JPH0535992B2 - - Google Patents

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JPH0535992B2
JPH0535992B2 JP14654386A JP14654386A JPH0535992B2 JP H0535992 B2 JPH0535992 B2 JP H0535992B2 JP 14654386 A JP14654386 A JP 14654386A JP 14654386 A JP14654386 A JP 14654386A JP H0535992 B2 JPH0535992 B2 JP H0535992B2
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JP
Japan
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calculating
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sequence current
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JP14654386A
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English (en)
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JPS633274A (ja
Inventor
Kazunari Matsumura
Hiroaki Uchiumi
Hiromasa Tanaka
Satoru Kuroda
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Meidensha Corp
Original Assignee
Meidensha Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 A 産業上の利用分野 この発明は欠相検出方法に関する。
B 発明の概要 この発明は欠相リレーを用いないで欠相を検出
する方法において、 三相の電流を30゜毎にサンプリングして1サイ
クル分のサンプリングデータを検出し、これらデ
ータから最大波高値を求め、その最大波高値のサ
ンプリング値を起点として実軸成分の120゜、240゜
の各相のサンプリングデータを得、かつ前記起点
より90゜位相差のある点を起点として虚軸成分の
210゜、330゜の各相のサンプリングデータを得、両
成分の値を演算して正相分と逆相分電流を検出
し、検出された電流から不平衡率を演算し、予め
設定された不平衡率と比較することにより、 実軸と虚軸成分は90゜の位相差があることから
複素数演算を行うことなく、起点のサンプリング
データが1サイクル分の0゜であるのか、それ以外
かの判別ができるようにして欠相の予防保全を確
実にしたものである。
C 従来の技術 第2図はアナログによる欠相を検出する装置
で、第2図において、R,S,Tは三相線路で、
各相R,S,Tには補助変流器AuxCTが設けら
れている。補助変流器AuxCTの出力は半波整流
部REC1と全波整流部REC2に入力される。全波整
流部REC2の出力には各相の全波整流電圧(−
VR),(−VS),(−VT)が得られる。また、半波
整流部REC1の出力には三相の半波整流電圧(+
VO)が得られる。両整流部REC1,REC2の出力
は加算され、それぞれダイオードD1,D2,D3
介してレベル検出器LDに入力される。レベル検
出器LDの出力は電力増幅器PAで増幅されて、補
助リレーRYに供給される。なお、図中、PTは
変圧器、REC3は整流部、STBは定電圧制御部で
ある。
上記のように構成された従来の欠相検出装置か
らは次式が得られる。
(+VO)+(−VR)=KER (+VO)+(−VS)=KES (+VO)+(−VT)=KET …(1) (1)式において無負荷時と負荷時において次式が
成立する。
無負荷時 KER=KES=KET=0 負荷時 KER≒KES≒KET≦0 …(2) 上記式が成立しているとき、いま、R相が完全
欠相すると(−VR)=0となるから、KER>0と
なり、リレーRYが動作して、R相の欠相が検出
される。
D 発明が解決しようとする問題点 第2図に示したアナログによる欠相検出装置の
場合には上述したように完全欠相であると確実に
検出できる。しかし、上記検出装置は欠相になり
そうな状態を不平衡率で表示することができない
ため、欠相となりそうな状態を事前に検出でき
ず、欠相の予防保全を行うことができない問題が
ある。
E 問題点を解決するための手段 この発明は三相の電流を30゜毎にサンプリング
して1サイクル分のサンプリングデータをRAM
に格納する第1手段と、この手段により得られた
サンプリングデータから各相の波高値を演算し、
これら波高値から最大波高値の相を得る第2手段
と、この手段により得られた最大波高値の相のサ
ンプリングデータを起点として実軸成分の120゜と
240゜の各相のサンプリングデータを得た後加算
し、その加算値を2乗演算する第3手段と、前記
最大波高値の相のサンプリングデータの起点より
90゜位相差後のサンプリングデータから虚軸成分
の210゜と330゜の各相のサンプリングデータを得た
後加算し、その加算値を2乗演算する第4手段
と、前記第3手段で得た演算値と第4手段で得た
演算値とを加算し、その加算値の平方根を演算し
て正相分電流と逆相分電流を得、逆相分電流を正
相分電流で除算して不平衡率αを得る第5手段
と、この手段で得られた不平衡率αと予め設定さ
れた不平衡率α0とを比較する第6手段と、この第
6手段の比較結果よりα≧α0が所定回数連続した
ときに欠相として処理し、α<α0のときには処理
しないようにした第7手段とを備えたものであ
る。
F 作用 上記のような手段をとることにより、例えば三
相のうち一相が完全欠相の場合、その一相のサン
プリング時のデータが「0」となつて、その一相
の0゜(位相)と完全欠相時とのデータの「0」と
の区別が判断できなくなることを、90゜位相差を
取つた虚軸成分のサンプリングデータを用いるこ
とにより解決させた。すなわち、完全欠相の時、
サンプリングデータは実軸成分、虚軸成分とも
「0」であるが、完全欠相でない時は上記両成分
の値は等しくなくなるから判別可能となる。
G 実施例 以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明
する。
第1図において、1はR,S,T三相の電流を
30゜毎にサンプリングし、1サイクル分のサンプ
リングデータをRAMに格納する第1手段で、こ
の第1手段1で得られたサンプリングデータから
R,S,T三相の波高値を演算し、その波高値を
AR,AS,ATとする。なお、波高値は任意の2点
間(但し、90゜位相差のあること)の2乗を演算
することにより得られる。前記波高値AR,AS
ATから最大波高値Amaxを第2手段2により得
る。
ここで、アナログ・デジタル変換器(A/D変
換器)を用いてサンプリングするためのサンプリ
ング周波数を決定する場合について述べる。R,
S,T相の母線の周波数は商用周波数を対象にし
ているので、50Hzあるいは60Hzの2種類であるか
ら、各々について30゜サンプリングさせるために
は50Hzでは600Hz、60Hzでは720Hzのサンプリング
周波数が必要となる。
サンプリング周波数600Hzあるいは720Hzにより
A/D変換器に動作開始信号を与え、A/D変換
終了によりマイクロプロセツサへ割込みをかけ、
サンプリングデータを読み込む。この動作を12回
連続することにより、任意の地点より1サイクル
(360゜)のサンプリングデータが得られる。なお、
R,S,T相共に12回サンプリングは同期させて
行う。
上記のようなサンプリング手段を用いて、第2
手段2で得られた最大波高値の相のサンプリング
データを得るが、最大波高値が、R相の時はR相
を起点としてS相、T相の相順に、それがS相の
時はS相を起点としてT相、R相の相順に、及び
それがT相の時はT相を起点としてR相、S相の
相順でサンプリングデータをそれぞれピツクアツ
プする。
一例として最大波高値AmaxがT相の時とした
場合について以下述べる。
T相のサンプリングデータの起点をA点とする
と(イ)実軸成分、(ロ)虚軸成分のサンプリングデータ
は次のようになる。
(イ) 実軸成分 A点での T相のサンプリングデータIT1 A点より120゜後のR相 〃 〃 IR1 〃 120゜後のS相 〃 〃 IS1 〃 240゜後のR相 〃 〃 IR2 〃 240゜後のS相 〃 〃 IS1 (ロ) 虚軸成分 A点より90゜後のT相のサンプリングデータIT3 〃 210゜後のR相 〃 〃 IR3 〃 210゜後のS相 〃 〃 IS4 〃 330゜後のR相 〃 〃 IR4 〃 330゜後のS相 〃 〃 IS3 上記のようにして得られた最大波高値の相のサ
ンプリングデータIT1を起点とした実軸成分の120゜
と240゜の二相のサンプリングデータIR1,IS1及び
IS2,IR2を(IT1+IR1+IS1)及び(IT1+IR2+IS2)と
加算し、この加算値を第3手段3で(IT1+IR1
IS12及び(IT1+IR2+IS22と2乗する。また、第
4手段では虚軸成分の90゜位相差後のサンプリン
グデータIT3と、210゜と330゜の二相のサンプリング
データIS3,IR3及びIS4,IR4を(IT3+IS3+IR3)及び
(IT3+IS4+IR4)と加算し、この加算値を第4手段
4で(IT3+IS3+IR32及び(IT3+IS4+IR4 2と2乗す
る。
その後正相分電流と逆相分電流を得るために第
3手段3と第4手段4で得た演算値を加算し、そ
の加算値の平方根を演算する。このようにして演
算された正相分電流I1は √(T1R1S12+(T3R3S32 となり、また逆相分電流I2は √(T1R2S22+(T3R4S42 となる。得られた電流から第5手段5で不平衡率
αを得るために逆相分電流を正相分電流で除算す
る。次式は不平衡率αを得るものである。
α=|I2|/|I1|×100%=√(IT1+IR2+IS2
2+(IT3+IR4+IS42/√(IT1+IR1+IS12+(I
T3+IR3+IS32×100% 同様に最大波高値AmaxがR相及びS相のとき
は次式となる。
α=√(IR1+IS2+IT22+(IR3+IS4+IT42
/√(IR1+IS1+IT12+(IR3+IS3+IT32×100% α=√(IS1+IT2+IR22+(IS3+IT4+IR42
/√(IS1+IT1+IR12+(IS3+IT3+IR32×100% 上記第5手段で得られた不平衡率αと予め設定
された不平衡率α0とを第6手段6で比較し、この
比較結果から第7手段7でα≧α0の状態がn回連
続したときに欠相として処理する。また、α<α0
のときは正常として処理する。
H 発明の効果 以上述べたように、この発明によれば、サンプ
リングデータから最大波高値を得て、起点から実
軸成分の120゜、240゜のサンプリングデータと、前
記起点の90゜位相差後の虚軸成分の210゜、330゜のサ
ンプリングデータから加算と平方根演算を行うよ
うにしたので、完全欠相と完全欠相でない状態の
判別が確実にできるようになり、欠相に対する予
防保全が可能となる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示すブロツク
図、第2図はアナログによる欠相検出装置の構成
図である。 1……RAMに格納する第1手段、2……最大
波高値の相を得る第2手段、3……実軸成分の
120゜と240゜のサンプリングデータを加算して2乗
演算する第3手段、4……虚軸成分の210゜と330゜
のサンプリングデータを加算し2乗演算する第4
手段、5……不平衡率αを得る第5手段、6……
αとα0とを比較する第6手段、7……α≧α0が所
定回数連続したとき欠相として処理する第7手
段。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 三相の電流を30゜毎にサンプリングして1サ
    イクル分のサンプリングデータをRAMに格納す
    る第1手段と、この手段により得られたサンプリ
    ングデータから各相の波高値を演算し、これら波
    高値から最大波高値の相を得る第2手段と、この
    手段により得られた最大波高値の相のサンプリン
    グデータを起点として実軸成分の120゜と240゜の各
    相のサンプリングデータを得た後加算し、その加
    算値を2乗演算する第3手段と、前記最大波高値
    の相のサンプリングデータの起点より90゜位相差
    後のサンプリングデータから虚軸成分の210゜と
    330゜の各相のサンプリングデータを得た後加算
    し、その加算値を2乗演算する第4手段と、前記
    第3手段で得た演算値と第4手段で得た演算値と
    を加算し、その加算値の平方根を演算して正相分
    電流と逆相分電流を得、逆相分電流を正相分電流
    で除算して不平衡率αを得る第5手段と、この手
    段で得られた不平衡率αと予め設定された不平衡
    率α0とを比較する第6手段と、この第6手段の比
    較結果よりα≧α0が所定回数連続したときに欠相
    として処理し、α<α0のときには処理しないよう
    にした第7手段とからなる欠相検出方法。
JP14654386A 1986-06-23 1986-06-23 欠相検出方法 Granted JPS633274A (ja)

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CN105067899A (zh) * 2015-07-23 2015-11-18 苏州思奥半导体科技有限公司 一种电机控制系统的缺相检测方法
JP6929724B2 (ja) * 2017-07-12 2021-09-01 株式会社東芝 欠相検知装置、欠相検知システム、および欠相検知方法

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