷまたはＴａ等のボ
ックス型ボートに顆粒状のＣｒを入れ、Ｃｒを覆うよう
にボート上面にＷまたはＴａ等の１０〜２０μｍメツシ
ュサイズのネット状板を配置し、ネット状板の上から電
子ビームを蒸着物質に照射するもので、上記高電圧低電
流電子銃加熱方式と同様な作用が得られる。

（実施例］以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

（第１実施例）第１図に示すように、電子銃加熱方式として７着物質の
真空溶融に使用する冷却ハースライナ−１０にＭｏまた
はｗ？Ｉ！ｌのボックス型ボート１１を配設する。次に
、ボード１１内に１着物質として顆粒状の５ｔＯ１２を
入れ、５ｉＯＩ２を覆うようにボート１１上面に５ｊ０
１２より高融点であるＷまたはＴａ製の１０〜２０μｍ
メンシュサイズのネット状板１３を配置する。そしてチ
ャンバー内をＩ　Ｘ　１０−５〜５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’Ｔ
ｏｒｒの真空度に排気した後、数１０ｍＡの電流をチャ
ージし、電子銃１４から電子ビーム１５をネット状板１
３上から蒸着物質１２に照射して蒸着物質１２を蒸発さ
せ、基板１６に蒸着した。この時、蒸着速度は５〜５０
人／ｓｅｃで行った。

かかる方法で、基板としてＢＫ−７ガラス仮１６　（ｎ
　＝１．５１６）を用い、蒸着速度を５０人／　Ｓｅｃ
に設定して成膜を行った評価を表１　（実施例１参照）
に示す。即ち、光学顕微鏡（ｘ２００）で外観を観察し
たところ［飛び」の付着は、粒径ｌ〜２μｍのものが数
個確認されたのみでほとんどない状態であった。また、
蒸着速度も同時に確認したところ２８〜３０人／ｓｅｃ
であった。

本実施例によれば、蒸着物質の「飛び」を防止し得ると
ともに、設定した蒸着速度にコントロールしつつ蒸着を
行うことができた。

（第２実施例）第２図に示すように、第１実施例と同様な冷却ハースラ
イナ−１０にＷまたはＴａ製のボックス型ボート１７を
配設する。次に、ボード１７内に蒸着物質として顆粒状
のＣｒ１８を入れ、Ｃ「１８を覆うようにボート１７上
面にＣｒ１８より高融点であるＷまたはＴａ製の１０〜
２０μｍメツシュサイズのネット状板１９を配置する。

そしてチャンバー内をｌ　Ｘ　１０−Ｓ〜５　Ｘ　１０
−’Ｔｏｒｒの真空度に排気した後、数１０Ａの電流を
チャージし、電子銃２０から電子ビーム２１をネット状
仮１９上から蒸着物質１８に照射して蒸着物質１８を蒸
発させ、基板２２に蒸着した。このとき、蒸着速度は３
〜１０人／ｓｅｃで行った。

かかる方法で、基板としてＢＫ−７ガラス仮２２　（ｎ
　＝１．５１６）を用い、蒸着速度を６人／ｓｅｅに設
定して成膜を行った評価を表１　（実施例２参照）に示
す。即ち、光学顕微鏡（ｘ２００）で外観を観察したと
ころ「飛び」の付着は、粒径１・−３μｍのものが点在
して６〜７個確認されたのみで良好な成膜であった。ま
た、蒸着速度も同時に確認したところ５〜６人／ｓｅｅ
で設定した蒸着速度と路間−であった。

なお、上記第１実施例、第２実施″例に示したように、
昇華性蒸着物質に対する「飛び（スプラッシュ）」の防
止および蒸着速度の制御の容易性により、従来、抵抗加
熱蒸着法で行われていた蒸着物質、例えばＡｌ、Ｃｅ０
ｚ、ＣｅＦｅ、ＴｉｚＯ：＋。

ＴｉＯ等もしくは電子ビーム蒸着法で行われていた蒸着
物質、例えば、Ｔａｚ○ｓ、Ｔｉ０ｚ、Ｚｒ０ｚＡ２□
Ｏｚ、ＳｉＯ□等についても、蒸着物質の昇華性、溶融
性に限定を受けずに上記実施例と同様な作用、効果を奏
しつつ実施することができる。

表　　１〔発明の効果〕以上のように、本発明の蒸着方法によれば、蒸着物質の
基板側に付着する［飛び（スプラッシュ）」を最小限に
抑えることができるので、剥離しにくい蒸着膜が形成さ
れるとともに外観品質の向上を図ることができる。さら
に、蒸着速度が一定に制御し得るため、蒸着膜の光学特
性（屈折率、吸収率）または結晶性を任意にコントロー
ルすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１着方法の第１実施例の説明図、第２
図は本発明の１着方法の第２実施例の説明図、第３図お
よび第４図は従来の蒸着方法の説明図である。１１・・・ボート１２・・・蒸着物質１３・・・メンシュ状板第１図特許出願人　　オリンパス光学工業株式会社＋１　　ボ
ート１２−茎着吻貨１３・・メツツユ状（反

Claims

【特許請求の範囲】

（１）蒸着物質を基板に真空蒸着するにあたり、蒸着物
質を覆うように溶融ボート上面に上記蒸着物質より高融
点のメッシュ状板材を設置して上記蒸着物質を蒸発させ
ることを特徴とする蒸着方法。