JPH0536746A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0536746A JPH0536746A JP3209859A JP20985991A JPH0536746A JP H0536746 A JPH0536746 A JP H0536746A JP 3209859 A JP3209859 A JP 3209859A JP 20985991 A JP20985991 A JP 20985991A JP H0536746 A JPH0536746 A JP H0536746A
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- resin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣチップのエッジとワイヤとの短絡による
不良をなくす。 【構成】 ＩＣチップ２０の内側の表面には素子が形成
されており、周辺部２２にはシリコン酸化膜又はシリコ
ン窒化膜などの絶縁膜が形成されている。絶縁膜２２に
はさらにエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの透明樹脂
膜がコーティングされていることが好ましい。ボンディ
ングのワイヤ８が垂れ下がってＩＣチップ２０のエッジ
と接触しても、絶縁膜２２により電気的短絡は防止され
る。
不良をなくす。 【構成】 ＩＣチップ２０の内側の表面には素子が形成
されており、周辺部２２にはシリコン酸化膜又はシリコ
ン窒化膜などの絶縁膜が形成されている。絶縁膜２２に
はさらにエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの透明樹脂
膜がコーティングされていることが好ましい。ボンディ
ングのワイヤ８が垂れ下がってＩＣチップ２０のエッジ
と接触しても、絶縁膜２２により電気的短絡は防止され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハにトランジ
スタなどの素子を形成し、半導体集積回路装置チップご
とにウエハを切断した半導体装置に関するものである。
本発明はまた、チップに切断された半導体集積回路装置
を樹脂封止法により封止した半導体装置実装体に関する
ものである。
スタなどの素子を形成し、半導体集積回路装置チップご
とにウエハを切断した半導体装置に関するものである。
本発明はまた、チップに切断された半導体集積回路装置
を樹脂封止法により封止した半導体装置実装体に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置（以下ＩＣという）
はシリコンウエハにウエハプロセスによってトランジス
タなどの素子が形成され、チップごとに切断されたもの
である。切断されて得られたＩＣチップは樹脂封止その
他の封止法により封止される。その際、図１に示される
ように、ＩＣチップ２は例えばリードフレームのアイラ
ンド部４にダイボンディングされ、リードフレームのイ
ンナーリード６との間にワイヤ８によりボンディングが
なされる。ＩＣチップ２の表面には素子が形成されてい
るが、その周辺部はウエハを各チップに切断する際のダ
イシングラインであったため、基板が露出した状態にな
っている。そのため、ワイヤ８が垂れ下がってＩＣチッ
プ２の基板エッジと接触して電気的な短絡を起こす不良
が発生することがある。その対策として、ワイヤ８に絶
縁被覆を設けた金ワイヤを使用したり、ワイヤ８の長さ
を短かくするようにＩＣチップ２のボンディングパッド
のレイアウトを設計したり、リードフレーム６を設計す
ることにより対応している。
はシリコンウエハにウエハプロセスによってトランジス
タなどの素子が形成され、チップごとに切断されたもの
である。切断されて得られたＩＣチップは樹脂封止その
他の封止法により封止される。その際、図１に示される
ように、ＩＣチップ２は例えばリードフレームのアイラ
ンド部４にダイボンディングされ、リードフレームのイ
ンナーリード６との間にワイヤ８によりボンディングが
なされる。ＩＣチップ２の表面には素子が形成されてい
るが、その周辺部はウエハを各チップに切断する際のダ
イシングラインであったため、基板が露出した状態にな
っている。そのため、ワイヤ８が垂れ下がってＩＣチッ
プ２の基板エッジと接触して電気的な短絡を起こす不良
が発生することがある。その対策として、ワイヤ８に絶
縁被覆を設けた金ワイヤを使用したり、ワイヤ８の長さ
を短かくするようにＩＣチップ２のボンディングパッド
のレイアウトを設計したり、リードフレーム６を設計す
ることにより対応している。
【０００３】ＩＣチップ２を樹脂封止する方法として、
図２に示されるようなトランスファモールド法が主流を
なしている。トランスファモールド法では、リードフレ
ーム１０にＩＣチップ２をボンディングし、ＩＣチップ
２を含む領域を上型１２と下型１４で囲い、型１２，１
４の樹脂封入口１８から樹脂を注入する。型１２，１６
とリードフレーム１０の間には、樹脂注入口と反対側に
エアーベントと称される空気抜き用の溝１８が設けられ
ている。
図２に示されるようなトランスファモールド法が主流を
なしている。トランスファモールド法では、リードフレ
ーム１０にＩＣチップ２をボンディングし、ＩＣチップ
２を含む領域を上型１２と下型１４で囲い、型１２，１
４の樹脂封入口１８から樹脂を注入する。型１２，１６
とリードフレーム１０の間には、樹脂注入口と反対側に
エアーベントと称される空気抜き用の溝１８が設けられ
ている。
【０００４】上型１２と下型１４は同一形状をしてお
り、モールド成型時に注入される樹脂は下型１４のフレ
ーム面に接しながら注入され、内部では上型１２と下型
１４に沿って同時に流れ、エアーベンド１８から空気を
押し出しながら型１２と１４の内部を密封する。このと
き、型内部での樹脂の流れ速度はチップ２の側面の大き
さ（チップサイズやアイランドサイズ）により左右され
る。つまり、実装するＩＣチップ２のサイズにより型内
で上型１２側と下型１４側とで樹脂の流れ速度のバラン
スが崩れ、アイランド４が上下に浮き沈みして不良が発
生することがある。その傾向としては、ＩＣチップ２の
サイズがアイランド４のサイズより小さいときには上型
側の樹脂速度の方が下型側の樹脂速度より大きくなって
アイランド４が引き上がる傾向があり、逆にＩＣチップ
２のサイズがアイランド４のサイズより大きいときには
下型側の樹脂速度の方が上型側の樹脂速度より大きくな
ってアイランド４が沈む傾向があり、ＩＣチップ２のサ
イズとアイランド４のサイズが等しいときに樹脂速度は
上型側と下型側で等しくなってアイランド４の上下方向
の浮き沈みがなくなる。そのため、注入する樹脂の温
度、圧力又は注入時間などの注入条件や、注入する樹脂
の特性を変更してアイランドの浮き沈みを少なくした
り、リードフレーム４のサイズに合わせてＩＣチップ２
のサイズを設計するなどの方法をとっている。
り、モールド成型時に注入される樹脂は下型１４のフレ
ーム面に接しながら注入され、内部では上型１２と下型
１４に沿って同時に流れ、エアーベンド１８から空気を
押し出しながら型１２と１４の内部を密封する。このと
き、型内部での樹脂の流れ速度はチップ２の側面の大き
さ（チップサイズやアイランドサイズ）により左右され
る。つまり、実装するＩＣチップ２のサイズにより型内
で上型１２側と下型１４側とで樹脂の流れ速度のバラン
スが崩れ、アイランド４が上下に浮き沈みして不良が発
生することがある。その傾向としては、ＩＣチップ２の
サイズがアイランド４のサイズより小さいときには上型
側の樹脂速度の方が下型側の樹脂速度より大きくなって
アイランド４が引き上がる傾向があり、逆にＩＣチップ
２のサイズがアイランド４のサイズより大きいときには
下型側の樹脂速度の方が上型側の樹脂速度より大きくな
ってアイランド４が沈む傾向があり、ＩＣチップ２のサ
イズとアイランド４のサイズが等しいときに樹脂速度は
上型側と下型側で等しくなってアイランド４の上下方向
の浮き沈みがなくなる。そのため、注入する樹脂の温
度、圧力又は注入時間などの注入条件や、注入する樹脂
の特性を変更してアイランドの浮き沈みを少なくした
り、リードフレーム４のサイズに合わせてＩＣチップ２
のサイズを設計するなどの方法をとっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、ワイヤボンディングされるＩＣチップにあって、そ
のＩＣチップのエッジとワイヤとの短絡による不良をな
くすことである。本発明の第２の目的は、トランスファ
モールド法による樹脂封止実装体にあって、樹脂を型内
に注入する際のアイランドの上下方向の浮き沈みを少な
くした実装体を提供することである。
は、ワイヤボンディングされるＩＣチップにあって、そ
のＩＣチップのエッジとワイヤとの短絡による不良をな
くすことである。本発明の第２の目的は、トランスファ
モールド法による樹脂封止実装体にあって、樹脂を型内
に注入する際のアイランドの上下方向の浮き沈みを少な
くした実装体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のＩＣチップで
は、素子が形成されている表面の周辺部に絶縁膜が形成
されている。好ましい態様では、ＩＣチップ周辺部の絶
縁膜の少なくとも最上層が透明樹脂層である。本発明の
実装体では、ＩＣチップがダイボンディングされている
アイランド部の周辺部にチップ側に突出した凸部が設け
られている。
は、素子が形成されている表面の周辺部に絶縁膜が形成
されている。好ましい態様では、ＩＣチップ周辺部の絶
縁膜の少なくとも最上層が透明樹脂層である。本発明の
実装体では、ＩＣチップがダイボンディングされている
アイランド部の周辺部にチップ側に突出した凸部が設け
られている。
【０００７】
【作用】ＩＣチップの周辺部に絶縁膜が形成されている
ので、ボンディング用のワイヤが垂れ下がってＩＣチッ
プのエッジと接触しても、その絶縁膜によってワイヤと
ＩＣチップ基板との短絡は起こらない。絶縁膜が酸化膜
や窒化膜の場合にはウエハをチップにダイシングすると
き、その絶縁膜に欠けやクラックが発生する恐れがある
が、絶縁膜の最上層が樹脂であればそのような恐れはな
くなる。ＩＣチップがダイボンディングされているアイ
ランド部の周辺部に凸部を設けると、トランスファモー
ルド法による樹脂封止の際、仮にチップサイズが小さい
ものであっても上型側と下型側とでの樹脂の流れ速度に
は影響が現われなくなり、アイランド部の浮き沈みが抑
えられる。
ので、ボンディング用のワイヤが垂れ下がってＩＣチッ
プのエッジと接触しても、その絶縁膜によってワイヤと
ＩＣチップ基板との短絡は起こらない。絶縁膜が酸化膜
や窒化膜の場合にはウエハをチップにダイシングすると
き、その絶縁膜に欠けやクラックが発生する恐れがある
が、絶縁膜の最上層が樹脂であればそのような恐れはな
くなる。ＩＣチップがダイボンディングされているアイ
ランド部の周辺部に凸部を設けると、トランスファモー
ルド法による樹脂封止の際、仮にチップサイズが小さい
ものであっても上型側と下型側とでの樹脂の流れ速度に
は影響が現われなくなり、アイランド部の浮き沈みが抑
えられる。
【０００８】
【実施例】図３は一実施例のＩＣチップを表わす。
（Ａ）は概略平面図、（Ｂ）はリードフレームにそのＩ
Ｃチップをワイヤボンディング法により一部接続したと
きの概略側面図である。ＩＣチップ２０の内側の表面に
はトランジスタその他の素子が形成されており、周辺部
２２には絶縁膜が形成されている。絶縁膜はシリコン酸
化膜又はシリコン窒化膜である。このＩＣチップを
（Ｂ）のように、リードフレームのアイランド部４にダ
イボンディングし、インナーリード６との間にワイヤ８
でボンディングを施す。仮に、ワイヤ８が垂れ下がって
ＩＣチップ２０のエッジと接触しても、エッジには絶縁
膜２２が形成されているので、電気的短絡は起こらな
い。周辺部の絶縁膜２２は酸化膜又は窒化膜の上にさら
に樹脂膜をコーティングしてあることが好ましい。その
ような樹脂膜としてはエポキシ樹脂やポリイミド樹脂な
どの透明樹脂が好ましい。
（Ａ）は概略平面図、（Ｂ）はリードフレームにそのＩ
Ｃチップをワイヤボンディング法により一部接続したと
きの概略側面図である。ＩＣチップ２０の内側の表面に
はトランジスタその他の素子が形成されており、周辺部
２２には絶縁膜が形成されている。絶縁膜はシリコン酸
化膜又はシリコン窒化膜である。このＩＣチップを
（Ｂ）のように、リードフレームのアイランド部４にダ
イボンディングし、インナーリード６との間にワイヤ８
でボンディングを施す。仮に、ワイヤ８が垂れ下がって
ＩＣチップ２０のエッジと接触しても、エッジには絶縁
膜２２が形成されているので、電気的短絡は起こらな
い。周辺部の絶縁膜２２は酸化膜又は窒化膜の上にさら
に樹脂膜をコーティングしてあることが好ましい。その
ような樹脂膜としてはエポキシ樹脂やポリイミド樹脂な
どの透明樹脂が好ましい。
【０００９】図４によりこのＩＣチップを製造する方法
を説明する。（Ａ）に示されるように、シリコンウエハ
２４にウエハプロセスによりトランジスタなどの素子を
形成した後、各ＩＣチップ２２の間に存在するダイシン
グラインに酸化膜や絶縁膜などの絶縁膜２２を形成す
る。絶縁膜２２はＩＣチップ内の素子形成時の酸化膜や
窒化膜の形成と同時に形成することができる。さらに、
好ましくは、絶縁膜２２として酸化膜や窒化膜上にエポ
キシ樹脂やポリイミド樹脂膜を形成する。樹脂膜の形成
は、樹脂形成領域に開口をもつようなマスクをおき、そ
のマスクを介して樹脂コーティングしたり、ダイシング
ラインを覆う形状に切り抜かれたシート状の樹脂フィル
ムを例えばエポキシ系接着剤で貼り付ける。ダイシング
ラインの幅は１００μｍ程度である。次に、（Ｂ）のよ
うにダイシングラインに沿ってダイシングを行ない、チ
ップごとに切り離す。カッティングラインの幅Ｃは例え
ば４０〜６０μｍである。
を説明する。（Ａ）に示されるように、シリコンウエハ
２４にウエハプロセスによりトランジスタなどの素子を
形成した後、各ＩＣチップ２２の間に存在するダイシン
グラインに酸化膜や絶縁膜などの絶縁膜２２を形成す
る。絶縁膜２２はＩＣチップ内の素子形成時の酸化膜や
窒化膜の形成と同時に形成することができる。さらに、
好ましくは、絶縁膜２２として酸化膜や窒化膜上にエポ
キシ樹脂やポリイミド樹脂膜を形成する。樹脂膜の形成
は、樹脂形成領域に開口をもつようなマスクをおき、そ
のマスクを介して樹脂コーティングしたり、ダイシング
ラインを覆う形状に切り抜かれたシート状の樹脂フィル
ムを例えばエポキシ系接着剤で貼り付ける。ダイシング
ラインの幅は１００μｍ程度である。次に、（Ｂ）のよ
うにダイシングラインに沿ってダイシングを行ない、チ
ップごとに切り離す。カッティングラインの幅Ｃは例え
ば４０〜６０μｍである。
【００１０】図５はリードフレームのアイランド部を改
良した実施例を表わす。この実施例の実装体用のリード
フレームでは、ＩＣチップ２をダイボンディングするア
イランド部３０の周辺部がＩＣチップ２側に突出した凸
部３２を備えている。凸部３２はリードフレームを作成
する際の金型成形で折り曲げることにより製作すること
ができる。また凸部３２はアイランド部３０とは別の材
質とすることができ、例えばエポキシ樹脂の枠を接着剤
によりアイランド部３０の周辺部に接着したり、又は樹
脂成型によりアイランド部３０上に直接形成することも
できる。凸部３２の高さはダイボンディングされるＩＣ
チップ２の高さとほぼ等しい高さに設定しておく。
良した実施例を表わす。この実施例の実装体用のリード
フレームでは、ＩＣチップ２をダイボンディングするア
イランド部３０の周辺部がＩＣチップ２側に突出した凸
部３２を備えている。凸部３２はリードフレームを作成
する際の金型成形で折り曲げることにより製作すること
ができる。また凸部３２はアイランド部３０とは別の材
質とすることができ、例えばエポキシ樹脂の枠を接着剤
によりアイランド部３０の周辺部に接着したり、又は樹
脂成型によりアイランド部３０上に直接形成することも
できる。凸部３２の高さはダイボンディングされるＩＣ
チップ２の高さとほぼ等しい高さに設定しておく。
【００１１】図５のように凸部３２をもつアイランド部
３０にＩＣチップ２を実装し、型１２，１４内に収容し
て樹脂を封入する際、ＩＣチップ２のサイズが変わって
も凸部３２が存在することにより上型側と下型側での樹
脂の流れ速度がＩＣチップ２のサイズの影響を受けにく
くなる。そのため、樹脂封入の最初に設定した条件のま
まで安定した品質の樹脂封止を行なうことができる。特
に、アイランド部３０のサイズとそれに実装するＩＣチ
ップ２のサイズとの大きさの差が大きいときほど有効に
働く。
３０にＩＣチップ２を実装し、型１２，１４内に収容し
て樹脂を封入する際、ＩＣチップ２のサイズが変わって
も凸部３２が存在することにより上型側と下型側での樹
脂の流れ速度がＩＣチップ２のサイズの影響を受けにく
くなる。そのため、樹脂封入の最初に設定した条件のま
まで安定した品質の樹脂封止を行なうことができる。特
に、アイランド部３０のサイズとそれに実装するＩＣチ
ップ２のサイズとの大きさの差が大きいときほど有効に
働く。
【００１２】
【発明の効果】本発明によりＩＣチップの周辺部に絶縁
膜を形成すると、ＩＣチップとリードフレームを接続す
るワイヤボンディングのワイヤとＩＣチップとが接触し
ても、短絡による不良が発生するのを防止することがで
きる。ＩＣチップ周辺部の絶縁膜の最上層が透明樹脂膜
であれば、ダイシングの際に絶縁膜が欠けたり、クラッ
クが入ったりするのを防ぐことができるとともに、透明
樹脂膜であればダイシング時などの際の画像処理を従来
通り行なうことができる。チップ周辺部に絶縁膜が形成
された状態で最終製品まで製造ラインを流されることに
なり、ウエハやチップをつかんで移動させたりするハン
ドリング時に素子形成面に傷がついたりするのを防ぐこ
ともできる。ＩＣチップをダイボンディングするアイラ
ンド部の周辺部にチップ側に突出した凸部が設けられて
いるときは、トランスファモールド法により樹脂封止す
る際、実装されるＩＣチップのサイズが変わっても型内
での樹脂の流れ抵抗が大きな影響を受けることがなくな
り、安定した品質の樹脂封止実装体を得ることができ
る。
膜を形成すると、ＩＣチップとリードフレームを接続す
るワイヤボンディングのワイヤとＩＣチップとが接触し
ても、短絡による不良が発生するのを防止することがで
きる。ＩＣチップ周辺部の絶縁膜の最上層が透明樹脂膜
であれば、ダイシングの際に絶縁膜が欠けたり、クラッ
クが入ったりするのを防ぐことができるとともに、透明
樹脂膜であればダイシング時などの際の画像処理を従来
通り行なうことができる。チップ周辺部に絶縁膜が形成
された状態で最終製品まで製造ラインを流されることに
なり、ウエハやチップをつかんで移動させたりするハン
ドリング時に素子形成面に傷がついたりするのを防ぐこ
ともできる。ＩＣチップをダイボンディングするアイラ
ンド部の周辺部にチップ側に突出した凸部が設けられて
いるときは、トランスファモールド法により樹脂封止す
る際、実装されるＩＣチップのサイズが変わっても型内
での樹脂の流れ抵抗が大きな影響を受けることがなくな
り、安定した品質の樹脂封止実装体を得ることができ
る。
【図１】従来のワイヤボンディングを示す部分正面図で
ある。
ある。
【図２】従来のトランスファモールド法を示す端面図で
ある。
ある。
【図３】一実施例のＩＣチップを示す図であり、（Ａ）
は概略平面図、（Ｂ）はそのＩＣチップの一部がワイヤ
ボンディングされた状態を示す概略正面断面図である。
は概略平面図、（Ｂ）はそのＩＣチップの一部がワイヤ
ボンディングされた状態を示す概略正面断面図である。
【図４】図３の実施例の製造方法を示す図であり、
（Ａ）はウエハ状態の部分概略平面図、（Ｂ）はダイシ
ングした状態を示す概略拡大断面図である。
（Ａ）はウエハ状態の部分概略平面図、（Ｂ）はダイシ
ングした状態を示す概略拡大断面図である。
【図５】実装体の実施例を示す図であり、（Ａ）は樹脂
封止状態を示す端面図、（Ｂ）は主としてアイランド部
を示す拡大端面図である。
封止状態を示す端面図、（Ｂ）は主としてアイランド部
を示す拡大端面図である。
２，２０ ＩＣチップ
４，３０ アイランド部
８ ワイヤ
２２ 周辺部
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体集積回路装置チップで素子が形成
されている表面の周辺部に絶縁膜が形成されている半導
体装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜の少なくとも最上層が透明樹
脂層である請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 リードフレームのアイランド部に半導体
集積回路装置チップがダイボンディングされ、インナー
リードと前記チップがボンディングされ、前記チップ部
分が樹脂封止されている実装体において、前記アイラン
ド部の周辺部にはチップ側に突出した凸部が設けられて
いることを特徴とする半導体装置実装体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209859A JPH0536746A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3209859A JPH0536746A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536746A true JPH0536746A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16579812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3209859A Pending JPH0536746A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536746A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622845A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-03-29 | Hewlett Packard Co | Automatic tape assembly apparatus and method with beam lead isolation. |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3209859A patent/JPH0536746A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0622845A3 (en) * | 1993-04-30 | 1995-03-29 | Hewlett Packard Co | Automatic tape assembly apparatus and method with beam lead isolation. |
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