JPH0536280Y2 - - Google Patents
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- JPH0536280Y2 JPH0536280Y2 JP1987017335U JP1733587U JPH0536280Y2 JP H0536280 Y2 JPH0536280 Y2 JP H0536280Y2 JP 1987017335 U JP1987017335 U JP 1987017335U JP 1733587 U JP1733587 U JP 1733587U JP H0536280 Y2 JPH0536280 Y2 JP H0536280Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- metal film
- back electrode
- photovoltaic device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は入射光の一部を透過せしめる光起電力
装置に関する。
装置に関する。
(ロ) 従来の技術
光エネルギを電気エネルギに変換する光起電力
装置、所謂太陽電池にあつて、アモルフアスシリ
コンを主体としたアモルフアス太陽電池は大面積
化が容易なこと、低コスト化が可能なことなどの
特徴を持つことから、将来の電力用太陽電池とし
て非常に有望視されている。現在は、民生用機器
への応用の延長として、独立電源への使用が試み
られているが、その中で自動車用の電源又バツテ
リーの充電用への応用が行われ始めている(特開
昭58−50782号公報、及び/又は特開昭58−52884
号公報参照)。このように自動車用として太陽電
池を使用する場合には、車体の窓ガラスやサンル
ーフに太陽電池を取付けるのが通常であるが、こ
の方法によれば窓やサンルーフは不透明となり、
視界が悪く運転に支障をきたす恐れもある。した
がつてこのような欠点をなくすために、太陽電池
に数多くの穴を穿つたシースルー型の太陽電池が
本願出願人により考案され、実願昭61−87352号
として出願されている。
装置、所謂太陽電池にあつて、アモルフアスシリ
コンを主体としたアモルフアス太陽電池は大面積
化が容易なこと、低コスト化が可能なことなどの
特徴を持つことから、将来の電力用太陽電池とし
て非常に有望視されている。現在は、民生用機器
への応用の延長として、独立電源への使用が試み
られているが、その中で自動車用の電源又バツテ
リーの充電用への応用が行われ始めている(特開
昭58−50782号公報、及び/又は特開昭58−52884
号公報参照)。このように自動車用として太陽電
池を使用する場合には、車体の窓ガラスやサンル
ーフに太陽電池を取付けるのが通常であるが、こ
の方法によれば窓やサンルーフは不透明となり、
視界が悪く運転に支障をきたす恐れもある。した
がつてこのような欠点をなくすために、太陽電池
に数多くの穴を穿つたシースルー型の太陽電池が
本願出願人により考案され、実願昭61−87352号
として出願されている。
上記シースルー型の太陽電池に限らず、従来の
光起電力装置にあつて、光入射側から見て半導体
膜の背面側に設けられる背面電極は、受光面側の
電極のように全面的に透光性が要求されないの
で、受光面電極を構成するSnO2、In2O3、ITO等
のTCOに比してシート抵抗が小さく直列抵抗成
分の低下が図れるAl、Ag、TiAg、Ni、Au、Cr
等の金属膜を少なくとも一層含む単層或いは積層
構造となつている。
光起電力装置にあつて、光入射側から見て半導体
膜の背面側に設けられる背面電極は、受光面側の
電極のように全面的に透光性が要求されないの
で、受光面電極を構成するSnO2、In2O3、ITO等
のTCOに比してシート抵抗が小さく直列抵抗成
分の低下が図れるAl、Ag、TiAg、Ni、Au、Cr
等の金属膜を少なくとも一層含む単層或いは積層
構造となつている。
このように金属膜を少なくとも一層含む背面電
極をシースルー型の太陽電池に適用した場合、斯
る金属膜に数多くの透孔が数多く穿たれ、入射光
の一部の透過を許容する。
極をシースルー型の太陽電池に適用した場合、斯
る金属膜に数多くの透孔が数多く穿たれ、入射光
の一部の透過を許容する。
然し乍ら、背面電極の金属膜に分散配置された
透孔を介して入射光の一部を透過せしめる光起電
力装置において、背面側から受光面側を臨んだと
き、上記背面電極の金属膜の光沢が際立つて外観
を損ねるという欠点がある。斯る金属膜の光沢に
対し、着色樹脂のコーテイングが有効であるもの
の、コーテイングが不均一となると、色斑の原因
となるばかりか、透孔中にも浸入し入射光の透過
率を減少せしめる。
透孔を介して入射光の一部を透過せしめる光起電
力装置において、背面側から受光面側を臨んだと
き、上記背面電極の金属膜の光沢が際立つて外観
を損ねるという欠点がある。斯る金属膜の光沢に
対し、着色樹脂のコーテイングが有効であるもの
の、コーテイングが不均一となると、色斑の原因
となるばかりか、透孔中にも浸入し入射光の透過
率を減少せしめる。
(ハ) 考案が解決しようとする問題点
本考案光起電力装置は金属膜の光沢による外観
の低下を解決せんとするものである。
の低下を解決せんとするものである。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本考案は、透光性の絶縁基板の受光領域に、透
光性の受光面電極、半導体光活性層を含む半導体
膜及び金属膜を含む背面電極を積層した光起電力
装置であつて、上記受光領域は、入射光の一部を
透過せしめる、少なくとも背面電極の金属膜のな
い透過部を、複数個分散配置されていると共に、
上記金属膜のエツチングパターンと同一形状で、
且つ上記基板の膜形成面側から見た場合に、上記
金属膜の光沢を抑圧し得る着色レジスト膜を配置
せしめたことを特徴とする。
光性の受光面電極、半導体光活性層を含む半導体
膜及び金属膜を含む背面電極を積層した光起電力
装置であつて、上記受光領域は、入射光の一部を
透過せしめる、少なくとも背面電極の金属膜のな
い透過部を、複数個分散配置されていると共に、
上記金属膜のエツチングパターンと同一形状で、
且つ上記基板の膜形成面側から見た場合に、上記
金属膜の光沢を抑圧し得る着色レジスト膜を配置
せしめたことを特徴とする。
(ホ) 作用
上述の如く金属膜のエツチングパターンを規定
するレジスト膜をその金属膜のエツチングパター
トと同一形状で、且つ基板の膜形成面側から見た
場合に、その金属膜の光沢を抑圧し得るように着
色レジスト膜を配置せしめることによつて、斯る
レジスト膜は背面電極の金属膜の透孔に浸入する
ことなく当該金属膜の光沢を抑える。
するレジスト膜をその金属膜のエツチングパター
トと同一形状で、且つ基板の膜形成面側から見た
場合に、その金属膜の光沢を抑圧し得るように着
色レジスト膜を配置せしめることによつて、斯る
レジスト膜は背面電極の金属膜の透孔に浸入する
ことなく当該金属膜の光沢を抑える。
(ヘ) 実施例
図は本考案光起電力装置の一実施例を示し、第
1図は要部の拡大縦断面図、第2図は光照射方向
から臨んだ上面図であつて、1はガラス、透明プ
ラスチツク等の透光性の絶縁基板、2は上記絶縁
基板1の一方の主面1aを光入射面としたとき他
方の主面1bにおける受光領域(PR)に設けら
れた膜状光電変換素子で、本実施例にあつては単
一の素子として説明するが、通常斯る素子は米国
特許第4281208号の如く直列接続されている。上
記光電変換素子2は他方の主面1b側からSnO2、
In2O3、ITO等のTCOからなる受光面電極3と、
その内部に膜面に平行なpin、pn接合等の半導体
光活性層を含む半導体接合を備えたアモルフアス
シリコン、アモルフアスシリコンカーバイド、ア
モルフアスシリコンゲルマニウム等のアモルフア
スシリコン系の半導体膜4と、Al、Ag、Ti、
TiAg、Au、TCO/Ag、TCO/Al、TCO/
Au、Al/Ti、Al/TiAg、TCO/Al/Ti、
TCO/Al/TiAg、Al/Ti/Al/Ti等の直列抵
抗成分の低減に寄与する少なくとも一層の金属膜
を含む背面電極5と、の積層体からなる。
1図は要部の拡大縦断面図、第2図は光照射方向
から臨んだ上面図であつて、1はガラス、透明プ
ラスチツク等の透光性の絶縁基板、2は上記絶縁
基板1の一方の主面1aを光入射面としたとき他
方の主面1bにおける受光領域(PR)に設けら
れた膜状光電変換素子で、本実施例にあつては単
一の素子として説明するが、通常斯る素子は米国
特許第4281208号の如く直列接続されている。上
記光電変換素子2は他方の主面1b側からSnO2、
In2O3、ITO等のTCOからなる受光面電極3と、
その内部に膜面に平行なpin、pn接合等の半導体
光活性層を含む半導体接合を備えたアモルフアス
シリコン、アモルフアスシリコンカーバイド、ア
モルフアスシリコンゲルマニウム等のアモルフア
スシリコン系の半導体膜4と、Al、Ag、Ti、
TiAg、Au、TCO/Ag、TCO/Al、TCO/
Au、Al/Ti、Al/TiAg、TCO/Al/Ti、
TCO/Al/TiAg、Al/Ti/Al/Ti等の直列抵
抗成分の低減に寄与する少なくとも一層の金属膜
を含む背面電極5と、の積層体からなる。
6,6,6…は上記絶縁基板1の受光領域
(PR)において、斯る絶縁基板1の一方の主面1
a側から照射せしめられる入射光の一部を背面側
に透過すべく複数個分離配置された透過部で、受
光領域における受光面電極3上に半導体膜4及び
背面電極5の積層体を一面に形成後レジスト膜7
をマスクとするフオトリソグラフイ手法により選
択的にエツチング除去された微小径(0.1〜数mm)
の透孔によつて形成される。斯る透孔による透過
部6,6,6…の形状は本実施例にあつては第2
図に示す如く円形であるが、このような円形に限
ることなく任意の形状とすることができる。また
透過部6,6,6…が受光領域(PR)に占める
割合はほぼ光の透過率と等しくなるので、多くの
透過量を必要とする場合上記透過部6,6,6…
の面積を増やせば良いが、単に個々の透過部6,
6,6…の面積を大きくするのではなく小面積の
透過部6,6,6…を数多く設ける方が採光部の
分散が図れることとなり均一な採光状態が実現で
きる。
(PR)において、斯る絶縁基板1の一方の主面1
a側から照射せしめられる入射光の一部を背面側
に透過すべく複数個分離配置された透過部で、受
光領域における受光面電極3上に半導体膜4及び
背面電極5の積層体を一面に形成後レジスト膜7
をマスクとするフオトリソグラフイ手法により選
択的にエツチング除去された微小径(0.1〜数mm)
の透孔によつて形成される。斯る透孔による透過
部6,6,6…の形状は本実施例にあつては第2
図に示す如く円形であるが、このような円形に限
ることなく任意の形状とすることができる。また
透過部6,6,6…が受光領域(PR)に占める
割合はほぼ光の透過率と等しくなるので、多くの
透過量を必要とする場合上記透過部6,6,6…
の面積を増やせば良いが、単に個々の透過部6,
6,6…の面積を大きくするのではなく小面積の
透過部6,6,6…を数多く設ける方が採光部の
分散が図れることとなり均一な採光状態が実現で
きる。
而して、透光性の絶縁基板1における一方の主
面1a側から受光領域(PR)に照射せしめられ
た入射光の内、受光面電極3、半導体膜4及び背
面電極5の積層体からなる光電変換素子2に入射
した入射光は、光電変換動作のために吸収され電
気出力として外部に導出されると共に、半導体膜
4及び背面電極5のない透過部6,6,6…に入
射した入射光は透過し室内(或いは車内)に着色
のない自然光として採光される。このようにして
採光された自然光の光源を室内(或いは車内)か
ら臨むと、光起電力装置の背面が自ずと目に映え
ることになる。本考案光起電力装置にあつては、
背面側は金属膜を含む背面電極5のみならず、当
該背面電極5の金属膜に採光のための透孔を穿つ
エツチング工程においてマスクとして作用し、金
属膜のエツチングパターンを規定する着色レジス
ト膜7が残存している結果、入射光の一部透過を
何ら遮ることなく、金属膜の光沢が抑圧される。
斯るレジスト膜7はフオトリソグラフイに使用さ
れる液状フオトレジスト、ベースフイルムに予め
感光性フイルムを被着せしめた例えば日東電気工
業株式会社製商品名「ネオトロツク−E」、旭化
成工業株式会社製商品名「DFR−E15」等のドラ
イフイルムレジスト等が利用され、用途に応じた
種々の色が選択される。尚、上記ドライフイルム
レジストを使用したエツチング工程は本願出願人
に係る特開昭59−161883号公報に詳しい。
面1a側から受光領域(PR)に照射せしめられ
た入射光の内、受光面電極3、半導体膜4及び背
面電極5の積層体からなる光電変換素子2に入射
した入射光は、光電変換動作のために吸収され電
気出力として外部に導出されると共に、半導体膜
4及び背面電極5のない透過部6,6,6…に入
射した入射光は透過し室内(或いは車内)に着色
のない自然光として採光される。このようにして
採光された自然光の光源を室内(或いは車内)か
ら臨むと、光起電力装置の背面が自ずと目に映え
ることになる。本考案光起電力装置にあつては、
背面側は金属膜を含む背面電極5のみならず、当
該背面電極5の金属膜に採光のための透孔を穿つ
エツチング工程においてマスクとして作用し、金
属膜のエツチングパターンを規定する着色レジス
ト膜7が残存している結果、入射光の一部透過を
何ら遮ることなく、金属膜の光沢が抑圧される。
斯るレジスト膜7はフオトリソグラフイに使用さ
れる液状フオトレジスト、ベースフイルムに予め
感光性フイルムを被着せしめた例えば日東電気工
業株式会社製商品名「ネオトロツク−E」、旭化
成工業株式会社製商品名「DFR−E15」等のドラ
イフイルムレジスト等が利用され、用途に応じた
種々の色が選択される。尚、上記ドライフイルム
レジストを使用したエツチング工程は本願出願人
に係る特開昭59−161883号公報に詳しい。
実用に供せられる光起電力装置は、上記実施例
の如く単一の素子構造ではなく、米国特許第
4281208号の如く同一基板上に複数の素子を直列
接続した集積型構造となつていることは先に説明
した。第3図及び第4図は斯る集積型の実施例を
示し、第3図は背面方向から臨んだ斜視図、第4
図は第3図において円で囲んだ部分の拡大斜視図
である。斯る実施例にあつては第1図に示した単
位光電変換素子2,2…が5個同一基板1上に並
置され、それら光電変換素子2,2…は隣接間隔
部において互いに相い隣合う素子2,2…の受光
面電極3と背面電極5とが接触することによつて
電気的直列接続を完成している。尚、第1図及び
第2図の実施例と同一のこのについては同番号が
付してある。
の如く単一の素子構造ではなく、米国特許第
4281208号の如く同一基板上に複数の素子を直列
接続した集積型構造となつていることは先に説明
した。第3図及び第4図は斯る集積型の実施例を
示し、第3図は背面方向から臨んだ斜視図、第4
図は第3図において円で囲んだ部分の拡大斜視図
である。斯る実施例にあつては第1図に示した単
位光電変換素子2,2…が5個同一基板1上に並
置され、それら光電変換素子2,2…は隣接間隔
部において互いに相い隣合う素子2,2…の受光
面電極3と背面電極5とが接触することによつて
電気的直列接続を完成している。尚、第1図及び
第2図の実施例と同一のこのについては同番号が
付してある。
このように、本考案光起電力装置の如く入射光
の一部を透過する透過部6,6…のない従来の集
積型構造であつても、背面電極を各端子毎に分割
すべくレジスト膜を使用したフオトリソグラフイ
手法によるパターニングが行なわれている。そこ
で本考案にあつては、従来の背面電極のパターニ
ングに使用されていたレジスト膜に、多数の透孔
を穿つための開孔を設けるだけ、即ちレジスト膜
のパターンを変更するだけで良く、その結果専用
の製造工程を経ることなく、製造することができ
る。しかも、レジスト膜7を残存せしめることに
より、斯るレジスト膜7に対する剥離工程を削除
し得、製造工程の簡略化が図れる。
の一部を透過する透過部6,6…のない従来の集
積型構造であつても、背面電極を各端子毎に分割
すべくレジスト膜を使用したフオトリソグラフイ
手法によるパターニングが行なわれている。そこ
で本考案にあつては、従来の背面電極のパターニ
ングに使用されていたレジスト膜に、多数の透孔
を穿つための開孔を設けるだけ、即ちレジスト膜
のパターンを変更するだけで良く、その結果専用
の製造工程を経ることなく、製造することができ
る。しかも、レジスト膜7を残存せしめることに
より、斯るレジスト膜7に対する剥離工程を削除
し得、製造工程の簡略化が図れる。
(ト) 考案の効果
本考案光起電力装置は以上の説明から明らかな
如く、少なくとも背面電極の金属膜のエツチング
パターンを規定するレジスト膜をその金属膜のエ
ツチングパターンと同一形状で、且つ基板の膜形
成面側から見た場合に、その金属膜の光沢を抑圧
し得るように着色レジスト膜を配置せしめるの
で、斯るレジスト膜は上記金属膜の透過部を形成
する透孔に侵入し透過光を遮ることなく当該金属
膜の光沢を抑えることができる。また、レジスト
膜の種類を選択することによつて、背面色として
任意の色彩を得ることができ外観の向上が図れ
る。
如く、少なくとも背面電極の金属膜のエツチング
パターンを規定するレジスト膜をその金属膜のエ
ツチングパターンと同一形状で、且つ基板の膜形
成面側から見た場合に、その金属膜の光沢を抑圧
し得るように着色レジスト膜を配置せしめるの
で、斯るレジスト膜は上記金属膜の透過部を形成
する透孔に侵入し透過光を遮ることなく当該金属
膜の光沢を抑えることができる。また、レジスト
膜の種類を選択することによつて、背面色として
任意の色彩を得ることができ外観の向上が図れ
る。
第1図は本考案光起電力装置の一実施例を示す
縦断面図、第2図は一実施例を光照射方向から臨
んだ上面図、第3図は他の実施例の背面斜視図、
第4図は第3図の要部を拡大した背面斜視図、を
夫々示している。 1……絶縁基板、2……光電変換素子、3……
受光面電極、4……半導体膜、5……背面電極、
6……透過部、7……レジスト膜。
縦断面図、第2図は一実施例を光照射方向から臨
んだ上面図、第3図は他の実施例の背面斜視図、
第4図は第3図の要部を拡大した背面斜視図、を
夫々示している。 1……絶縁基板、2……光電変換素子、3……
受光面電極、4……半導体膜、5……背面電極、
6……透過部、7……レジスト膜。
Claims (1)
- 透光性の絶縁基板の受光領域に、透光性の受光
面電極、半導体光活性層を含む半導体膜及び金属
膜を含む背面電極を積層した光起電力装置であつ
て、上記受光領域は、入射光の一部を透過せしめ
る、少なくとも背面電極の金属膜のない透過部
を、複数個分散配置されていると共に、上記金属
膜のエツチングパターンと同一形状で、且つ上記
基板の膜形成面側から見た場合に、上記金属膜の
光沢を抑圧し得る着色レジスト膜を配置せしめた
ことを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987017335U JPH0536280Y2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | |
| US07/057,021 US4795500A (en) | 1985-07-02 | 1987-06-01 | Photovoltaic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987017335U JPH0536280Y2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127159U JPS63127159U (ja) | 1988-08-19 |
| JPH0536280Y2 true JPH0536280Y2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=30810001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987017335U Expired - Lifetime JPH0536280Y2 (ja) | 1985-07-02 | 1987-02-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536280Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH089747Y2 (ja) * | 1990-09-25 | 1996-03-21 | 三洋電機株式会社 | 電光表示装置 |
| WO2019062739A1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | (Cnbm) Bengbu Design & Research Institute For Glass Industry Co., Ltd | SEMI-TRANSPARENT THIN FILM SOLAR MODULE |
| EP3989294A1 (en) * | 2020-10-22 | 2022-04-27 | Meyer Burger (Germany) GmbH | Photovoltaic device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5982776A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
| JPS6037257U (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-14 | 富士電機株式会社 | 光起電力素子 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP1987017335U patent/JPH0536280Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63127159U (ja) | 1988-08-19 |
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