JPH0535433B2 - - Google Patents
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- JPH0535433B2 JPH0535433B2 JP58219813A JP21981383A JPH0535433B2 JP H0535433 B2 JPH0535433 B2 JP H0535433B2 JP 58219813 A JP58219813 A JP 58219813A JP 21981383 A JP21981383 A JP 21981383A JP H0535433 B2 JPH0535433 B2 JP H0535433B2
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- Japan
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- electrode
- transparent insulating
- insulating substrate
- photosensitive resin
- forming
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶と組み合わせることによつて構成
される画像表示装置に関するものである。
される画像表示装置に関するものである。
従来例の構成とその問題点
液晶表示装置において、液晶セルの静的動作を
可能とし、多重化を実現するためにはトランジス
タやダイオードなどの非線形素子と液晶セルより
なる単位絵素を２次元のマトリクスに配列する必
要がある。
可能とし、多重化を実現するためにはトランジス
タやダイオードなどの非線形素子と液晶セルより
なる単位絵素を２次元のマトリクスに配列する必
要がある。
第１図は非線形素子としてMIS（絶縁ゲート）
トランジスタ１を用いた場合の等価回路を示す。
走査線３にゲートパルスが印加されると横方向の
トランジスタは一斉にON状態になるので、ゲー
トパルスが印加されている期間中に信号線４より
一斉にあるいは順次にy1，y2…yj画像信号を液晶
セル２に電気的に書き込む。ゲートパルスを縦方
向x1，x2…xiに順次走査することによつて全画面
の書き込みが完了し、再びゲートパルスを縦方向
に走査することによつて多重化が容易に達成され
る。液晶セル２に書き込まれた信号電圧はトラン
ジスタ１のOFF抵抗と液晶セル２の抵抗分を通
して放電していくが、通常これらの抵抗は十分高
くて液晶セル２両端の電位差の変化は画像表示に
は支障をきたさないように設計的手法が考慮され
る。液晶セル２の一方の電極５は共通電極として
全絵素共通に構成され、適当な電位に保持され
る。
トランジスタ１を用いた場合の等価回路を示す。
走査線３にゲートパルスが印加されると横方向の
トランジスタは一斉にON状態になるので、ゲー
トパルスが印加されている期間中に信号線４より
一斉にあるいは順次にy1，y2…yj画像信号を液晶
セル２に電気的に書き込む。ゲートパルスを縦方
向x1，x2…xiに順次走査することによつて全画面
の書き込みが完了し、再びゲートパルスを縦方向
に走査することによつて多重化が容易に達成され
る。液晶セル２に書き込まれた信号電圧はトラン
ジスタ１のOFF抵抗と液晶セル２の抵抗分を通
して放電していくが、通常これらの抵抗は十分高
くて液晶セル２両端の電位差の変化は画像表示に
は支障をきたさないように設計的手法が考慮され
る。液晶セル２の一方の電極５は共通電極として
全絵素共通に構成され、適当な電位に保持され
る。
トランジスタ１のOFF抵抗あるいは液晶セル
２の抵抗が低いかまたは階調を重視する場合には
補助容量を液晶セル２に並列に加えるが、トラン
ジスタ１と液晶セル２との接続点と接地点との間
に加える手法が知られている。
２の抵抗が低いかまたは階調を重視する場合には
補助容量を液晶セル２に並列に加えるが、トラン
ジスタ１と液晶セル２との接続点と接地点との間
に加える手法が知られている。
第２図は上記画像表示装置を集積化した場合の
集積化基板の平面図であり、第３図は第２図のＡ
−A′線上の要部断面図を示す。
集積化基板の平面図であり、第３図は第２図のＡ
−A′線上の要部断面図を示す。
ここではMISトランジスタ１としてａ−Siを半
導体材料に用いた場合について説明しよう。トラ
ンジスタ１は、走査線３も兼ね例えばMoよりな
るゲート電極と、信号線４も兼ね例えばＡより
なるドレイン（またはソース）電極と、負荷であ
る液晶セル２に接続されるソース（またはドレイ
ン）電極６からなり、液晶セル２は例えばITOよ
りなる絵素電極７、および同じくITOよりなる共
通透明電極５と液晶を封止するために透明性絶縁
基板例えばガラス板９，１０ではさまれた空間を
充填する液晶８とからなる。１１はａ−Siを島状
に形成したものであり、１２は例えばSi3N4より
なるゲート絶縁膜であつて、いずれもトランジス
タ１の構成要素である。
導体材料に用いた場合について説明しよう。トラ
ンジスタ１は、走査線３も兼ね例えばMoよりな
るゲート電極と、信号線４も兼ね例えばＡより
なるドレイン（またはソース）電極と、負荷であ
る液晶セル２に接続されるソース（またはドレイ
ン）電極６からなり、液晶セル２は例えばITOよ
りなる絵素電極７、および同じくITOよりなる共
通透明電極５と液晶を封止するために透明性絶縁
基板例えばガラス板９，１０ではさまれた空間を
充填する液晶８とからなる。１１はａ−Siを島状
に形成したものであり、１２は例えばSi3N4より
なるゲート絶縁膜であつて、いずれもトランジス
タ１の構成要素である。
ａ−SiのMISトランジスタの製法および特性に
ついては各種の文献が公開されており、要はガス
板１０−透明電極５−液晶８−透明電極７−（透
明絶縁層１２）−ガラス板９よりなる光学系を電
気的に制御する機能と手段が必要なのである。第
３図の構成に加えて偏光板や反射板の導入によ
り、第３図の画像表示装置は透過型としても反射
型としても対応でき、光源あるいは液晶材料によ
つてその選択は決定される。
ついては各種の文献が公開されており、要はガス
板１０−透明電極５−液晶８−透明電極７−（透
明絶縁層１２）−ガラス板９よりなる光学系を電
気的に制御する機能と手段が必要なのである。第
３図の構成に加えて偏光板や反射板の導入によ
り、第３図の画像表示装置は透過型としても反射
型としても対応でき、光源あるいは液晶材料によ
つてその選択は決定される。
上記画像表示装置においては絵素電極７は第２
図に示したように単位絵素内および隣り合つた単
位絵素間で写真食刻工程の合せ精度に対応した距
離だけ走査線３および信号線４より離れて小さ
目に設定する必要がある。例えば第３図の構成で
絵素電極７と信号線４とが重なつて形成されると
トランジスタ１の制御作用が失われてしまうこと
は明白であろうし、また信号線４の表面に絶縁層
の導入を行なつて電気的短絡を阻止したところで
第４図に示したように余分な寄生容量１３が発生
することは避けられない。同様に絵素電極７と走
査線３が重なつてしまうと寄生容量１４が生じて
しまう。
図に示したように単位絵素内および隣り合つた単
位絵素間で写真食刻工程の合せ精度に対応した距
離だけ走査線３および信号線４より離れて小さ
目に設定する必要がある。例えば第３図の構成で
絵素電極７と信号線４とが重なつて形成されると
トランジスタ１の制御作用が失われてしまうこと
は明白であろうし、また信号線４の表面に絶縁層
の導入を行なつて電気的短絡を阻止したところで
第４図に示したように余分な寄生容量１３が発生
することは避けられない。同様に絵素電極７と走
査線３が重なつてしまうと寄生容量１４が生じて
しまう。
寄生容量１３は信号線４の負荷容量を増すの
で、画像表示装置を駆動するための映像信号増幅
器は液晶セル２を充電するために必要な能力以上
の駆動能力が必要となる。すなわち駆動電力の増
大と出力インピーダンスの低減は避けられない。
同様に寄生容量１４は走査線３の負荷容量を増す
ので走査信号増幅器も余分な駆動能力が必要とな
る。ただし、走査信号を転送するためのクロツク
周波数は低いので消費電力の増加は少なくてす
る。
で、画像表示装置を駆動するための映像信号増幅
器は液晶セル２を充電するために必要な能力以上
の駆動能力が必要となる。すなわち駆動電力の増
大と出力インピーダンスの低減は避けられない。
同様に寄生容量１４は走査線３の負荷容量を増す
ので走査信号増幅器も余分な駆動能力が必要とな
る。ただし、走査信号を転送するためのクロツク
周波数は低いので消費電力の増加は少なくてす
る。
寄生容量１４の最も大きな悪影響は走査信号が
トランジスタ１と液晶セル２の接続点１５へ静電
結合して重畳されることにある。この重畳による
接続点１５の電位の変動の大きさΔVは、走査信
号の振幅をＶとし、寄生容量をC14、液晶セル２
の容量をCLCとすると ΔV＝Ｖ×C14／CLC＋C14 で与えられ、接続点１５の電位は走査（ゲート）
パルスに立上り、立下り時にΔVだけの変動を受
ける。この結果、液晶セル２を交流駆動しようと
した場合には蓄積期間であるにもかかわらずトラ
ンジスタ１がon状態となることもあり、映像信
号の利用効率が低下し、画像のコントラスト比の
低下は避けられない。したがつて液晶セル２に十
分な書き込みを与えるためには、(1)、より大きな
映像信号を供給する、(2)、走査信号の０（ゼロ）
レベルを負方向（ｎチヤネル動作の場合）にまで
拡張する、(3)、より大きな走査信号を供給する、
などの対策を必要とし、いずれの場合にも画像表
示装置を駆動するための電力消費が増加する。
トランジスタ１と液晶セル２の接続点１５へ静電
結合して重畳されることにある。この重畳による
接続点１５の電位の変動の大きさΔVは、走査信
号の振幅をＶとし、寄生容量をC14、液晶セル２
の容量をCLCとすると ΔV＝Ｖ×C14／CLC＋C14 で与えられ、接続点１５の電位は走査（ゲート）
パルスに立上り、立下り時にΔVだけの変動を受
ける。この結果、液晶セル２を交流駆動しようと
した場合には蓄積期間であるにもかかわらずトラ
ンジスタ１がon状態となることもあり、映像信
号の利用効率が低下し、画像のコントラスト比の
低下は避けられない。したがつて液晶セル２に十
分な書き込みを与えるためには、(1)、より大きな
映像信号を供給する、(2)、走査信号の０（ゼロ）
レベルを負方向（ｎチヤネル動作の場合）にまで
拡張する、(3)、より大きな走査信号を供給する、
などの対策を必要とし、いずれの場合にも画像表
示装置を駆動するための電力消費が増加する。
一方、接続点１５と接地点との間、あるいは液
晶セル２に並列に寄生容量C14および液晶セル容
量CLCよりも十分大きな値の補助容量Ｃを付加す
ると変動の大きさは ΔV＝Ｖ×C14／C14＋CLC＋Ｃ０ となつて上記した問題点は回避できる。
晶セル２に並列に寄生容量C14および液晶セル容
量CLCよりも十分大きな値の補助容量Ｃを付加す
ると変動の大きさは ΔV＝Ｖ×C14／C14＋CLC＋Ｃ０ となつて上記した問題点は回避できる。
ところがトランジスタ１の負荷が増大するの
で、所定の書き込み期間内に補助容量Ｃを充電で
きるかどうかが新たな問題点として発生する。も
しトランジスタ１が負荷容量の増大に対処できな
ければ、(イ)、相互コンダクタンスを上げるために
走査信号を大きくする、(ロ)、トランジスタ１の平
面的なサイズを大きくする、などの対策が必要と
なる。要はトランジスタ１で代表される非線形素
子の材質で決まる電流を流す能力が十分でなけれ
ば、プロセス技術、デバイス構造、回路設計のい
ずれかにかなり厳しい仕様の変更が要求される。
例えば上記(ロ)においては必然的に開口率の低下に
結びつき、画像表示装置の本質にかかわる重要な
問題である。
で、所定の書き込み期間内に補助容量Ｃを充電で
きるかどうかが新たな問題点として発生する。も
しトランジスタ１が負荷容量の増大に対処できな
ければ、(イ)、相互コンダクタンスを上げるために
走査信号を大きくする、(ロ)、トランジスタ１の平
面的なサイズを大きくする、などの対策が必要と
なる。要はトランジスタ１で代表される非線形素
子の材質で決まる電流を流す能力が十分でなけれ
ば、プロセス技術、デバイス構造、回路設計のい
ずれかにかなり厳しい仕様の変更が要求される。
例えば上記(ロ)においては必然的に開口率の低下に
結びつき、画像表示装置の本質にかかわる重要な
問題である。
発明の目的
本発明は上記した現状に鑑みなされたもので、
工程の増加や回路設計上の仕様変更を伴なわずに
開口率を上げることを目的とする。
工程の増加や回路設計上の仕様変更を伴なわずに
開口率を上げることを目的とする。
発明の構成
本発明においては、絵素電極以外の電極材が紫
外線に対してほとんど不透明であることを利用し
て透明基板上に自己整合的に絵素電極を形成する
ことが構成の要点であり、第５図以下の図面とと
もに本発明の実施例について説明する。
外線に対してほとんど不透明であることを利用し
て透明基板上に自己整合的に絵素電極を形成する
ことが構成の要点であり、第５図以下の図面とと
もに本発明の実施例について説明する。
実施例の説明
第５図は本発明の一実施例にかかる画像表示装
の単位絵素の平面図であり、Ｂ−B′線上の断面
図が第６〜８図に示されている。なお、第６〜８
図は基板９部分のみの構造を示す。
の単位絵素の平面図であり、Ｂ−B′線上の断面
図が第６〜８図に示されている。なお、第６〜８
図は基板９部分のみの構造を示す。
本発明による画像表示装置は絵素電極の形成に
先立ち、非線形素子と走査線および信号線の形成
が成される。多くの場合非線形素子は半導体材料
が使用され、走査線や信号線には抵抗値を下げる
ために金属薄膜が用いられる。これらの材料は通
常用いられる厚み（0.1〜1μm）では紫外線に対
してほぼ不透明である。そこで第６図に示したよ
うに走査線３、信号線４、および非線形素子であ
るトランジスタを例えばガラス板９の一主面上に
形成した後に、全面に例えばITOよりなる透明導
電層１６を形成し、引き続きネガ型の感光性樹脂
１７を塗布する。そしてガラス板９の他の主面上
より紫外線１９を照射する。ガラス板９および透
明導電層１６は波長が短かくなるにつれて紫外線
の透過率が低下するが波長300〜350nmにおいて
は概ね30％以上の透過率を有するので、露光時間
を数倍長くすればガラス板９の裏側からの紫外線
照射によつて感光性樹脂１７は感光する。前述し
たように例えばMoよりなる走査線３、例えばＡ
よりなる信号線４および接続電極６と、2000〜
5000Åの厚みを有するａ−Siの島１１は紫外線を
殆んど通さないのでネガ型の感光性樹脂１７は上
記不透明物質上を除いて選択的に感光される。
先立ち、非線形素子と走査線および信号線の形成
が成される。多くの場合非線形素子は半導体材料
が使用され、走査線や信号線には抵抗値を下げる
ために金属薄膜が用いられる。これらの材料は通
常用いられる厚み（0.1〜1μm）では紫外線に対
してほぼ不透明である。そこで第６図に示したよ
うに走査線３、信号線４、および非線形素子であ
るトランジスタを例えばガラス板９の一主面上に
形成した後に、全面に例えばITOよりなる透明導
電層１６を形成し、引き続きネガ型の感光性樹脂
１７を塗布する。そしてガラス板９の他の主面上
より紫外線１９を照射する。ガラス板９および透
明導電層１６は波長が短かくなるにつれて紫外線
の透過率が低下するが波長300〜350nmにおいて
は概ね30％以上の透過率を有するので、露光時間
を数倍長くすればガラス板９の裏側からの紫外線
照射によつて感光性樹脂１７は感光する。前述し
たように例えばMoよりなる走査線３、例えばＡ
よりなる信号線４および接続電極６と、2000〜
5000Åの厚みを有するａ−Siの島１１は紫外線を
殆んど通さないのでネガ型の感光性樹脂１７は上
記不透明物質上を除いて選択的に感光される。
このままで非線形素子であるトランジスタとの
接続電極６上の感光性樹脂が感光しないので、ガ
ラスマスク１８と紫外線１９′によつてガラス板
９上から通常の露光を行ない、透明導電層１６の
一部と接続電極６との一部がつながるようにす
る。
接続電極６上の感光性樹脂が感光しないので、ガ
ラスマスク１８と紫外線１９′によつてガラス板
９上から通常の露光を行ない、透明導電層１６の
一部と接続電極６との一部がつながるようにす
る。
そして現像後、第７図に示したようにガラス板
９上に、すなわち、接続電極６および後述の工程
により形成される絵素電極２０の上に選択的に感
光性樹脂パターン１７′を得る。既に述べたごと
く前記不透明物質の端部と感光性樹脂パターン１
７′との端部は同一線上で揃うので、感光性樹脂
パターン１７′をマスクとして透明導電層の食刻
を行ない絵素電極２０を得る。なお、この時わず
かぱかりの過食刻を施すと絵素電極２０が露出し
ている信号線４′と短絡する現象を避けることが
でき、本発明がより確実なものとなる。
９上に、すなわち、接続電極６および後述の工程
により形成される絵素電極２０の上に選択的に感
光性樹脂パターン１７′を得る。既に述べたごと
く前記不透明物質の端部と感光性樹脂パターン１
７′との端部は同一線上で揃うので、感光性樹脂
パターン１７′をマスクとして透明導電層の食刻
を行ない絵素電極２０を得る。なお、この時わず
かぱかりの過食刻を施すと絵素電極２０が露出し
ている信号線４′と短絡する現象を避けることが
でき、本発明がより確実なものとなる。
第８図は本発明の他の実施例を示す断面図で、
上述したように不透明材質よりなる非線形素子、
走査線、信号線の形成後全面に透明絶縁層２１
（例えばSiO2，Si3N4などの無機材質でもよいし、
透明ポリイミド系樹脂、東レ製SP−910などの有
機材質でもよい）を被着形成し、開口部２２を設
けて非線形素子あるいは接続電極６の一部を露出
する。しかる後、上述したようにネガ型感光性樹
脂を用い、ガラス板の両面からの露光で絵素電極
２０を自己整合的に形成する。当然のことながら
この場合過食刻は不要である。
上述したように不透明材質よりなる非線形素子、
走査線、信号線の形成後全面に透明絶縁層２１
（例えばSiO2，Si3N4などの無機材質でもよいし、
透明ポリイミド系樹脂、東レ製SP−910などの有
機材質でもよい）を被着形成し、開口部２２を設
けて非線形素子あるいは接続電極６の一部を露出
する。しかる後、上述したようにネガ型感光性樹
脂を用い、ガラス板の両面からの露光で絵素電極
２０を自己整合的に形成する。当然のことながら
この場合過食刻は不要である。
絵素電極の形成にポジ型レジストを用いること
も可能で、特許請求の範囲第５項、第６項はポジ
型感光性樹脂を用いた場合の実施例である。この
場合には絵素電極の形成は、膜厚1μm以上のポジ
型感光性樹脂のパターニングの終了後に膜厚
0.1μm程度の透明導電層を被着し、ポジ型感光性
樹脂の除去とともにポジ型感光性樹脂上の透明導
電層をも除去してしまう。言わゆるリフトオフを
行なうわけであるが、膜厚差が十分大きいので何
ら支障はない。なお第５項の実施例において絵素
電極と不透明材質とが短絡する現象を避けるため
にはガラス板の裏側からの露光量を少し減少させ
るとよいことは言うまでもない。
も可能で、特許請求の範囲第５項、第６項はポジ
型感光性樹脂を用いた場合の実施例である。この
場合には絵素電極の形成は、膜厚1μm以上のポジ
型感光性樹脂のパターニングの終了後に膜厚
0.1μm程度の透明導電層を被着し、ポジ型感光性
樹脂の除去とともにポジ型感光性樹脂上の透明導
電層をも除去してしまう。言わゆるリフトオフを
行なうわけであるが、膜厚差が十分大きいので何
ら支障はない。なお第５項の実施例において絵素
電極と不透明材質とが短絡する現象を避けるため
にはガラス板の裏側からの露光量を少し減少させ
るとよいことは言うまでもない。
非線形素子と絵素電極との間に介在する接続電
極６は本発明の必須要件ではなく、要は非線形素
子と絵素電極との間の電気抵抗が画像表示装置と
しての動作に支障をきたさなれらばその材質は問
わず、また接続電極を省略して直接絵素電極と非
線形素子が接続されてよいことは明白である。
極６は本発明の必須要件ではなく、要は非線形素
子と絵素電極との間の電気抵抗が画像表示装置と
しての動作に支障をきたさなれらばその材質は問
わず、また接続電極を省略して直接絵素電極と非
線形素子が接続されてよいことは明白である。
さらに特許請求の範囲第５項および第６項によ
れば絵素電極を金属材料で形成することも可能で
あり、反射型画像表示装置も容易に得られる。
れば絵素電極を金属材料で形成することも可能で
あり、反射型画像表示装置も容易に得られる。
発明の効果
本発明による画像表示装置においては、単位絵
素内において走査線、信号線および非線形素子を
除いた全ての領域を絵素電極とすることが可能
で、有効開口率はほぼ100％となり、明るい画像
が得られることは言うまでもない。この効果は写
真食刻工程の合せ精度が低下する大画面の画像表
示装置において特に顕著となる。
素内において走査線、信号線および非線形素子を
除いた全ての領域を絵素電極とすることが可能
で、有効開口率はほぼ100％となり、明るい画像
が得られることは言うまでもない。この効果は写
真食刻工程の合せ精度が低下する大画面の画像表
示装置において特に顕著となる。
さらに透過型でノーマリホワイトの画像表示装
置においては、画像がブラツクの状態では画像表
示装置裏側よりの光源光が完全に遮断されるため
にコントラスト比が従来の画像表示装置の10倍程
度工場するという著しい効果が得られる。
置においては、画像がブラツクの状態では画像表
示装置裏側よりの光源光が完全に遮断されるため
にコントラスト比が従来の画像表示装置の10倍程
度工場するという著しい効果が得られる。
また絵素電極と走査線あるいは信号線との平面
的な重なりはほとんどなく、したがつて駆動にあ
たつて余分な消費電力の増大もなく、また絵素電
極と走査線との間の浮遊容量の増大に伴なうコン
トラスト比の低下が発生する恐れも皆無である。
的な重なりはほとんどなく、したがつて駆動にあ
たつて余分な消費電力の増大もなく、また絵素電
極と走査線との間の浮遊容量の増大に伴なうコン
トラスト比の低下が発生する恐れも皆無である。
以上の説明からも明らかなように、走査線と信
号線が光遮断性材質で構成され、また非線形素子
が光遮断性材質からなる層を有していれば、非線
形素子はMISトランジスタに限定されるものでは
なく、ダイオードやバリスタあるいはMIMなど
の素子に対しても本発明は有効であり、また走査
線や信号線も紫外線を透過させにくい多結晶ある
いは非晶質シリコンなどを用いることは可能であ
る。
号線が光遮断性材質で構成され、また非線形素子
が光遮断性材質からなる層を有していれば、非線
形素子はMISトランジスタに限定されるものでは
なく、ダイオードやバリスタあるいはMIMなど
の素子に対しても本発明は有効であり、また走査
線や信号線も紫外線を透過させにくい多結晶ある
いは非晶質シリコンなどを用いることは可能であ
る。
第１図は液晶とMISトランジスタとの組み合わ
せによつて構成される画像表示装置の等価回路
図、第２図は同装置の単位絵素の平面図、第３図
は第２図のＡ−A′線要部断面図、第４図は寄生
容量が発生した場合の画像表示装置の等価回路
図、第５図は本発明によつ画像表示装置の単位絵
素の平面図、第６図〜第８図は同装置のＢ−
B′線部分の要部断面図である。
せによつて構成される画像表示装置の等価回路
図、第２図は同装置の単位絵素の平面図、第３図
は第２図のＡ−A′線要部断面図、第４図は寄生
容量が発生した場合の画像表示装置の等価回路
図、第５図は本発明によつ画像表示装置の単位絵
素の平面図、第６図〜第８図は同装置のＢ−
B′線部分の要部断面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一主面上に光遮断性材質からなる層を有する
非線形素子と前記非線形素子の一つの電極に接続
された透明導電性の絵素電極とからなる単位絵素
が２次元のマトリクスに配列された第１の透明性
絶縁基板と一主面上に透明導電層が形成された第
２の透明性絶縁基板との間に液晶を充填してなる
画像表示装置において、前記単位絵素を相互接続
する走査線および信号線が光遮断性材質で構成さ
れるとともに、前記絵素電極は第１の透明性絶縁
基板の裏面からの自己整合ホトエツチング工程に
より形成され、前記絵素電極と前記非線形素子の
一つの電極との接続部は第１の透明性絶縁基板の
表面からのホトエツチング工程により形成されて
いることを特徴とする画像表示装置。 ２ 非線形素子、走査線および信号線の上に透明
性絶縁層が形成されており、前記非線形素子の一
つの電極上の透明性絶縁層に形成された開口部を
含んで透明導電性の絵素電極が形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像
表示装置。 ３ 第１の透明性絶縁基板の一主面上に光遮断性
材質からなる層を有する走査線、信号線および非
線形素子を形成する工程と、第１の透明性絶縁基
板上に透明導電層を形成する工程と、前記透明導
電層上にネガ型感光性樹脂を塗布する工程と、第
１の透明性絶縁基板の他の主面側から紫外線を照
射し絵素電極となる領域の感光性樹脂を露光する
工程と、第１の透明性絶縁基板の一主面側からフ
オトマスクを用いて紫外線を照射し絵素電極と非
線形素子の一つの電極とを含む領域の感光性樹脂
を露光する工程と、現像後に選択的に残された感
光性樹脂をマスクとして透明導電層をエツチング
する工程と、第１の透明性絶縁基板と全面に透明
導電層が形成された第２の絶縁性基板とを間隙を
設けて貼り合わせた後前記間隙に液晶を注入する
工程とを有する画像表示装置の製造方法。 ４ 第１の透明性絶縁基板の上に透明導電層を形
成する工程の前に、全面に透明性絶縁層を形成す
る工程と、非線形素子の一つの電極上の透明性絶
縁層に開口を形成する工程が付加されていること
を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の画像表
示装置の製造方法。 ５ 第１の透明性絶縁基板の一主面上に光遮断性
材質からなる層を有する走査線、信号線および非
線形素子を形成する工程と、ポジ型感光性樹脂を
塗布する工程と、第１の透明性絶縁基板の他の主
面側から紫外線を照射し絵素電極となる領域のポ
ジ型感光性樹脂を露光する工程と、第１の透明性
絶縁基板の一主面側からフオトマスクを用いて紫
外線を照射し絵素電極と非線形素子の一つの電極
とを接続する接続部のポジ型感光性樹脂を露光す
る工程と、現像により前記接続部と絵素電極以外
の領域にポジ型感光性樹脂を残す工程と、全面に
透明導電層を形成する工程と、前記ポジ型感光性
樹脂の除去によつて透明導電層を選択的に除去す
る工程と、第１の透明性絶縁基板と全面に透明導
電層が形成された第２の絶縁性基板とを間隙を設
けて貼り合わせた後前記間隙に液晶を注入する工
程とを有する画像表示装置の製造方法。 ６ 全面に透明導電層を形成する工程の前に、全
面に透明性絶縁層を形成する工程と、非線形素子
の一つの電極上の透明性絶縁層に開口を形成する
工程が付加されていることを特徴とする特許請求
の範囲第５項記載の画像表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219813A JPS60112089A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 画像表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58219813A JPS60112089A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 画像表示装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112089A JPS60112089A (ja) | 1985-06-18 |
| JPH0535433B2 true JPH0535433B2 (ja) | 1993-05-26 |
Family
ID=16741429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58219813A Granted JPS60112089A (ja) | 1983-11-22 | 1983-11-22 | 画像表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112089A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE3712335A1 (de) * | 1987-04-11 | 1988-10-20 | Vdo Schindling | Verfahren zur herstellung einer struktur |
| JP2620240B2 (ja) | 1987-06-10 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
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| JP2594971B2 (ja) * | 1987-09-09 | 1997-03-26 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタパネル |
| JP2604386B2 (ja) * | 1987-09-09 | 1997-04-30 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタパネル |
| JP2592463B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1997-03-19 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタパネル |
| JPH01214823A (ja) * | 1988-02-23 | 1989-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| JP2590360B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1997-03-12 | カシオ計算機株式会社 | 薄膜トランジスタパネルの製造方法 |
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| JPH03211526A (ja) * | 1990-01-17 | 1991-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリックス基板及び液晶表示装置 |
| JP2791435B2 (ja) * | 1996-12-24 | 1998-08-27 | 株式会社日立製作所 | 液晶ディスプレイ装置 |
| KR20000076864A (ko) | 1999-03-16 | 2000-12-26 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 능동 소자 어레이 기판의 제조 방법 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS599635A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
-
1983
- 1983-11-22 JP JP58219813A patent/JPS60112089A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60112089A (ja) | 1985-06-18 |
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