JPH05347242A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH05347242A JPH05347242A JP15486592A JP15486592A JPH05347242A JP H05347242 A JPH05347242 A JP H05347242A JP 15486592 A JP15486592 A JP 15486592A JP 15486592 A JP15486592 A JP 15486592A JP H05347242 A JPH05347242 A JP H05347242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- mask
- metal film
- present
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】荷電ビーム露光を行ない、ガラス基板上の金属
膜にパターンを形成する際、モレ電荷がガラス基板端部
に蓄積されるのを防ぐ。 【構成】ガラス基板の端部の、金属膜が無い部分を導電
性を持った金属等で覆う導電性カバーを設ける。これに
より、ガラス基板端部のモレ電荷蓄積を防ぐ。
膜にパターンを形成する際、モレ電荷がガラス基板端部
に蓄積されるのを防ぐ。 【構成】ガラス基板の端部の、金属膜が無い部分を導電
性を持った金属等で覆う導電性カバーを設ける。これに
より、ガラス基板端部のモレ電荷蓄積を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造等
に使用する密着マスクもしくはレティクルマスクの製造
方法に関する。
に使用する密着マスクもしくはレティクルマスクの製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マスク製造のための荷電ビーム露
光工程において、ガラス基板上の金属膜と露光装置間の
電気的導通は、導通ピン等をバネの力等を利用して金属
膜上のレジストの非導電性物質膜を貫通させて取ってい
た。そして、ガラス基板の端面部分の金属膜が無い部分
については、導電性を持たす機構は備えていなかった。
光工程において、ガラス基板上の金属膜と露光装置間の
電気的導通は、導通ピン等をバネの力等を利用して金属
膜上のレジストの非導電性物質膜を貫通させて取ってい
た。そして、ガラス基板の端面部分の金属膜が無い部分
については、導電性を持たす機構は備えていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の露光法で
は、ガラス基板の端面部分の金属が無い部分では、ガラ
ス基板の端部は金属膜形成上金属が形成されない露光装
置と電気的導通が無いという欠点がある。
は、ガラス基板の端面部分の金属が無い部分では、ガラ
ス基板の端部は金属膜形成上金属が形成されない露光装
置と電気的導通が無いという欠点がある。
【０００４】電気的導通が取れていないと、露光ビーム
の調整及び露光状態を確認する為に使用する露光装置に
設けている原点マークにビームを移動、又は前記調整確
認作業中に、ビームのモレ等により電荷が蓄積する。
の調整及び露光状態を確認する為に使用する露光装置に
設けている原点マークにビームを移動、又は前記調整確
認作業中に、ビームのモレ等により電荷が蓄積する。
【０００５】このガラス基板端面部分に蓄積した電荷
は、原点マークでのビーム調整、露光状態確認作業時、
ビームを曲げたりし、正常動作が不可能となる。実験上
ビームの曲がりは、１μｍに達する事があり、マスク及
びレティクル精度上大きな問題となっていた。
は、原点マークでのビーム調整、露光状態確認作業時、
ビームを曲げたりし、正常動作が不可能となる。実験上
ビームの曲がりは、１μｍに達する事があり、マスク及
びレティクル精度上大きな問題となっていた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のマスク（密着マ
スクやレティクルマスク）の製造方法は、荷電ビームに
よりパターンを形成する際、ガラス基板上の端面部分を
導電性のある金属等で覆う、導電性カバーを備えてい
る。
スクやレティクルマスク）の製造方法は、荷電ビームに
よりパターンを形成する際、ガラス基板上の端面部分を
導電性のある金属等で覆う、導電性カバーを備えてい
る。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の断面図である。金属
膜２はガラス基板３上に形成されており、そのガラス基
板３はバネ７により押し上げられカセット６の上面に設
けているガラス基板規制板４と接している。
る。図１は本発明の第１の実施例の断面図である。金属
膜２はガラス基板３上に形成されており、そのガラス基
板３はバネ７により押し上げられカセット６の上面に設
けているガラス基板規制板４と接している。
【０００８】カセット６は同様にバネ（図示せず）等に
より押し上げ露光装置に設けているカセット規制板５と
接しており、カセット規制板５の先端部分に接している
のが本発明の導電性カバー１である。
より押し上げ露光装置に設けているカセット規制板５と
接しており、カセット規制板５の先端部分に接している
のが本発明の導電性カバー１である。
【０００９】図２は図１の平面図であり、図２のＡ−Ａ
部の断面が図１である。この図２に示す原点マーク８は
先に延べた様に、ビームの調整及び露光状態を確認する
際使用するものである。
部の断面が図１である。この図２に示す原点マーク８は
先に延べた様に、ビームの調整及び露光状態を確認する
際使用するものである。
【００１０】従来は、ビームの調整及び露光状態の確認
の為、原点マーク８にビームを移動する際、又は、ビー
ム調整、露光状態作業中ビームのモレ電荷がガラス基板
３の端部の金属膜２が形成されていない所に蓄積され、
ビームがその蓄積された電荷により曲げられていた。
の為、原点マーク８にビームを移動する際、又は、ビー
ム調整、露光状態作業中ビームのモレ電荷がガラス基板
３の端部の金属膜２が形成されていない所に蓄積され、
ビームがその蓄積された電荷により曲げられていた。
【００１１】本発明では、導電性カバー１はガラス基板
３の原点マーク８側の端部を完全に覆う様に取り付けい
る。この事により、ビームのモレ電荷はガラス基板３の
端部には到達されず、ビームが曲げられるという精度上
問題となる欠点は無くなる。
３の原点マーク８側の端部を完全に覆う様に取り付けい
る。この事により、ビームのモレ電荷はガラス基板３の
端部には到達されず、ビームが曲げられるという精度上
問題となる欠点は無くなる。
【００１２】尚モレ電荷は導電性カバー１を介して露光
装置側に逃げていく。
装置側に逃げていく。
【００１３】図３および図４は本発明の第２実施例の断
面図および平面図である。第２の実施例では、カセット
６に導電性カバー１１を備えている。この実施例によれ
ば露光装置を改造する事無く、ビームモレ電荷による精
度上問題となる欠点を無くす効果がある。
面図および平面図である。第２の実施例では、カセット
６に導電性カバー１１を備えている。この実施例によれ
ば露光装置を改造する事無く、ビームモレ電荷による精
度上問題となる欠点を無くす効果がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ガラス基
板上の端面部分を導電性のある金属等で覆う事により、
ビームのモレ電荷によるビーム曲がり又はビームの広が
りという精度上問題となる欠点を無くす効果を有する。
板上の端面部分を導電性のある金属等で覆う事により、
ビームのモレ電荷によるビーム曲がり又はビームの広が
りという精度上問題となる欠点を無くす効果を有する。
【００１５】尚、本発明で説明した導電性カバーは、導
電性を持つものであれば金属以外のものでも良い。
電性を持つものであれば金属以外のものでも良い。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施例を示す平面図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施例を示す平面図。
１，１１ 導電性カバー ２ 金属膜 ３ ガラス基板 ４ ガラス基板規制板 ５ カセット規制板 ６ カセット ７ バネ ８ 原点マーク
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電ビーム露光を行ないガラス基板上の
金属膜にパターンを形成するマスクの製造方法におい
て、前記ガラス基板の端面部分を導電性のある金属等で
カバーしてパターンを形成する事を特徴とするマスクの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15486592A JPH05347242A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15486592A JPH05347242A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347242A true JPH05347242A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15593613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15486592A Withdrawn JPH05347242A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347242A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5912468A (en) * | 1996-05-10 | 1999-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle beam exposure system |
| JP2007266361A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nuflare Technology Inc | 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2008058809A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15486592A patent/JPH05347242A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5912468A (en) * | 1996-05-10 | 1999-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charged particle beam exposure system |
| JP2007266361A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Nuflare Technology Inc | 基板のアース機構及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2008058809A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |