JPH05343802A - 半導体レーザおよびその製法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製法Info
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- JPH05343802A JPH05343802A JP15194792A JP15194792A JPH05343802A JP H05343802 A JPH05343802 A JP H05343802A JP 15194792 A JP15194792 A JP 15194792A JP 15194792 A JP15194792 A JP 15194792A JP H05343802 A JPH05343802 A JP H05343802A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層における実効的ストライプ幅を狭くし
て、レーザの発光効率を上げるとともにしきい値および
動作電流を低減させることができる半導体レーザを提供
する。 【構成】 半導体基板１上に第１導電型の下部クラッド
層３および活性層４、第２導電型の第１の上部クラッド
層５、第１導電型の第２の上部クラッド層６が設けられ
ている。また、第２の上部クラッド層上にはストライプ
溝が形成された第１導電型のストップ層７が設けられて
いる。そして、前記ストップ層の上および前記ストライ
プ溝内には第２導電型の第３の上部クラッド層10が設け
られており、さらに該第３の上部クラッド層上にはキャ
ップ層11が設けられている。
て、レーザの発光効率を上げるとともにしきい値および
動作電流を低減させることができる半導体レーザを提供
する。 【構成】 半導体基板１上に第１導電型の下部クラッド
層３および活性層４、第２導電型の第１の上部クラッド
層５、第１導電型の第２の上部クラッド層６が設けられ
ている。また、第２の上部クラッド層上にはストライプ
溝が形成された第１導電型のストップ層７が設けられて
いる。そして、前記ストップ層の上および前記ストライ
プ溝内には第２導電型の第３の上部クラッド層10が設け
られており、さらに該第３の上部クラッド層上にはキャ
ップ層11が設けられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザおよびその
製法に関する。さらに詳しくは、活性層における実効的
ストライプ幅を狭くして、発光効率を上げるとともにレ
ーザのしきい値および動作電流を低減させることができ
る半導体レーザおよびその製法に関する。
製法に関する。さらに詳しくは、活性層における実効的
ストライプ幅を狭くして、発光効率を上げるとともにレ
ーザのしきい値および動作電流を低減させることができ
る半導体レーザおよびその製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザの製法として、たと
えば以下の(1) 〜(6) の工程を備えたものが知られてい
る。すなわち、図２に最終工程の図を示すように、(1)
ＭＢＥ（分子線エピタキシ）装置の成長室内に導入され
た、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型のＡｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ：Ｓｉ（ＳｉがドープされたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓを意味する。以下同じ）からなる第１の下部ク
ラッド層３、Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる活性層４、ｐ
型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓからなる第１の上部クラッド層
５、ｎ型のＧａＡｓからなるストップ層７およびｎ型の
ＡｌzＧａ1-z Ａｓからなる保護層８を順に積層する第
１の成長工程、(2) 前記積層されたＧａＡｓ基板を成長
室から取り出し、前記ストップ層７まで達する深さのス
トライプを形成するエッチング工程、(3) 前記ストライ
プ溝が形成されたＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置の成長室内
に再び導入し、このＧａＡｓ基板を加熱してストップ層
を選択的に蒸発させる蒸発工程、(4) 前記ストップ層を
選択的に蒸発させたＧａＡｓ基板に第１の上部クラッド
層よりもキャリア濃度の高いｐ+ 型のＡｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓからなる第２の上部クラッド層10を設ける工程、(5)
ＧａＡｓ基板を所定時間加熱する工程、(6) 第２の上部
クラッド層上にキャップ層11を設ける工程、からなるも
のである。
えば以下の(1) 〜(6) の工程を備えたものが知られてい
る。すなわち、図２に最終工程の図を示すように、(1)
ＭＢＥ（分子線エピタキシ）装置の成長室内に導入され
た、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型のＡｌ
x Ｇａ1-x Ａｓ：Ｓｉ（ＳｉがドープされたＡｌx Ｇａ
1-x Ａｓを意味する。以下同じ）からなる第１の下部ク
ラッド層３、Ａｌy Ｇａ1-y Ａｓからなる活性層４、ｐ
型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓからなる第１の上部クラッド層
５、ｎ型のＧａＡｓからなるストップ層７およびｎ型の
ＡｌzＧａ1-z Ａｓからなる保護層８を順に積層する第
１の成長工程、(2) 前記積層されたＧａＡｓ基板を成長
室から取り出し、前記ストップ層７まで達する深さのス
トライプを形成するエッチング工程、(3) 前記ストライ
プ溝が形成されたＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置の成長室内
に再び導入し、このＧａＡｓ基板を加熱してストップ層
を選択的に蒸発させる蒸発工程、(4) 前記ストップ層を
選択的に蒸発させたＧａＡｓ基板に第１の上部クラッド
層よりもキャリア濃度の高いｐ+ 型のＡｌx Ｇａ1-x Ａ
ｓからなる第２の上部クラッド層10を設ける工程、(5)
ＧａＡｓ基板を所定時間加熱する工程、(6) 第２の上部
クラッド層上にキャップ層11を設ける工程、からなるも
のである。
【０００３】かかる製法によれば、(5) の加熱工程にお
いて第２の上部クラッド層10中の高濃度のドーパントが
第１の上部クラッド層５中に熱拡散し、これにより両上
部クラッド層の高濃度領域の電気的つながり領域が形成
される。そして、発振開始電流Ｉthなど他の特性を損な
うことなく、順方向電圧ＶF の低い半導体レーザをうる
ことができる。
いて第２の上部クラッド層10中の高濃度のドーパントが
第１の上部クラッド層５中に熱拡散し、これにより両上
部クラッド層の高濃度領域の電気的つながり領域が形成
される。そして、発振開始電流Ｉthなど他の特性を損な
うことなく、順方向電圧ＶF の低い半導体レーザをうる
ことができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示すように、前記加熱工程において、第２の上部クラッ
ド層10中のＢｅ、Ｍｇ、Ｚｎなどのドーパントが第１の
上部クラッド層５の厚さに応じて横方向にも拡散してし
まい、拡散領域Ａはストライプ幅Ｂより広がり、実効的
ストライプ幅Ｃがストライプ幅Ｂより大きくなるという
現象がある。このため、作動時において電流が横方向に
広がり、余分なところで発光作用が生じ、必要な範囲で
の発光効率が低下し、発光を強くするためには電流を増
やさなければならないという問題がある。
示すように、前記加熱工程において、第２の上部クラッ
ド層10中のＢｅ、Ｍｇ、Ｚｎなどのドーパントが第１の
上部クラッド層５の厚さに応じて横方向にも拡散してし
まい、拡散領域Ａはストライプ幅Ｂより広がり、実効的
ストライプ幅Ｃがストライプ幅Ｂより大きくなるという
現象がある。このため、作動時において電流が横方向に
広がり、余分なところで発光作用が生じ、必要な範囲で
の発光効率が低下し、発光を強くするためには電流を増
やさなければならないという問題がある。
【０００５】本発明は、叙上の事情に鑑み、電流の横方
向の広がりを抑制して活性層における実効的ストライプ
幅を狭くすることができる半導体レーザおよびその製法
を提供することを目的とする。
向の広がりを抑制して活性層における実効的ストライプ
幅を狭くすることができる半導体レーザおよびその製法
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、半導体基板上に第１導電型の下部クラッド層、活性
層、第２導電型の第１の上部クラッド層および第１導電
型の第２の上部クラッド層が設けられており、第２の上
部クラッド層上にはストライプ溝が形成された第１導電
型のストップ層が設けられており、該ストップ層上およ
び前記ストライプ溝内には第２導電型の第３の上部クラ
ッド層が設けられており、さらに第３の上部クラッド層
上にはキャップ層が設けられてなることを特徴としてい
る。
は、半導体基板上に第１導電型の下部クラッド層、活性
層、第２導電型の第１の上部クラッド層および第１導電
型の第２の上部クラッド層が設けられており、第２の上
部クラッド層上にはストライプ溝が形成された第１導電
型のストップ層が設けられており、該ストップ層上およ
び前記ストライプ溝内には第２導電型の第３の上部クラ
ッド層が設けられており、さらに第３の上部クラッド層
上にはキャップ層が設けられてなることを特徴としてい
る。
【０００７】また、本発明の半導体レーザの製法は、
(a) 半導体基板の表面に第１導電型の下部クラッド層、
活性層、第２導電型の第１の上部クラッド層、第１導電
型の第２の上部クラッド層、ストップ層が順次積層され
る第１の成長工程、(b) 前記積層された半導体基板の表
面からエッチングされ、前記ストップ層にストライプ溝
が形成される工程、(c) 前記ストライプ溝が形成された
ストップ層により露出した第２の上部クラッド層および
前記ストップ層上に第２導電型の第３の上部クラッド層
が設けられる工程、(d) 第３の上部クラッド層が設けら
れた半導体基板を加熱して、第３の上部クラッド層中の
ドーパントが第１の上部クラッド層中へ熱拡散される工
程、および(e) 第３の上部クラッド層上にキャップ層が
設けられる工程からなることを特徴としている。
(a) 半導体基板の表面に第１導電型の下部クラッド層、
活性層、第２導電型の第１の上部クラッド層、第１導電
型の第２の上部クラッド層、ストップ層が順次積層され
る第１の成長工程、(b) 前記積層された半導体基板の表
面からエッチングされ、前記ストップ層にストライプ溝
が形成される工程、(c) 前記ストライプ溝が形成された
ストップ層により露出した第２の上部クラッド層および
前記ストップ層上に第２導電型の第３の上部クラッド層
が設けられる工程、(d) 第３の上部クラッド層が設けら
れた半導体基板を加熱して、第３の上部クラッド層中の
ドーパントが第１の上部クラッド層中へ熱拡散される工
程、および(e) 第３の上部クラッド層上にキャップ層が
設けられる工程からなることを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明の半導体レーザにおいては、第２導電型
の第１の上部クラッド層と第１導電型のストップ層との
あいだに第１導電型の第２の上部クラッド層が設けられ
ている。このため、第２導電型で高濃度の第３の上部ク
ラッド層中のドーパントの熱拡散による横方向の広がり
は、第２の上部クラッド層で中和されて抑制され、縦方
向のみに第２導電型が連結され、ストップ層に形成され
たストライプ溝の幅で電流領域が形成され、電流密度が
向上し、発光効率が向上する。
の第１の上部クラッド層と第１導電型のストップ層との
あいだに第１導電型の第２の上部クラッド層が設けられ
ている。このため、第２導電型で高濃度の第３の上部ク
ラッド層中のドーパントの熱拡散による横方向の広がり
は、第２の上部クラッド層で中和されて抑制され、縦方
向のみに第２導電型が連結され、ストップ層に形成され
たストライプ溝の幅で電流領域が形成され、電流密度が
向上し、発光効率が向上する。
【０００９】
【実施例】つぎに、添付図面を参照しつつ本発明の半導
体レーザおよびその製法を説明する。
体レーザおよびその製法を説明する。
【００１０】図１は本発明の半導体レーザの一実施例の
製造工程説明図である。まずＭＢＥ装置の成長室内にｎ
型のＧａＡｓ基板１を導入し、ついで該基板１を550 〜
720℃に加熱しつつ、基板１上にＧａＡｓからなるバッ
ファ層２、ｎ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ：Ｓｉ（ｘ＝0.3
〜0.8 ）からなる下部クラッド層３、Ａｌy Ｇａ1-yＡ
ｓ：Ｓｉ（ｙ＝０〜0.25）からなる活性層４、ｐ型のＡ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓ：Ｂｅ（ｘ＝0.3 〜0.8 ）からなる第
１の上部クラッド層５、ｎ型のＡｌx Ｇａ1-xＡｓ：Ｓ
ｉ（ｘ＝0.3 〜0.8 、Ｓｉ濃度：１×1016〜４×1018cm
-3）からなる第２の上部クラッド層６、ｎ型のＧａＡｓ
からなるストップ層７、Ａｌz Ｇａ1-zＡｓ（ｚ＝0.1
〜0.25）からなる蒸発防止用の保護層８およびＧａＡｓ
からなる酸化防止層９を順に積層する（図１のａ工程参
照）。
製造工程説明図である。まずＭＢＥ装置の成長室内にｎ
型のＧａＡｓ基板１を導入し、ついで該基板１を550 〜
720℃に加熱しつつ、基板１上にＧａＡｓからなるバッ
ファ層２、ｎ型のＡｌx Ｇａ1-x Ａｓ：Ｓｉ（ｘ＝0.3
〜0.8 ）からなる下部クラッド層３、Ａｌy Ｇａ1-yＡ
ｓ：Ｓｉ（ｙ＝０〜0.25）からなる活性層４、ｐ型のＡ
ｌx Ｇａ1-x Ａｓ：Ｂｅ（ｘ＝0.3 〜0.8 ）からなる第
１の上部クラッド層５、ｎ型のＡｌx Ｇａ1-xＡｓ：Ｓ
ｉ（ｘ＝0.3 〜0.8 、Ｓｉ濃度：１×1016〜４×1018cm
-3）からなる第２の上部クラッド層６、ｎ型のＧａＡｓ
からなるストップ層７、Ａｌz Ｇａ1-zＡｓ（ｚ＝0.1
〜0.25）からなる蒸発防止用の保護層８およびＧａＡｓ
からなる酸化防止層９を順に積層する（図１のａ工程参
照）。
【００１１】つぎに、前記積層されたＧａＡｓ基板１を
ＭＢＥ装置の成長室内より外部に取り出したのち、スト
ライプ溝12が形成されるべき部分以外の酸化防止層９を
ホトレジストで覆う。そして、Ｈ2 ＳＯ4 系のエッチン
グ液を用いて、ストップ層７がわずかに（たとえば1000
オングストローム程度）残るように、酸化防止層９、保
護層８およびストップ層７をそれぞれエッチングしてス
トライプ溝12を形成する（図１のｂ工程参照）。
ＭＢＥ装置の成長室内より外部に取り出したのち、スト
ライプ溝12が形成されるべき部分以外の酸化防止層９を
ホトレジストで覆う。そして、Ｈ2 ＳＯ4 系のエッチン
グ液を用いて、ストップ層７がわずかに（たとえば1000
オングストローム程度）残るように、酸化防止層９、保
護層８およびストップ層７をそれぞれエッチングしてス
トライプ溝12を形成する（図１のｂ工程参照）。
【００１２】つぎに、ホトレジスト膜を除去したのち、
再びＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置の成長室内に導入し、Ａ
ｓ分子線を当てつつ、ＧａＡｓ基板を710 〜790 ℃で約
20分間加熱して、残されたストップ層７を蒸発させる。
この際、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの蒸発温度が異なるた
め、ストップ層７は蒸発するが、第２の上部クラッド層
６は蒸発せず、選択的にストップ層７のみを蒸発でき
る。これにより、第２の上部クラッド層６がストライプ
溝の底部に露出する（図１のｃ工程参照）。
再びＧａＡｓ基板をＭＢＥ装置の成長室内に導入し、Ａ
ｓ分子線を当てつつ、ＧａＡｓ基板を710 〜790 ℃で約
20分間加熱して、残されたストップ層７を蒸発させる。
この際、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓの蒸発温度が異なるた
め、ストップ層７は蒸発するが、第２の上部クラッド層
６は蒸発せず、選択的にストップ層７のみを蒸発でき
る。これにより、第２の上部クラッド層６がストライプ
溝の底部に露出する（図１のｃ工程参照）。
【００１３】つぎに、ＧａＡｓ基板１の表面上に第３の
上部クラッド層10を成長させる（図１のｄ工程参照）。
この第３の上部クラッド層10は、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ：Ｂｅ（たとえばＡｌ組成ｘ＝0.3 〜0.8 ）からな
り、第１の上部クラッド層５よりもキャリア濃度が１桁
高くされている。たとえば、第１の上部クラッド層５の
キャリア濃度が３×1017cm-3ならば、第３の上部クラッ
ド層のキャリア濃度は３×1018cm-3程度とされる。
上部クラッド層10を成長させる（図１のｄ工程参照）。
この第３の上部クラッド層10は、ｐ型のＡｌx Ｇａ1-x
Ａｓ：Ｂｅ（たとえばＡｌ組成ｘ＝0.3 〜0.8 ）からな
り、第１の上部クラッド層５よりもキャリア濃度が１桁
高くされている。たとえば、第１の上部クラッド層５の
キャリア濃度が３×1017cm-3ならば、第３の上部クラッ
ド層のキャリア濃度は３×1018cm-3程度とされる。
【００１４】第３の上部クラッド層10の成長が終了すれ
ば、再びＧａＡｓ基板１の温度を700 〜760 ℃、好まし
くは約730 ℃まで上昇させ、そのまま５〜60分間保持
し、電流領域を形成するため、第３の上部クラッド層10
から高濃度のドーパントを第１の上部クラッド層５へ拡
散させる（図１のｅ工程参照）。この間、第３の上部ク
ラッド層10より第１の上部のクラッド層５へドーパント
が拡散して行き、第１の上部クラッド層界面部のキャリ
ア濃度が高まるが、前述したとおり、第１の上部クラッ
ド層５と第３の上部クラッド層10とのあいだにはｎ型の
第２の上部クラッド層６が介在しているので、ｐ型のド
ーパントは第２の上部クラッド層６では中和され、ドー
パントの横方向への広がりが抑制される。一方、第２の
上部クラッド層６のストライプ溝11の幅内では、ドーパ
ントの量が多く、中和後ｐ型になり、ストライプ溝の幅
で活性層まで連結される。
ば、再びＧａＡｓ基板１の温度を700 〜760 ℃、好まし
くは約730 ℃まで上昇させ、そのまま５〜60分間保持
し、電流領域を形成するため、第３の上部クラッド層10
から高濃度のドーパントを第１の上部クラッド層５へ拡
散させる（図１のｅ工程参照）。この間、第３の上部ク
ラッド層10より第１の上部のクラッド層５へドーパント
が拡散して行き、第１の上部クラッド層界面部のキャリ
ア濃度が高まるが、前述したとおり、第１の上部クラッ
ド層５と第３の上部クラッド層10とのあいだにはｎ型の
第２の上部クラッド層６が介在しているので、ｐ型のド
ーパントは第２の上部クラッド層６では中和され、ドー
パントの横方向への広がりが抑制される。一方、第２の
上部クラッド層６のストライプ溝11の幅内では、ドーパ
ントの量が多く、中和後ｐ型になり、ストライプ溝の幅
で活性層まで連結される。
【００１５】最後に第３の上部クラッド層の上にｐ型の
ＧａＡｓからなるキャップ層11を形成する（図１のｆ工
程参照）。
ＧａＡｓからなるキャップ層11を形成する（図１のｆ工
程参照）。
【００１６】前述の実施例のａ工程で、ストップ層７を
形成したのち、保護層８および酸化防止層９を形成する
例で説明したが、保護層８はＧａＡｓを選択的に蒸発さ
せるため、酸化防止層９は半導体ウエハ取り出し後の表
面酸化を防ぐため形成したもので、レーザとしての動作
には必らずしも不可欠のものではない。また、バッファ
層２も必ずしも不可欠のものではない。さらに、ｎ型に
するためのドーパント材料としてＳｉの例で説明した
が、その他にＳｎ、Ｇｅなどを使用することができ、ま
たｐ型のドーパント材料としてはＢｅ以外にもＺｎ、Ｍ
ｎなどを使用することができる。さらにｎ型とｐ型はす
べて逆にしても同様にレーザ装置を形成することができ
る（一方を第１導電型、他方を第２導電型とする）ま
た、ＧａＡｓ基板以外にＧａＰ、ＩｎＰなどの半導体基
板を使用することができ、さらにＡｌＧａＡｓ系以外の
ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰの
ような化合物半導体を使用したレーザ装置でも本発明を
適用できることは言うまでもない。
形成したのち、保護層８および酸化防止層９を形成する
例で説明したが、保護層８はＧａＡｓを選択的に蒸発さ
せるため、酸化防止層９は半導体ウエハ取り出し後の表
面酸化を防ぐため形成したもので、レーザとしての動作
には必らずしも不可欠のものではない。また、バッファ
層２も必ずしも不可欠のものではない。さらに、ｎ型に
するためのドーパント材料としてＳｉの例で説明した
が、その他にＳｎ、Ｇｅなどを使用することができ、ま
たｐ型のドーパント材料としてはＢｅ以外にもＺｎ、Ｍ
ｎなどを使用することができる。さらにｎ型とｐ型はす
べて逆にしても同様にレーザ装置を形成することができ
る（一方を第１導電型、他方を第２導電型とする）ま
た、ＧａＡｓ基板以外にＧａＰ、ＩｎＰなどの半導体基
板を使用することができ、さらにＡｌＧａＡｓ系以外の
ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰの
ような化合物半導体を使用したレーザ装置でも本発明を
適用できることは言うまでもない。
【００１７】本発明による半導体レーザは、図１のｆ工
程に示す構造のもので、第２導電型の第１の上部クラッ
ド層５と第３の上部クラッド層10とのあいだに第１導電
型の第２の上部クラッド層６が形成されていることに特
徴があり、この第１導電型の第２の上部クラッド層６に
よりドーパントの横方向への拡散を防止でき、電流領域
の拡がりを防止できる。
程に示す構造のもので、第２導電型の第１の上部クラッ
ド層５と第３の上部クラッド層10とのあいだに第１導電
型の第２の上部クラッド層６が形成されていることに特
徴があり、この第１導電型の第２の上部クラッド層６に
よりドーパントの横方向への拡散を防止でき、電流領域
の拡がりを防止できる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
第１の上部クラッド層上に第１の上部クラッド層の導電
型と異なる導電型の第２の上部クラッド層を設けている
ので、キャリア濃度の高い第３の上部クラッド層を成長
させたのちのアニール工程において前記第３の上部クラ
ッド層中のドーパントが横方向に熱拡散するのが抑制さ
れる。その結果、活性層における実効的ストライプ幅を
ストライプ溝の幅と同程度に狭くすることができ、電流
領域が拡がらず、レーザの発光効率を上げるとともに、
しきい値および動作電流を低減させることができる。
第１の上部クラッド層上に第１の上部クラッド層の導電
型と異なる導電型の第２の上部クラッド層を設けている
ので、キャリア濃度の高い第３の上部クラッド層を成長
させたのちのアニール工程において前記第３の上部クラ
ッド層中のドーパントが横方向に熱拡散するのが抑制さ
れる。その結果、活性層における実効的ストライプ幅を
ストライプ溝の幅と同程度に狭くすることができ、電流
領域が拡がらず、レーザの発光効率を上げるとともに、
しきい値および動作電流を低減させることができる。
【図１】本発明の半導体レーザの一実施例の製造工程説
明図である。
明図である。
【図２】従来の半導体レーザの実効的ストライプ幅の拡
がりを説明するための断面説明図である。
がりを説明するための断面説明図である。
１ 半導体基板 ３ 下部クラッド層 ４ 活性層 ５ 第１の上部クラッド層 ６ 第２の上部クラッド層 ７ ストップ層 ８ 保護層 10 第３の上部クラッド層 11 キャップ層
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に第１導電型の下部クラッ
ド層、活性層、第２導電型の第１の上部クラッド層およ
び第１導電型の第２の上部クラッド層が設けられてお
り、第２の上部クラッド層上にはストライプ溝が形成さ
れた第１導電型のストップ層が設けられており、該スト
ップ層上および前記ストライプ溝内には第２導電型の第
３の上部クラッド層が設けられており、さらに第３の上
部クラッド層上にはキャップ層が設けられてなることを
特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 (a) 半導体基板の表面に第１導電型の下
部クラッド層、活性層、第２導電型の第１の上部クラッ
ド層、第１導電型の第２の上部クラッド層、ストップ層
が順次積層される第１の成長工程、 (b) 前記積層された半導体基板の表面からエッチングさ
れ、前記ストップ層にストライプ溝が形成される工程、 (c) 前記ストライプ溝が形成されたストップ層により露
出した第２の上部クラッド層および前記ストップ層上に
第２導電型の第３の上部クラッド層が設けられる工程、 (d) 第３の上部クラッド層が設けられた半導体基板を加
熱して、第３の上部クラッド層中のドーパントが第１の
上部クラッド層中へ熱拡散される工程、および (e) 第３の上部クラッド層上にキャップ層が設けられる
工程からなることを特徴とする半導体レーザの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194792A JPH05343802A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 半導体レーザおよびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15194792A JPH05343802A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 半導体レーザおよびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343802A true JPH05343802A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15529686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15194792A Pending JPH05343802A (ja) | 1992-06-11 | 1992-06-11 | 半導体レーザおよびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
-
1992
- 1992-06-11 JP JP15194792A patent/JPH05343802A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US7616672B2 (en) | 1994-09-14 | 2009-11-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
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