JPH0536669A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0536669A JPH0536669A JP3190389A JP19038991A JPH0536669A JP H0536669 A JPH0536669 A JP H0536669A JP 3190389 A JP3190389 A JP 3190389A JP 19038991 A JP19038991 A JP 19038991A JP H0536669 A JPH0536669 A JP H0536669A
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- crystal silicon
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- porous silicon
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光強度に悪影響を及ぼすことのない半導体
装置の製造方法を提供することにある。 【構成】 ｐ型単結晶シリコン基板１を陽極化成処理し
て多孔質シリコンを形成し、さらに、この単結晶シリコ
ン基板１を濃度５％のフッ酸に５分間浸漬して多孔質シ
リコンの表面に形成された酸化膜を除去する。
装置の製造方法を提供することにある。 【構成】 ｐ型単結晶シリコン基板１を陽極化成処理し
て多孔質シリコンを形成し、さらに、この単結晶シリコ
ン基板１を濃度５％のフッ酸に５分間浸漬して多孔質シ
リコンの表面に形成された酸化膜を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、可視領域の発光ダイオード材料と
してＧａＡｌＡｓやＧａＰ、ＧａＡｓＰ等のIII −Ｖ族
化合物半導体が既に実用化されている。しかし、これら
の化合物半導体はトランジスタやダイオード等の回路素
子作製に適していないため周辺回路と一体となったモノ
シリック型ＯＥＩＣは未だ実用化されていない。
してＧａＡｌＡｓやＧａＰ、ＧａＡｓＰ等のIII −Ｖ族
化合物半導体が既に実用化されている。しかし、これら
の化合物半導体はトランジスタやダイオード等の回路素
子作製に適していないため周辺回路と一体となったモノ
シリック型ＯＥＩＣは未だ実用化されていない。
【０００３】又、アプライド フィジックス レター
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）５７巻１０号（１
９９０年９月３日発行）の１０４６頁におけるキャンハ
ム（Ｌ．Ｔ．Ｃａｎｈａｍ）氏の論文によれば、集積回
路用材料として広く用いられているシリコンをフッ酸中
で陽極化成処理して多孔質シリコンを形成することによ
り、可視のフォトルミネッセンスが観測できることが報
告されている。
（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．）５７巻１０号（１
９９０年９月３日発行）の１０４６頁におけるキャンハ
ム（Ｌ．Ｔ．Ｃａｎｈａｍ）氏の論文によれば、集積回
路用材料として広く用いられているシリコンをフッ酸中
で陽極化成処理して多孔質シリコンを形成することによ
り、可視のフォトルミネッセンスが観測できることが報
告されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この多
孔質シリコンは、陽極化成処理の際のＳｉＯ2 が残って
おり、このＳｉＯ2 が発光強度に悪影響を及ぼしてい
る。
孔質シリコンは、陽極化成処理の際のＳｉＯ2 が残って
おり、このＳｉＯ2 が発光強度に悪影響を及ぼしてい
る。
【０００５】この発明の目的は、発光強度に悪影響を及
ぼすことのない半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
ぼすことのない半導体装置の製造方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、単結晶シリ
コンを陽極化成処理して多孔質シリコンを形成する第１
工程と、多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除
去する第２工程とを備えた半導体装置の製造方法をその
要旨とするものである。
コンを陽極化成処理して多孔質シリコンを形成する第１
工程と、多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除
去する第２工程とを備えた半導体装置の製造方法をその
要旨とするものである。
【０００７】
【作用】第１工程により単結晶シリコンが陽極化成処理
されて多孔質シリコンが形成され、第２工程により多孔
質シリコンの表面に形成された酸化膜が除去される。
されて多孔質シリコンが形成され、第２工程により多孔
質シリコンの表面に形成された酸化膜が除去される。
【０００８】
【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面
に従って説明する。図１に示すように、ｐ型単結晶シリ
コン基板１を用意し、その単結晶シリコン基板１の裏面
側にアルミ電極板２を配置し、ｐ型単結晶シリコン基板
１の表面が露出するように、アルミ電極板２をアルミ保
護用ワックス３で覆う。さらに、このようにしたｐ型単
結晶シリコン基板１を濃度約２５％のフッ酸４に浸し、
白金電極５を対向配置する。そして、ｐ型単結晶シリコ
ン基板１を陽極とし、白金電極５を陰極として定電流源
６から電流を流して、ｐ型単結晶シリコン基板１の表面
部分を陽極化成処理する。
に従って説明する。図１に示すように、ｐ型単結晶シリ
コン基板１を用意し、その単結晶シリコン基板１の裏面
側にアルミ電極板２を配置し、ｐ型単結晶シリコン基板
１の表面が露出するように、アルミ電極板２をアルミ保
護用ワックス３で覆う。さらに、このようにしたｐ型単
結晶シリコン基板１を濃度約２５％のフッ酸４に浸し、
白金電極５を対向配置する。そして、ｐ型単結晶シリコ
ン基板１を陽極とし、白金電極５を陰極として定電流源
６から電流を流して、ｐ型単結晶シリコン基板１の表面
部分を陽極化成処理する。
【０００９】これは、フッ酸４中において、Ｏ2-とＯＨ
- がｐ型単結晶シリコン基板１に引きつけられ、ｐ型単
結晶シリコン基板１の表面においてＯ2-とＯＨ- の電子
が奪われ活性な酸素が発生する。そして、この活性な酸
素にてＳｉＯ2 が形成され、このＳｉＯ2 がフッ酸４に
て溶解される。このようなメカニズムのもとに陽極化成
処理が行われ、ｐ型単結晶シリコン基板１の表面部分
に、径が５０Å程度の柱状の多孔質シリコンが形成され
る。尚、図１中、８は電流計である。
- がｐ型単結晶シリコン基板１に引きつけられ、ｐ型単
結晶シリコン基板１の表面においてＯ2-とＯＨ- の電子
が奪われ活性な酸素が発生する。そして、この活性な酸
素にてＳｉＯ2 が形成され、このＳｉＯ2 がフッ酸４に
て溶解される。このようなメカニズムのもとに陽極化成
処理が行われ、ｐ型単結晶シリコン基板１の表面部分
に、径が５０Å程度の柱状の多孔質シリコンが形成され
る。尚、図１中、８は電流計である。
【００１０】引き続き、図２に示すように、表面部分に
多孔質シリコンが形成されたｐ型単結晶シリコン基板１
を濃度５％のフッ酸７に５分間浸漬する。その結果、ｐ
型単結晶シリコン基板１の多孔質シリコンの表面での酸
化膜が除去される。
多孔質シリコンが形成されたｐ型単結晶シリコン基板１
を濃度５％のフッ酸７に５分間浸漬する。その結果、ｐ
型単結晶シリコン基板１の多孔質シリコンの表面での酸
化膜が除去される。
【００１１】図３には、この酸化膜除去処理を行った場
合と行わなかった場合のｐ型単結晶シリコン基板１のフ
ォトルミネッセンスの発光強度の測定結果を示す。その
結果、酸化膜除去処理を行うことによりフォトルミネッ
センスのピーク発光強度が約２倍に向上した。又、発光
ピークの波長の短波長側への移動が認められた。
合と行わなかった場合のｐ型単結晶シリコン基板１のフ
ォトルミネッセンスの発光強度の測定結果を示す。その
結果、酸化膜除去処理を行うことによりフォトルミネッ
センスのピーク発光強度が約２倍に向上した。又、発光
ピークの波長の短波長側への移動が認められた。
【００１２】このように本実施例では、ｐ型単結晶シリ
コン基板１を陽極化成処理して多孔質シリコンを形成し
（第１工程）、さらに、この単結晶シリコン基板１を濃
度５％のフッ酸に５分間浸漬して多孔質シリコンの表面
に形成された酸化膜を除去した（第２工程）。よって、
発光強度に悪影響を及ぼすことのない装置とすることが
でき、さらに、受光感度の向上や分光特性の短波長化が
期待できる。
コン基板１を陽極化成処理して多孔質シリコンを形成し
（第１工程）、さらに、この単結晶シリコン基板１を濃
度５％のフッ酸に５分間浸漬して多孔質シリコンの表面
に形成された酸化膜を除去した（第２工程）。よって、
発光強度に悪影響を及ぼすことのない装置とすることが
でき、さらに、受光感度の向上や分光特性の短波長化が
期待できる。
【００１３】尚、この発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、例えば、上記実施例では希フッ酸に浸漬し
て多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去した
が、その他にも、他の酸に浸漬したり、アルカリ（例え
ば、ＫＯＨ）に浸漬したり、ハロゲン等によるドライエ
ッチング処理にて多孔質シリコンの表面に形成された酸
化膜を除去してもよい。
のではなく、例えば、上記実施例では希フッ酸に浸漬し
て多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去した
が、その他にも、他の酸に浸漬したり、アルカリ（例え
ば、ＫＯＨ）に浸漬したり、ハロゲン等によるドライエ
ッチング処理にて多孔質シリコンの表面に形成された酸
化膜を除去してもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
発光強度に悪影響を及ぼすことのない装置を提供できる
優れた効果を発揮する。
発光強度に悪影響を及ぼすことのない装置を提供できる
優れた効果を発揮する。
【図１】陽極化成処理を説明するための図である。
【図２】酸化膜除去処理を説明するための図である。
【図３】波長と発光強度との関係を示す図である。
【符号の説明】
１ ｐ型単結晶シリコン基板
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶シリコンを陽極化成処理して多孔
質シリコンを形成する第１工程と、 多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去する第
２工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 前記第２工程は希フッ酸に浸漬して多孔
質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去するもので
ある請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038991A JP3341287B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19038991A JP3341287B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536669A true JPH0536669A (ja) | 1993-02-12 |
| JP3341287B2 JP3341287B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=16257354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19038991A Expired - Fee Related JP3341287B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3341287B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09181353A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | Ｓｉ微粒子の製造方法とＳｉ微粒子薄膜の製造方法及びＳｉ微粒子薄膜を用いた発光素子 |
| KR100329751B1 (ko) * | 1995-12-16 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다공질실리콘막을이용한산화막제조방법 |
| US7271299B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-09-18 | Basf Aktiengesellschaft | Two-stage method for producing butanediol with intermediated separation of succinic anhydride |
| JP2008218655A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Silicon Technology Co Ltd | 窒素化物半導体形成用基板、該基板を用いてなる窒化物半導体及びその製造法 |
-
1991
- 1991-07-30 JP JP19038991A patent/JP3341287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329751B1 (ko) * | 1995-12-16 | 2002-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다공질실리콘막을이용한산화막제조방법 |
| JPH09181353A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Toshiba Corp | Ｓｉ微粒子の製造方法とＳｉ微粒子薄膜の製造方法及びＳｉ微粒子薄膜を用いた発光素子 |
| US7271299B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-09-18 | Basf Aktiengesellschaft | Two-stage method for producing butanediol with intermediated separation of succinic anhydride |
| JP2008218655A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Silicon Technology Co Ltd | 窒素化物半導体形成用基板、該基板を用いてなる窒化物半導体及びその製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3341287B2 (ja) | 2002-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |