JPH0536134A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0536134A JPH0536134A JP21308191A JP21308191A JPH0536134A JP H0536134 A JPH0536134 A JP H0536134A JP 21308191 A JP21308191 A JP 21308191A JP 21308191 A JP21308191 A JP 21308191A JP H0536134 A JPH0536134 A JP H0536134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- mnbi
- optical recording
- recording medium
- phase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭｎＢｉ系化合物を記録材料とする光磁気記
録ディスクの再生信号を大きくし、記録再生特性の繰り
返し安定性を高める。 【構成】 記録材料をＭｎＢｉ−Ｘ（但し、ＸはＢとＣ
のうちの少なくとも１種類を示す。）３とする。ＢとＣ
は、イオン半径が小さいため、ＭｎＢｉの格子間位置に
入り、ＭｎＢｉの低温相から高温相への構造相転移を抑
えることができる。このため、熱磁気書き込みをした場
合も、室温で準安定状態の高温相が残ることはない。
録ディスクの再生信号を大きくし、記録再生特性の繰り
返し安定性を高める。 【構成】 記録材料をＭｎＢｉ−Ｘ（但し、ＸはＢとＣ
のうちの少なくとも１種類を示す。）３とする。ＢとＣ
は、イオン半径が小さいため、ＭｎＢｉの格子間位置に
入り、ＭｎＢｉの低温相から高温相への構造相転移を抑
えることができる。このため、熱磁気書き込みをした場
合も、室温で準安定状態の高温相が残ることはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関し、
さらに詳しくは書き換え可能な光磁気ディスク等に用い
られ、磁気カー効果あるいは磁気ファラデー効果等の磁
気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒
体に関する。
さらに詳しくは書き換え可能な光磁気ディスク等に用い
られ、磁気カー効果あるいは磁気ファラデー効果等の磁
気光学効果を用いて読み出すことのできる光磁気記録媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体の材料としては、主とし
て以下の条件が要求される。 （ａ）垂直磁化膜であること。 （ｂ）大きな保磁力を有していること。 （ｃ）カー回転角が大きいこと。 Ｆｅ，Ｃｏ等にＴｂ，Ｇｄ等の重希土類を添加した場
合、磁気異方性が増加し垂直磁化膜になることが知られ
ている。こうしたことから、光磁気記録媒体の材料とし
てＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＣｏ，ＴｂＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ等の重希土類−３ｄ遷移金属非
晶質合金薄膜が前記の条件を満足し、かつ量産に適し、
読み出しノイズのないことから有望とされている。特に
ＴｂＦｅＣｏは、有望視され、実用材料となっている。
て以下の条件が要求される。 （ａ）垂直磁化膜であること。 （ｂ）大きな保磁力を有していること。 （ｃ）カー回転角が大きいこと。 Ｆｅ，Ｃｏ等にＴｂ，Ｇｄ等の重希土類を添加した場
合、磁気異方性が増加し垂直磁化膜になることが知られ
ている。こうしたことから、光磁気記録媒体の材料とし
てＧｄＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＣｏ，ＴｂＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ等の重希土類−３ｄ遷移金属非
晶質合金薄膜が前記の条件を満足し、かつ量産に適し、
読み出しノイズのないことから有望とされている。特に
ＴｂＦｅＣｏは、有望視され、実用材料となっている。
【０００３】一方、光磁気記録の高密度化の手段として
短波長レーザを使用し、記録領域を小さくすることが検
討されている。しかし、重希土類−３ｄ遷移金属非晶質
合金薄膜は、波長が短くなるにしたがってカー回転角が
小さくなるため、短波長レーザにより再生した場合、再
生出力が低下する。このため、新たな短波長用光磁気記
録材料が必要になる。ＭｎＢｉ化合物は、基板上にＢｉ
とＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を加熱し反応さ
せると、ＢｉのＣ軸配向性が保存されて、Ｃ軸配向のＭ
ｎＢｉ化合物となる。ＭｎＢｉ化合物は、Ｃ軸に強い磁
気異方性を有するために垂直磁化膜となる。また、Ｍｎ
Ｂｉ化合物は、短波長域においてもカー回転角が大きい
ため短波長用光磁気記録材料として有望である。基板上
にＢｉとＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を加熱し
反応させるためには、３００℃以上の温度雰囲気中に積
層膜を保持する必要があり、一般的には酸化防止のため
に真空電気炉内で反応を行っている。
短波長レーザを使用し、記録領域を小さくすることが検
討されている。しかし、重希土類−３ｄ遷移金属非晶質
合金薄膜は、波長が短くなるにしたがってカー回転角が
小さくなるため、短波長レーザにより再生した場合、再
生出力が低下する。このため、新たな短波長用光磁気記
録材料が必要になる。ＭｎＢｉ化合物は、基板上にＢｉ
とＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を加熱し反応さ
せると、ＢｉのＣ軸配向性が保存されて、Ｃ軸配向のＭ
ｎＢｉ化合物となる。ＭｎＢｉ化合物は、Ｃ軸に強い磁
気異方性を有するために垂直磁化膜となる。また、Ｍｎ
Ｂｉ化合物は、短波長域においてもカー回転角が大きい
ため短波長用光磁気記録材料として有望である。基板上
にＢｉとＭｎを順次成膜したＭｎ−Ｂｉ積層膜を加熱し
反応させるためには、３００℃以上の温度雰囲気中に積
層膜を保持する必要があり、一般的には酸化防止のため
に真空電気炉内で反応を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭｎＢ
ｉ化合物を光磁気記録材料として用いるためには次のよ
うな問題点がある。光磁気記録媒体の記録の原理は、レ
ーザ照射により記録材料の温度が磁気転移点を越えた部
分の磁化が、冷却過程で外部磁界の方向に向くことによ
る。ＭｎＢｉ化合物の磁気転移点は、１次の構造相転移
点と一致しているため、記録時の冷却過程で結晶構造の
異なる高温相が準安定状態として室温に残ることにな
る。この高温相のカー回転角はＮｉＡｓ型の低温相より
も小さいため、再生出力は低下してしまう。また、記録
・消去・再生を繰り返す過程で準安定状態の高温相が、
低温相に変態するため、記録情報が保存されなくなる。
本発明の目的は、このような従来の問題点を解決して、
再生信号が大きく、記録再生特性の繰り返し安定性の良
好なＭｎＢｉ系化合物を記録材料とする光磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
ｉ化合物を光磁気記録材料として用いるためには次のよ
うな問題点がある。光磁気記録媒体の記録の原理は、レ
ーザ照射により記録材料の温度が磁気転移点を越えた部
分の磁化が、冷却過程で外部磁界の方向に向くことによ
る。ＭｎＢｉ化合物の磁気転移点は、１次の構造相転移
点と一致しているため、記録時の冷却過程で結晶構造の
異なる高温相が準安定状態として室温に残ることにな
る。この高温相のカー回転角はＮｉＡｓ型の低温相より
も小さいため、再生出力は低下してしまう。また、記録
・消去・再生を繰り返す過程で準安定状態の高温相が、
低温相に変態するため、記録情報が保存されなくなる。
本発明の目的は、このような従来の問題点を解決して、
再生信号が大きく、記録再生特性の繰り返し安定性の良
好なＭｎＢｉ系化合物を記録材料とする光磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、膜面に垂直な
磁気容易軸を有するＭｎＢｉ−Ｘ（但し、ＸはボロンＢ
と炭素Ｃのうちの少なくとも１種類を示す。）で表され
る組成の化合物を情報記録材料とすることを特徴とする
光磁気記録媒体である。
磁気容易軸を有するＭｎＢｉ−Ｘ（但し、ＸはボロンＢ
と炭素Ｃのうちの少なくとも１種類を示す。）で表され
る組成の化合物を情報記録材料とすることを特徴とする
光磁気記録媒体である。
【０００６】
【作用】ＮｉＡｓ型ＭｎＢｉ化合物の構造相転移は、Ｍ
ｎが６配位の格子位置から、５配位の格子間位置に移動
することにより発生する。そのため、格子間位置を他の
原子であらかじめ埋めてしまうことにより低温相を安定
化させることができる。ＢとＣは、イオン半径が小さい
ため格子間位置に選択的にはいることができ、構造相転
移を抑えることができる。
ｎが６配位の格子位置から、５配位の格子間位置に移動
することにより発生する。そのため、格子間位置を他の
原子であらかじめ埋めてしまうことにより低温相を安定
化させることができる。ＢとＣは、イオン半径が小さい
ため格子間位置に選択的にはいることができ、構造相転
移を抑えることができる。
【０００７】
【実施例】次に本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。図１は、本発明の実施例における光
磁気記録媒体の部分断面図を示すものである。この光磁
気記録媒体は、ガラス基板１上に、中間層（スパッタに
よる窒化珪素膜）２を９５ｎｍの厚さに、ＭｎＢｉ−Ｂ
層（１０at％ Ｂ）３を蒸着で２０ｎｍの厚さに、干渉
層（スパッタによる窒化珪素膜）４を２０ｎｍの厚さ
に、反射層（スパッタによるＡｌ膜）５を３０ｎｍの厚
さに順次成膜し、ＮｉＡｓ型化合物を形成するように熱
処理した。この記録媒体を構造相転移温度以上に加熱し
た後、室温に急冷したところ、カー回転角の変化は見ら
れなかった。ＭｎＢｉ−Ｂ層の成膜には、蒸着法のほ
か、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンクラ
スタービーム法等が可能である。また、ＭｎＢｉ−Ｃ記
録層においても同様の効果がみられた。
て詳細に説明する。図１は、本発明の実施例における光
磁気記録媒体の部分断面図を示すものである。この光磁
気記録媒体は、ガラス基板１上に、中間層（スパッタに
よる窒化珪素膜）２を９５ｎｍの厚さに、ＭｎＢｉ−Ｂ
層（１０at％ Ｂ）３を蒸着で２０ｎｍの厚さに、干渉
層（スパッタによる窒化珪素膜）４を２０ｎｍの厚さ
に、反射層（スパッタによるＡｌ膜）５を３０ｎｍの厚
さに順次成膜し、ＮｉＡｓ型化合物を形成するように熱
処理した。この記録媒体を構造相転移温度以上に加熱し
た後、室温に急冷したところ、カー回転角の変化は見ら
れなかった。ＭｎＢｉ−Ｂ層の成膜には、蒸着法のほ
か、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンクラ
スタービーム法等が可能である。また、ＭｎＢｉ−Ｃ記
録層においても同様の効果がみられた。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光磁
気記録媒体は、磁気転移点以上の温度から急冷した場合
もカー回転角に変化はなく、本発明は高性能な光磁気記
録媒体を提供するという効果を有する。
気記録媒体は、磁気転移点以上の温度から急冷した場合
もカー回転角に変化はなく、本発明は高性能な光磁気記
録媒体を提供するという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
１ ガラス基板 ２ 中間層 ３ ＭｎＢｉ−Ｂ層 ４ 干渉層 ５ 反射層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 膜面に垂直な磁気容易軸を有するＭｎＢ
ｉ−Ｘ（但し、ＸはボロンＢと炭素Ｃのうちの少なくと
も１種類を示す。）で表される組成の化合物を情報記録
材料とすることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21308191A JPH0536134A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21308191A JPH0536134A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536134A true JPH0536134A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16633238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21308191A Pending JPH0536134A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536134A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192336A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法および光磁気記録媒体 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP21308191A patent/JPH0536134A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192336A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法および光磁気記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0118506B2 (ja) | ||
| JPH0570922B2 (ja) | ||
| JPS6115308A (ja) | 光磁気記録材料 | |
| JPS6079702A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US4925742A (en) | Thin-film having large Kerr rotation angle and production process thereof | |
| JPH10124943A (ja) | 光磁気記録媒体並びにその製造方法，再生方法及び再生装置 | |
| US5100741A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JP2550633B2 (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| JPH0782672B2 (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPH0232690B2 (ja) | ||
| EP0384746A2 (en) | Over write capable magnetooptical recording medium | |
| JP3022642B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2555245B2 (ja) | 光磁気記録媒体およびその製法 | |
| JPH0316049A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0619859B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3074104B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2647958B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3756052B2 (ja) | 光磁気記録媒体の再生方法 | |
| JPH0559497B2 (ja) | ||
| JP2705066B2 (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| KR970010942B1 (ko) | 광자기 기록매체 | |
| JP3010684B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0481269B2 (ja) | ||
| JPH01229443A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63317945A (ja) | 光磁気記録媒体 |