JPS599635A - 電気光学装置 - Google Patents
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- JPS599635A JPS599635A JP57118256A JP11825682A JPS599635A JP S599635 A JPS599635 A JP S599635A JP 57118256 A JP57118256 A JP 57118256A JP 11825682 A JP11825682 A JP 11825682A JP S599635 A JPS599635 A JP S599635A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶を用いた電気光学装置に関する。
さらに詳しくは液晶表示装置に非線型素子を組合せ表示
特性を改良した′電気光学装置に関する。
特性を改良した′電気光学装置に関する。
近年、液晶表示装置の応用が進み、その消費電力の少な
いことあるいは表示部が薄型化出来るなどの利点を生か
して腕時計、電卓などの他に小型電子機器用の表示装置
として大垣に用いられるようになった。
いことあるいは表示部が薄型化出来るなどの利点を生か
して腕時計、電卓などの他に小型電子機器用の表示装置
として大垣に用いられるようになった。
この液晶表示装置の応用分野をさらに拡げるためには表
示容置の増大が必要であるが従来のＴＮ型液晶表示装置
では電圧−コントラスト特性の立上りがあまり急峻でな
いため、マルチプレックスの桁数を増すと非選択点およ
び牛選択点と選択点とに印加される実効電圧に差が少な
くなってクロストークを生じるため数士桁の多桁駆動が
限界であった。このような欠点を避けるための一方法と
して非線型素子あるいはスイッチング素子を液晶表示装
置に組合せたマ） ＩＪクス型の装置が考えられアモル
ファスシリコンやポリシリコンあるいは化合物牛纒体な
どを用いたＴＰＴやダイオード。
示容置の増大が必要であるが従来のＴＮ型液晶表示装置
では電圧−コントラスト特性の立上りがあまり急峻でな
いため、マルチプレックスの桁数を増すと非選択点およ
び牛選択点と選択点とに印加される実効電圧に差が少な
くなってクロストークを生じるため数士桁の多桁駆動が
限界であった。このような欠点を避けるための一方法と
して非線型素子あるいはスイッチング素子を液晶表示装
置に組合せたマ） ＩＪクス型の装置が考えられアモル
ファスシリコンやポリシリコンあるいは化合物牛纒体な
どを用いたＴＰＴやダイオード。
酸化亜鉛などを用いたバリスタを用いるなど種々の検討
がなされてきた。
がなされてきた。
このような非＋１ｉｉＪ型素子の中で特開昭５２−１４
９０９０＆こおいて述べられている金属−絶縁体−金属
（ｇｅｔａｌ −，４ｎｓｕ、１ａｔｏｒ −ｐｅｔａ
ｌ略してＭＩＭ）構造を有する非線型素子（以下Ｍ工Ｍ
ｉ子と呼ぶ）は素子構成が簡単であるため、他の非線型
素子にくらべ製造工程が短かく素子設計も容易であると
いった利点を有している。
９０９０＆こおいて述べられている金属−絶縁体−金属
（ｇｅｔａｌ −，４ｎｓｕ、１ａｔｏｒ −ｐｅｔａ
ｌ略してＭＩＭ）構造を有する非線型素子（以下Ｍ工Ｍ
ｉ子と呼ぶ）は素子構成が簡単であるため、他の非線型
素子にくらべ製造工程が短かく素子設計も容易であると
いった利点を有している。
このＭ工Ｍ素子はトンネル効果、ショットキ効果あるい
はプール・フレンケル効果などによって′電流か流れる
と考えられ第１図に示すように非巌！観な電圧−電流特
性を示す。
はプール・フレンケル効果などによって′電流か流れる
と考えられ第１図に示すように非巌！観な電圧−電流特
性を示す。
絶縁体としてはＡ ｌ 、 Ｔ ａ 、 Ｎ ｂ 、
Ｔ ｉ 、 Ｓ ｉ、ＭＯ，Ｗ、Ｈｆ等の酸化物、ある
いは窒素をドープした前記金属の酸化物、カルコゲナイ
ドガラス等の無機材料、さらにはポリイミド樹脂等の有
機材料も使用することができる。
Ｔ ｉ 、 Ｓ ｉ、ＭＯ，Ｗ、Ｈｆ等の酸化物、ある
いは窒素をドープした前記金属の酸化物、カルコゲナイ
ドガラス等の無機材料、さらにはポリイミド樹脂等の有
機材料も使用することができる。
＋ｊｆＪ ｍ己絶縁膜を金属でサンドインチすればＭ工
Ｍ構造になり、この金属としてはｌｊＪ Ｈｅ金属及び
Ｎ１、Ｏｒ、Ａｕあるいはそれらの合金等、あるいは５
ｎ０２．■”２０３ ｅ工Ｔｏ（工ｎ ２０ 、＋Ｓｎ
Ｏ。
Ｍ構造になり、この金属としてはｌｊＪ Ｈｅ金属及び
Ｎ１、Ｏｒ、Ａｕあるいはそれらの合金等、あるいは５
ｎ０２．■”２０３ ｅ工Ｔｏ（工ｎ ２０ 、＋Ｓｎ
Ｏ。
）等もしくは極く薄いＯｒ、Ａｕ等の金属による透明導
電性薄膜を用いることができる。
電性薄膜を用いることができる。
Ｍ工ＩＡ素子に電圧を印加した場合、絶Ｍ膜の厚さＧこ
よって伝導機構が異なり５０〜１０ｏＸではトンネル効
果、ｉｏｏ〜１ｏｏｏＸではショットキ効果及びプール
・フレンクル効果が優位を占めると吾われでいる。本発
明の目的である液晶表示装置とＭ工Ｍ素子の組合せでは
液晶の駆動方法との兼ね合いから、プール・フレンヶル
効果を示す領域を利用するのが望ましいと思われ、その
領域では電圧−′電流特性はプール・フレンヶル式％式
％）（１） このＭ工Ｍ素子を組込んだ液晶表示装置を、通常のマト
リクス型液晶表示装置の駆動に用いられている電圧平均
化法で駆動すると、Ｍ工Ｍ素子の非線型性によって実録
に液晶に印加される０Ｎ１０ＦＦ実効値比が、電圧平均
化法自体の０Ｎ１０ＦＦ実効値比よりも大きくなり、よ
り多桁のマトリクス駆動が可能となる。Ｍ工Ｍ素子を液
晶表示装置と組合せた場合、一画素分の等価回路は第２
図に示すように容量分０１ＪＩＭと非線型抵抗外ＲＭＩ
Ｍとが並列になったＭ工Ｍ素子１と、容ｉｔ！（：！Ｌ
（＋ と抵抗外ＲＬＯとが並列になった液晶部分２が
直列に接続されていると考えることができる。
よって伝導機構が異なり５０〜１０ｏＸではトンネル効
果、ｉｏｏ〜１ｏｏｏＸではショットキ効果及びプール
・フレンクル効果が優位を占めると吾われでいる。本発
明の目的である液晶表示装置とＭ工Ｍ素子の組合せでは
液晶の駆動方法との兼ね合いから、プール・フレンヶル
効果を示す領域を利用するのが望ましいと思われ、その
領域では電圧−′電流特性はプール・フレンヶル式％式
％）（１） このＭ工Ｍ素子を組込んだ液晶表示装置を、通常のマト
リクス型液晶表示装置の駆動に用いられている電圧平均
化法で駆動すると、Ｍ工Ｍ素子の非線型性によって実録
に液晶に印加される０Ｎ１０ＦＦ実効値比が、電圧平均
化法自体の０Ｎ１０ＦＦ実効値比よりも大きくなり、よ
り多桁のマトリクス駆動が可能となる。Ｍ工Ｍ素子を液
晶表示装置と組合せた場合、一画素分の等価回路は第２
図に示すように容量分０１ＪＩＭと非線型抵抗外ＲＭＩ
Ｍとが並列になったＭ工Ｍ素子１と、容ｉｔ！（：！Ｌ
（＋ と抵抗外ＲＬＯとが並列になった液晶部分２が
直列に接続されていると考えることができる。
そしてこの両端に′１ｕ圧を印加するわけであるが実際
に液晶部分２に印加される実効電圧はＭ工Ｍ素子１の時
定数、液晶部分２の時定数及びＭＩＭ素子１の容は分Ｏ
ＭＩＭと液晶部分２の容量分ＯＬＯとの比ａ ｘ、 ｏ
／ ＯＭ Ｉ ｙとの組合せで定まり、液晶部分２の
時短数及びＯＬ Ｏ／ ＯＭ ｒ Ｍの値が大きく、Ｍ
工Ｍ＊子１の時定数が適当な値の時実効′也圧は最も大
きくなる。もち論、Ｍ工Ｍ素子１の非線型性が大きい程
マトリクス駆動の桁数は多くとれるようになる。
に液晶部分２に印加される実効電圧はＭ工Ｍ素子１の時
定数、液晶部分２の時定数及びＭＩＭ素子１の容は分Ｏ
ＭＩＭと液晶部分２の容量分ＯＬＯとの比ａ ｘ、 ｏ
／ ＯＭ Ｉ ｙとの組合せで定まり、液晶部分２の
時短数及びＯＬ Ｏ／ ＯＭ ｒ Ｍの値が大きく、Ｍ
工Ｍ＊子１の時定数が適当な値の時実効′也圧は最も大
きくなる。もち論、Ｍ工Ｍ素子１の非線型性が大きい程
マトリクス駆動の桁数は多くとれるようになる。
ここで従来のＭ工Ｍ素子−のＭＩ Ｍを説明すると、例
えば第６図及び第４図に示すように、ガラス基板３を酸
化膜４で破着しエッチストップとした俊金属薄族５を形
成、所望の形状に金属薄膜５をパターニングした後表面
に絶縁体薄膜６を形成する。さらに金属薄Ｍをつけてパ
ターニングしＭＩＭ素子の対向電極７とする。この時Ｍ
工Ｍ素子の面積は金属電極５と対向電極７が互いに重な
り合う部分の面積となる。液晶表示装置とするには次に
透明導電性薄膜により画素電極８を形成し、表面に液晶
配向層を形成して一定の間隙を保たせた対向基板でセル
となし、その間隙に液晶を封入し偏光板を貼り付けてＴ
Ｎ液菖表示装置とする。
えば第６図及び第４図に示すように、ガラス基板３を酸
化膜４で破着しエッチストップとした俊金属薄族５を形
成、所望の形状に金属薄膜５をパターニングした後表面
に絶縁体薄膜６を形成する。さらに金属薄Ｍをつけてパ
ターニングしＭＩＭ素子の対向電極７とする。この時Ｍ
工Ｍ素子の面積は金属電極５と対向電極７が互いに重な
り合う部分の面積となる。液晶表示装置とするには次に
透明導電性薄膜により画素電極８を形成し、表面に液晶
配向層を形成して一定の間隙を保たせた対向基板でセル
となし、その間隙に液晶を封入し偏光板を貼り付けてＴ
Ｎ液菖表示装置とする。
このような構設のＭ工Ｍ素子を用いてマトリクス型液シ
ム表示装置を作ろうとすると、従来マトリクス型液晶表
示装置では０．３〜０．５ ｍｍピッチの画素寸法が多
く使われており、このような寸法の画素に合せたＭ工Ｍ
素子の寸法は３〜６μｍ角といった寸法になる。現状の
フォトリングラフ技術ではこの６〜６μγｎ角という寸
法領域はＬＳＩとＶＩ’３工の境界領域であり、さらに
マトリクス型の表示装置Ｍということでその表示部寸法
は５〜１０ｃｍという大ぎさになりかなりの面積部分に
サブミクロン領域の寸法を持つ素子を形成する必要が生
じかなりの困蝋を伴う。またざらに微小寸法の画素を持
つマトリクス型液晶表示装置を作ろうとする場合には完
全にＶＬＳＩ用の技術を用いなければならずコスト上望
ましくない。
ム表示装置を作ろうとすると、従来マトリクス型液晶表
示装置では０．３〜０．５ ｍｍピッチの画素寸法が多
く使われており、このような寸法の画素に合せたＭ工Ｍ
素子の寸法は３〜６μｍ角といった寸法になる。現状の
フォトリングラフ技術ではこの６〜６μγｎ角という寸
法領域はＬＳＩとＶＩ’３工の境界領域であり、さらに
マトリクス型の表示装置Ｍということでその表示部寸法
は５〜１０ｃｍという大ぎさになりかなりの面積部分に
サブミクロン領域の寸法を持つ素子を形成する必要が生
じかなりの困蝋を伴う。またざらに微小寸法の画素を持
つマトリクス型液晶表示装置を作ろうとする場合には完
全にＶＬＳＩ用の技術を用いなければならずコスト上望
ましくない。
本発明は新規なＭ工Ｍ素子の製造方法を考案することに
より、最小寸法が故１０μｍ＆！ｗのフォトリングラフ
エ稈で倣小面積のＭ工Ｍ素子を製造ｕＪ能となし、必要
な露光装置の等級を下げることによって製造コストの低
下を図るものである。
より、最小寸法が故１０μｍ＆！ｗのフォトリングラフ
エ稈で倣小面積のＭ工Ｍ素子を製造ｕＪ能となし、必要
な露光装置の等級を下げることによって製造コストの低
下を図るものである。
以下、実ｂｕｉ例によって本発明を説明する。
実施例１
パイレックス、ガラス基板９上に１０００〜５０００Ｘ
のタンタルｆａｎ１０ｆニスバッタリングによって形成
し所定の形状にパターニングする。
のタンタルｆａｎ１０ｆニスバッタリングによって形成
し所定の形状にパターニングする。
次にクエン酸水浴液中で陽極順化を行ないタンタル薄ｊ
換表面に酸化膜１１を形成する〔第５図（ａ）〕。
換表面に酸化膜１１を形成する〔第５図（ａ）〕。
次（こ、ＩＴ Ｏ（Ｉ ｉｔ ２Ｏｓ ＋Ｓ ｎ Ｏ２
、）ｍ ＩＮ １２を基根全面に形成した仮、ネガ形フ
ォトレジスト１６を塗布しブレベークを行なう。そして
パイレックスガラス基板９裏側より露光を行なう〔第５
図（ｂ）〕。現像を行なうと第５図（Ｃ）のようになり
、ボストベーク後、工ＴＯ＃膜１２をエツチングし、レ
ジスト１３を除去すると第５図（ｄ）のようになる。さ
らに必要な画素１４の形状に工ＴＯＩＪＪｉ膜（１２）
をエツチングずれば、タンタル薄）Ｍ １０ ｏタンタ
ル薄膜１０表面の酸化膜１１及び画素′電極１４とでＭ
工ＭＪｒ＃造が完成し、第６図のようになる。
、）ｍ ＩＮ １２を基根全面に形成した仮、ネガ形フ
ォトレジスト１６を塗布しブレベークを行なう。そして
パイレックスガラス基板９裏側より露光を行なう〔第５
図（ｂ）〕。現像を行なうと第５図（Ｃ）のようになり
、ボストベーク後、工ＴＯ＃膜１２をエツチングし、レ
ジスト１３を除去すると第５図（ｄ）のようになる。さ
らに必要な画素１４の形状に工ＴＯＩＪＪｉ膜（１２）
をエツチングずれば、タンタル薄）Ｍ １０ ｏタンタ
ル薄膜１０表面の酸化膜１１及び画素′電極１４とでＭ
工ＭＪｒ＃造が完成し、第６図のようになる。
Ｍ工Ｍ素子のｒｎｊ檀は絶縁膜１１のテーパ一部の長さ
と画素′電極１４の幅で決定される。
と画素′電極１４の幅で決定される。
このＭ工Ｍ素子及び画素電極１４を形成したパイレック
スガラス基板９表面Ｇこポリイミド（ηｌ脂を塗布・焼
成し綿布でラビングすることによって液晶配向処理を施
す。別にストライプ状の透明′電極１６を形成し、ポリ
イミド樹脂とラビングによって液晶配向処理を施したパ
イレックスガラス対向基板１７を用意し、５〜２０μｍ
の間隙を保って接着し液晶１８を封入する。この時、液
晶分子が上下の基＆９１１７間で約９０度ねじられる様
ラビングしておく。この液晶セルの外側に偏光ｌｌ１ｌ
ＩＩを液晶の配向状態に合わせて偏光板１９，２０を配
ｌｉｔ、ＴＮ型液晶表示装置とする。→第７図以上の様
をこして作った電気光学装置の等価回路は第８図の様に
なる。
スガラス基板９表面Ｇこポリイミド（ηｌ脂を塗布・焼
成し綿布でラビングすることによって液晶配向処理を施
す。別にストライプ状の透明′電極１６を形成し、ポリ
イミド樹脂とラビングによって液晶配向処理を施したパ
イレックスガラス対向基板１７を用意し、５〜２０μｍ
の間隙を保って接着し液晶１８を封入する。この時、液
晶分子が上下の基＆９１１７間で約９０度ねじられる様
ラビングしておく。この液晶セルの外側に偏光ｌｌ１ｌ
ＩＩを液晶の配向状態に合わせて偏光板１９，２０を配
ｌｉｔ、ＴＮ型液晶表示装置とする。→第７図以上の様
をこして作った電気光学装置の等価回路は第８図の様に
なる。
実施例２
実施例１とはば同様の製造工程であるが、裏面から露光
する時に第９図（α）に示すように光を斜方から入射さ
せる。するとネガレジスト１３が方向性を持って感光し
、現像によって第９図（ｂ）に示すような形状になり、
エツチング及びレジスト除去後の工Ｔ Ｏ７ｔｉｌＮ
１２の形状は第９図（Ｃ）の…ｉ ＋ｍｉ形状、第１０
図に平向形状を示すようになる。即ち第１０図左右方向
の隣り合うタンタルリード部１０ 、１０’及び画素電
極となるＩＴＯ薄ＩＮ １２ 、１２ ’は電気的に分
離される。そのため、第１１図に示ずような画素１４，
１４’をフォトエツチングで形成する際には工ＴＯ薄膜
１２．１２′を上Ｆ方向に分離するだけで良くなり、第
１２図に示すように線状（こレジスト２１を形成し、工
ＴｏＱ膜１２をエツチングすればＭ工Ｍ素子及び画素′
電極１４が形成される。以後は実施例１と同様にして電
気光学装置とする。
する時に第９図（α）に示すように光を斜方から入射さ
せる。するとネガレジスト１３が方向性を持って感光し
、現像によって第９図（ｂ）に示すような形状になり、
エツチング及びレジスト除去後の工Ｔ Ｏ７ｔｉｌＮ
１２の形状は第９図（Ｃ）の…ｉ ＋ｍｉ形状、第１０
図に平向形状を示すようになる。即ち第１０図左右方向
の隣り合うタンタルリード部１０ 、１０’及び画素電
極となるＩＴＯ薄ＩＮ １２ 、１２ ’は電気的に分
離される。そのため、第１１図に示ずような画素１４，
１４’をフォトエツチングで形成する際には工ＴＯ薄膜
１２．１２′を上Ｆ方向に分離するだけで良くなり、第
１２図に示すように線状（こレジスト２１を形成し、工
ＴｏＱ膜１２をエツチングすればＭ工Ｍ素子及び画素′
電極１４が形成される。以後は実施例１と同様にして電
気光学装置とする。
以上説明したように従来のＭ工Ｍ素子の製造工程では数
μｍ幅の精度でフォトエツチングを行なわなければなら
なかったのに対し、本発明の方法を用いれば数１０μｍ
程度のフォトエツチングが出来れば良く、高精度のマス
クアライナを用いることなしにＭ工Ｍ素子と画素′α極
を形成することが可能で、フォトエツチング工程におけ
るＮｎｎススＦ低下させることが出来る。
μｍ幅の精度でフォトエツチングを行なわなければなら
なかったのに対し、本発明の方法を用いれば数１０μｍ
程度のフォトエツチングが出来れば良く、高精度のマス
クアライナを用いることなしにＭ工Ｍ素子と画素′α極
を形成することが可能で、フォトエツチング工程におけ
るＮｎｎススＦ低下させることが出来る。
第１図はＭ工Ｍｇ子の非線型特性を示す。
第２図はＭＩＭ素子と液晶を組合セた場合の等価回路を
示す。 第６図は従来のＭ工Ｍ素子の断ｒｍｒ及び見取図。 第４図は同じ〈従来のＭ工Ｍ素子と一画素の配置を示す
平面図である。 第５図は本兄明におけるＭ工Ｍ素子の製造工程の説明図
である。 第６図は本りｄす」実施例１による液晶表示装置画素部
分の図であり第７図はその液晶表示装置の断１０１図で
ある。 第８図は実施例１のマトリクス型、液晶表示装置の等価
回路である。 第９１Δから第１２図は実施例２における製造工柘！Ｘ
ｆｒ：説明する図である。 以 上 用願人 林式会社瞠訪精工告 代理人 弁理士 最上 務 ’ｒｔＳ１図 第２図 ２１５３図 第４図 （ｄ） 第５図 ｉｌｌ 第６図 第７図 第８図 （ぴ） （０ン ・、′Ｓ９図 第１１トＩ
示す。 第６図は従来のＭ工Ｍ素子の断ｒｍｒ及び見取図。 第４図は同じ〈従来のＭ工Ｍ素子と一画素の配置を示す
平面図である。 第５図は本兄明におけるＭ工Ｍ素子の製造工程の説明図
である。 第６図は本りｄす」実施例１による液晶表示装置画素部
分の図であり第７図はその液晶表示装置の断１０１図で
ある。 第８図は実施例１のマトリクス型、液晶表示装置の等価
回路である。 第９１Δから第１２図は実施例２における製造工柘！Ｘ
ｆｒ：説明する図である。 以 上 用願人 林式会社瞠訪精工告 代理人 弁理士 最上 務 ’ｒｔＳ１図 第２図 ２１５３図 第４図 （ｄ） 第５図 ｉｌｌ 第６図 第７図 第８図 （ぴ） （０ン ・、′Ｓ９図 第１１トＩ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 複数の表示画素を有し、該表示画素の各々に非線
形素子を結合した電気光学装置において、該非線形素子
が金属−絶縁膜−透明導電膜構造を有し、透明基板上へ
基板裏面からの自己整合工程をきんだ工程で製造される
ことを特徴とする血気光学装置ｉＭ。 ２、 基板裏面からの自己整合工程において、基板Ｇこ
対し斜方から露出することを特徴とする特許１１〜求の
範囲第１項記載の血気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118256A JPS599635A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57118256A JPS599635A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS599635A true JPS599635A (ja) | 1984-01-19 |
| JPH0458008B2 JPH0458008B2 (ja) | 1992-09-16 |
Family
ID=14732110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57118256A Granted JPS599635A (ja) | 1982-07-07 | 1982-07-07 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS599635A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60112089A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置およびその製造方法 |
| JPS628125A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示用基板の製造方法 |
| US4768863A (en) * | 1985-07-05 | 1988-09-06 | Vdo Adolf Schindling Ag | Liquid crystal cell having MIM elements on both substrates |
| JPS63220202A (ja) * | 1987-03-10 | 1988-09-13 | Seiko Instr & Electronics Ltd | カラ−フイルタ−の製造方法 |
| JPS63287801A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-24 | 財團法人韓國電子通信研究所 | 回折格子の形状形成方法 |
| US4820612A (en) * | 1984-12-26 | 1989-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
| JPH04194823A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US5163220A (en) * | 1991-10-09 | 1992-11-17 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of enhancing the electrical conductivity of indium-tin-oxide electrode stripes |
| US5246468A (en) * | 1990-07-06 | 1993-09-21 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating a lateral metal-insulator-metal device compatible with liquid crystal displays |
-
1982
- 1982-07-07 JP JP57118256A patent/JPS599635A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60112089A (ja) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置およびその製造方法 |
| US4820612A (en) * | 1984-12-26 | 1989-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
| US4828967A (en) * | 1984-12-26 | 1989-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and its manufacturing method |
| JPS628125A (ja) * | 1985-07-05 | 1987-01-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示用基板の製造方法 |
| US4768863A (en) * | 1985-07-05 | 1988-09-06 | Vdo Adolf Schindling Ag | Liquid crystal cell having MIM elements on both substrates |
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| JPS63287801A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-24 | 財團法人韓國電子通信研究所 | 回折格子の形状形成方法 |
| US5246468A (en) * | 1990-07-06 | 1993-09-21 | Seiko Epson Corporation | Method of fabricating a lateral metal-insulator-metal device compatible with liquid crystal displays |
| JPH04194823A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-14 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US5163220A (en) * | 1991-10-09 | 1992-11-17 | The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of enhancing the electrical conductivity of indium-tin-oxide electrode stripes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0458008B2 (ja) | 1992-09-16 |
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