JPH0536853A - 混成集積回路装置 - Google Patents
混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0536853A JPH0536853A JP3193357A JP19335791A JPH0536853A JP H0536853 A JPH0536853 A JP H0536853A JP 3193357 A JP3193357 A JP 3193357A JP 19335791 A JP19335791 A JP 19335791A JP H0536853 A JPH0536853 A JP H0536853A
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- JP
- Japan
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- wiring board
- integrated circuit
- circuit device
- passive
- hybrid integrated
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】１個以上の能動素子，受動素子８等を搭載する
配線基板１に於いて、前記配線基板１のダイパッド部分
に金属板１０まで達する凹部を用いて固定する構造と金
属板１０と一体となる吊りピン３の延長部に金属性シー
ルド板４を能動素子，受動素子８側の外装樹脂５面に設
ける構造を備えている。 【効果】熱伝導率を従来の約０．０００４から約０．０
４〜０．４１／℃と、大巾に小さくすることができるの
で消費電力の大きな能動素子，受動素子８等を搭載でき
るという効果がある。
配線基板１に於いて、前記配線基板１のダイパッド部分
に金属板１０まで達する凹部を用いて固定する構造と金
属板１０と一体となる吊りピン３の延長部に金属性シー
ルド板４を能動素子，受動素子８側の外装樹脂５面に設
ける構造を備えている。 【効果】熱伝導率を従来の約０．０００４から約０．０
４〜０．４１／℃と、大巾に小さくすることができるの
で消費電力の大きな能動素子，受動素子８等を搭載でき
るという効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、混成集積回路装置に関
し、特に配線基板上に能動素子，受動素子等を搭載した
混成集積回路装置に関する。
し、特に配線基板上に能動素子，受動素子等を搭載した
混成集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の混成集積回路装置は、図５
および図６に示すように、配線基板１に配線パターン６
と基板端面にスルホール電極２を設け、さらに能動素
子，受動素子８等を導電性または絶縁性の接着剤７で搭
載した後、加熱硬化することにより機械的に固定させ
る。
および図６に示すように、配線基板１に配線パターン６
と基板端面にスルホール電極２を設け、さらに能動素
子，受動素子８等を導電性または絶縁性の接着剤７で搭
載した後、加熱硬化することにより機械的に固定させ
る。
【０００３】次に金属細線９を用いワイヤボンディング
法で、能動素子，受動素子８の電極と配線基板１の配線
パターン６を電気的に接続し、最後に能動素子，受動素
子８等を電気的かつ機械的に保護するための外装樹脂５
で覆う構造となっている。
法で、能動素子，受動素子８の電極と配線基板１の配線
パターン６を電気的に接続し、最後に能動素子，受動素
子８等を電気的かつ機械的に保護するための外装樹脂５
で覆う構造となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の混成集積回
路装置では、配線基板１の材質がガラスエポキシ等有機
材料を用いている理由で、熱伝導率が約０．０００４ｃ
ａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・℃と悪くなり消費電力の大きな、
能動素子，受動素子８等が、熱伝導率の制約上使用でき
ない欠点があった。
路装置では、配線基板１の材質がガラスエポキシ等有機
材料を用いている理由で、熱伝導率が約０．０００４ｃ
ａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・℃と悪くなり消費電力の大きな、
能動素子，受動素子８等が、熱伝導率の制約上使用でき
ない欠点があった。
【０００５】さらに熱膨張係数が約１５〜２０×１０-6
１／℃の配線基板１に能動素子，受動素子８等を搭載
後、電気的かつ機械的に保護する目的で、熱膨張係数が
約２５〜３０×１０-6の外装樹脂５を用いるため、熱膨
張係数差および外装樹脂５を硬化するときの収縮力等に
より機械歪が生じ配線基板１が反るため表面実装ができ
なくなる欠点がある。
１／℃の配線基板１に能動素子，受動素子８等を搭載
後、電気的かつ機械的に保護する目的で、熱膨張係数が
約２５〜３０×１０-6の外装樹脂５を用いるため、熱膨
張係数差および外装樹脂５を硬化するときの収縮力等に
より機械歪が生じ配線基板１が反るため表面実装ができ
なくなる欠点がある。
【０００６】また配線基板１の寸法が大きくなると、こ
の反りはさらに拡大される。その上、能動素子，受動素
子８等は外装樹脂５で電気的かつ機械的に保護されてい
るだけで電気的な外乱ノイズの多い環境で使用する場
合、金属性のシールド板４でノイズ対策をしなければい
けない問題点があった。
の反りはさらに拡大される。その上、能動素子，受動素
子８等は外装樹脂５で電気的かつ機械的に保護されてい
るだけで電気的な外乱ノイズの多い環境で使用する場
合、金属性のシールド板４でノイズ対策をしなければい
けない問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の混成集積回路装
置は、１個以上の能動素子，受動素子８等を搭載する配
線基板１に於いて、前記配線基板１のダイパッド部分に
金属板１０まで達する凹部を用いて固定する構造と金属
板１０と一体となる吊りピン３の延長部に金属性シール
ド板４を能動素子，受動素子８側の外装樹脂５面に設け
る構造を備えている。
置は、１個以上の能動素子，受動素子８等を搭載する配
線基板１に於いて、前記配線基板１のダイパッド部分に
金属板１０まで達する凹部を用いて固定する構造と金属
板１０と一体となる吊りピン３の延長部に金属性シール
ド板４を能動素子，受動素子８側の外装樹脂５面に設け
る構造を備えている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１，図２および図３は本発明の一実施例の混成集
積回路装置の平面および断面図である。配線基板１に例
えば、４２合金Ｃｕ合金等の熱伝導率が約０．０４〜
０．４ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・℃の金属板１０を多層プ
リント板製造技術で、内層に設け、さらにスルホール電
極２および配線パターン６をプリント基板の電気メッキ
法を用いて約３０〜３５μｍ（Ｃｕ箔地下を含む）のＣ
ｕメッキを施し、さらに金属細線の接合部には約５〜８
μｍのＮｉメッキおよび約０．３〜０．５μｍのＡｕメ
ッキを施す。
る。図１，図２および図３は本発明の一実施例の混成集
積回路装置の平面および断面図である。配線基板１に例
えば、４２合金Ｃｕ合金等の熱伝導率が約０．０４〜
０．４ｃａｌ／ｓｅｃ・ｃｍ・℃の金属板１０を多層プ
リント板製造技術で、内層に設け、さらにスルホール電
極２および配線パターン６をプリント基板の電気メッキ
法を用いて約３０〜３５μｍ（Ｃｕ箔地下を含む）のＣ
ｕメッキを施し、さらに金属細線の接合部には約５〜８
μｍのＮｉメッキおよび約０．３〜０．５μｍのＡｕメ
ッキを施す。
【０００９】次に、能動素子，受動素子８等の搭載部に
凹部を設けることで、金属板１０を露出させると共に、
能動素子，受動素子８等を接着剤７を用いて搭載し、約
１５０〜２００℃で加熱硬化させ接合する。
凹部を設けることで、金属板１０を露出させると共に、
能動素子，受動素子８等を接着剤７を用いて搭載し、約
１５０〜２００℃で加熱硬化させ接合する。
【００１０】次に、能動素子受動素子８等と配線パター
ン６とを約φ２５〜３０μｍの金属細線９でワイヤボン
ディング法により電気的に接合した後、ポッディングま
たは、トランスファーモールド法等により外装樹脂５を
施し、金属板１０と一体となる吊りピン３の延長部に金
属性シールド板４で能動素子，受動素子８等の外装樹脂
５面を覆うことで電気的な外乱ノイズを約１０〜５０％
程度遮蔽することができると共に、能動素子，受動素子
８等から不要輻射ノイズで周囲の電子回路，機器に影響
をしないように出来る。よって混成集積回路装置のノイ
ズマージンを著しく向上させることができる。
ン６とを約φ２５〜３０μｍの金属細線９でワイヤボン
ディング法により電気的に接合した後、ポッディングま
たは、トランスファーモールド法等により外装樹脂５を
施し、金属板１０と一体となる吊りピン３の延長部に金
属性シールド板４で能動素子，受動素子８等の外装樹脂
５面を覆うことで電気的な外乱ノイズを約１０〜５０％
程度遮蔽することができると共に、能動素子，受動素子
８等から不要輻射ノイズで周囲の電子回路，機器に影響
をしないように出来る。よって混成集積回路装置のノイ
ズマージンを著しく向上させることができる。
【００１１】図４は第２の実施例を示す断面図である。
本発明は、金属シールド板４に放熱フィン１１を接合
し、放熱効果をさらに良くし、消費電力の大きな、能動
素子，受動素子８等の搭載可能とした。
本発明は、金属シールド板４に放熱フィン１１を接合
し、放熱効果をさらに良くし、消費電力の大きな、能動
素子，受動素子８等の搭載可能とした。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、能動素
子，受動素子８等を金属板３に直接接合する構造を有し
ているので、熱伝導率を従来の約０．０００４から約
０．０４〜０．４１／℃と、大巾に小さくすることがで
きるので消費電力の大きな能動素子，受動素子８等を搭
載できるという効果がある。
子，受動素子８等を金属板３に直接接合する構造を有し
ているので、熱伝導率を従来の約０．０００４から約
０．０４〜０．４１／℃と、大巾に小さくすることがで
きるので消費電力の大きな能動素子，受動素子８等を搭
載できるという効果がある。
【００１３】さらに配線基板１の外装樹脂５等の熱膨張
係数差による熱収縮力に耐える為、配線基板１の反りを
大巾に低減できる。また配線基板１と能動素子，受動素
子８等を金属シールド板４で含うことにより、電気的な
ノイズマージンを著しく向上させることができると共
に、放熱効果も著しく良くなる。
係数差による熱収縮力に耐える為、配線基板１の反りを
大巾に低減できる。また配線基板１と能動素子，受動素
子８等を金属シールド板４で含うことにより、電気的な
ノイズマージンを著しく向上させることができると共
に、放熱効果も著しく良くなる。
【００１４】さらに、赤外線リフロー等による半田実装
に於いて、外装樹脂５の表面に金属シールド板４を設け
ることにより、赤外線が反射し、外装樹脂５の内部に直
接熱が伝わらないため、熱ショックを大巾に低減でき
る。よって配線基板１および外装樹脂５のクラック等を
防止することができる。
に於いて、外装樹脂５の表面に金属シールド板４を設け
ることにより、赤外線が反射し、外装樹脂５の内部に直
接熱が伝わらないため、熱ショックを大巾に低減でき
る。よって配線基板１および外装樹脂５のクラック等を
防止することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図５】従来例を示す平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ線断面図である。
１ 配線基板 ２ スルーホール電極 ３ 吊りピン ４ 金属性シールド板 ５ 外装樹脂 ６ 配線パターン ７ 接着剤 ８ 能動素子，受動素子 ９ 金属細線 １０ 金属板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｅ 8617−4Ｍ 25/04 25/18
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 複数の素子を搭載する配線基板と、前記
配線基板のダイパットに設けられた凹部と、前記素子を
直接搭載する金属板と、前記金属板と一体となる吊りピ
ンの延長部に設けられた金属性シールド板とを有するこ
とを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193357A JP2932772B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3193357A JP2932772B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536853A true JPH0536853A (ja) | 1993-02-12 |
| JP2932772B2 JP2932772B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=16306569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3193357A Expired - Fee Related JP2932772B2 (ja) | 1991-08-02 | 1991-08-02 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2932772B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933604B2 (en) * | 2000-10-05 | 2005-08-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor module and hard disk |
| CN102820286A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-12-12 | 昆山华太电子技术有限公司 | 一种提高功率集成电路无源器件性能的结构 |
| WO2017221730A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-08-02 JP JP3193357A patent/JP2932772B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6933604B2 (en) * | 2000-10-05 | 2005-08-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor device, semiconductor module and hard disk |
| CN102820286A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-12-12 | 昆山华太电子技术有限公司 | 一种提高功率集成电路无源器件性能的结构 |
| WO2017221730A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
| JPWO2017221730A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2932772B2 (ja) | 1999-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990427 |
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