JPH05343584A - 半導体製品用メッキ装置 - Google Patents
半導体製品用メッキ装置Info
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- JPH05343584A JPH05343584A JP4150799A JP15079992A JPH05343584A JP H05343584 A JPH05343584 A JP H05343584A JP 4150799 A JP4150799 A JP 4150799A JP 15079992 A JP15079992 A JP 15079992A JP H05343584 A JPH05343584 A JP H05343584A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3468—Application of molten solder, e.g. dip soldering
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多連リードフレーム上の樹脂封止後の半導体装
置の外部リードに対して、短時間で良好な品質の半田メ
ッキを施す半導体製品用メッキ装置を提供する。 【構成】半導体製品３０をリードフレーム両面側から挟
持した場合に、半導体装置の樹脂パッケージ３３の両面
をマスクする第１のマスク部１１および外部リード３４
周辺のリードフレーム部をマスクする第２のマスク部１
２を有すると共に外部リードを囲む中空部１７を有し、
この中空部にそれぞれ連なるように半田メッキ液流入用
スリット１４および半田メッキ液排出用溝１５が設けら
れた筐体１、２と、中空部の内壁面の一部に形成された
電極１６とを具備し、第１のマスク部は、先端に向かう
ほど広がるテーパ状の側面１１Ａを有し、スリットは、
外部リード群の各基端部を横切る方向に沿うと共に第１
のマスク部の側面に連なる開口部を有することを特徴と
する。
置の外部リードに対して、短時間で良好な品質の半田メ
ッキを施す半導体製品用メッキ装置を提供する。 【構成】半導体製品３０をリードフレーム両面側から挟
持した場合に、半導体装置の樹脂パッケージ３３の両面
をマスクする第１のマスク部１１および外部リード３４
周辺のリードフレーム部をマスクする第２のマスク部１
２を有すると共に外部リードを囲む中空部１７を有し、
この中空部にそれぞれ連なるように半田メッキ液流入用
スリット１４および半田メッキ液排出用溝１５が設けら
れた筐体１、２と、中空部の内壁面の一部に形成された
電極１６とを具備し、第１のマスク部は、先端に向かう
ほど広がるテーパ状の側面１１Ａを有し、スリットは、
外部リード群の各基端部を横切る方向に沿うと共に第１
のマスク部の側面に連なる開口部を有することを特徴と
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造に際
して使用され、樹脂封止型半導体装置の外部リードに対
してメッキを施すためのメッキ装置に係り、特に噴射メ
ッキ装置に関する。
して使用され、樹脂封止型半導体装置の外部リードに対
してメッキを施すためのメッキ装置に係り、特に噴射メ
ッキ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、樹脂封止型半導体装置の製造に
際して、モールド成型（樹脂封止）後の半導体装置に対
して、外部リードの表面保護、実装時の半田付けの容易
化を図るために外装メッキ（外部リードに対するメッ
キ）を行っている。
際して、モールド成型（樹脂封止）後の半導体装置に対
して、外部リードの表面保護、実装時の半田付けの容易
化を図るために外装メッキ（外部リードに対するメッ
キ）を行っている。
【０００３】従来、樹脂封止型半導体装置の外装メッキ
工程においては、樹脂封止後の多連リードフレームの状
態のままでラックに引っ掛けて半田メッキ液中に浸漬す
る方法、または、樹脂封止後の多連リードフレーム状態
あるいはこれから単体に分離された状態の半導体装置に
対してバレルを用いて行う方法を採用していた。
工程においては、樹脂封止後の多連リードフレームの状
態のままでラックに引っ掛けて半田メッキ液中に浸漬す
る方法、または、樹脂封止後の多連リードフレーム状態
あるいはこれから単体に分離された状態の半導体装置に
対してバレルを用いて行う方法を採用していた。
【０００４】上記したような方法は、メッキ時間（メッ
キを施すための所要時間）が長いので、一度に処理でき
る数を増やす（例えば数十フレームに対して同時に処理
する）ことにより生産能力を高める必要があった。
キを施すための所要時間）が長いので、一度に処理でき
る数を増やす（例えば数十フレームに対して同時に処理
する）ことにより生産能力を高める必要があった。
【０００５】しかし、これに伴って、メッキの品質（メ
ッキ膜厚のばらつき等）が悪くなり、メッキ装置が大型
化するので半導体装置の組立ラインをインライン化する
ことが困難であった。
ッキ膜厚のばらつき等）が悪くなり、メッキ装置が大型
化するので半導体装置の組立ラインをインライン化する
ことが困難であった。
【０００６】一方、樹脂封止前のリードフレームのアイ
ランド部の片面およびその周辺のインナーリードの片面
に対して、銀メッキ（あるいは金メッキ）を施す方法が
知られている。この方法は、図５に示すように、リード
フレームのアイランド部５１の片面およびその周辺のイ
ンナーリード５２の片面を残して、それ以外の部分をマ
スク部５０によりマスクした状態で、噴射メッキ装置の
ノズル５３から前記アイランド部５１に向けて銀メッキ
液（あるいは金メッキ液）５４を噴射してメッキを施
す。この場合、ノズル５３から噴射された銀メッキ液５
４は、ノズル５３の回りの排出口５５から排出される。
この方法は、メッキを施すための所要時間が短くて済む
ので、前記したような樹脂封止後の半導体装置の外装メ
ッキ工程に適用することが考えられる。
ランド部の片面およびその周辺のインナーリードの片面
に対して、銀メッキ（あるいは金メッキ）を施す方法が
知られている。この方法は、図５に示すように、リード
フレームのアイランド部５１の片面およびその周辺のイ
ンナーリード５２の片面を残して、それ以外の部分をマ
スク部５０によりマスクした状態で、噴射メッキ装置の
ノズル５３から前記アイランド部５１に向けて銀メッキ
液（あるいは金メッキ液）５４を噴射してメッキを施
す。この場合、ノズル５３から噴射された銀メッキ液５
４は、ノズル５３の回りの排出口５５から排出される。
この方法は、メッキを施すための所要時間が短くて済む
ので、前記したような樹脂封止後の半導体装置の外装メ
ッキ工程に適用することが考えられる。
【０００７】しかし、前記したような樹脂封止後の半導
体装置の外装メッキ工程のように凹凸面を有するメッキ
対象物に対して、前記したようにリードフレーム面のよ
うな平坦面をメッキ対象とする従来の噴射メッキ装置を
使用して半田メッキを施した場合、外部リード全体に均
一なメッキ膜厚を得ることはできない。
体装置の外装メッキ工程のように凹凸面を有するメッキ
対象物に対して、前記したようにリードフレーム面のよ
うな平坦面をメッキ対象とする従来の噴射メッキ装置を
使用して半田メッキを施した場合、外部リード全体に均
一なメッキ膜厚を得ることはできない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
噴射メッキ装置は樹脂封止後の半導体装置の外部リード
に半田メッキを施す場合にそのまま使用すると、メッキ
の品質が十分には得られないという問題があった。
噴射メッキ装置は樹脂封止後の半導体装置の外部リード
に半田メッキを施す場合にそのまま使用すると、メッキ
の品質が十分には得られないという問題があった。
【０００９】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、多連リードフレーム上の樹脂封止後の半導体
装置の外部リードに対して、短時間で良好な品質の半田
メッキを施すことが可能になる半導体製品用メッキ装置
を提供することを目的とする。
たもので、多連リードフレーム上の樹脂封止後の半導体
装置の外部リードに対して、短時間で良好な品質の半田
メッキを施すことが可能になる半導体製品用メッキ装置
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製品用メ
ッキ装置は、多連リードフレーム上の長さ方向に所定間
隔をあけて複数個の樹脂封止型半導体装置が形成されて
なる半導体製品における前記半導体装置の樹脂パッケー
ジの片面および外部リード周辺のリードフレーム部の片
面にそれぞれ対応して対接してマスクするための凸状の
第１のマスク部および第２のマスク部を正面に有し、上
記２個のマスク部相互間の筐体部に半田メッキ液流入用
スリットおよび半田メッキ液排出用溝が設けられた第１
の筐体と、この第１の筐体と同様な構造を正面に有する
と共に上記第１の筐体の正面に対して接近・離反方向に
移動可能に設けられ、上記第１の筐体に接近して第１の
筐体と共に前記半導体装置の樹脂パッケージの両面およ
び外部リード周辺のリードフレーム部の両面を挟んで半
導体製品を保持した場合に外部リードを囲む中空部を形
成する第２の筐体と、上記各筐体の前記外部リードに離
れて対向する内壁面に形成された電極と、この電極に正
電圧を印加すると共に前記外部リードに負電圧を印加す
る電源装置と、前記各筐体の外部から前記半田メッキ液
流入用スリットに対して半田メッキ液を供給する半田メ
ッキ液供給装置とを具備し、前記第１のマスク部は、先
端へ向かうほど広がるテーパ状の側面を有し、前記半田
メッキ液流入用スリットは、前記半導体装置の外部リー
ド群の各基端部を横切る方向に沿うと共に前記第１のマ
スク部の側面に連なる開口部を有し、前記半田メッキ液
排出用溝は、前記半導体装置の外部リード群の各先端部
を横切る方向に沿う開口部を有することを特徴とする。
ッキ装置は、多連リードフレーム上の長さ方向に所定間
隔をあけて複数個の樹脂封止型半導体装置が形成されて
なる半導体製品における前記半導体装置の樹脂パッケー
ジの片面および外部リード周辺のリードフレーム部の片
面にそれぞれ対応して対接してマスクするための凸状の
第１のマスク部および第２のマスク部を正面に有し、上
記２個のマスク部相互間の筐体部に半田メッキ液流入用
スリットおよび半田メッキ液排出用溝が設けられた第１
の筐体と、この第１の筐体と同様な構造を正面に有する
と共に上記第１の筐体の正面に対して接近・離反方向に
移動可能に設けられ、上記第１の筐体に接近して第１の
筐体と共に前記半導体装置の樹脂パッケージの両面およ
び外部リード周辺のリードフレーム部の両面を挟んで半
導体製品を保持した場合に外部リードを囲む中空部を形
成する第２の筐体と、上記各筐体の前記外部リードに離
れて対向する内壁面に形成された電極と、この電極に正
電圧を印加すると共に前記外部リードに負電圧を印加す
る電源装置と、前記各筐体の外部から前記半田メッキ液
流入用スリットに対して半田メッキ液を供給する半田メ
ッキ液供給装置とを具備し、前記第１のマスク部は、先
端へ向かうほど広がるテーパ状の側面を有し、前記半田
メッキ液流入用スリットは、前記半導体装置の外部リー
ド群の各基端部を横切る方向に沿うと共に前記第１のマ
スク部の側面に連なる開口部を有し、前記半田メッキ液
排出用溝は、前記半導体装置の外部リード群の各先端部
を横切る方向に沿う開口部を有することを特徴とする。
【００１１】
【作用】メッキ処理時に各筐体により半導体製品を両面
側から挟持すると、半導体装置の樹脂パッケージの両面
および外部リード周辺のリードフレーム部をマスクした
状態になる。そして、電極に正電圧を印加すると共に外
部リードに負電圧を印加した状態で、半田メッキ液を半
田メッキ液流入用スリットから中空部内に噴射すること
により、半田メッキ液は電極と外部リードとの間を流
れ、半田メッキ液排出用溝を経て筐体外へ排出される。
この過程で、外部リードの両面に電気メッキが短時間で
施される。この場合、外部リードの両面側から半田メッ
キ液を噴射するので、外部リードの両面でメッキ膜厚の
ばらつきが少なくなる。
側から挟持すると、半導体装置の樹脂パッケージの両面
および外部リード周辺のリードフレーム部をマスクした
状態になる。そして、電極に正電圧を印加すると共に外
部リードに負電圧を印加した状態で、半田メッキ液を半
田メッキ液流入用スリットから中空部内に噴射すること
により、半田メッキ液は電極と外部リードとの間を流
れ、半田メッキ液排出用溝を経て筐体外へ排出される。
この過程で、外部リードの両面に電気メッキが短時間で
施される。この場合、外部リードの両面側から半田メッ
キ液を噴射するので、外部リードの両面でメッキ膜厚の
ばらつきが少なくなる。
【００１２】しかも、半田メッキ液流入用スリットは、
半導体装置の外部リード群の各基端部を横切る方向に沿
うと共に第１のマスク部の側面に連なる開口部を有する
ので、半田メッキ液を第１のマスク部のテーパ状の側面
に沿って外部リード群の各基端部に向けて噴射し、半田
メッキ液を外部リード面に均一に触れるように流すこと
が可能になり、良好な品質の半田メッキを施すことがで
きる。
半導体装置の外部リード群の各基端部を横切る方向に沿
うと共に第１のマスク部の側面に連なる開口部を有する
ので、半田メッキ液を第１のマスク部のテーパ状の側面
に沿って外部リード群の各基端部に向けて噴射し、半田
メッキ液を外部リード面に均一に触れるように流すこと
が可能になり、良好な品質の半田メッキを施すことがで
きる。
【００１３】また、半導体製品全体を半田メッキ液中に
浸漬する従来の方法と比べて、同時にメッキ処理可能な
半導体装置数は少ないが、メッキ処理部が小型化し、メ
ッキ装置が小型化するので、半導体装置の組立ラインを
インライン化することが容易になる。
浸漬する従来の方法と比べて、同時にメッキ処理可能な
半導体装置数は少ないが、メッキ処理部が小型化し、メ
ッキ装置が小型化するので、半導体装置の組立ラインを
インライン化することが容易になる。
【００１４】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例に係る半導体装
置の外装メッキ工程で使用されるスパージャー型の噴射
メッキ装置の構成を概略的に示している。図２は、図１
のメッキ装置のメッキ処理状態における断面構造を概略
的に示す上面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）
は、図２中のメッキ処理対象である半導体製品の一例を
示す正面図および上面図である。
に説明する。図１は、本発明の一実施例に係る半導体装
置の外装メッキ工程で使用されるスパージャー型の噴射
メッキ装置の構成を概略的に示している。図２は、図１
のメッキ装置のメッキ処理状態における断面構造を概略
的に示す上面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）
は、図２中のメッキ処理対象である半導体製品の一例を
示す正面図および上面図である。
【００１５】この半導体製品３０は、多連リードフレー
ム３１上の長さ方向に所定間隔をあけて複数個の樹脂封
止型の半導体装置３２が形成されてなり、例えば、その
長さ方向が水平、幅方向が垂直になった状態で半導体装
置３２の外装メッキ処理が施される。上記半導体装置３
２は、本例では、樹脂パッケージ３３の両側に外部リー
ド３４群が突出したデュアルインライン型のものを示し
ている。
ム３１上の長さ方向に所定間隔をあけて複数個の樹脂封
止型の半導体装置３２が形成されてなり、例えば、その
長さ方向が水平、幅方向が垂直になった状態で半導体装
置３２の外装メッキ処理が施される。上記半導体装置３
２は、本例では、樹脂パッケージ３３の両側に外部リー
ド３４群が突出したデュアルインライン型のものを示し
ている。
【００１６】図１および図２において、第１の筐体１
は、前記半導体装置の樹脂パッケージ３３の片面に対接
してマスクするための凸状の第１のマスク部１１および
外部リード３４周辺のリードフレーム部の片面に対接し
てマスクするための凸状の第２のマスク部１２を正面に
備えている。そして、上記２個のマスク部相互間の筐体
部１３には、上記マスク部相互間の凹状の空間にそれぞ
れ連なる半田メッキ液流入用スリット１４および半田メ
ッキ液排出用溝１５が設けられている。さらに、上記筐
体部１３の内壁面の一部（外部リード面に離れて対向す
る面）に電極１６が形成されており、この電極１６に筐
体外部から電圧を印加するための電極端子（図示せず）
が設けられている。
は、前記半導体装置の樹脂パッケージ３３の片面に対接
してマスクするための凸状の第１のマスク部１１および
外部リード３４周辺のリードフレーム部の片面に対接し
てマスクするための凸状の第２のマスク部１２を正面に
備えている。そして、上記２個のマスク部相互間の筐体
部１３には、上記マスク部相互間の凹状の空間にそれぞ
れ連なる半田メッキ液流入用スリット１４および半田メ
ッキ液排出用溝１５が設けられている。さらに、上記筐
体部１３の内壁面の一部（外部リード面に離れて対向す
る面）に電極１６が形成されており、この電極１６に筐
体外部から電圧を印加するための電極端子（図示せず）
が設けられている。
【００１７】第２の筐体２は、上記第１の筐体１と同様
な構造を有し、第１の筐体１と共に半導体製品３０を両
面側から挟持自在となるように、図中矢印Ａで示すよう
に、第１の筐体１の正面に対して接近・離反方向に移動
可能に設けられている。そして、第２の筐体２が第１の
筐体１に接近して前記各マスク部１１、１２により前記
樹脂パッケージ３３の両面および外部リード３４周辺の
リードフレーム部の両面を挟んで半導体製品３０を保持
した場合には、前記樹脂パッケージ３３の両面と外部リ
ード３４周辺のリードフレーム部とをそれぞれマスクす
ると共に外部リード３４を囲む中空部１７を有する中空
構造体（キャビティ）を形成する。この場合、電極面と
外部リード面との対向間隔ｄ１は、例えば１０ｍｍであ
る。
な構造を有し、第１の筐体１と共に半導体製品３０を両
面側から挟持自在となるように、図中矢印Ａで示すよう
に、第１の筐体１の正面に対して接近・離反方向に移動
可能に設けられている。そして、第２の筐体２が第１の
筐体１に接近して前記各マスク部１１、１２により前記
樹脂パッケージ３３の両面および外部リード３４周辺の
リードフレーム部の両面を挟んで半導体製品３０を保持
した場合には、前記樹脂パッケージ３３の両面と外部リ
ード３４周辺のリードフレーム部とをそれぞれマスクす
ると共に外部リード３４を囲む中空部１７を有する中空
構造体（キャビティ）を形成する。この場合、電極面と
外部リード面との対向間隔ｄ１は、例えば１０ｍｍであ
る。
【００１８】上記第１の筐体１および第２の筐体２は、
前記半導体製品３０における各半導体装置３２に対応し
て設けられているが、それぞれ代表的に１個のみ示して
いる。そして、各半導体装置３２に対応する各中空部１
７に対応して、それぞれ中空部に連なるように半田メッ
キ液流入用スリット１４および半田メッキ液排出用溝１
５が設けられている。
前記半導体製品３０における各半導体装置３２に対応し
て設けられているが、それぞれ代表的に１個のみ示して
いる。そして、各半導体装置３２に対応する各中空部１
７に対応して、それぞれ中空部に連なるように半田メッ
キ液流入用スリット１４および半田メッキ液排出用溝１
５が設けられている。
【００１９】前記電源装置３は、前記電極端子を介して
電極１６に正電圧を印加すると共に前記多連リードフレ
ーム３１の端部から外部リード３４に負電圧を印加する
ためのものである。
電極１６に正電圧を印加すると共に前記多連リードフレ
ーム３１の端部から外部リード３４に負電圧を印加する
ためのものである。
【００２０】さらに、前記各筐体１、２の外部からそれ
ぞれの半田メッキ液流入用スリット１４に対して半田メ
ッキ液１８を所定の圧力で供給するための半田メッキ液
供給装置が設けられている。
ぞれの半田メッキ液流入用スリット１４に対して半田メ
ッキ液１８を所定の圧力で供給するための半田メッキ液
供給装置が設けられている。
【００２１】この半田メッキ液供給装置は、半田メッキ
液槽５と、半田メッキ液供給ポンプ６と、複数本の半田
メッキ液供給パイプ７と、このパイプ７から半田メッキ
液が供給され、上記複数本のパイプ７に対応して内部が
複数個に区分された半田メッキ液供給用の圧力ボックス
８１、８２とからなる。そして、上記圧力ボックス８
１、８２の各区分（室）から対応して各半導体装置３２
に対応する各中空部１７に半田メッキ液を供給する。こ
の場合、圧力ボックス８１と第１の筐体１とは一体的に
形成され、圧力ボックス８２と第２の筐体２も一体的に
形成されている。
液槽５と、半田メッキ液供給ポンプ６と、複数本の半田
メッキ液供給パイプ７と、このパイプ７から半田メッキ
液が供給され、上記複数本のパイプ７に対応して内部が
複数個に区分された半田メッキ液供給用の圧力ボックス
８１、８２とからなる。そして、上記圧力ボックス８
１、８２の各区分（室）から対応して各半導体装置３２
に対応する各中空部１７に半田メッキ液を供給する。こ
の場合、圧力ボックス８１と第１の筐体１とは一体的に
形成され、圧力ボックス８２と第２の筐体２も一体的に
形成されている。
【００２２】前記第１のマスク部１１は、先端へ向かう
ほど広がるテーパ状の側面１１ａを有しており、前記樹
脂パッケージ３３の片面をマスクした場合に樹脂パッケ
ージ３３のテーパ状の側面３３ａと上記テーパ状の側面
１１ａとが同一面上に位置するように形成されている。
なお、第１のマスク部１１のテーパ状の側面１１ａの傾
斜角θは例えばほぼ８０度である。
ほど広がるテーパ状の側面１１ａを有しており、前記樹
脂パッケージ３３の片面をマスクした場合に樹脂パッケ
ージ３３のテーパ状の側面３３ａと上記テーパ状の側面
１１ａとが同一面上に位置するように形成されている。
なお、第１のマスク部１１のテーパ状の側面１１ａの傾
斜角θは例えばほぼ８０度である。
【００２３】前記半田メッキ液流入用スリット１４は、
各筐体１、２により半導体製品３０を両側から挟んだ場
合に半導体装置３２の外部リード３４群の各基端部を横
切る方向に沿うと共に前記第１のマスク部１１のテーパ
状の側面１１ａに連なる開口部を有し、筐体部１３を貫
通するように設けられている。このスリット１４の開口
の長さは、上記外部リード群の各基端部を横切る長さで
あるが、上記スリット１４の開口幅ｗ１は例えば２ｍｍ
である。
各筐体１、２により半導体製品３０を両側から挟んだ場
合に半導体装置３２の外部リード３４群の各基端部を横
切る方向に沿うと共に前記第１のマスク部１１のテーパ
状の側面１１ａに連なる開口部を有し、筐体部１３を貫
通するように設けられている。このスリット１４の開口
の長さは、上記外部リード群の各基端部を横切る長さで
あるが、上記スリット１４の開口幅ｗ１は例えば２ｍｍ
である。
【００２４】また、上記半田メッキ液排出用溝１５は、
各筐体１、２により半導体製品３０を両側から挟んだ場
合に半導体装置３２の外部リード３４…群の各先端部を
横切る方向に沿う開口部を有し、上記半田メッキ液流入
用スリット１４と平行な位置で筐体部１３に設けられて
いる。また、上記半田メッキ液排出用溝１５の開口部の
幅ｗ２は、前記半田メッキ液流入用スリット１４の開口
幅ｗ１と同等もしくはそれ以下である。さらに、上記半
田メッキ液排出用溝１５は、溝内部の幅よりも開口部の
幅が小さくされた絞り構造を有する。次に、上記噴射メ
ッキ装置を使用して半導体製品３０に対してメッキ処理
を行う場合の一例について説明する。図４は、メッキ処
理時に前記各筐体１、２により半導体製品３０がマスク
されている状態を示す平面図であり、マスクされている
部分を斜線で示している。
各筐体１、２により半導体製品３０を両側から挟んだ場
合に半導体装置３２の外部リード３４…群の各先端部を
横切る方向に沿う開口部を有し、上記半田メッキ液流入
用スリット１４と平行な位置で筐体部１３に設けられて
いる。また、上記半田メッキ液排出用溝１５の開口部の
幅ｗ２は、前記半田メッキ液流入用スリット１４の開口
幅ｗ１と同等もしくはそれ以下である。さらに、上記半
田メッキ液排出用溝１５は、溝内部の幅よりも開口部の
幅が小さくされた絞り構造を有する。次に、上記噴射メ
ッキ装置を使用して半導体製品３０に対してメッキ処理
を行う場合の一例について説明する。図４は、メッキ処
理時に前記各筐体１、２により半導体製品３０がマスク
されている状態を示す平面図であり、マスクされている
部分を斜線で示している。
【００２５】メッキ処理時に各筐体１、２により半導体
製品３０を両側から挟むと、半導体装置３２の樹脂パッ
ケージ３３の両面および外部リード３４周辺のリードフ
レーム部をそれぞれマスクした状態になる。そして、電
極１６に正電圧を印加すると共に外部リード３４に負電
圧を印加した状態で、半田メッキ液１８を前記スリット
１４から中空部１７内に噴射する。これにより、半田メ
ッキ液１８は電極１６と外部リード３４との間を流れ、
半田メッキ液排出用溝１５を経て筐体外へ排出される。
この過程で、外部リード３４の両面に電気メッキが短時
間で施される。この際、半田メッキ液１８の流量は、例
えば２０リットル／分とし、中空部１７内を流れる半田
メッキ液１８の電流密度は、前記電源装置３により制御
する。
製品３０を両側から挟むと、半導体装置３２の樹脂パッ
ケージ３３の両面および外部リード３４周辺のリードフ
レーム部をそれぞれマスクした状態になる。そして、電
極１６に正電圧を印加すると共に外部リード３４に負電
圧を印加した状態で、半田メッキ液１８を前記スリット
１４から中空部１７内に噴射する。これにより、半田メ
ッキ液１８は電極１６と外部リード３４との間を流れ、
半田メッキ液排出用溝１５を経て筐体外へ排出される。
この過程で、外部リード３４の両面に電気メッキが短時
間で施される。この際、半田メッキ液１８の流量は、例
えば２０リットル／分とし、中空部１７内を流れる半田
メッキ液１８の電流密度は、前記電源装置３により制御
する。
【００２６】上記実施例の噴射メッキ装置によれば、中
空部１７内に半田メッキ液１８を噴射することにより、
外部リード３４の両面に電気メッキを短時間で施すこと
ができる。この場合、外部リード３４の両面側から半田
メッキ液１８を噴射するので、外部リード３４の両面で
メッキ膜厚のばらつきが生じることがない。
空部１７内に半田メッキ液１８を噴射することにより、
外部リード３４の両面に電気メッキを短時間で施すこと
ができる。この場合、外部リード３４の両面側から半田
メッキ液１８を噴射するので、外部リード３４の両面で
メッキ膜厚のばらつきが生じることがない。
【００２７】また、半田メッキ液流入用スリット１４お
よび半田メッキ液排出用溝１５が同じ中空部１７に連な
るように設けられているので、中空部１７内の半田メッ
キ液１８を外部リード面に触れるように流すことが可能
になっている。
よび半田メッキ液排出用溝１５が同じ中空部１７に連な
るように設けられているので、中空部１７内の半田メッ
キ液１８を外部リード面に触れるように流すことが可能
になっている。
【００２８】この場合、半田メッキ液流入用スリット１
４は、半導体装置の外部リード３４…群の各基端部を横
切る方向に沿うと共に第１のマスク部１１のテーパ状の
側面１１ａに連なる開口部を有するので、半田メッキ液
１８を第１のマスク部１１のテーパ状の側面１１ａに沿
って外部リード３４…群の各基端部に向けて噴射し、半
田メッキ液１８を外部リード面に沿って均一に触れるよ
うに流すことが可能になり、良好な品質の半田メッキを
施すことができる。
４は、半導体装置の外部リード３４…群の各基端部を横
切る方向に沿うと共に第１のマスク部１１のテーパ状の
側面１１ａに連なる開口部を有するので、半田メッキ液
１８を第１のマスク部１１のテーパ状の側面１１ａに沿
って外部リード３４…群の各基端部に向けて噴射し、半
田メッキ液１８を外部リード面に沿って均一に触れるよ
うに流すことが可能になり、良好な品質の半田メッキを
施すことができる。
【００２９】また、半田メッキ液流入用スリット１４が
外部リード基端部に対向し、半田メッキ液排出用溝１５
が外部リード先端部に対向し、上記スリット１４と溝１
５とが平行に設けられているので、半田メッキ液１８を
外部リード面にほぼ均一に触れるように流すことが可能
になり、良好な品質の半田メッキを施すことができる。
外部リード基端部に対向し、半田メッキ液排出用溝１５
が外部リード先端部に対向し、上記スリット１４と溝１
５とが平行に設けられているので、半田メッキ液１８を
外部リード面にほぼ均一に触れるように流すことが可能
になり、良好な品質の半田メッキを施すことができる。
【００３０】また、半田メッキ液排出用溝１５が絞り構
造を有するので、中空部１７内の半田メッキ液１８が容
易に半田メッキ液排出用溝１５に流れ込むことを防止
し、半田メッキ液１８が外部リード面にほぼ均一に触れ
る流れを生じさせることが可能になる。
造を有するので、中空部１７内の半田メッキ液１８が容
易に半田メッキ液排出用溝１５に流れ込むことを防止
し、半田メッキ液１８が外部リード面にほぼ均一に触れ
る流れを生じさせることが可能になる。
【００３１】上記実施例の噴射メッキ装置を使用して半
導体製品３０に対してメッキ処理を実際に行った場合、
平均膜厚が１０μｍの場合にメッキ膜厚のばらつきの標
準偏差σは０．３〜０．５であった。この結果は、従来
は平均膜厚が１０μｍの場合のメッキ膜厚のばらつきが
σ＝１．０〜１．５であったことに比べて、ばらつきが
１／２〜１／５に低減している。
導体製品３０に対してメッキ処理を実際に行った場合、
平均膜厚が１０μｍの場合にメッキ膜厚のばらつきの標
準偏差σは０．３〜０．５であった。この結果は、従来
は平均膜厚が１０μｍの場合のメッキ膜厚のばらつきが
σ＝１．０〜１．５であったことに比べて、ばらつきが
１／２〜１／５に低減している。
【００３２】また、上記実施例の噴射メッキ装置によれ
ば、半導体製品全体を半田メッキ液中に浸漬する従来の
方法と比べて、同時にメッキ処理可能な半導体装置数は
少なくても、メッキ処理部が小型化し、メッキ装置が小
型化するので、半導体装置の組立ラインをインライン化
することが容易になる。
ば、半導体製品全体を半田メッキ液中に浸漬する従来の
方法と比べて、同時にメッキ処理可能な半導体装置数は
少なくても、メッキ処理部が小型化し、メッキ装置が小
型化するので、半導体装置の組立ラインをインライン化
することが容易になる。
【００３３】なお、上記したように外部リード面に半田
メッキを施すことにより、外部リードの表面保護、実装
時の半田付けの容易化が可能であるが、メッキ膜厚を厚
くすれば、基板への実装を熱圧着により行うことが可能
になる。また、本発明は、上記実施例に示した半導体装
置のパッケージに限らず、樹脂封止型半導体装置の各種
のパッケージに対応して適宜変形して実施できる。
メッキを施すことにより、外部リードの表面保護、実装
時の半田付けの容易化が可能であるが、メッキ膜厚を厚
くすれば、基板への実装を熱圧着により行うことが可能
になる。また、本発明は、上記実施例に示した半導体装
置のパッケージに限らず、樹脂封止型半導体装置の各種
のパッケージに対応して適宜変形して実施できる。
【００３４】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、多連リ
ードフレーム上の樹脂封止後の半導体装置の外部リード
に対して、短時間で良好な品質の半田メッキを施すこと
が可能になる半導体製品用メッキ装置を実現することが
できる。
ードフレーム上の樹脂封止後の半導体装置の外部リード
に対して、短時間で良好な品質の半田メッキを施すこと
が可能になる半導体製品用メッキ装置を実現することが
できる。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体製品用メッキ
装置を概略的に示す構成図。
装置を概略的に示す構成図。
【図２】図１のメッキ装置のメッキ処理状態における断
面構造を概略的に示す上面図。
面構造を概略的に示す上面図。
【図３】図２中のメッキ処理対象である半導体製品の一
例を示す正面図および上面図。
例を示す正面図および上面図。
【図４】図３の半導体製品がメッキ処理に際してマスク
されている状態を示す平面図。
されている状態を示す平面図。
【図５】従来の噴射メッキ装置によるリードフレームの
アイランド部の片面およびその周辺のインナーリードの
片面に対するメッキ処理状態を示す断面図。
アイランド部の片面およびその周辺のインナーリードの
片面に対するメッキ処理状態を示す断面図。
１…第１の筐体、２…第２の筐体、３…電源装置、５…
半田メッキ液槽、６…半田メッキ液供給ポンプ、７…半
田メッキ液供給パイプ、８１、８２…圧力ボックス、１
１…第１のマスク部、１１ａ…第１のマスク部のテーパ
状の側面、１２…第２のマスク部、１３…筐体部、１４
…半田メッキ液流入用スリット、１５…半田メッキ液排
出用溝、１６…電極、１７…中空部、１８…半田メッキ
液、３０…半導体製品、３１…多連リードフレーム、３
２…半導体装置、３３…樹脂パッケージ、３３ａ…樹脂
パッケージのテーパ状の側面、３４…外部リード。
半田メッキ液槽、６…半田メッキ液供給ポンプ、７…半
田メッキ液供給パイプ、８１、８２…圧力ボックス、１
１…第１のマスク部、１１ａ…第１のマスク部のテーパ
状の側面、１２…第２のマスク部、１３…筐体部、１４
…半田メッキ液流入用スリット、１５…半田メッキ液排
出用溝、１６…電極、１７…中空部、１８…半田メッキ
液、３０…半導体製品、３１…多連リードフレーム、３
２…半導体装置、３３…樹脂パッケージ、３３ａ…樹脂
パッケージのテーパ状の側面、３４…外部リード。
Claims (6)
- 【請求項１】 多連リードフレーム上の長さ方向に所定
間隔をあけて複数個の樹脂封止型半導体装置が形成され
てなる半導体製品における前記半導体装置の樹脂パッケ
ージの片面および外部リード周辺のリードフレーム部の
片面にそれぞれ対応して対接してマスクするための凸状
の第１のマスク部および第２のマスク部を正面に有し、
上記２個のマスク部相互間の筐体部に半田メッキ液流入
用スリットおよび半田メッキ液排出用溝が設けられた第
１の筐体と、 この第１の筐体と同様な構造を正面に有すると共に上記
第１の筐体の正面に対して接近・離反方向に移動可能に
設けられ、上記第１の筐体に接近して第１の筐体と共に
前記半導体装置の樹脂パッケージの両面および外部リー
ド周辺のリードフレーム部の両面を挟んで半導体製品を
保持した場合に外部リードを囲む中空部を形成する第２
の筐体と、 上記各筐体の前記外部リードに離れて対向する内壁面に
形成された電極と、 この電極に正電圧を印加すると共に前記外部リードに負
電圧を印加する電源装置と、 前記各筐体の外部から前記半田メッキ液流入用スリット
に対して半田メッキ液を供給する半田メッキ液供給装置
とを具備し、 前記第１のマスク部は、先端へ向かうほど広がるテーパ
状の側面を有し、 前記半田メッキ液流入用スリットは、前記半導体装置の
外部リード群の各基端部を横切る方向に沿うと共に前記
第１のマスク部の側面に連なる開口部を有し、 前記半田メッキ液排出用溝は、前記半導体装置の外部リ
ード群の各先端部を横切る方向に沿う開口部を有するこ
とを特徴とする半導体製品用メッキ装置。 - 【請求項２】 多連リードフレーム上の長さ方向に所定
間隔をあけて複数個の樹脂封止型半導体装置が形成され
てなる半導体製品における前記半導体装置の樹脂パッケ
ージの片面に対接してマスクするための凸状の第１のマ
スク部および外部リード周辺のリードフレーム部の片面
に対接してマスクするための凸状の第２のマスク部を正
面に有し、上記２個のマスク部相互間の筐体部に半田メ
ッキ液流入用スリットおよび半田メッキ液排出用溝が設
けられた第１の筐体と、 この第１の筐体と同様な構造を正面に有すると共に上記
第１の筐体の正面に対して接近・離反方向に移動可能に
設けられ、上記第１の筐体に接近して第１の筐体と共に
前記半導体装置の樹脂パッケージの両面および外部リー
ド周辺のリードフレーム部の両面を挟んで半導体製品を
保持した場合に外部リードを囲む中空部を形成する第２
の筐体と、 上記各筐体の前記外部リードに離れて対向する内壁面に
形成された電極と、 この電極に正電圧を印加すると共に前記外部リードに負
電圧を印加する電源装置と、 前記各筐体の外部から前記半田メッキ液流入用スリット
に対して半田メッキ液を供給する半田メッキ液供給装置
とを具備し、 前記半田メッキ液流入用スリットは、前記半導体装置の
外部リード群の各基端部を横切る方向に沿う開口部を有
し、 前記半田メッキ液排出用溝は、前記半導体装置の外部リ
ード群の各先端部を横切る方向に沿う開口部を有し、開
口部の幅が溝内部の幅よりも小さくされた絞り構造を有
することを特徴とする半導体製品用メッキ装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体製品用メッキ装置
において、 前記第１のマスク部は、先端へ向かうほど広がるテーパ
状の側面を有し、 前記半田メッキ液流入用スリットの開口部は、前記第１
のマスク部の側面に連なっていることを特徴とする半導
体製品用メッキ装置。 - 【請求項４】 請求項１または３記載の半導体製品用メ
ッキ装置において、 前記第１のマスク部のテーパ状の側面は、第１のマスク
部が前記樹脂パッケージをマスクした場合に樹脂パッケ
ージのテーパ状の側面と同一面上に位置するように形成
されていることを特徴とする半導体製品用メッキ装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の
半導体製品用メッキ装置において、 前記半田メッキ液流入用スリットと前記半田メッキ液排
出用溝とは平行に設けられていることを特徴とする半導
体製品用メッキ装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
半導体製品用メッキ装置において、 前記半田メッキ液排出用溝の開口部の幅は、前記半田メ
ッキ液流入用スリットの開口幅と同等もしくはそれ以下
であることを特徴とする半導体製品用メッキ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150799A JP2925403B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体製品用メッキ装置 |
| US08/073,504 US5397453A (en) | 1992-06-10 | 1993-06-09 | Semiconductor product plating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4150799A JP2925403B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体製品用メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343584A true JPH05343584A (ja) | 1993-12-24 |
| JP2925403B2 JP2925403B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=15504687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4150799A Expired - Fee Related JP2925403B2 (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体製品用メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2925403B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102278771B1 (ko) * | 2021-03-05 | 2021-07-19 | 주식회사 광성금속 | 도금액 순환부를 가지는 바렐 도금장치 |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP4150799A patent/JP2925403B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2925403B2 (ja) | 1999-07-28 |
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