JPH0536733B2 - - Google Patents
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- JPH0536733B2 JPH0536733B2 JP2207265A JP20726590A JPH0536733B2 JP H0536733 B2 JPH0536733 B2 JP H0536733B2 JP 2207265 A JP2207265 A JP 2207265A JP 20726590 A JP20726590 A JP 20726590A JP H0536733 B2 JPH0536733 B2 JP H0536733B2
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- Electronic Switches (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、予め設定された検知エリア内に被検
知物体が存在するかどうかを判別して出力回路を
制御する反射型光電スイツチに関するものであ
る。
知物体が存在するかどうかを判別して出力回路を
制御する反射型光電スイツチに関するものであ
る。
第1図及び第2図は、この種の反射型光電スイ
ツチの基本例を示すもので、図中1は被検知物体
Xに対してパルス変調光よりなる光ビームPを投
光する投光手段であり、投光タイミングを設定す
る同期信号を発生する発振回路10と、ドライブ
回路11と、発光ダイオード、レーザーダイオー
ドなどの投光素子12と、光ビームPを形成する
コンデンサレンズよりなる投光用光学系13とで
形成されている。2は投光手段1から所定間隔l0
をもつて並置された受光手段であり、投、受光手
段1,2は被検知物体Xに対して三角測量的に配
置されている。
ツチの基本例を示すもので、図中1は被検知物体
Xに対してパルス変調光よりなる光ビームPを投
光する投光手段であり、投光タイミングを設定す
る同期信号を発生する発振回路10と、ドライブ
回路11と、発光ダイオード、レーザーダイオー
ドなどの投光素子12と、光ビームPを形成する
コンデンサレンズよりなる投光用光学系13とで
形成されている。2は投光手段1から所定間隔l0
をもつて並置された受光手段であり、投、受光手
段1,2は被検知物体Xに対して三角測量的に配
置されている。
この受光手段2は被検知物体Xによる反射光を
集光するための凸レンズよりなる受光用光学系3
と、受光用光学系3の集光面に配設され、集光ス
ポツトSの位置に対応した位置信号を出力する位
置検出手段4とで構成されており、この位置検出
手段4は、凸レンズよりなる受光用光学系3の集
光面内に配設され、距離lが変化した場合におけ
る集光スポツトSの移動方向(矢印M)に連設さ
れた2個の受光素子20a,20bにて形成され
ている。但し、この位置検出手段4として位置検
出素子(いわゆるPSD)を用いても良い。基本
例では、この受光素子20a,20bとしてホト
トランジスタ、ホトダイオード、太陽電池、CdS
などが用いられる。
集光するための凸レンズよりなる受光用光学系3
と、受光用光学系3の集光面に配設され、集光ス
ポツトSの位置に対応した位置信号を出力する位
置検出手段4とで構成されており、この位置検出
手段4は、凸レンズよりなる受光用光学系3の集
光面内に配設され、距離lが変化した場合におけ
る集光スポツトSの移動方向(矢印M)に連設さ
れた2個の受光素子20a,20bにて形成され
ている。但し、この位置検出手段4として位置検
出素子(いわゆるPSD)を用いても良い。基本
例では、この受光素子20a,20bとしてホト
トランジスタ、ホトダイオード、太陽電池、CdS
などが用いられる。
5は判別制御手段であり、位置検出手段4出力
に基づいて被検知物体Xが所定の検知エリアDE
内に存在するかどうかを判別して出力回路6を制
御するようになつている。この判別制御手段5
は、受光素子20a,20bからの出力電流IA,
IBを信号電圧VA,VBに増幅変換する受光回路2
1a,21bと、対数増幅回路22a,22b
と、対数増幅回路22a出力lnVAから対数増幅
回路22b出力lnVBを減算する減算回路23と、
減算回路23出力ln(VA/VB)と検知エリア設定
ボリウムVRにて設定された動作レベルVSとを比
較して減算回路23出力ln(VA/VB)が動作レベ
ルVS以下のときHレベルを出力する比較回路2
4と、投光素子12からの光ビームPの投光タイ
ミング(発振回路10から出力される同期信号)
に同期して比較回路24出力をサンプリングする
ことにより、被検知物体Xが検知エリアDE内に
存在するかどうかを確実に判別するようにした信
号処理回路25とで形成され、信号処理回路25
出力にて負荷制御用のリレー、負荷制御用の半導
体スイツチ素子などよりなる出力回路6を制御す
るようになつている。なお、受光回路21a,2
1bはパルス光信号のみを通し、直流光信号をカ
ツトしたり、特定の周波数のみを通すバンドパス
フイルタ回路を含むものである。
に基づいて被検知物体Xが所定の検知エリアDE
内に存在するかどうかを判別して出力回路6を制
御するようになつている。この判別制御手段5
は、受光素子20a,20bからの出力電流IA,
IBを信号電圧VA,VBに増幅変換する受光回路2
1a,21bと、対数増幅回路22a,22b
と、対数増幅回路22a出力lnVAから対数増幅
回路22b出力lnVBを減算する減算回路23と、
減算回路23出力ln(VA/VB)と検知エリア設定
ボリウムVRにて設定された動作レベルVSとを比
較して減算回路23出力ln(VA/VB)が動作レベ
ルVS以下のときHレベルを出力する比較回路2
4と、投光素子12からの光ビームPの投光タイ
ミング(発振回路10から出力される同期信号)
に同期して比較回路24出力をサンプリングする
ことにより、被検知物体Xが検知エリアDE内に
存在するかどうかを確実に判別するようにした信
号処理回路25とで形成され、信号処理回路25
出力にて負荷制御用のリレー、負荷制御用の半導
体スイツチ素子などよりなる出力回路6を制御す
るようになつている。なお、受光回路21a,2
1bはパルス光信号のみを通し、直流光信号をカ
ツトしたり、特定の周波数のみを通すバンドパス
フイルタ回路を含むものである。
今、被検知物体Xが第3図aに示すように反射
型光電スイツチYから距離la,lb,lcの位置a,
b,cに存在する場合において、集光面内に配設
された受光素子20a,20bに対する集光スポ
ツトSの位置はそれぞれ第3図bのようになり、
被検知物体Xの位置が光ビームPの投光方向に変
化すると、集光スポツトSが矢印M方向に移動し
て受光素子20a,20bに入射する光量の比率
が変化することになり、受光素子20a,20b
の出力電流IA,IBは集光スポツトSの位置に対応
した位置信号となる。
型光電スイツチYから距離la,lb,lcの位置a,
b,cに存在する場合において、集光面内に配設
された受光素子20a,20bに対する集光スポ
ツトSの位置はそれぞれ第3図bのようになり、
被検知物体Xの位置が光ビームPの投光方向に変
化すると、集光スポツトSが矢印M方向に移動し
て受光素子20a,20bに入射する光量の比率
が変化することになり、受光素子20a,20b
の出力電流IA,IBは集光スポツトSの位置に対応
した位置信号となる。
判別制御手段5では受光回路21a,21bに
てこの電流IA,IBに比例した電圧VA,VBを形成
し、対数増幅回路22a,22bにて対数増幅し
た電圧lnVA,lnVBを減算回路23にて減算する
ことにより、減算回路23から受光素子20a,
20bに入射する光量の比率の対数値ln(VA/
VB)が出力されることになる。この減算回路2
3出力ln(VA/VB)は、反射型光電スイツチYか
ら被検知物体Xまでの距離lに応じて変化し、距
離lに対する減算回路23出力ln(VA/VB)は、
第4図に示すようになる。
てこの電流IA,IBに比例した電圧VA,VBを形成
し、対数増幅回路22a,22bにて対数増幅し
た電圧lnVA,lnVBを減算回路23にて減算する
ことにより、減算回路23から受光素子20a,
20bに入射する光量の比率の対数値ln(VA/
VB)が出力されることになる。この減算回路2
3出力ln(VA/VB)は、反射型光電スイツチYか
ら被検知物体Xまでの距離lに応じて変化し、距
離lに対する減算回路23出力ln(VA/VB)は、
第4図に示すようになる。
従つて、比較回路24の検知エリア設定ボリウ
ムVRにて動作レベルVSを適当に設定することに
より、正確な検知エリアDEが容易に設定でき、
減算回路23出力ln(VA/VB)が動作レベルVS以
上となつたとき、比較回路24出力がHレベルと
なり、信号処理回路25を介して出力回路6が作
動される。
ムVRにて動作レベルVSを適当に設定することに
より、正確な検知エリアDEが容易に設定でき、
減算回路23出力ln(VA/VB)が動作レベルVS以
上となつたとき、比較回路24出力がHレベルと
なり、信号処理回路25を介して出力回路6が作
動される。
この場合、判別制御手段5は、受光素子20
a,20b出力のレベル比を演算し、そのレベル
比が予め設定された動作レベルVSのとき、出力
回路6を作動させるようになつており、被検知物
体Xによる反射光Rのレベルと関係なく検知エリ
アDEが設定されるようになつているので、検知
エリアDEの後方に存在する光反射率の大きい物
体による誤動作が防止できるとともに、被検知物
体Xの光反射率に関係なく検知エリアDEを設定
でき、さらに投、受光用光学系13,3の汚れの
影響を受けることがないようになつている。
a,20b出力のレベル比を演算し、そのレベル
比が予め設定された動作レベルVSのとき、出力
回路6を作動させるようになつており、被検知物
体Xによる反射光Rのレベルと関係なく検知エリ
アDEが設定されるようになつているので、検知
エリアDEの後方に存在する光反射率の大きい物
体による誤動作が防止できるとともに、被検知物
体Xの光反射率に関係なく検知エリアDEを設定
でき、さらに投、受光用光学系13,3の汚れの
影響を受けることがないようになつている。
ところで、このような基本例において、被検知
物体Xが光ビームPを遮るように例えば、光ビー
ムPの投光方向と直交する方向(矢印Z)に移動
し、光ビームPが一定のビーム径(ΔP)を有し
ている場合において、被検知物体Xに光ビームP
が完全に照射(P1〜P3部分が照射)されている
か否かによつて誤動作が発生するという問題があ
つた。すなわち、光ビームPが第5図aに示すよ
うに、被検知物体Xに完全に照射されている場合
にあつては、位置検出手段4上の集光スポツトS
のスポツト径はx1−x3であり、その中心位置はx2
となり、被検知物体Xの距離l2に対応する位置情
報として集光スポツトSの中心位置x2に基づいた
位置信号IA,IBが出力されることになる。
物体Xが光ビームPを遮るように例えば、光ビー
ムPの投光方向と直交する方向(矢印Z)に移動
し、光ビームPが一定のビーム径(ΔP)を有し
ている場合において、被検知物体Xに光ビームP
が完全に照射(P1〜P3部分が照射)されている
か否かによつて誤動作が発生するという問題があ
つた。すなわち、光ビームPが第5図aに示すよ
うに、被検知物体Xに完全に照射されている場合
にあつては、位置検出手段4上の集光スポツトS
のスポツト径はx1−x3であり、その中心位置はx2
となり、被検知物体Xの距離l2に対応する位置情
報として集光スポツトSの中心位置x2に基づいた
位置信号IA,IBが出力されることになる。
同様にして、被検知物体Xまでの距離がl1,l3
で光ビームPが被検知物体Xに完全に照射されて
いる場合、その場合の集光スポツトSの中心位置
x1,x3に基づいた位置信号IA,IBが被検知物体X
の距離l1,l3に対応する位置情報として出力され
る。この場合、集光スポツトSの中心位置xは、
x=(l0×f)/lとなる。但し、fは受光用光
学系3の焦点距離である。
で光ビームPが被検知物体Xに完全に照射されて
いる場合、その場合の集光スポツトSの中心位置
x1,x3に基づいた位置信号IA,IBが被検知物体X
の距離l1,l3に対応する位置情報として出力され
る。この場合、集光スポツトSの中心位置xは、
x=(l0×f)/lとなる。但し、fは受光用光
学系3の焦点距離である。
しかしながら、今、光ビームPを遮るように例
えば、Z方向に移動する被検知物体Xが第5図b
のような位置にあり、光ビームPのP1部分のみ
が被検知物体Xに照射されている場合には、位置
検出手段4上の集光スポツトSのスポツト径は微
小な値となり、集光スポツトSの中心位置はほぼ
x1となる。この場合、集光スポツトSの中心位置
に基づいた位置信号IA,IBが被検知物体Xの位置
情報として出力され、この位置情報は、被検知物
体Xが距離l1に存在する場合のものと同一である
ので、被検知物体Xの位置を実際の位置よりも近
いと判断してしまうという問題がある。
えば、Z方向に移動する被検知物体Xが第5図b
のような位置にあり、光ビームPのP1部分のみ
が被検知物体Xに照射されている場合には、位置
検出手段4上の集光スポツトSのスポツト径は微
小な値となり、集光スポツトSの中心位置はほぼ
x1となる。この場合、集光スポツトSの中心位置
に基づいた位置信号IA,IBが被検知物体Xの位置
情報として出力され、この位置情報は、被検知物
体Xが距離l1に存在する場合のものと同一である
ので、被検知物体Xの位置を実際の位置よりも近
いと判断してしまうという問題がある。
また、被検知物体Xが第5図cのような位置に
移動し、光ビームPのP3部分のみが被検知物体
Xに照射している場合には、位置検出手段4上の
集光スポツトSの中心位置はほぼx3となり、集光
スポツトSの中心位置x3に基づいた位置信号IA,
IBが被検知物体Xの位置情報として出力され、あ
たかも被検知物体Xが距離l3の位置にあると認識
され、実際の位置よりも遠いと判断してしまうと
いう問題があつた。つまり、被検知物体Xが光ビ
ームPに入るときと出るときに誤動作が生じるこ
とになる。
移動し、光ビームPのP3部分のみが被検知物体
Xに照射している場合には、位置検出手段4上の
集光スポツトSの中心位置はほぼx3となり、集光
スポツトSの中心位置x3に基づいた位置信号IA,
IBが被検知物体Xの位置情報として出力され、あ
たかも被検知物体Xが距離l3の位置にあると認識
され、実際の位置よりも遠いと判断してしまうと
いう問題があつた。つまり、被検知物体Xが光ビ
ームPに入るときと出るときに誤動作が生じるこ
とになる。
ところで、集光スポツトSの中心位置のずれ
Δx(x1−x2、x3−x2)は、 Δx=(ΔP×f)/2l であり、集光スポツトSの中心位置xは前述のよ
うに、 x=(l0×f)/l であり、 (Δx/x)=(ΔP/2l0) を小さくすれば上記誤動作を軽減できることにな
るが、投光手段1と受光手段2との間の距離l0を
長くすること、及びビーム径ΔPを細くすること
に対しては種々の制限があり、根本的解決にはな
らないものである。
Δx(x1−x2、x3−x2)は、 Δx=(ΔP×f)/2l であり、集光スポツトSの中心位置xは前述のよ
うに、 x=(l0×f)/l であり、 (Δx/x)=(ΔP/2l0) を小さくすれば上記誤動作を軽減できることにな
るが、投光手段1と受光手段2との間の距離l0を
長くすること、及びビーム径ΔPを細くすること
に対しては種々の制限があり、根本的解決にはな
らないものである。
本発明は、上述の点に鑑みて提供したものであ
つて、被検知物体が投光手段から投光される光ビ
ームを遮るように移動し、光ビームがビーム径を
有している場合における誤動作を防止することを
目的としたものである。
つて、被検知物体が投光手段から投光される光ビ
ームを遮るように移動し、光ビームがビーム径を
有している場合における誤動作を防止することを
目的としたものである。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。第6図及び第7図は本発明一実施例を示す
もので、前述の基本例と同様の投光手段1を有
し、投光手段1の両側に夫々所定間隔l0をもつて
受光手段21,22を配設したものである。投光手
段1の光軸に対して対称に配置された受光手段2
1,22の受光用光学系31,32は被検知物体Xに
よる光ビームPの反射光をそれぞれ集光するよう
になつており、両受光用光学系31,32の集光面
には集光スポツトSの位置に対応した位置信号を
出力する位置検出手段41,42がそれぞれ配設さ
れている。
する。第6図及び第7図は本発明一実施例を示す
もので、前述の基本例と同様の投光手段1を有
し、投光手段1の両側に夫々所定間隔l0をもつて
受光手段21,22を配設したものである。投光手
段1の光軸に対して対称に配置された受光手段2
1,22の受光用光学系31,32は被検知物体Xに
よる光ビームPの反射光をそれぞれ集光するよう
になつており、両受光用光学系31,32の集光面
には集光スポツトSの位置に対応した位置信号を
出力する位置検出手段41,42がそれぞれ配設さ
れている。
位置検出手段41,42はそれぞれ一対の受光素
子201A,201B,202A,202BをM方向に連
設して形成されている。なお、実施例では受光手
段21,22と投光手段1との間隔は同一となつて
いるが、夫々異なつた間隔に設定しても良く、こ
の場合、受光素子201A,201B,202A,202
Bの寸法を変えるか、後述する判別制御手段5の
演算にて補正すれば良い。また、受光用光学系3
1,32の光軸を投光手段1の光ビームPと交叉さ
せるようにしても良く、更にまた、実施例では受
光用光学系31,32と投光用光学系13と、受光
素子201A,201B,202A,202Bは互いに平
行となつているが、必ずしも平行でなくても良
い。
子201A,201B,202A,202BをM方向に連
設して形成されている。なお、実施例では受光手
段21,22と投光手段1との間隔は同一となつて
いるが、夫々異なつた間隔に設定しても良く、こ
の場合、受光素子201A,201B,202A,202
Bの寸法を変えるか、後述する判別制御手段5の
演算にて補正すれば良い。また、受光用光学系3
1,32の光軸を投光手段1の光ビームPと交叉さ
せるようにしても良く、更にまた、実施例では受
光用光学系31,32と投光用光学系13と、受光
素子201A,201B,202A,202Bは互いに平
行となつているが、必ずしも平行でなくても良
い。
位置検出手段41,42の出力は、前述の基本例
と同様の判別制御手段5出力に基づいて被検知物
体Xが所定検知エリアDE内に存在するかどうか
を判別して出力回路6を制御するようになつてお
り、両位置検出手段4からは被検知物体Xに光ビ
ームPの一部が照射された場合において相反的な
位置信号が出力されるので、光ビームPの一部が
被検知物体Xに照射された場合における異常位置
信号を補正することができ、被検知物体Xに光ビ
ームPが完全に照射されない場合の誤動作を防止
することができるようになつている。
と同様の判別制御手段5出力に基づいて被検知物
体Xが所定検知エリアDE内に存在するかどうか
を判別して出力回路6を制御するようになつてお
り、両位置検出手段4からは被検知物体Xに光ビ
ームPの一部が照射された場合において相反的な
位置信号が出力されるので、光ビームPの一部が
被検知物体Xに照射された場合における異常位置
信号を補正することができ、被検知物体Xに光ビ
ームPが完全に照射されない場合の誤動作を防止
することができるようになつている。
すなわち、実施例1にあつては、受光素子20
2A,201Aから出力される信号電流I2A,I1Aの和
を位置信号IAとして受光回路21aに入力すると
ともに、受光素子202B,201Bから出力される
信号電流I2B,I1Bの和を位置信号IBとして受光回
路21bに入力し、基本例と同様に位置信号IA,
IBに比例した電圧VA,VBを形成し、対数増幅回
路22a,22bにて対数増幅した電圧lnVA,
lnVBを減算回路23にて減算し、減算回路23
出力ln(VA/VB)に基づいて被検知物体Xまでの
距離lを判別して出力回路6を制御するようにな
つている。
2A,201Aから出力される信号電流I2A,I1Aの和
を位置信号IAとして受光回路21aに入力すると
ともに、受光素子202B,201Bから出力される
信号電流I2B,I1Bの和を位置信号IBとして受光回
路21bに入力し、基本例と同様に位置信号IA,
IBに比例した電圧VA,VBを形成し、対数増幅回
路22a,22bにて対数増幅した電圧lnVA,
lnVBを減算回路23にて減算し、減算回路23
出力ln(VA/VB)に基づいて被検知物体Xまでの
距離lを判別して出力回路6を制御するようにな
つている。
(実施例の動作)
今、被検知物体Xに光ビームPが完全に照射さ
れている場合、位置検出手段41上の集光スポツ
トS1のスポツト径は、x1−x3となり、その中心位
置はx2となるとともに、位置検出手段42上の集
光スポツトS2のスポツト径は、x1′−x3′となり、
その中心位置はx2′となり、同一の位置検出手段
41,42を投光手段1の光ビームPに対して対称
に配置しているので、x1=x1′、,x2=x2′、x3=
x3′となる。従つて、位置検出手段41,42の各
受光素子201A,201B,202A,202Bに対応
する信号電流I1A,I1B,I2A,I2Bが出力され、この
場合、I1A=I2A、I1B=I2Bとなつており、信号電流
I1A,I2Aの和(2I1A=IA)と、信号電流I1B,I2Bの
和(2I1B=IB)との比、すなわちVA/VBは、
I1A/I1Bとなり、基本例と全く同様にして被検知
物体Xまでの距離lが判別され、出力回路6が制
御される。
れている場合、位置検出手段41上の集光スポツ
トS1のスポツト径は、x1−x3となり、その中心位
置はx2となるとともに、位置検出手段42上の集
光スポツトS2のスポツト径は、x1′−x3′となり、
その中心位置はx2′となり、同一の位置検出手段
41,42を投光手段1の光ビームPに対して対称
に配置しているので、x1=x1′、,x2=x2′、x3=
x3′となる。従つて、位置検出手段41,42の各
受光素子201A,201B,202A,202Bに対応
する信号電流I1A,I1B,I2A,I2Bが出力され、この
場合、I1A=I2A、I1B=I2Bとなつており、信号電流
I1A,I2Aの和(2I1A=IA)と、信号電流I1B,I2Bの
和(2I1B=IB)との比、すなわちVA/VBは、
I1A/I1Bとなり、基本例と全く同様にして被検知
物体Xまでの距離lが判別され、出力回路6が制
御される。
一方、被検知物体Xに光ビームPのP1部分の
みが照射されている場合、各位置検出手段41,
42上の集光スポツトS1,S2の中心位置は、x1,
x3′となり、この中心位置x1,x3′は、 x1=f/l(l+ΔP/2) x3′=f/l(l0−ΔP/2) となる。ここに、位置検出手段41,42の信号電
流I1A,I2Aの和IA及び信号電流I1B,I2Bの和IBをと
ることにより、 x1+x3′=f/l(l0+P/2)+f/l(l0−ΔP
/2) =2×(f/l)l0=2・x2 に対応する位置情報が得られることになり、上式
から明らかなようにx1+x3′/2は、被検知物体
Xの正確な距離lを示しており、判別制御手段5
にてln(IA/IB)を演算することにより、被検知物
体Xの位置を正確に判断できることになる。同様
にして被検知物体Xに光ビームPのP3部分のみ
が照射された場合にも被検知物体Xの位置を正確
に判断でき、被検知物体Xが光ビームPと直交す
る方向(Z方向)に移動し、光ビームPが一定の
ビーム径ΔPを有する場合にあつても、被検知物
体Xの位置が正確に判断され、被検知物体Xが光
ビームPに入るときと、出るときにおける誤動作
を防止できる。
みが照射されている場合、各位置検出手段41,
42上の集光スポツトS1,S2の中心位置は、x1,
x3′となり、この中心位置x1,x3′は、 x1=f/l(l+ΔP/2) x3′=f/l(l0−ΔP/2) となる。ここに、位置検出手段41,42の信号電
流I1A,I2Aの和IA及び信号電流I1B,I2Bの和IBをと
ることにより、 x1+x3′=f/l(l0+P/2)+f/l(l0−ΔP
/2) =2×(f/l)l0=2・x2 に対応する位置情報が得られることになり、上式
から明らかなようにx1+x3′/2は、被検知物体
Xの正確な距離lを示しており、判別制御手段5
にてln(IA/IB)を演算することにより、被検知物
体Xの位置を正確に判断できることになる。同様
にして被検知物体Xに光ビームPのP3部分のみ
が照射された場合にも被検知物体Xの位置を正確
に判断でき、被検知物体Xが光ビームPと直交す
る方向(Z方向)に移動し、光ビームPが一定の
ビーム径ΔPを有する場合にあつても、被検知物
体Xの位置が正確に判断され、被検知物体Xが光
ビームPに入るときと、出るときにおける誤動作
を防止できる。
本発明は上述のように、移動する被検知物体に
対して光ビームを投光する投光手段と、投光手段
の両側に夫々所定間隔をもつて配設され、被検知
物体による光ビームの反射光を集光する第1、第
2の受光用光学系と、第1、第2の受光用光学系
の集光面にそれぞれ配設され集光スポツトの位置
に対応した位置信号を出力する第1、第2の一対
の受光素子と、第1の受光素子の出力をI1A,I1B
とし、第2の受光素子の出力をI2A,I2Bとして、
両受光素子出力を式 I1A+I2A/I1B+I2B について演算を行い、この出力に基いて被検知物
体が所定エリア内に存在するかどうかを判別して
出力回路を制御する判別制御手段とを具備してい
るものであるから、被検知物体が光ビームの一部
を遮る場合において第1、第2の一対の受光素子
から出力される相反的な位置信号に基づいて異常
位置データを補正することができ、被検知物体が
投光手段から投光される光ビームを遮るように移
動し、光ビームがビーム径を有している場合にお
いても、誤動作を防止することができる効果を奏
するものである。
対して光ビームを投光する投光手段と、投光手段
の両側に夫々所定間隔をもつて配設され、被検知
物体による光ビームの反射光を集光する第1、第
2の受光用光学系と、第1、第2の受光用光学系
の集光面にそれぞれ配設され集光スポツトの位置
に対応した位置信号を出力する第1、第2の一対
の受光素子と、第1の受光素子の出力をI1A,I1B
とし、第2の受光素子の出力をI2A,I2Bとして、
両受光素子出力を式 I1A+I2A/I1B+I2B について演算を行い、この出力に基いて被検知物
体が所定エリア内に存在するかどうかを判別して
出力回路を制御する判別制御手段とを具備してい
るものであるから、被検知物体が光ビームの一部
を遮る場合において第1、第2の一対の受光素子
から出力される相反的な位置信号に基づいて異常
位置データを補正することができ、被検知物体が
投光手段から投光される光ビームを遮るように移
動し、光ビームがビーム径を有している場合にお
いても、誤動作を防止することができる効果を奏
するものである。
第1図は本発明に係る基本例の構成を示す図、
第2図は同上のブロツク回路図、第3図乃至第5
図は同上の動作説明図、第6図は本発明の一実施
例の概略構成及び動作を示す図、第7図は同上の
ブロツク回路図である。 1は投光手段、31,32は受光用光学系、5は
判別制御手段、6は出力回路、201A,201B,
202A,202Bは受光素子である。
第2図は同上のブロツク回路図、第3図乃至第5
図は同上の動作説明図、第6図は本発明の一実施
例の概略構成及び動作を示す図、第7図は同上の
ブロツク回路図である。 1は投光手段、31,32は受光用光学系、5は
判別制御手段、6は出力回路、201A,201B,
202A,202Bは受光素子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 移動する被検知物体に対して光ビームを投光
する投光手段と、投光手段の両側に夫々所定間隔
をもつて配設され、被検知物体による光ビームの
反射光を集光する第1、第2の受光用光学系と、
第1、第2の受光用光学系の集光面にそれぞれ配
設され集光スポツトの位置に対応した位置信号を
出力する第1、第2の一対の受光素子と、第1の
受光素子の出力をI1A,I1Bとし、第2の受光素子
の出力をI2A,I2Bとして、両受光素子出力を式 I1A+I2A/I1B+I2B について演算を行い、この出力に基いて被検知物
体が所定エリア内に存在するかどうかを判別して
出力回路を制御する判別制御手段とを具備して成
る反射型光電スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207265A JPH03179211A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 反射型光電スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207265A JPH03179211A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 反射型光電スイッチ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032355A Division JPS59158029A (ja) | 1983-02-28 | 1983-02-28 | 反射型光電スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03179211A JPH03179211A (ja) | 1991-08-05 |
| JPH0536733B2 true JPH0536733B2 (ja) | 1993-05-31 |
Family
ID=16536932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207265A Granted JPH03179211A (ja) | 1990-08-03 | 1990-08-03 | 反射型光電スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03179211A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4538928B2 (ja) * | 2000-09-12 | 2010-09-08 | 住友金属工業株式会社 | 結晶粒度異常判定装置および結晶粒度異常判定方法 |
| CN110320327B (zh) * | 2019-06-05 | 2023-12-15 | 浙江杭可科技股份有限公司 | 烟感自动测试装置及检测方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59762B2 (ja) * | 1979-03-09 | 1984-01-09 | 安立電気株式会社 | 変位測定装置 |
| JPS57104809A (en) * | 1980-12-22 | 1982-06-30 | Minolta Camera Co Ltd | Range finder |
| EP0071667A1 (en) * | 1981-08-11 | 1983-02-16 | Karl-Erik Morander | Device for determining the real or the virtual distance of a source of light from a measuring plane |
| JPS5952514A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | エアロゾルの浄化方法 |
-
1990
- 1990-08-03 JP JP2207265A patent/JPH03179211A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03179211A (ja) | 1991-08-05 |
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