JPH0534315B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0534315B2 JPH0534315B2 JP58172552A JP17255283A JPH0534315B2 JP H0534315 B2 JPH0534315 B2 JP H0534315B2 JP 58172552 A JP58172552 A JP 58172552A JP 17255283 A JP17255283 A JP 17255283A JP H0534315 B2 JPH0534315 B2 JP H0534315B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ampoule
- temperature
- crystal
- solidified
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
- C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はHg1−xCdxTe（１＞ｘ＞０）結晶の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
Hg1−xCdxTeは赤外線検出器用として有用な
材料であり、ｘの値を変化させることによつてそ
の検出波長領域が変わり、例えばｘ＝0.2即ち
Hg0．8Cd0．2Teという組成では８〜14μmの波長
帯に感度がある。この結晶の製造方法は幾つか開
発されているが、主なものとして固体再結晶法及
びブリツジマン法が知られている。
材料であり、ｘの値を変化させることによつてそ
の検出波長領域が変わり、例えばｘ＝0.2即ち
Hg0．8Cd0．2Teという組成では８〜14μmの波長
帯に感度がある。この結晶の製造方法は幾つか開
発されているが、主なものとして固体再結晶法及
びブリツジマン法が知られている。
このうち固体再結晶法は結晶母材の融液を急冷
固化して一旦多結晶とした後、熱処理を行なつて
単結晶化させようとするものであり、均一組成の
ものが得られるという利点はあるが、不純物の排
除が不十分なこと、及び単結晶化が容易でないこ
とから赤外線検出器用としては十分な特性が得ら
れない。
固化して一旦多結晶とした後、熱処理を行なつて
単結晶化させようとするものであり、均一組成の
ものが得られるという利点はあるが、不純物の排
除が不十分なこと、及び単結晶化が容易でないこ
とから赤外線検出器用としては十分な特性が得ら
れない。
これに対し、融液を一端から徐々に冷却して端
結晶を成長させるブリツジマン法では、成長方向
すなわちアンプルの長手方向に沿つて組成比ｘが
変化するという欠点はあるが、光電特性的には非
常に優れており、所望の組成となつている部分の
みを使用することで特性の優れた赤外線検出器を
製造することが可能である。
結晶を成長させるブリツジマン法では、成長方向
すなわちアンプルの長手方向に沿つて組成比ｘが
変化するという欠点はあるが、光電特性的には非
常に優れており、所望の組成となつている部分の
みを使用することで特性の優れた赤外線検出器を
製造することが可能である。
しかしながら、こうして製造できる検出器は小
面積の個別の検出器に限られ、応用上重要な大面
積のアレー状検出器を得ることは困難であつた。
それは従来のブリツジマン法によるHg1−
xCdxTe結晶の組成比ｘの分布が単に長手方向の
みでなく、半径方向にもあつたために、所望の組
成となつている部分から採つたウエハー内に大き
な組成分布が生じ特性の揃つた大面積の素子を得
ることができなかつたことによる。
面積の個別の検出器に限られ、応用上重要な大面
積のアレー状検出器を得ることは困難であつた。
それは従来のブリツジマン法によるHg1−
xCdxTe結晶の組成比ｘの分布が単に長手方向の
みでなく、半径方向にもあつたために、所望の組
成となつている部分から採つたウエハー内に大き
な組成分布が生じ特性の揃つた大面積の素子を得
ることができなかつたことによる。
すなわち、従来のブリツジマン法で製造した
Hg1−xCdxTe結晶を長手方向に縦割りした断面
の組成分布は、第１図ａに示すように、等組成線
１が放物面状となり、長手方向のみならず半径方
向に沿つても組成比ｘが変化してしまう。このた
め、この結晶を輪切りにしたウエハーには同心円
状に変化する組成分布が残り、これを用いて大面
積のアレー状の赤外線検出器を製造するとウエハ
ー上の場所毎に個々の検出部で特性が大きく異な
つてしまい、全体としての機能が損なわれてしま
つていた。
Hg1−xCdxTe結晶を長手方向に縦割りした断面
の組成分布は、第１図ａに示すように、等組成線
１が放物面状となり、長手方向のみならず半径方
向に沿つても組成比ｘが変化してしまう。このた
め、この結晶を輪切りにしたウエハーには同心円
状に変化する組成分布が残り、これを用いて大面
積のアレー状の赤外線検出器を製造するとウエハ
ー上の場所毎に個々の検出部で特性が大きく異な
つてしまい、全体としての機能が損なわれてしま
つていた。
本発明者は、この現象を検討した結果、以下の
原因によることを見出した。すなわち、従来のブ
リツジマン法では結晶成長中に既に固体化してい
る部分の温度について特に考慮を払つていず、低
温にさらされて自然に冷却するにまかせていたた
め、この固体化した結晶中の熱伝導によつて固相
液相界面、すなわち結晶成長面の近傍ではその中
心の方が低温となり、第１図ｂに示すように等温
線２及び固相液相界面３が放物面状となつて結晶
が成長するため、第１図ａに示すような組成分布
が生じていたのである。
原因によることを見出した。すなわち、従来のブ
リツジマン法では結晶成長中に既に固体化してい
る部分の温度について特に考慮を払つていず、低
温にさらされて自然に冷却するにまかせていたた
め、この固体化した結晶中の熱伝導によつて固相
液相界面、すなわち結晶成長面の近傍ではその中
心の方が低温となり、第１図ｂに示すように等温
線２及び固相液相界面３が放物面状となつて結晶
が成長するため、第１図ａに示すような組成分布
が生じていたのである。
本発明の目的は、従来のブリツジマン法におけ
る上記の欠点、すなわち半径方向の組成変化をな
くし、且つ長手方向の組成分布も改善したHg1−
xCdxTe（１＞ｘ＞０結晶の製造方法を提供する
ことにある。
る上記の欠点、すなわち半径方向の組成変化をな
くし、且つ長手方向の組成分布も改善したHg1−
xCdxTe（１＞ｘ＞０結晶の製造方法を提供する
ことにある。
本発明によると、所要の組成比を持つように秤
量したHg，Cd，Teの単体またはHgTe，CdHe，
HgCdTeまたはこれらの組合わせからなる母材を
アンプル中に真空封入して加熱溶解した後、前記
アンプルの一端から冷却して固体化させた領域を
0.5mm／時間以下の速度で前記アンプルの他端に
向かつて成長させるとき、既に固体化した部分を
HgTe凝固点680℃から500℃の温度範囲に保ち続
けながら全体を固体化し、更に数日から数十日間
にわたり固体化した全体を前記温度範囲内の一定
温度に保ち、且つ前記アンプルの自由空間部分は
前記一定温度より高い温度に保ちつづけることを
特徴とするHgCdTe結晶の製造方法が得られる。
量したHg，Cd，Teの単体またはHgTe，CdHe，
HgCdTeまたはこれらの組合わせからなる母材を
アンプル中に真空封入して加熱溶解した後、前記
アンプルの一端から冷却して固体化させた領域を
0.5mm／時間以下の速度で前記アンプルの他端に
向かつて成長させるとき、既に固体化した部分を
HgTe凝固点680℃から500℃の温度範囲に保ち続
けながら全体を固体化し、更に数日から数十日間
にわたり固体化した全体を前記温度範囲内の一定
温度に保ち、且つ前記アンプルの自由空間部分は
前記一定温度より高い温度に保ちつづけることを
特徴とするHgCdTe結晶の製造方法が得られる。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら詳
しく説明する。第２図ａは本発明を実施するため
に使用する電気炉を例示した概略図で、第１のヒ
ーター１１、及び第２のヒーター１２、及びアン
プル移動機構１３から成つている。第１のヒータ
ー１１はアンプル１４の結晶母材１５を溶解する
ためのものであり、また第２のヒーター１２は固
体化した結晶部分をHgTeの凝固点680℃から500
℃の温度範囲に保持するためのものである。また
アンプル移動機構１３はアンプル１４を電気炉の
中心軸上に配置し、且つ低速度で下方へ移動させ
るためのものである。この電気炉の中心軸上での
温度分布は、第２図ｂに示すように、結晶母材の
液相点より高い温度THの領域イ、及び680℃から
500℃の範囲内の低温TLの領域ハ、及びその中間
の温度傾斜領域ロとなるように設定される。
しく説明する。第２図ａは本発明を実施するため
に使用する電気炉を例示した概略図で、第１のヒ
ーター１１、及び第２のヒーター１２、及びアン
プル移動機構１３から成つている。第１のヒータ
ー１１はアンプル１４の結晶母材１５を溶解する
ためのものであり、また第２のヒーター１２は固
体化した結晶部分をHgTeの凝固点680℃から500
℃の温度範囲に保持するためのものである。また
アンプル移動機構１３はアンプル１４を電気炉の
中心軸上に配置し、且つ低速度で下方へ移動させ
るためのものである。この電気炉の中心軸上での
温度分布は、第２図ｂに示すように、結晶母材の
液相点より高い温度THの領域イ、及び680℃から
500℃の範囲内の低温TLの領域ハ、及びその中間
の温度傾斜領域ロとなるように設定される。
次に、この電気炉を用いてｘ＝0.2のHg1−
xCdxTe結晶を製造する方法の一例を示す。本発
明の製造方法は大別して材料溶融、及び結晶成長
及び熱処理の３工程から成る。まず、材料溶融工
程として、Hg，Cd，Teの単体又はHgTe，
CdTeやHgCdTeの化合物の組合わせを用いて組
成比ｘが0.1ないし0.2となるように秤量した母材
１５をアンプル１４中に真空封入する。このアン
プル１４は第２図ａ及びｂに示すように、その一
端１６を高温THの領域イに、すなわちアンプル
１４の全体が液相点以上となる位置に配置し加熱
とロツキングにより溶融混合する。ここで電気炉
の温度設定はTHを820℃、TLを650℃としている。
またアンプル中の異なる場所で固体化がばらばら
に起つて多結晶化してしまうのを防ぐため、温度
傾斜領域ロは20〜100℃／cmと比較的大きい値に
設定する。
xCdxTe結晶を製造する方法の一例を示す。本発
明の製造方法は大別して材料溶融、及び結晶成長
及び熱処理の３工程から成る。まず、材料溶融工
程として、Hg，Cd，Teの単体又はHgTe，
CdTeやHgCdTeの化合物の組合わせを用いて組
成比ｘが0.1ないし0.2となるように秤量した母材
１５をアンプル１４中に真空封入する。このアン
プル１４は第２図ａ及びｂに示すように、その一
端１６を高温THの領域イに、すなわちアンプル
１４の全体が液相点以上となる位置に配置し加熱
とロツキングにより溶融混合する。ここで電気炉
の温度設定はTHを820℃、TLを650℃としている。
またアンプル中の異なる場所で固体化がばらばら
に起つて多結晶化してしまうのを防ぐため、温度
傾斜領域ロは20〜100℃／cmと比較的大きい値に
設定する。
アンプル中の母材１５を完全に溶融混合した
後、結晶成長工程としてアンプル移動機構１３に
よつてアンプル１４を0.2mm／時間の速度でゆつ
くりと下方、すなわち低温側へ移動させる。これ
により、アンプル１４の一端１６が温度傾斜領域
ロに達し、更に低温領域ハに進むにつれて固体化
が始まり、アンプル１４の移動と共にもう一方の
端１７に向かつて単結晶がゆつくりと成長してい
く。この成長中に、すでに固体化した部分が低温
領域ハ内に留まるようにすることで、この固体化
した部分の温度はTLすなわちHgTeの凝固点680
℃から500℃の範囲、この実施例では650℃に保ち
続ける。こうしてアンプル中のHgCdTeの全体が
低温領域ハに達して結晶化し終わるのを待つてか
ら、アンプル１４の移動を止める。この時アンプ
ルは第２図ａの２点鎖線１９の位置すなわち固体
化した結晶の全体が温度TLの低温領域ハに位置
し、自由空間１８は温度傾斜領域ロから高温領域
イに位置している。こうして固体化した結晶は
680℃から500℃の範囲、この例では650℃に保持
され、自由空間はそれ以上の温度に保持される。
後、結晶成長工程としてアンプル移動機構１３に
よつてアンプル１４を0.2mm／時間の速度でゆつ
くりと下方、すなわち低温側へ移動させる。これ
により、アンプル１４の一端１６が温度傾斜領域
ロに達し、更に低温領域ハに進むにつれて固体化
が始まり、アンプル１４の移動と共にもう一方の
端１７に向かつて単結晶がゆつくりと成長してい
く。この成長中に、すでに固体化した部分が低温
領域ハ内に留まるようにすることで、この固体化
した部分の温度はTLすなわちHgTeの凝固点680
℃から500℃の範囲、この実施例では650℃に保ち
続ける。こうしてアンプル中のHgCdTeの全体が
低温領域ハに達して結晶化し終わるのを待つてか
ら、アンプル１４の移動を止める。この時アンプ
ルは第２図ａの２点鎖線１９の位置すなわち固体
化した結晶の全体が温度TLの低温領域ハに位置
し、自由空間１８は温度傾斜領域ロから高温領域
イに位置している。こうして固体化した結晶は
680℃から500℃の範囲、この例では650℃に保持
され、自由空間はそれ以上の温度に保持される。
次に熱処理工程としてこの状態を数日から数十
日間保ち、固体化した結晶内で構成原子の拡散を
行なわせて濃度勾配の緩和すなわち組成分布の改
善を行なう。この時、アンプルの自由空間１８の
温度が結晶部分の温度より低い場合、結晶中の
Hg原子が自由空間中へ散逸してアンプル内壁に
析出しHgCdTe結晶の特性を劣化させてしまうた
め、自由空間部分は結晶部分より高温に保つ必要
がある。この熱処理後、最後にこれを適当な降温
速度で室温まで冷却し、取り出すことによつて
Hg1−xCdxTe結晶の製造が完了する。
日間保ち、固体化した結晶内で構成原子の拡散を
行なわせて濃度勾配の緩和すなわち組成分布の改
善を行なう。この時、アンプルの自由空間１８の
温度が結晶部分の温度より低い場合、結晶中の
Hg原子が自由空間中へ散逸してアンプル内壁に
析出しHgCdTe結晶の特性を劣化させてしまうた
め、自由空間部分は結晶部分より高温に保つ必要
がある。この熱処理後、最後にこれを適当な降温
速度で室温まで冷却し、取り出すことによつて
Hg1−xCdxTe結晶の製造が完了する。
本発明の製造方法によるHg1−xCdxTe結晶を
長手方向に縦割りした断面の組成分布の例を第３
図ａに示す。等組成線２１はほぼ結晶の全体にわ
たつて平坦であり、半径方向に沿つての組成変化
は全く見られない。これは従来の製造方法と異な
り、結晶成長中に固体化している部分を伝わつて
の冷却がなく、平坦な等温線、すなわち固相液相
界面が形成されるためである。
長手方向に縦割りした断面の組成分布の例を第３
図ａに示す。等組成線２１はほぼ結晶の全体にわ
たつて平坦であり、半径方向に沿つての組成変化
は全く見られない。これは従来の製造方法と異な
り、結晶成長中に固体化している部分を伝わつて
の冷却がなく、平坦な等温線、すなわち固相液相
界面が形成されるためである。
更に、全体を固体化した後にそのまま電気炉中
に保持しておく熱処理工程により、長手方向の組
成分布も改善されている。すなわち、全体を固体
化してからすぐに冷却し取り出した結晶では、第
３図ｂに示すように、第１図ａに示した従来の製
造方法と比較して長手方向の組成分布の改善は見
られないのに対し、本発明の製造方法によるもの
では長手方向の組成分布も1/3程度に改善された。
に保持しておく熱処理工程により、長手方向の組
成分布も改善されている。すなわち、全体を固体
化してからすぐに冷却し取り出した結晶では、第
３図ｂに示すように、第１図ａに示した従来の製
造方法と比較して長手方向の組成分布の改善は見
られないのに対し、本発明の製造方法によるもの
では長手方向の組成分布も1/3程度に改善された。
更に、熱処理の工程において、試みにアンプル
の自由空間部分の温度を結晶部分の温度よりも10
℃低く設定して製作し取り出したものではアンプ
ルの自由空間部分にHgの液滴が付着したと共に、
HgCdTe結晶中に無数の小さな空孔が生じてしま
い、結晶が損なわれてしまつたのに対し、本発明
の製造方法によるものではそのような空孔は生じ
ていない。
の自由空間部分の温度を結晶部分の温度よりも10
℃低く設定して製作し取り出したものではアンプ
ルの自由空間部分にHgの液滴が付着したと共に、
HgCdTe結晶中に無数の小さな空孔が生じてしま
い、結晶が損なわれてしまつたのに対し、本発明
の製造方法によるものではそのような空孔は生じ
ていない。
また、従来の製造方法による結晶に熱処理を施
したものでは、組成分布に多少の改善は見られた
ものの、半径方向の分布もまだ残つており、不十
分なものしか得られなかつた。
したものでは、組成分布に多少の改善は見られた
ものの、半径方向の分布もまだ残つており、不十
分なものしか得られなかつた。
このように、本発明の製造方法による結晶の所
要の組成比、例えばｘ＝0.2となつている部分か
らとつたウエハーは均一な組成となり、しかも実
用上支障のない組成となつている部分は長手方向
に沿つて３倍程度拡大され、これを用いることで
より多くの特性の揃つたアレー状赤外線検出器を
製作するが可能である。
要の組成比、例えばｘ＝0.2となつている部分か
らとつたウエハーは均一な組成となり、しかも実
用上支障のない組成となつている部分は長手方向
に沿つて３倍程度拡大され、これを用いることで
より多くの特性の揃つたアレー状赤外線検出器を
製作するが可能である。
本発明において、所要の組成比ｘの結晶を得る
ための母材の組成比にはほぼｘから１／２ｘ程度と すればよく、製造された結晶から所要の組成比ｘ
となつている部分を切り出せばよい。またアンプ
ルの自由空間中へわずかながら散逸するHgを補
う必要があれば、母材にあらかじめ過剰のHgを
加えておけばよい。低温領域ハの温度TLとして
は固体化した結晶を再び溶融してしまう危険のな
い範囲でなるべく高い方が望ましいが、HgTeの
凝固点680℃から500℃の範囲であれば問題なく十
分効果が得られる。アンプルの移動速度、即ち結
晶成長速度は、上記の実施例では0.2mm／時間と
しているが、0.5mm／時間以下であれば同様に良
質の単結晶が得られる。また熱処理の時間は長い
程効果的であるが、実用的には数日から数十日程
度が適している。またこの時の熱処理温度は上記
の680℃から500℃の範囲内であれば、結晶成長中
の低温領域ハの温度TLと異なつていてもかまわ
ないのであるが、同温度の場合には温度を再設定
する必要もなく便利である。
ための母材の組成比にはほぼｘから１／２ｘ程度と すればよく、製造された結晶から所要の組成比ｘ
となつている部分を切り出せばよい。またアンプ
ルの自由空間中へわずかながら散逸するHgを補
う必要があれば、母材にあらかじめ過剰のHgを
加えておけばよい。低温領域ハの温度TLとして
は固体化した結晶を再び溶融してしまう危険のな
い範囲でなるべく高い方が望ましいが、HgTeの
凝固点680℃から500℃の範囲であれば問題なく十
分効果が得られる。アンプルの移動速度、即ち結
晶成長速度は、上記の実施例では0.2mm／時間と
しているが、0.5mm／時間以下であれば同様に良
質の単結晶が得られる。また熱処理の時間は長い
程効果的であるが、実用的には数日から数十日程
度が適している。またこの時の熱処理温度は上記
の680℃から500℃の範囲内であれば、結晶成長中
の低温領域ハの温度TLと異なつていてもかまわ
ないのであるが、同温度の場合には温度を再設定
する必要もなく便利である。
以上説明したように、本発明の製造方法によれ
ば半径方向の組成変化がなく、かつ長手方向の組
成分布も改善された、赤外線検出器の製造に適し
たHg1−xCdxTe（１＞ｘ＞０）結晶が得られる。
ば半径方向の組成変化がなく、かつ長手方向の組
成分布も改善された、赤外線検出器の製造に適し
たHg1−xCdxTe（１＞ｘ＞０）結晶が得られる。
第１図ａ及びｂはそれぞれ従来の製造方法によ
る結晶の組成分布を示す図、及び結晶成長中の固
相液相界面を示す断面図、第２図ａ及びｂはそれ
ぞれ本発明を実施するために使用する電気炉を例
示した概念図、及びこの電気炉中の長手方向に沿
つた温度分布を示す図、第３図ａは本発明の製造
方法による結晶の断面の組成分布を示す図、第３
図ｂは熱処理をしていない状態での断面の組成分
布を示す図である。 図において、１及び２１……等組成線、２……
等温線、３……固相液相界面、４及び１４……ア
ンプル、５及び６……それぞれ液相及び固相の
HgCdTe、１１及び１２……それぞれ第１及び第
２のヒーター、１３……アンプル移動機構、１５
……結晶母材、１６……アンプルの一端、１７…
…アンプルの他の端、１８……アンプルの自由空
間である。
る結晶の組成分布を示す図、及び結晶成長中の固
相液相界面を示す断面図、第２図ａ及びｂはそれ
ぞれ本発明を実施するために使用する電気炉を例
示した概念図、及びこの電気炉中の長手方向に沿
つた温度分布を示す図、第３図ａは本発明の製造
方法による結晶の断面の組成分布を示す図、第３
図ｂは熱処理をしていない状態での断面の組成分
布を示す図である。 図において、１及び２１……等組成線、２……
等温線、３……固相液相界面、４及び１４……ア
ンプル、５及び６……それぞれ液相及び固相の
HgCdTe、１１及び１２……それぞれ第１及び第
２のヒーター、１３……アンプル移動機構、１５
……結晶母材、１６……アンプルの一端、１７…
…アンプルの他の端、１８……アンプルの自由空
間である。
Claims (1)
- １ 所要の組成比をもつように秤量したHg，
Cd，Teの単体またはHgTe，CdTe，HgCdTeま
たはこれらの組合わせからなる母材をアンプル中
に真空封入し加熱溶解した後、前記アンプルの一
端から冷却して固体化させた領域を0.5mm／時間
以下の速度で前記アンプルの他端に向つて成長さ
せていくとき、既に固体化した部分をHgTeの凝
固点680℃から500℃の温度範囲に保ち続けながら
全体を固体化し、更に数日から数十日間にわたり
前記固体化した全体を前記温度範囲内の一定温度
に保ち、且つ前記アンプルの自由空間部分は前記
一定温度よりも高い温度に保ち続けることを特徴
とするHgCdTe結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172552A JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172552A JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065800A JPS6065800A (ja) | 1985-04-15 |
| JPH0534315B2 true JPH0534315B2 (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=15943977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172552A Granted JPS6065800A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ＨｇＣｄＴｅ結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065800A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4919764A (ja) * | 1972-02-26 | 1974-02-21 | ||
| JPS5163380A (en) * | 1974-11-29 | 1976-06-01 | Nippon Electron Optics Lab | hg11xcdxte ketsushono seizoho |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP58172552A patent/JPS6065800A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6065800A (ja) | 1985-04-15 |
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