JPH0535713B2 - - Google Patents
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- JPH0535713B2 JPH0535713B2 JP4384688A JP4384688A JPH0535713B2 JP H0535713 B2 JPH0535713 B2 JP H0535713B2 JP 4384688 A JP4384688 A JP 4384688A JP 4384688 A JP4384688 A JP 4384688A JP H0535713 B2 JPH0535713 B2 JP H0535713B2
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- JP
- Japan
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- heating element
- treated
- ceramic
- metallized
- metallized material
- Prior art date
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ジユール熱を用いてセラミツクスの
表面を金属化するセラミツクスの表面処理方法に
関するものである。
表面を金属化するセラミツクスの表面処理方法に
関するものである。
セラミツクスの表面を金属化する表面面処理方
法として、Mo，Mnの混合物またはMo，Mn，
CaO，SiO2の混合物をセラミツクス上に塗布し、
加湿水素中で1300〜1700℃加熱処理するMn−
Mo法、また銅化物とSiO2の混合物をセラミツク
ス上に塗布し、1100〜1400℃の大気中で加熱処理
した後、アルコールにより表面を還元金属化する
銅メタライズ法などが提案されている。これらの
方法は、いずれも反応を促進するために、高温に
加熱処理する工程が必要である。そこで従来は、
セラミツクス全体を高温炉の中に入れ、高温炉の
ヒーターからの幅射や対流によりセラミツクス全
体を所定の温度まで加熱している。
法として、Mo，Mnの混合物またはMo，Mn，
CaO，SiO2の混合物をセラミツクス上に塗布し、
加湿水素中で1300〜1700℃加熱処理するMn−
Mo法、また銅化物とSiO2の混合物をセラミツク
ス上に塗布し、1100〜1400℃の大気中で加熱処理
した後、アルコールにより表面を還元金属化する
銅メタライズ法などが提案されている。これらの
方法は、いずれも反応を促進するために、高温に
加熱処理する工程が必要である。そこで従来は、
セラミツクス全体を高温炉の中に入れ、高温炉の
ヒーターからの幅射や対流によりセラミツクス全
体を所定の温度まで加熱している。
しかし、処理温度が高くなると、セラミツクス
の表面酸化及び母材の劣化が全体に及ぶ虞れがあ
るという重大な問題がある。またセラミツクスが
大型化すれば、それに伴い高温炉の設備が高価に
なり、炉が大きくなれば、所定の温度まで加熱す
る時間及び冷却時間も長くなり、ランニングコス
トも高価となる問題があつた。
の表面酸化及び母材の劣化が全体に及ぶ虞れがあ
るという重大な問題がある。またセラミツクスが
大型化すれば、それに伴い高温炉の設備が高価に
なり、炉が大きくなれば、所定の温度まで加熱す
る時間及び冷却時間も長くなり、ランニングコス
トも高価となる問題があつた。
上記の問題点を解決するために、請求項１にお
いては、セラミツクスの表面処理をする面に、一
層以上のメタライズ材を挿入して発熱体を接触さ
せ、発熱体の通電によるジユール熱によつて、メ
タライズ材及び表面処理をする面を加熱して表面
処理をする面を金属化することを特徴としてい
る。
いては、セラミツクスの表面処理をする面に、一
層以上のメタライズ材を挿入して発熱体を接触さ
せ、発熱体の通電によるジユール熱によつて、メ
タライズ材及び表面処理をする面を加熱して表面
処理をする面を金属化することを特徴としてい
る。
また、請求項２においては、セラミツクスの表
面処理をする面に、発熱体を兼用したメタライズ
材を接触させ、メタライズ材の通電によるジユー
ル熱によつて、メタライズ材及び表面処理をする
面を加熱して表面処理をする面を金属化すること
を特徴としている。
面処理をする面に、発熱体を兼用したメタライズ
材を接触させ、メタライズ材の通電によるジユー
ル熱によつて、メタライズ材及び表面処理をする
面を加熱して表面処理をする面を金属化すること
を特徴としている。
さらに、請求項３においては、セラミツクスの
表面処理をする面と発熱体を兼用したメタライズ
材との間に、接合材を挿入して表面処理をする面
を金属化することを特徴としている。
表面処理をする面と発熱体を兼用したメタライズ
材との間に、接合材を挿入して表面処理をする面
を金属化することを特徴としている。
実施例 １
第１図は、本発明の方法を適用した第１の実施
例を示す要部断面図であつて、例えば角柱状のセ
ラミツクスの表面処理をする面を一層のメタライ
ズ材で表面処理する場合を示している。まず、セ
ラミツクス１の処理をする面にメタライズ材２を
挿入して発熱体３を接触させた後、この上に絶縁
及び断熱効果を有する支持体４に載置して、セラ
ミツクス１の処理をする面と垂直方向に圧力を加
えて固定する。つぎに、図示しない電源装置に接
続された電極５ａ，５ｂを発熱体３の両端に取り
付ける。また、セラミツクス１の処理をする面と
メタライズ材２とを所定の処理温度に加熱するた
めに、温度センサ８を発熱体３の上部に位置する
箇所の支持体４内に埋込む。
例を示す要部断面図であつて、例えば角柱状のセ
ラミツクスの表面処理をする面を一層のメタライ
ズ材で表面処理する場合を示している。まず、セ
ラミツクス１の処理をする面にメタライズ材２を
挿入して発熱体３を接触させた後、この上に絶縁
及び断熱効果を有する支持体４に載置して、セラ
ミツクス１の処理をする面と垂直方向に圧力を加
えて固定する。つぎに、図示しない電源装置に接
続された電極５ａ，５ｂを発熱体３の両端に取り
付ける。また、セラミツクス１の処理をする面と
メタライズ材２とを所定の処理温度に加熱するた
めに、温度センサ８を発熱体３の上部に位置する
箇所の支持体４内に埋込む。
このような構成において、セラミツクス１を例
えばAl2O3とし、メタライズ材２を例えば
Cu2O／SiO2／Al2O3の混合物とし、これをペー
スト状にしてセラミツクス１上に約200μm塗布す
る。発熱体３としては、処理温度でメタライズ材
２と殆んど反応しないか、また反応しても容易に
分離できるものが選定され、例えばカーボン単体
またはBNなどの離型剤をコーテイングした金属
体もしくは導電性セラミツクスが使用できる。
えばAl2O3とし、メタライズ材２を例えば
Cu2O／SiO2／Al2O3の混合物とし、これをペー
スト状にしてセラミツクス１上に約200μm塗布す
る。発熱体３としては、処理温度でメタライズ材
２と殆んど反応しないか、また反応しても容易に
分離できるものが選定され、例えばカーボン単体
またはBNなどの離型剤をコーテイングした金属
体もしくは導電性セラミツクスが使用できる。
今、発熱体３の上に支持体４を載置し約
0.2MPaの圧力を加えて、電極５ａ，５ｂ間に電
圧を印加すると、発熱体３にジユール熱が発生
し、その結果メタライズ材２を含むセラミツクス
１の処理面全体が高温に加熱される。この場合、
雰囲気は大気として、1100〜1200℃の処理温度で
Cu2O／SiO2／Al2O3の混合物が溶融し、約５分
保持した後に冷却すると、セラミツクス１とメタ
ライズ材２とが強固に結合される。なお、発熱体
３を分離した後のセラミツクスの表面処理層は金
属化していないので、還元液中に浸すことにより
簡単に金属化される。
0.2MPaの圧力を加えて、電極５ａ，５ｂ間に電
圧を印加すると、発熱体３にジユール熱が発生
し、その結果メタライズ材２を含むセラミツクス
１の処理面全体が高温に加熱される。この場合、
雰囲気は大気として、1100〜1200℃の処理温度で
Cu2O／SiO2／Al2O3の混合物が溶融し、約５分
保持した後に冷却すると、セラミツクス１とメタ
ライズ材２とが強固に結合される。なお、発熱体
３を分離した後のセラミツクスの表面処理層は金
属化していないので、還元液中に浸すことにより
簡単に金属化される。
実施例 ２
第２図は、本発明の方法を適用した第２の実施
例を示す要部断面図であつて、実施例１とは異な
る種類のメタライズ材で表面処理するために、セ
ラミツクスの表面処理をする面を複数層、例えば
２層のメタライズ材で段階的に表面処理する場合
を示している。まず、セラミツクス１の処理をす
る面に２種類のメタライズ材２Ａ，２Ｂを挿入し
て発熱体３を接触させた後、この上に支持体４を
載置しセラミツクス１に圧力を加えて固定する。
つぎに、電極５ａ，５ｂ及び温度センサ８を実施
例１と同様に設置する。
例を示す要部断面図であつて、実施例１とは異な
る種類のメタライズ材で表面処理するために、セ
ラミツクスの表面処理をする面を複数層、例えば
２層のメタライズ材で段階的に表面処理する場合
を示している。まず、セラミツクス１の処理をす
る面に２種類のメタライズ材２Ａ，２Ｂを挿入し
て発熱体３を接触させた後、この上に支持体４を
載置しセラミツクス１に圧力を加えて固定する。
つぎに、電極５ａ，５ｂ及び温度センサ８を実施
例１と同様に設置する。
このような構成において、セラミツクス１を
Al2O3とし、メタライズ材２Ａを例えばCaO／
Al2O3／MgO／SiO2の混合物とし、これをペー
スト状にしてセラミツクス１上に約200μm塗布す
る。また、メタライズ材２Ｂを例えばMo箔と
し、発熱体３としては実施例１と同様に表面処理
後、メタライズ材２Ｂと容易に分離できるものが
選定される。
Al2O3とし、メタライズ材２Ａを例えばCaO／
Al2O3／MgO／SiO2の混合物とし、これをペー
スト状にしてセラミツクス１上に約200μm塗布す
る。また、メタライズ材２Ｂを例えばMo箔と
し、発熱体３としては実施例１と同様に表面処理
後、メタライズ材２Ｂと容易に分離できるものが
選定される。
今、発熱体３の上に支持体４を載置し約
0.2MPaの圧力を加えて電圧を印加すると、メタ
ライズ材２Ａ，２Ｂを含むセラミツクス１の処理
面全体が加熱される。この場合、雰囲気は
10-5Torrの真空として、約1600℃の処理温度で
CaO／Al2O3／MgO／SiO2の混合物のみが溶融
し、メタライズ材２Ａがセラミツクス１とメタラ
イズ材２Ｂとに反応してそれぞれ強固に結合され
る。
0.2MPaの圧力を加えて電圧を印加すると、メタ
ライズ材２Ａ，２Ｂを含むセラミツクス１の処理
面全体が加熱される。この場合、雰囲気は
10-5Torrの真空として、約1600℃の処理温度で
CaO／Al2O3／MgO／SiO2の混合物のみが溶融
し、メタライズ材２Ａがセラミツクス１とメタラ
イズ材２Ｂとに反応してそれぞれ強固に結合され
る。
なお、この実施例は実施例１と異なり、メタラ
イズ材がセラミツクスと簡単に反応しないため
に、強い結合が得られない場合に有効であつて、
この実施例の他の目的としては、熱応力緩和を考
慮する場合がある。すなわち、セラミツクスの熱
膨張係数をαcとし、このセラミツクスの金属化
された面と結合される金属の熱膨張係数をαdと
し、またメタライズ材２Ａ，２Ｂの熱膨張係数を
それぞれαa，αbとすれば、αc≦αa≦αb≦αdな
る関係を満足するように各材料が選定される。例
えば、その一つ例を示すと、セラミツクス１が
Si3N4、メタライズ材２ＡがTi／Ni合全箔、メタ
ライズ材２ＢがNi箔、発熱体３がBNコーテイン
グしたタングステン、接合金属がCuの組み合せ
がある。この場合の処理条件は、雰囲気が
10-5Torrの真空、処理温度が約1000℃、圧力が
約0.2MPaである。
イズ材がセラミツクスと簡単に反応しないため
に、強い結合が得られない場合に有効であつて、
この実施例の他の目的としては、熱応力緩和を考
慮する場合がある。すなわち、セラミツクスの熱
膨張係数をαcとし、このセラミツクスの金属化
された面と結合される金属の熱膨張係数をαdと
し、またメタライズ材２Ａ，２Ｂの熱膨張係数を
それぞれαa，αbとすれば、αc≦αa≦αb≦αdな
る関係を満足するように各材料が選定される。例
えば、その一つ例を示すと、セラミツクス１が
Si3N4、メタライズ材２ＡがTi／Ni合全箔、メタ
ライズ材２ＢがNi箔、発熱体３がBNコーテイン
グしたタングステン、接合金属がCuの組み合せ
がある。この場合の処理条件は、雰囲気が
10-5Torrの真空、処理温度が約1000℃、圧力が
約0.2MPaである。
実施例 ３
第３図は、本発明の方法を適用した第３の実施
例を示す要部断面図であつて、セラミツクスの処
理をする面に発熱体を兼用したメタライズ材を直
接接合して表面処理する場合を示している。ま
ず、セラミツクス１の処理をする面に発熱体を兼
用したメタライズ材６を接触させた後、この上に
支持体４を載置する。つぎに、電極５ａ，５ｂ及
び温度センサ８を実施例１と同様に設置する。
例を示す要部断面図であつて、セラミツクスの処
理をする面に発熱体を兼用したメタライズ材を直
接接合して表面処理する場合を示している。ま
ず、セラミツクス１の処理をする面に発熱体を兼
用したメタライズ材６を接触させた後、この上に
支持体４を載置する。つぎに、電極５ａ，５ｂ及
び温度センサ８を実施例１と同様に設置する。
このような構成において、セラミツクス１を
Al2O3とし、発熱体を兼用したメタライズ材６と
しては大きな圧力を加えて固相拡散を起こさせる
ものが選定され、例えばCuの薄板が使用できる。
Al2O3とし、発熱体を兼用したメタライズ材６と
しては大きな圧力を加えて固相拡散を起こさせる
ものが選定され、例えばCuの薄板が使用できる。
今、発熱体を兼用したメタライズ材６の上に支
持体４を載置し約10MPaの圧力を加えて電圧を
印加すると、セラミツクス１の処理面全体が加熱
される。この場合、雰囲気は10-5Torrの真空と
し、約1000℃の処理温度でメタライズ材６のCu
がセラミツクス１のAl2O3中に拡散し、セラミツ
クス１とメタライズ材６とが強固に結合される。
持体４を載置し約10MPaの圧力を加えて電圧を
印加すると、セラミツクス１の処理面全体が加熱
される。この場合、雰囲気は10-5Torrの真空と
し、約1000℃の処理温度でメタライズ材６のCu
がセラミツクス１のAl2O3中に拡散し、セラミツ
クス１とメタライズ材６とが強固に結合される。
なお、この実施例では、発熱体を兼用したメタ
ライズ材が結合されたままであるので、そのはみ
出し部分を除去する必要がある。
ライズ材が結合されたままであるので、そのはみ
出し部分を除去する必要がある。
実施例 ４
第４図は、本発明の方法を適用した第４の実施
例を示す要部断面図を示す図であつて、セラミツ
クスの処理をする面に発熱体を兼用したメタライ
ズ材を結合材により接合して表面処理する場合を
示している。まず、セラミツクス１の処理をする
面に接合材７を挿入して発熱体を兼用したメタラ
イズ材６を接触させた後、この上に支持体４を載
置する。つぎに、電極５ａ，５ｂ及び温度センサ
８を実施例１と同様に設置する。
例を示す要部断面図を示す図であつて、セラミツ
クスの処理をする面に発熱体を兼用したメタライ
ズ材を結合材により接合して表面処理する場合を
示している。まず、セラミツクス１の処理をする
面に接合材７を挿入して発熱体を兼用したメタラ
イズ材６を接触させた後、この上に支持体４を載
置する。つぎに、電極５ａ，５ｂ及び温度センサ
８を実施例１と同様に設置する。
このような構成において、セラミツクス１を
Al2O3とし、接合材７を例えばCaO／Al3O3／
MgO／SiO2の混合物とし、これをペースト状に
してセラミツクス１上に約200μm塗布する。ま
た、発熱体を兼用したメタライズ材６としては
Moの薄板が例示できる。
Al2O3とし、接合材７を例えばCaO／Al3O3／
MgO／SiO2の混合物とし、これをペースト状に
してセラミツクス１上に約200μm塗布する。ま
た、発熱体を兼用したメタライズ材６としては
Moの薄板が例示できる。
今、発熱体を兼用したメタライズ材６の上に支
持体４を載置し約0.2MPaの圧力を加えて電圧を
印加すると、接合材７を含むセラミツクスの処理
面全体が加熱される。この場合、雰囲気は
10-5Torrの真空とし、約1600℃の処理温度で
CaO／Al2O3／MgO／SiO2の混合物が溶融し、
接合材７がセラミツクス１と発熱体を兼用したメ
タライズ材６とに反応してそれぞれ強固に結合さ
れる。
持体４を載置し約0.2MPaの圧力を加えて電圧を
印加すると、接合材７を含むセラミツクスの処理
面全体が加熱される。この場合、雰囲気は
10-5Torrの真空とし、約1600℃の処理温度で
CaO／Al2O3／MgO／SiO2の混合物が溶融し、
接合材７がセラミツクス１と発熱体を兼用したメ
タライズ材６とに反応してそれぞれ強固に結合さ
れる。
なお、この実施例においても実施例３と同様
に、発熱体を兼用したメタライズ材のはみ出し部
分を除去する必要がある。
に、発熱体を兼用したメタライズ材のはみ出し部
分を除去する必要がある。
実施例 ５
第５図は、本発明の方法を適用した第５の実施
例を示す要部断面図であつて、実施例１の発熱体
を境にして上下部材を入れ替えて表面処理する場
合を示している。まず、セラミツクス１の処理を
する面にメタライズ材２を挿入して発熱体３を接
触させた後、これらを絶縁及び断熱効果を有する
支持体４に載置して、セラミツクス１の処理をす
る面と垂直方向に圧力を加えて固定する。つぎ
に、電極５ａ，５ｂを発熱体３の両端に取り付
け、またセラミツクス１の処理をする面とメタラ
イズ材２とを所定の処理温度に加熱するために、
温度センサ８を発熱体３の下部に位置する箇所の
支持体４４内に埋込む。
例を示す要部断面図であつて、実施例１の発熱体
を境にして上下部材を入れ替えて表面処理する場
合を示している。まず、セラミツクス１の処理を
する面にメタライズ材２を挿入して発熱体３を接
触させた後、これらを絶縁及び断熱効果を有する
支持体４に載置して、セラミツクス１の処理をす
る面と垂直方向に圧力を加えて固定する。つぎ
に、電極５ａ，５ｂを発熱体３の両端に取り付
け、またセラミツクス１の処理をする面とメタラ
イズ材２とを所定の処理温度に加熱するために、
温度センサ８を発熱体３の下部に位置する箇所の
支持体４４内に埋込む。
このような構成において、セラミツクス１，メ
タライズ材２及び発熱体３を実施例１と同様にし
て、セラミツクス１，メタライズ材２２及び発熱
体３を支持体４に載置し約0.2MPaの圧力を加え
て、電極５ａ，５ｂ間に電圧を印加する。
タライズ材２及び発熱体３を実施例１と同様にし
て、セラミツクス１，メタライズ材２２及び発熱
体３を支持体４に載置し約0.2MPaの圧力を加え
て、電極５ａ，５ｂ間に電圧を印加する。
以下、実施例１と同様であるので省略する。
なお、前述した実施例２についても発熱体を境
にして上下部材を入れ替えて表面処理してもよ
く、また実施例３，４についても発熱体を兼用し
たメタライズ材を境にして上下部材を入れ替えて
表面処理してもよい。
にして上下部材を入れ替えて表面処理してもよ
く、また実施例３，４についても発熱体を兼用し
たメタライズ材を境にして上下部材を入れ替えて
表面処理してもよい。
以上の実施例において、表面処理面積が大きい
場合、実施例１，２及び５では発熱体をセラミツ
クス及びメタライズ材に対して相対移動できる移
動手段を設け、実施例３，４では電極をセラミツ
クスまたはセラミツクス及び接合材に対して相対
移動できる移動手段を設ける。また、実施例１乃
至５では複数対の電極を設けるか、帯状の電極を
設ければよい。
場合、実施例１，２及び５では発熱体をセラミツ
クス及びメタライズ材に対して相対移動できる移
動手段を設け、実施例３，４では電極をセラミツ
クスまたはセラミツクス及び接合材に対して相対
移動できる移動手段を設ける。また、実施例１乃
至５では複数対の電極を設けるか、帯状の電極を
設ければよい。
なお、実施例１，２及び５は本発明の請求項１
に対応し、実施例３は本発明の請求項２に対応
し、実施例４は本発明の請求項３に対応する。
に対応し、実施例３は本発明の請求項２に対応
し、実施例４は本発明の請求項３に対応する。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、セラミツクス
の表面処理をする面をジユール熱によつて、直接
加熱して処理するようにしたので、セラミツクス
全体の表面酸化及び母材劣化を最小限にとどめる
ことができ、かつ短時間表面処理、設備費の低
減、ランニングコストの低減が可能であるという
実用上の価値が大である。
の表面処理をする面をジユール熱によつて、直接
加熱して処理するようにしたので、セラミツクス
全体の表面酸化及び母材劣化を最小限にとどめる
ことができ、かつ短時間表面処理、設備費の低
減、ランニングコストの低減が可能であるという
実用上の価値が大である。
第１図は、本発明の方法を適用した第１の実施
例を示す要部断面図、第２図は本発明の方法を適
用した第２の実施例を示す要部断面図、第３図は
本発明の方法を適用した第３の実施例を示す要部
断面図、第４図は本発明の方法を適用した第４の
実施例を示す要部断面図、第５図は本発明の方法
を適用した第５の実施例を示す要部断面図であ
る。 １…セラミツクス、２，２Ａ，２Ｂ…メタライ
ズ材、３…発熱体、５ａ，５ｂ…電極、６…発熱
体を兼用したメタライズ材、７…接合材。
例を示す要部断面図、第２図は本発明の方法を適
用した第２の実施例を示す要部断面図、第３図は
本発明の方法を適用した第３の実施例を示す要部
断面図、第４図は本発明の方法を適用した第４の
実施例を示す要部断面図、第５図は本発明の方法
を適用した第５の実施例を示す要部断面図であ
る。 １…セラミツクス、２，２Ａ，２Ｂ…メタライ
ズ材、３…発熱体、５ａ，５ｂ…電極、６…発熱
体を兼用したメタライズ材、７…接合材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツクスの表面処理をする面に、一層以
上のメタライズ材を挿入して発熱体を接触させ、
前記発熱体の通電によるジユール熱によつて、前
記メタライズ材及び表面処理をする面を加熱して
表面処理をする面を金属化するセラミツクスの表
面処理方法。 ２ セラミツクスの表面処理をする面に、発熱体
を兼用したメタライズ材を接触させ、前記メタラ
イズ材の通電によるジユール熱によつて、前記メ
タライズ材及び表面処理をする面を加熱して表面
処理をする面を金属化するセラミツクスの表面処
理方法。 ３ セラミツクスの表面処理をする面と発熱体を
兼用したメタライズ材との間に、接合材を挿入し
た請求項２記載のセラミツクスの表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4384688A JPH01219089A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミックスの表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4384688A JPH01219089A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミックスの表面処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219089A JPH01219089A (ja) | 1989-09-01 |
| JPH0535713B2 true JPH0535713B2 (ja) | 1993-05-27 |
Family
ID=12675093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4384688A Granted JPH01219089A (ja) | 1988-02-25 | 1988-02-25 | セラミックスの表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01219089A (ja) |
-
1988
- 1988-02-25 JP JP4384688A patent/JPH01219089A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01219089A (ja) | 1989-09-01 |
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