JPH0534696A - 液晶電気光学素子の製造方法 - Google Patents
液晶電気光学素子の製造方法Info
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- JPH0534696A JPH0534696A JP19427891A JP19427891A JPH0534696A JP H0534696 A JPH0534696 A JP H0534696A JP 19427891 A JP19427891 A JP 19427891A JP 19427891 A JP19427891 A JP 19427891A JP H0534696 A JPH0534696 A JP H0534696A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スメクチック相を有する液晶電気光学素子の
製造方法において、高精度のギャップコントロール、配
向均一性を量産性良く行なう。 【構成】 液晶注入後の厚みを所望値より厚くし、その
後スメクチック相を示す温度より高温に加熱し、圧力を
印加しながらスメクチック相を示す温度まで冷却して、
所望の液晶厚みを出す。 【効果】 注入後のセル厚を厚くすることで、注入の時
間精度が不要となり、処理枚数を増やせる。またその後
この液晶セルを高温に加熱し、圧力印加した状態で冷却
するため、構成度で均一なセル厚と液晶の配向性が同時
に得られる。
製造方法において、高精度のギャップコントロール、配
向均一性を量産性良く行なう。 【構成】 液晶注入後の厚みを所望値より厚くし、その
後スメクチック相を示す温度より高温に加熱し、圧力を
印加しながらスメクチック相を示す温度まで冷却して、
所望の液晶厚みを出す。 【効果】 注入後のセル厚を厚くすることで、注入の時
間精度が不要となり、処理枚数を増やせる。またその後
この液晶セルを高温に加熱し、圧力印加した状態で冷却
するため、構成度で均一なセル厚と液晶の配向性が同時
に得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶電気光学素子の製造
方法に関し、特にスメクチック相を有する液晶電気光学
素子の製造方法に関する。
方法に関し、特にスメクチック相を有する液晶電気光学
素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、スメクチック液晶を用いた液晶電
気光学素子の製造方法に於いては、２枚の基板を電極お
よび配向膜を内側に相対向させ、この間に液晶層の厚み
をコントロールするための粒子または支柱を設け、両基
板を線条にパターン化された接着剤枠（シール）で液晶
の注入口を除いて固定され、こうして出来たセルを減圧
下で液晶を低粘度化するためにスメクチック相を示す温
度より高温に加熱しながら注入し、液晶が入り終ったと
ころでスメクチック相になるまで冷却し、注入口を接着
剤により密封している。さらに必要に応じこの液晶電気
光学素子をスメクチック相を示す温度より高温に再加熱
・徐冷し配向の均一化を行なっている。
気光学素子の製造方法に於いては、２枚の基板を電極お
よび配向膜を内側に相対向させ、この間に液晶層の厚み
をコントロールするための粒子または支柱を設け、両基
板を線条にパターン化された接着剤枠（シール）で液晶
の注入口を除いて固定され、こうして出来たセルを減圧
下で液晶を低粘度化するためにスメクチック相を示す温
度より高温に加熱しながら注入し、液晶が入り終ったと
ころでスメクチック相になるまで冷却し、注入口を接着
剤により密封している。さらに必要に応じこの液晶電気
光学素子をスメクチック相を示す温度より高温に再加熱
・徐冷し配向の均一化を行なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の液晶電
気光学素子の製造方法に於いては、液晶注入前の空セル
状態でセル中心部が所望値より厚めになるという一般的
なセル製造時の特徴により、液晶がセル内に入り終った
瞬間にセルを密封しなければ所望のセル厚にならない。
しかも、スメクチック相より上の温度にて注入終了決定
をしなければならず、スメクチック相まで冷却したとき
に所望セル厚となり難い。そのため密封のタイミングが
難しく早すぎると薄くなり、遅すぎると中心が厚くなる
傾向となる。
気光学素子の製造方法に於いては、液晶注入前の空セル
状態でセル中心部が所望値より厚めになるという一般的
なセル製造時の特徴により、液晶がセル内に入り終った
瞬間にセルを密封しなければ所望のセル厚にならない。
しかも、スメクチック相より上の温度にて注入終了決定
をしなければならず、スメクチック相まで冷却したとき
に所望セル厚となり難い。そのため密封のタイミングが
難しく早すぎると薄くなり、遅すぎると中心が厚くなる
傾向となる。
【０００４】また前記問題より一度に沢山のセルへの液
晶注入封止が困難である等液晶セル厚のコントロールが
非常に難しいという問題点を有していた。
晶注入封止が困難である等液晶セル厚のコントロールが
非常に難しいという問題点を有していた。
【０００５】本発明は上記課題を解決するためのもので
あり、その目的とするところはスメクチック相を有する
液晶電気光学素子の高精度のギャップコントロールと優
れた配向性を同時に行ない、しかも量産性の良い製造方
法を提供することにある。
あり、その目的とするところはスメクチック相を有する
液晶電気光学素子の高精度のギャップコントロールと優
れた配向性を同時に行ない、しかも量産性の良い製造方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶電気光学素
子の製造方法は上記課題を解決するために、２枚の基板
間に、少なくともギャップコントロールのための粒子ま
たは支柱と、スメクチック相を示す液晶を挾持し、周辺
を密封してなる液晶電気光学素子に於いて、前記液晶電
気光学素子の密封前の液晶層の厚みを所望する厚みより
厚くし、その後前記液晶電気光学素子をスメクチック相
を示す温度より高温に圧力を印加しながら加熱または加
熱後圧力を印加し、さらに圧力を印加した状態で前記液
晶電気光学素子をスメクチック層を示す温度まで冷却
し、所望の液晶層の厚みにした後、密封したことを特徴
とする。
子の製造方法は上記課題を解決するために、２枚の基板
間に、少なくともギャップコントロールのための粒子ま
たは支柱と、スメクチック相を示す液晶を挾持し、周辺
を密封してなる液晶電気光学素子に於いて、前記液晶電
気光学素子の密封前の液晶層の厚みを所望する厚みより
厚くし、その後前記液晶電気光学素子をスメクチック相
を示す温度より高温に圧力を印加しながら加熱または加
熱後圧力を印加し、さらに圧力を印加した状態で前記液
晶電気光学素子をスメクチック層を示す温度まで冷却
し、所望の液晶層の厚みにした後、密封したことを特徴
とする。
【０００７】
【作用】本発明の上記構成によれば、セル製造時に於け
るセル中心部が厚くなる特徴を生かし、注入時間を長め
に設定することで液晶層厚を一旦厚くし、その後スメク
チック相より高温に加熱し液晶を低粘度化し、セル均一
化に必要な圧力を印加しながら冷却することで余分な液
晶を追い出しながら所望セル厚で均一なギャップコント
ロールを行なうことができる。また前記操作は冷却しな
がら行なうために装置の熱容量で自然と徐冷され液晶の
配向均一化を同時に行なうことができる。従って本発明
方法に於いては、シビアな製造条件の設定・管理を必要
としない。
るセル中心部が厚くなる特徴を生かし、注入時間を長め
に設定することで液晶層厚を一旦厚くし、その後スメク
チック相より高温に加熱し液晶を低粘度化し、セル均一
化に必要な圧力を印加しながら冷却することで余分な液
晶を追い出しながら所望セル厚で均一なギャップコント
ロールを行なうことができる。また前記操作は冷却しな
がら行なうために装置の熱容量で自然と徐冷され液晶の
配向均一化を同時に行なうことができる。従って本発明
方法に於いては、シビアな製造条件の設定・管理を必要
としない。
【０００８】
【実施例】図１は本発明に於ける製造方法を示すための
装置の一部構造の略図である。
装置の一部構造の略図である。
【０００９】図１（ａ）は液晶注入するための装置であ
り、真空及び加熱機構を有している。１０１は液晶電気
光学素子（液晶セル）であり、１０２は真空出しのため
の容器壁、１０３は液晶壺、１０４は液晶、１０５は加
熱ヒータ、１０６は上下動テーブル、１０７は装置テー
ブル、１０８は真空引きのための真空バルブ、１０９は
真空をリークするためのリークバルブである。リークバ
ルブ１０９を閉じた状態で、ヒータ１０５で空の液晶セ
ル１０１を加熱しながら真空バルブ１０８を開き１０２
の容器内を真空にし、所定時間真空引きしたところでテ
ーブル１０６を上にあげ液晶の入っている壺１０３と接
触させ液晶をスメクチック相を示す温度より上の相に上
昇させ、液晶セルの注入口を液晶がふさいだ後、１０８
を閉じリークバルブ１０９を開け容器内を大気圧に戻し
所定時間放置し液晶を完全に注入した後取り出す。図１
（ｂ）は液晶注入後のセル厚及び配向均一化のための装
置の略図であり、加圧及び加熱機構を有している。１１
０は加熱装置の内壁面、１１１は液晶セルに圧力を加え
るための固定治具、１１２は圧力印加のための圧力機構
であり通常周辺を固定したゴム状の弾性体に一定圧力の
気体を導入し風船状に膨らめる。１１３は中間板であり
ごみ等の付着による厚みムラを防止するための緩衝材で
あり、１１４はダミー基板で硝子・金属等からなる。図
１（ａ）の真空装置から取り出した所定厚より厚く注入
した液晶セル１０１を、加圧のための治具１１１に何枚
かセットし、ダミー基板１１４と中間板１１３を適当の
位置に配置する。さらに１１１の治具の上下の固定板を
固定した後、加圧のための加圧弾性体１１２に圧力を印
加し、加熱容器１１０内をスメクチック相より上の液晶
相となる温度まで加熱し、圧力印加したまま冷却し密封
し、液晶電気光学素子を作成する。
り、真空及び加熱機構を有している。１０１は液晶電気
光学素子（液晶セル）であり、１０２は真空出しのため
の容器壁、１０３は液晶壺、１０４は液晶、１０５は加
熱ヒータ、１０６は上下動テーブル、１０７は装置テー
ブル、１０８は真空引きのための真空バルブ、１０９は
真空をリークするためのリークバルブである。リークバ
ルブ１０９を閉じた状態で、ヒータ１０５で空の液晶セ
ル１０１を加熱しながら真空バルブ１０８を開き１０２
の容器内を真空にし、所定時間真空引きしたところでテ
ーブル１０６を上にあげ液晶の入っている壺１０３と接
触させ液晶をスメクチック相を示す温度より上の相に上
昇させ、液晶セルの注入口を液晶がふさいだ後、１０８
を閉じリークバルブ１０９を開け容器内を大気圧に戻し
所定時間放置し液晶を完全に注入した後取り出す。図１
（ｂ）は液晶注入後のセル厚及び配向均一化のための装
置の略図であり、加圧及び加熱機構を有している。１１
０は加熱装置の内壁面、１１１は液晶セルに圧力を加え
るための固定治具、１１２は圧力印加のための圧力機構
であり通常周辺を固定したゴム状の弾性体に一定圧力の
気体を導入し風船状に膨らめる。１１３は中間板であり
ごみ等の付着による厚みムラを防止するための緩衝材で
あり、１１４はダミー基板で硝子・金属等からなる。図
１（ａ）の真空装置から取り出した所定厚より厚く注入
した液晶セル１０１を、加圧のための治具１１１に何枚
かセットし、ダミー基板１１４と中間板１１３を適当の
位置に配置する。さらに１１１の治具の上下の固定板を
固定した後、加圧のための加圧弾性体１１２に圧力を印
加し、加熱容器１１０内をスメクチック相より上の液晶
相となる温度まで加熱し、圧力印加したまま冷却し密封
し、液晶電気光学素子を作成する。
【００１０】図２は本発明で製造した液晶電気光学素子
の一例を示す略図である。図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）は断面略図である。
の一例を示す略図である。図２（ａ）は平面図、図２
（ｂ）は断面略図である。
【００１１】２０２、２０３は基板、２０１、２０４は
上下電極、２０５はシール、２０６は液晶配向膜、２０
７はギャップコントロール用ギャップ材、２０８は液晶
である。
上下電極、２０５はシール、２０６は液晶配向膜、２０
７はギャップコントロール用ギャップ材、２０８は液晶
である。
【００１２】（実施例１）図２に示した液晶電気光学素
子を作成した。まずガラスからなる基板２０２、２０３
上にＩＴＯからなる電極２０１，２０４をパターン状に
それぞれ形成し、更にこの上にポリイミドからなる配向
膜２０６を設けラビングした後、約２．３μｍのギャッ
プ材２０７を１００〜５００／ｍｍ2散布して両基板を
シール２０５により貼合わせ１０インチサイズの液晶セ
ルとした。この液晶セル１０１を図１（ａ）に示した真
空装置内にセットし、液晶材料として強誘電性を示すス
メクチック液晶（メルク社製ＺＬＩ−４６５５−００
０）を用い等方性相の約８０℃の温度で注入しておよそ
３μｍ厚の液晶セルとした。この液晶セルを更に図１
（ｂ）中の加熱、加圧機構を有する装置中にセットし、
加熱容器１１０内を約８０℃に加熱し、０．２〜１．０
ｋｇ／ｃｍ2の圧力範囲内で１１２を加圧し、その後冷
却し余分な液晶を排出しおよそ室温となったところで密
封した。出来上がった液晶セルは１．７〜２．１±０．
１μｍの範囲内のセル厚および優れた配向均一性を有し
ていた。またセル厚の絶対値は印加する圧力と、散布す
るギャップ材のサイズ、量で自由に決定される。さらに
この強誘電性液晶電気光学素子に偏光板及び駆動回路を
設け動作したところ前面均一でしかも良好なコントラス
ト比が得られた。
子を作成した。まずガラスからなる基板２０２、２０３
上にＩＴＯからなる電極２０１，２０４をパターン状に
それぞれ形成し、更にこの上にポリイミドからなる配向
膜２０６を設けラビングした後、約２．３μｍのギャッ
プ材２０７を１００〜５００／ｍｍ2散布して両基板を
シール２０５により貼合わせ１０インチサイズの液晶セ
ルとした。この液晶セル１０１を図１（ａ）に示した真
空装置内にセットし、液晶材料として強誘電性を示すス
メクチック液晶（メルク社製ＺＬＩ−４６５５−００
０）を用い等方性相の約８０℃の温度で注入しておよそ
３μｍ厚の液晶セルとした。この液晶セルを更に図１
（ｂ）中の加熱、加圧機構を有する装置中にセットし、
加熱容器１１０内を約８０℃に加熱し、０．２〜１．０
ｋｇ／ｃｍ2の圧力範囲内で１１２を加圧し、その後冷
却し余分な液晶を排出しおよそ室温となったところで密
封した。出来上がった液晶セルは１．７〜２．１±０．
１μｍの範囲内のセル厚および優れた配向均一性を有し
ていた。またセル厚の絶対値は印加する圧力と、散布す
るギャップ材のサイズ、量で自由に決定される。さらに
この強誘電性液晶電気光学素子に偏光板及び駆動回路を
設け動作したところ前面均一でしかも良好なコントラス
ト比が得られた。
【００１３】（実施例２）図２に示す構造の液晶電気光
学素子を作成した。本実施例では熱書き込み型のスメク
チック液晶電気光学素子である。下側基板の電極膜２０
４としてＡ１膜をパターン状に形成し、配向膜２０６と
してシランを、またギャップ材２０７として１０．５μ
ｍのサイズのものを用い７インチサイズの液晶セルとし
た。この液晶注入前の液晶セルを図１（ａ）に示した装
置中で、本実施例では液晶セル１０１を縦に１０枚セッ
トし、真空のための容器壁１０２内を加熱し液晶セル１
０１をスメクチック相を示す相より高温の７０℃に加熱
し、液晶壺１０３を上下動テーブル１０６上にセットし
一定時間真空引きし壺中に液晶セル１０１を浸漬して液
晶注入した。また液晶材料としてシアノビフェニル系ス
メクチック液晶を用い７０℃はネマチック相または等方
相を示す温度範囲であり、およそ１５μｍの液晶セル厚
とし、更に同一温度で実施例１と同様に加圧しながら冷
却し室温となったところで密封した。出来上がった１０
枚の液晶セルはセル間の厚みムラが１０．０±０．１μ
ｍであり均一性に優れ量産性に優れていることが確認で
きた。
学素子を作成した。本実施例では熱書き込み型のスメク
チック液晶電気光学素子である。下側基板の電極膜２０
４としてＡ１膜をパターン状に形成し、配向膜２０６と
してシランを、またギャップ材２０７として１０．５μ
ｍのサイズのものを用い７インチサイズの液晶セルとし
た。この液晶注入前の液晶セルを図１（ａ）に示した装
置中で、本実施例では液晶セル１０１を縦に１０枚セッ
トし、真空のための容器壁１０２内を加熱し液晶セル１
０１をスメクチック相を示す相より高温の７０℃に加熱
し、液晶壺１０３を上下動テーブル１０６上にセットし
一定時間真空引きし壺中に液晶セル１０１を浸漬して液
晶注入した。また液晶材料としてシアノビフェニル系ス
メクチック液晶を用い７０℃はネマチック相または等方
相を示す温度範囲であり、およそ１５μｍの液晶セル厚
とし、更に同一温度で実施例１と同様に加圧しながら冷
却し室温となったところで密封した。出来上がった１０
枚の液晶セルはセル間の厚みムラが１０．０±０．１μ
ｍであり均一性に優れ量産性に優れていることが確認で
きた。
【００１４】上記実施例は本発明の一部を示すもので、
液晶電気光学素子の構造、種類はスメクチック相を示す
液晶素子であれば適応でき、また液晶注入・加圧加熱装
置の構造・方式さらには液晶セルの処理枚数等は、任意
に設定できるものである。
液晶電気光学素子の構造、種類はスメクチック相を示す
液晶素子であれば適応でき、また液晶注入・加圧加熱装
置の構造・方式さらには液晶セルの処理枚数等は、任意
に設定できるものである。
【００１５】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、液晶
注入時の液晶厚を一旦厚くして注入した後、スメクチッ
ク相を示す温度より高温に加熱し、圧力を印加しながら
の状態で冷却し、所望の液晶厚みとするため、液晶注入
時の時間管理の精度が不要となるとともに、この段階で
は厚みの精度がいらないため一度に沢山の液晶電気光学
素子の処理が可能となる。さらに圧力印加しながら冷却
するために、セル厚コントロールと均一配向処理が同時
に出来る。そのため総合的に量産性が向上する。また液
晶セル中のギャップ材の粒子または支柱には絶えず圧力
印加の状態で素子化される構造となるため、スメクチッ
ク液晶素子特有の外部からのストレスに対する強度低下
も軽減させることが出来るという効果をも有する。
注入時の液晶厚を一旦厚くして注入した後、スメクチッ
ク相を示す温度より高温に加熱し、圧力を印加しながら
の状態で冷却し、所望の液晶厚みとするため、液晶注入
時の時間管理の精度が不要となるとともに、この段階で
は厚みの精度がいらないため一度に沢山の液晶電気光学
素子の処理が可能となる。さらに圧力印加しながら冷却
するために、セル厚コントロールと均一配向処理が同時
に出来る。そのため総合的に量産性が向上する。また液
晶セル中のギャップ材の粒子または支柱には絶えず圧力
印加の状態で素子化される構造となるため、スメクチッ
ク液晶素子特有の外部からのストレスに対する強度低下
も軽減させることが出来るという効果をも有する。
【図１】本発明に於ける製造方法を示すための装置の一
部構造の略図であり、（ａ）は液晶注入するための装
置、（ｂ）は液晶注入後のセル厚及び配向均一化のため
の装置略図である。
部構造の略図であり、（ａ）は液晶注入するための装
置、（ｂ）は液晶注入後のセル厚及び配向均一化のため
の装置略図である。
【図２】本発明で製造した液晶電気光学素子の一例を示
す略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面略図であ
る。
す略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面略図であ
る。
１０１ 液晶セル １０２ 容器壁 １０３ 液晶壺 １０４ 液晶 １０５ 加熱ヒータ １０６ 上下動テーブル １０７ 装置テーブル １０８ 真空バルブ １０９ リークバルブ ２０１ 上電極 ２０２ 上基板 ２０３ 下基板 ２０４ 下電極 ２０５ シール ２０６ 配向膜 ２０７ ギャップ材 ２０８ 液晶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 ２枚の基板間に、少なくともギャップコ
ントロールのための粒子または支柱と、スメクチック相
を示す液晶を挾持し、周辺を密封してなる液晶電気光学
素子に於て、前記液晶電気光学素子の密封前の液晶層の
厚みを所望する厚みより厚くし、その後前記液晶電気光
学素子をスメクチック相を示す温度より高温に圧力を印
加しながら加熱または加熱後圧力を印加し、さらに圧力
を印可した状態で前記液晶電気光学素子をスメクチック
相を示す温度まで冷却し、所望の液晶層の厚みにした
後、密封したことを特徴とする液晶電気光学素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19427891A JPH0534696A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 液晶電気光学素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19427891A JPH0534696A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 液晶電気光学素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0534696A true JPH0534696A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16321954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19427891A Pending JPH0534696A (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 液晶電気光学素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0534696A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895107A (en) * | 1996-06-11 | 1999-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Promotion of C2 state in ferroelectric liquid crystal devices |
| US5953095A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-14 | Denso Corporation | Liquid crystal cell and method of manufacturing the same |
| KR100253767B1 (ko) * | 1997-03-31 | 2000-05-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정주입장치및방법 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP19427891A patent/JPH0534696A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5895107A (en) * | 1996-06-11 | 1999-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Promotion of C2 state in ferroelectric liquid crystal devices |
| US5953095A (en) * | 1997-03-28 | 1999-09-14 | Denso Corporation | Liquid crystal cell and method of manufacturing the same |
| KR100253767B1 (ko) * | 1997-03-31 | 2000-05-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정주입장치및방법 |
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