JPH053724B2 - - Google Patents
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- JPH053724B2 JPH053724B2 JP59501979A JP50197984A JPH053724B2 JP H053724 B2 JPH053724 B2 JP H053724B2 JP 59501979 A JP59501979 A JP 59501979A JP 50197984 A JP50197984 A JP 50197984A JP H053724 B2 JPH053724 B2 JP H053724B2
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- conductor
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- slits
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- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
- H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors incorporating printed inductors
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- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0133—Elastomeric or compliant polymer
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/08—Magnetic details
- H05K2201/083—Magnetic materials
- H05K2201/086—Magnetic materials for inductive purposes, e.g. printed inductor with ferrite core
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- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09081—Tongue or tail integrated in planar structure, e.g. obtained by cutting from the planar structure
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
請求の範囲
1 閉じたフエライトコアと、プリント導体路の
形で絶縁基板上に形成された少なくとも1つのコ
イルとを備え、前期絶縁基板にはフエライトコア
の断面と整合しコアを収納する切欠部と導体路と
交差して切欠部に達しコアを切欠部に導くスリツ
トとが形成される誘導素子、特に変成器におい
て、前記絶縁基1,30,50は弾性材から構成
され、コアの中心孔14,47を貫通する絶縁基
板の貫通部15,48,60と隣接した2つのス
リツト7,8,42,43,57と境界を接する
絶縁基板の境界部16,45,61とによつて弾
性舌片17,46,59が形成された、この舌片
が絶縁基板面から持ち上げられてフエライトコア
が前記切欠部4,5,39,40,58に挿入さ
れることを特徴とする誘導素子。
形で絶縁基板上に形成された少なくとも1つのコ
イルとを備え、前期絶縁基板にはフエライトコア
の断面と整合しコアを収納する切欠部と導体路と
交差して切欠部に達しコアを切欠部に導くスリツ
トとが形成される誘導素子、特に変成器におい
て、前記絶縁基1,30,50は弾性材から構成
され、コアの中心孔14,47を貫通する絶縁基
板の貫通部15,48,60と隣接した2つのス
リツト7,8,42,43,57と境界を接する
絶縁基板の境界部16,45,61とによつて弾
性舌片17,46,59が形成された、この舌片
が絶縁基板面から持ち上げられてフエライトコア
が前記切欠部4,5,39,40,58に挿入さ
れることを特徴とする誘導素子。
2 前記スリツト7,8は互いに平行にまた絶縁
基板1の外端部18,19に直角に延び、隣接し
た2つのスリツトと境界を接する舌片17の境界
部16の幅がコアの中心孔14を貫通する貫通部
15の幅に対応する特許請求の範囲第1項に記載
の誘導素子。
基板1の外端部18,19に直角に延び、隣接し
た2つのスリツトと境界を接する舌片17の境界
部16の幅がコアの中心孔14を貫通する貫通部
15の幅に対応する特許請求の範囲第1項に記載
の誘導素子。
3 スリツトと境界を接する舌片46の境界部4
5の幅が絶縁基板30の端部に向つて減少するよ
うに隣接した2つの挿入スリツト42,43の形
状を定めるようにした特許請求の範囲第1項に記
載の誘導素子。
5の幅が絶縁基板30の端部に向つて減少するよ
うに隣接した2つの挿入スリツト42,43の形
状を定めるようにした特許請求の範囲第1項に記
載の誘導素子。
4 前記スリツト7,8,42,43,57は切
断面が接触しない割れ溝形状に形成される特許請
求の範囲第1項、第2項又は第3項に記載の誘導
素子。
断面が接触しない割れ溝形状に形成される特許請
求の範囲第1項、第2項又は第3項に記載の誘導
素子。
5 前記舌片17,46は絶縁基板1,30面内
で絶縁基板に形成された貫通孔9,44において
終端する特許請求の範囲第1項から第4項までの
いずれか1項に記載の誘導素子。
で絶縁基板に形成された貫通孔9,44において
終端する特許請求の範囲第1項から第4項までの
いずれか1項に記載の誘導素子。
6 前記スリツト7,8,42,43,57の領
域にブリツジ20が配置され、それによりフエラ
イトコア6,41,56が前記絶縁基板の切欠部
4,5,39,40,58に挿入された後舌片1
7,46,59が絶縁基板の境界と接する部分と
接続される特許請求の範囲第1項から第5項まで
のいずれか1項に記載の誘導素子。
域にブリツジ20が配置され、それによりフエラ
イトコア6,41,56が前記絶縁基板の切欠部
4,5,39,40,58に挿入された後舌片1
7,46,59が絶縁基板の境界と接する部分と
接続される特許請求の範囲第1項から第5項まで
のいずれか1項に記載の誘導素子。
7 前記スリツト7,8,42,43,57の領
域に導体片21〜24が設けられた他の絶縁基板
がブリツジ20として用いられ、コイル2,3,
37,38,55の導体路10〜13,31〜3
6,51〜54が前記導体片と接着あるいははん
だ付けされる特許請求の範囲第6項に記載の誘導
素子。
域に導体片21〜24が設けられた他の絶縁基板
がブリツジ20として用いられ、コイル2,3,
37,38,55の導体路10〜13,31〜3
6,51〜54が前記導体片と接着あるいははん
だ付けされる特許請求の範囲第6項に記載の誘導
素子。
8 コイル37,38,55の導体路31〜3
6,51〜54がスリツト42,43,57の領
域で扇状に広がり幅広になるか導体路間の距離が
大きくされる特許請求の範囲第7項に記載の誘導
素子。
6,51〜54がスリツト42,43,57の領
域で扇状に広がり幅広になるか導体路間の距離が
大きくされる特許請求の範囲第7項に記載の誘導
素子。
9 導体路の幅あるいは導体間距離がスリツト4
2,43に向けて連続的に増大する特許請求の範
囲第8項に記載の誘導素子。
2,43に向けて連続的に増大する特許請求の範
囲第8項に記載の誘導素子。
10 導体路の幅あるいは導体間距離が導体路5
1〜54と交差するスリツト57の領域で飛躍的
に増大する特許請求の範囲第8項に記載の誘導素
子。
1〜54と交差するスリツト57の領域で飛躍的
に増大する特許請求の範囲第8項に記載の誘導素
子。
従来技術
本発明は特許請求の範囲第1項の前文に記載さ
れた誘導素子に関する。ドイツ特許公開公報第
2927364号には絶縁基板が例えばガラスやセラミ
ツクのような堅固な材質から構成された誘導素子
が記載されている。この絶縁基板には例えば円
形、楕円形あるいは矩形任意形状の導体路の形を
した面状のらせんコイルが形成されている。その
場合導体路は直接基板上に形成されるかあるいは
基板と接着される薄い柔軟性のある薄片上に形成
される。フエライトコアを絶縁基板に挿入するた
めに絶縁基板にはこの基板の周縁から延びる切込
みあるいはスリツトが形成される。これらのスリ
ツトは互いにコアの中心孔の直径だけ隔てて配置
されており、スリツト間の幅はフエライトコアを
収納する切欠部の幅に対応している。
れた誘導素子に関する。ドイツ特許公開公報第
2927364号には絶縁基板が例えばガラスやセラミ
ツクのような堅固な材質から構成された誘導素子
が記載されている。この絶縁基板には例えば円
形、楕円形あるいは矩形任意形状の導体路の形を
した面状のらせんコイルが形成されている。その
場合導体路は直接基板上に形成されるかあるいは
基板と接着される薄い柔軟性のある薄片上に形成
される。フエライトコアを絶縁基板に挿入するた
めに絶縁基板にはこの基板の周縁から延びる切込
みあるいはスリツトが形成される。これらのスリ
ツトは互いにコアの中心孔の直径だけ隔てて配置
されており、スリツト間の幅はフエライトコアを
収納する切欠部の幅に対応している。
これらの比較的幅広のスリツトはスリツトの領
域で切断されたコイルの導体路を互いに連結する
ワイヤあるいはブリツジによつて橋渡しされる。
このような装置の欠点は、切欠部に挿入されたフ
エライトコアが特に前もつて特別な手段を講じな
い限り基板の不注意な取り扱いによつて挿入ステ
ーシヨンからはんだ付けないし接着ステーシヨン
に移送される途中で落下してしまうことである。
導体路を支持する接着薄片を前もつて取り付るこ
とによりそのような落下を防止できるけれども、
そのような薄片を用いることはさらにコストがか
かることになる。
域で切断されたコイルの導体路を互いに連結する
ワイヤあるいはブリツジによつて橋渡しされる。
このような装置の欠点は、切欠部に挿入されたフ
エライトコアが特に前もつて特別な手段を講じな
い限り基板の不注意な取り扱いによつて挿入ステ
ーシヨンからはんだ付けないし接着ステーシヨン
に移送される途中で落下してしまうことである。
導体路を支持する接着薄片を前もつて取り付るこ
とによりそのような落下を防止できるけれども、
そのような薄片を用いることはさらにコストがか
かることになる。
さらにドイツ特許公開公報第2054457号には2
つの巻線が基板あるいは薄片上に互いに隣接して
角型のらせん形状にプリント導体路として形成さ
れた高周波発振器ないし高周波コイルが記載され
ている。各らせんの内部の空いた空間には隣接し
た導体路に平行に延びる2つのスリツトが形成さ
れる。
つの巻線が基板あるいは薄片上に互いに隣接して
角型のらせん形状にプリント導体路として形成さ
れた高周波発振器ないし高周波コイルが記載され
ている。各らせんの内部の空いた空間には隣接し
た導体路に平行に延びる2つのスリツトが形成さ
れる。
これらの両スリツト間には屈曲可能な舌片がで
きるように横断スリツトが形成され、また穿孔円
板として形成されたリングコアがその舌片に摺動
できるように構成される。その場合コアの断面積
はらせんの内部の空いた空間よりもかなり小さく
しなければならない。さらにフエライト層がらせ
ん巻線に接するように当たるので、コアを通らな
い磁場がかなり多くなつてしまう。それによつて
充分な大きさのインダクタンスを得るためには厚
いフエライト層を用いなければならない。
きるように横断スリツトが形成され、また穿孔円
板として形成されたリングコアがその舌片に摺動
できるように構成される。その場合コアの断面積
はらせんの内部の空いた空間よりもかなり小さく
しなければならない。さらにフエライト層がらせ
ん巻線に接するように当たるので、コアを通らな
い磁場がかなり多くなつてしまう。それによつて
充分な大きさのインダクタンスを得るためには厚
いフエライト層を用いなければならない。
これは、特に初期透磁率が大きいフエライトで
も初期透磁率が小さなフエライトのように透磁率
が小さくなつてしまう高周波の場合に当てはま
る。
も初期透磁率が小さなフエライトのように透磁率
が小さくなつてしまう高周波の場合に当てはま
る。
本発明の利点
これに対して特許請求の範囲の特徴部分に記載
された本発明による誘導素子は絶縁基板が安価に
製造できるとともにフエライトコアを簡単に取り
付けることができるという利点を持つている。特
にコアを絶縁基板の切欠部に挿入した後は確実に
絶縁基板と結合され、その場合コアを切欠部に位
置決めさせるための特別な手段を必要としないと
いう好ましい効果が得られる。このように挿入ス
テーシヨンから例えばはんだ付けステーシヨンの
ような他のステーシヨンに移送される時にコアが
落下してしまうということが防止できる。フエラ
イトコアを絶縁基板の切欠部に配置することによ
り全ての導体路によつて形成された磁束はほぼコ
ア部に導かれるので、コア部の磁束成分はドイツ
特許公開公報第2054457号に記載された従来の装
置よりもかなり大きなものとなる。
された本発明による誘導素子は絶縁基板が安価に
製造できるとともにフエライトコアを簡単に取り
付けることができるという利点を持つている。特
にコアを絶縁基板の切欠部に挿入した後は確実に
絶縁基板と結合され、その場合コアを切欠部に位
置決めさせるための特別な手段を必要としないと
いう好ましい効果が得られる。このように挿入ス
テーシヨンから例えばはんだ付けステーシヨンの
ような他のステーシヨンに移送される時にコアが
落下してしまうということが防止できる。フエラ
イトコアを絶縁基板の切欠部に配置することによ
り全ての導体路によつて形成された磁束はほぼコ
ア部に導かれるので、コア部の磁束成分はドイツ
特許公開公報第2054457号に記載された従来の装
置よりもかなり大きなものとなる。
このように本発明による構造ではコアの断面積
が等しい場合漏れ磁束をかなり減少できるととも
に導線が短くなることにより巻線抵抗が小さくな
り巻線容量がわずかなものとなる。それにより良
好な値、特に限界周波数の高いコイルないし変成
器が実現できる。
が等しい場合漏れ磁束をかなり減少できるととも
に導線が短くなることにより巻線抵抗が小さくな
り巻線容量がわずかなものとなる。それにより良
好な値、特に限界周波数の高いコイルないし変成
器が実現できる。
また従属項に記載された実施態様により独立項
に記載された誘導素子を更に改良することが可能
になる。スリツトと境界を接する舌片の境界部の
幅が絶縁器板の周辺に向けて減少するように隣接
する2つの挿入スリツトの形状を定めると、フエ
ライトコアを簡単に挿入できることにより特に好
ましい結果が得られる。また絶縁基板が反らない
ようにするために、挿入スリツトは切断面が接触
しないように形成される。
に記載された誘導素子を更に改良することが可能
になる。スリツトと境界を接する舌片の境界部の
幅が絶縁器板の周辺に向けて減少するように隣接
する2つの挿入スリツトの形状を定めると、フエ
ライトコアを簡単に挿入できることにより特に好
ましい結果が得られる。また絶縁基板が反らない
ようにするために、挿入スリツトは切断面が接触
しないように形成される。
図 面
本発明に種々の実施例が図面に図示されてお
り、以下にそれを詳細に説明する。第1図は第1
実施例の斜面図、第2図は第2実施例の平面図、
第3図は第2図に図示した実施例と異なる形状を
有する導体のコイルを示し、第4図は第2図に図
示した絶縁基板に一部挿入されたフエライトコア
の縦断面図を示す。
り、以下にそれを詳細に説明する。第1図は第1
実施例の斜面図、第2図は第2実施例の平面図、
第3図は第2図に図示した実施例と異なる形状を
有する導体のコイルを示し、第4図は第2図に図
示した絶縁基板に一部挿入されたフエライトコア
の縦断面図を示す。
実施例の説明
第1図に図示された高周波変成器は絶縁基板1
を有し、この絶縁基板は高絶縁性で変形後自動的
に平坦な位置に復元する公知の弾性材から構成さ
れる。絶縁基板1上には良く知られた方法で面状
に導体路の形で2つのらせんコイル2,3が形成
される。これらのらせんコイルは第1図では矩形
の形状を有する。コイル2,3の内部には閉じた
リング状のフエライトコア6を収納するための矩
形の切欠部4ないし5が形成される。切欠部4,
5の大きさはコア6の断面に整合される。更に絶
縁基板1には2つのスリツト7,8が形成され、
これらのスリツトは絶縁基板1の貫通孔9から出
て切欠部4,5に達する。これらのスリツトは両
コイル2,3の導体路10,11ないし12,1
3と交差するので、導体路はスリツトの領域で互
いに分断される。
を有し、この絶縁基板は高絶縁性で変形後自動的
に平坦な位置に復元する公知の弾性材から構成さ
れる。絶縁基板1上には良く知られた方法で面状
に導体路の形で2つのらせんコイル2,3が形成
される。これらのらせんコイルは第1図では矩形
の形状を有する。コイル2,3の内部には閉じた
リング状のフエライトコア6を収納するための矩
形の切欠部4ないし5が形成される。切欠部4,
5の大きさはコア6の断面に整合される。更に絶
縁基板1には2つのスリツト7,8が形成され、
これらのスリツトは絶縁基板1の貫通孔9から出
て切欠部4,5に達する。これらのスリツトは両
コイル2,3の導体路10,11ないし12,1
3と交差するので、導体路はスリツトの領域で互
いに分断される。
フエライトコア6の中心孔14には絶縁基板1
の貫通部15が貫通する。この貫通部はスリツト
7,8と境界を接する境界部16と共に弾性のあ
る舌片17を形成する。舌片17は、第2図に図
示した実施例に関連してさらに詳細に説明するよ
うにフエライトコア6を切欠部4,5に挿入する
ために絶縁基板1の面から移動させることがで
き、離した後は自動的に平面位置に復元する性質
を持つている。それによつてフエライトコアは取
付け後確実に切欠部に保持することができ、その
場合落下しないようにするための付加的な安全手
段を必要とすることがない。
の貫通部15が貫通する。この貫通部はスリツト
7,8と境界を接する境界部16と共に弾性のあ
る舌片17を形成する。舌片17は、第2図に図
示した実施例に関連してさらに詳細に説明するよ
うにフエライトコア6を切欠部4,5に挿入する
ために絶縁基板1の面から移動させることがで
き、離した後は自動的に平面位置に復元する性質
を持つている。それによつてフエライトコアは取
付け後確実に切欠部に保持することができ、その
場合落下しないようにするための付加的な安全手
段を必要とすることがない。
スリツト7,8は互いに平行にしかも絶縁基板
1の外端部18,19に対して直角に延びる。そ
の場合舌片17のスリツトと境界を接する境界部
16の幅はフエライトコア6の中心孔14に貫通
される貫通部15の幅に対応する。スリツト7,
8は切断面が接触しない割れ溝形状に形成され
る。それによつて絶縁基板の反りが防止される。
切欠部に挿入されたフエライトコアは接着材によ
つて絶縁基板1に固定されるので、フエライトコ
アは回転することはない。第1図に図示したよう
に舌片17の境界部16の領域には平坦な長方形
の形をしたブリツジ20が配置される。フエライ
トコア6が絶縁基板1の切欠部4,5に挿入され
た後はブリツジ20によつて舌片17は絶縁基板
1の他の部分と接続される。このブリツジは柔軟
性の少ない材質から構成され、それによつて誘導
素子が多数設けられた大型の回路に対して大きな
機械的強度が与えられる。
1の外端部18,19に対して直角に延びる。そ
の場合舌片17のスリツトと境界を接する境界部
16の幅はフエライトコア6の中心孔14に貫通
される貫通部15の幅に対応する。スリツト7,
8は切断面が接触しない割れ溝形状に形成され
る。それによつて絶縁基板の反りが防止される。
切欠部に挿入されたフエライトコアは接着材によ
つて絶縁基板1に固定されるので、フエライトコ
アは回転することはない。第1図に図示したよう
に舌片17の境界部16の領域には平坦な長方形
の形をしたブリツジ20が配置される。フエライ
トコア6が絶縁基板1の切欠部4,5に挿入され
た後はブリツジ20によつて舌片17は絶縁基板
1の他の部分と接続される。このブリツジは柔軟
性の少ない材質から構成され、それによつて誘導
素子が多数設けられた大型の回路に対して大きな
機械的強度が与えられる。
実施例ではブリツジ20としてスリツト7,8
の領域に導体片21,22,23,24が設けら
れた他の絶縁基板が用いられている。この導体片
は導体路10,11,12,13と導電接着ある
いははんた付けされる。この手段により舌片17
は絶縁基板1と境界を接する部分と堅固に接続さ
れる同時にスリツト7,8の領域での導体路間の
接続が行なわれる。このような2つの機能を持つ
ブリツジに対しては、特に絶縁基板1がそれ自体
で充分な安定性を有する場合にはガラスやセラミ
ツクのような堅固な材質の他に、柔軟性が大きく
薄い絶縁材も用いることができる。さらにブリツ
ジ20の表面に導体あるいは回路素子(図示せ
ず)を配置するようにすることもでき、それによ
つて絶縁基板面の実装密度を向上させることがで
きる。同様な目的にフエライトコアを導くスリツ
ト7,8を絶縁基板1の外端部まで延ばすのでは
なく絶縁基板1の内部に形成された貫通孔9に留
めておくような手段も用いられる。それによつて
節約された面も同様に他の導体や回路素子を取り
付けるのに用いることができる。ブリツジ20並
びに絶縁基板1には孔25,26が設けられ、そ
こにピンが差し込まれはんだ付けないし接着時ブ
リツジを絶縁基板に正確に位置決めすることが可
能になる。この孔には連続した導体部が設けら
れ、それによつて絶縁基板とブリツジの導体部分
を導体接続させることができる。
の領域に導体片21,22,23,24が設けら
れた他の絶縁基板が用いられている。この導体片
は導体路10,11,12,13と導電接着ある
いははんた付けされる。この手段により舌片17
は絶縁基板1と境界を接する部分と堅固に接続さ
れる同時にスリツト7,8の領域での導体路間の
接続が行なわれる。このような2つの機能を持つ
ブリツジに対しては、特に絶縁基板1がそれ自体
で充分な安定性を有する場合にはガラスやセラミ
ツクのような堅固な材質の他に、柔軟性が大きく
薄い絶縁材も用いることができる。さらにブリツ
ジ20の表面に導体あるいは回路素子(図示せ
ず)を配置するようにすることもでき、それによ
つて絶縁基板面の実装密度を向上させることがで
きる。同様な目的にフエライトコアを導くスリツ
ト7,8を絶縁基板1の外端部まで延ばすのでは
なく絶縁基板1の内部に形成された貫通孔9に留
めておくような手段も用いられる。それによつて
節約された面も同様に他の導体や回路素子を取り
付けるのに用いることができる。ブリツジ20並
びに絶縁基板1には孔25,26が設けられ、そ
こにピンが差し込まれはんだ付けないし接着時ブ
リツジを絶縁基板に正確に位置決めすることが可
能になる。この孔には連続した導体部が設けら
れ、それによつて絶縁基板とブリツジの導体部分
を導体接続させることができる。
第2図に図示した実施例では、絶縁基板30上
に導体路31,32,33ないし34,35,3
6から成り直線部の他に円弧状の領域を有するコ
イル37ないし38が形成される。絶縁基板30
は閉じたフエライトコアを収納する2つの切欠部
39,40を有する。この切欠部にそれぞれ絶縁
基板に形成された円形の貫通孔44から出て絶縁
基板30に形成されたスリツト42ないし43が
導かれる。第1図の実施例と異なりスリツト4
2,43は互いに平行に配置されるのではなく。
舌片46のスリツトの境界を接する境界部45の
幅が絶縁基板30の周辺に近づくにつれ減少する
ような形状にされる。舌片をこのような形状にす
ることによりフエライトコアの挿入を容易にする
ことできる。というのは舌片の先端は中心孔47
の直径よりもかなり小さいからである。中心孔貫
通する舌片46の貫通部は48で図示されてい
る。
に導体路31,32,33ないし34,35,3
6から成り直線部の他に円弧状の領域を有するコ
イル37ないし38が形成される。絶縁基板30
は閉じたフエライトコアを収納する2つの切欠部
39,40を有する。この切欠部にそれぞれ絶縁
基板に形成された円形の貫通孔44から出て絶縁
基板30に形成されたスリツト42ないし43が
導かれる。第1図の実施例と異なりスリツト4
2,43は互いに平行に配置されるのではなく。
舌片46のスリツトの境界を接する境界部45の
幅が絶縁基板30の周辺に近づくにつれ減少する
ような形状にされる。舌片をこのような形状にす
ることによりフエライトコアの挿入を容易にする
ことできる。というのは舌片の先端は中心孔47
の直径よりもかなり小さいからである。中心孔貫
通する舌片46の貫通部は48で図示されてい
る。
フエライトコア41を絶縁基板30の切欠部3
9,40に挿入するために指あるいは適当な工具
を用いて舌片46を絶縁基板の面から離し、コア
舌片46の境界部45に差し込まれる。その場合
舌片は中心孔47に貫通される(第4図)。続い
てコアは貫通部48に達し絶縁基板30の切欠部
39,40と係合するまで基板と舌片間を移動さ
れる。この工程で舌片46並びに絶縁基板の材質
はある範囲で弾性的にたわむ。コアが切欠部に係
合されると、舌片46はその本来持つている弾性
のために再び平坦な位置に復元し、コア41は確
実に絶縁基板30に保持される。第1図の実施例
においても同様な作業が行なわれるが、その場合
コア6はまず絶縁基板1の貫通孔9に挿入され舌
片17に対して中心合わせされる。その場合貫通
孔9の幅は少なくともフエライトコア6の幅方向
の厚さに対応する。
9,40に挿入するために指あるいは適当な工具
を用いて舌片46を絶縁基板の面から離し、コア
舌片46の境界部45に差し込まれる。その場合
舌片は中心孔47に貫通される(第4図)。続い
てコアは貫通部48に達し絶縁基板30の切欠部
39,40と係合するまで基板と舌片間を移動さ
れる。この工程で舌片46並びに絶縁基板の材質
はある範囲で弾性的にたわむ。コアが切欠部に係
合されると、舌片46はその本来持つている弾性
のために再び平坦な位置に復元し、コア41は確
実に絶縁基板30に保持される。第1図の実施例
においても同様な作業が行なわれるが、その場合
コア6はまず絶縁基板1の貫通孔9に挿入され舌
片17に対して中心合わせされる。その場合貫通
孔9の幅は少なくともフエライトコア6の幅方向
の厚さに対応する。
フエライトコアの取り付け後絶縁基板ははん付
けないし接着ステーシヨンに送られ、そこでスリ
ツトによつて分断された導体路間が導体片21〜
24によつて導体接続するようにブリツジ20が
取り付けられる。
けないし接着ステーシヨンに送られ、そこでスリ
ツトによつて分断された導体路間が導体片21〜
24によつて導体接続するようにブリツジ20が
取り付けられる。
絶縁基板とブリツジの位置決め並びに形状の安
定性間の許容誤差を良好に吸収できるようにする
ためにまた充分なはんだ付け面を得るために第2
図及び第3図に図示した実施例ではスリツトの領
域での導体路は扇状に拡大されその幅が広くなり
導体路間の距離が大きくなる。その場合第2図の
実施例では導体路31〜36の幅並びにその互い
の距離は両側からスリツト42,43の方向に連
続的に増大するので、充分な距離を隔てた大きな
はんだ付け場所ができる。連続的に扇状に広がる
ことにより導体抵抗は比較的小さく、また高周波
反射特性が向上する。
定性間の許容誤差を良好に吸収できるようにする
ためにまた充分なはんだ付け面を得るために第2
図及び第3図に図示した実施例ではスリツトの領
域での導体路は扇状に拡大されその幅が広くなり
導体路間の距離が大きくなる。その場合第2図の
実施例では導体路31〜36の幅並びにその互い
の距離は両側からスリツト42,43の方向に連
続的に増大するので、充分な距離を隔てた大きな
はんだ付け場所ができる。連続的に扇状に広がる
ことにより導体抵抗は比較的小さく、また高周波
反射特性が向上する。
第3図には絶縁基板50上に閉じたフエライト
コア56を備えたコイル55の導体路51,5
2,53,54が形成される。これらの導体路は
導体路と交差する挿入スリツト57の領域でその
距離と幅が飛躍的に増大するように形成される。
このような構成により導体路とブリツジ(図示せ
ず)の導体片の導体接続に関し、第2図と同様の
効果が得られる。
コア56を備えたコイル55の導体路51,5
2,53,54が形成される。これらの導体路は
導体路と交差する挿入スリツト57の領域でその
距離と幅が飛躍的に増大するように形成される。
このような構成により導体路とブリツジ(図示せ
ず)の導体片の導体接続に関し、第2図と同様の
効果が得られる。
その場合導体路は互いに平行にまた直角になつ
ているので、レイアウト上時間的に有利になる。
第3図でフエライトコア56用の切欠部が58
で、また舌片が59で、その貫通部が60で、ま
たその先端部が61でそれぞれ図示されている。
ているので、レイアウト上時間的に有利になる。
第3図でフエライトコア56用の切欠部が58
で、また舌片が59で、その貫通部が60で、ま
たその先端部が61でそれぞれ図示されている。
絶縁基板とブリツジを結合するのに一面あるい
は両面に電気メツキにより形成されたすずと鉛の
層が用いられる。それによつてはんだ付け前にす
でに平坦で面状の導体面が得られ、同様に適用可
能な浸漬すず、メツキに比較して確実なはんだ付
けが可能になる。はんだ付けは好ましくは機械的
圧力をかけて連続加熱炉で行なわれる。
は両面に電気メツキにより形成されたすずと鉛の
層が用いられる。それによつてはんだ付け前にす
でに平坦で面状の導体面が得られ、同様に適用可
能な浸漬すず、メツキに比較して確実なはんだ付
けが可能になる。はんだ付けは好ましくは機械的
圧力をかけて連続加熱炉で行なわれる。
上述の構成は閉じた単孔のフエライトコアを確
実に保持させるだけでなく、また多孔のコアにも
好適である。この場合、各コアの孔には第1図,
第2図に図示した舌片と同じ形状の舌片が貫通す
る。
実に保持させるだけでなく、また多孔のコアにも
好適である。この場合、各コアの孔には第1図,
第2図に図示した舌片と同じ形状の舌片が貫通す
る。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3322004.2 | 1983-06-18 | ||
| DE19833322004 DE3322004A1 (de) | 1983-06-18 | 1983-06-18 | Induktives element, insbesondere uebertrager |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60501633A JPS60501633A (ja) | 1985-09-26 |
| JPH053724B2 true JPH053724B2 (ja) | 1993-01-18 |
Family
ID=6201781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59501979A Granted JPS60501633A (ja) | 1983-06-18 | 1984-05-26 | 誘導素子、特に変成器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0146585B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60501633A (ja) |
| DE (2) | DE3322004A1 (ja) |
| DK (1) | DK159348C (ja) |
| WO (1) | WO1985000072A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9410114B2 (en) | 2003-10-08 | 2016-08-09 | Wilson Wolf Manufacturing | Cell culture methods and devices utilizing gas permeable materials |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4673854A (en) * | 1984-08-01 | 1987-06-16 | Southern Railway Company | Electronic cross-level detection system |
| DE3708209C2 (de) * | 1987-03-13 | 1995-08-03 | Bosch Gmbh Robert | Hochfrequenz-Bauelement |
| US4754390A (en) * | 1987-04-29 | 1988-06-28 | International Business Machines Corporation | Conductively cooled switching regulator |
| DE4027994A1 (de) * | 1990-09-04 | 1992-03-05 | Gw Elektronik Gmbh | Hf-magnetspulenanordnung und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5565837A (en) * | 1992-11-06 | 1996-10-15 | Nidec America Corporation | Low profile printed circuit board |
| US5321380A (en) * | 1992-11-06 | 1994-06-14 | Power General Corporation | Low profile printed circuit board |
| DE4244107C2 (de) * | 1992-12-24 | 1996-02-08 | Hirschmann Richard Gmbh Co | Hochfrequenz-Übertrager |
| DE102005037616A1 (de) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg | Leitungstransformator zur Impedanzanpassung |
| DE102005041131B4 (de) | 2005-08-30 | 2008-01-31 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Übertrager |
| DE102012003364A1 (de) | 2012-02-22 | 2013-08-22 | Phoenix Contact Gmbh & Co. Kg | Planarer Übertrager |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2054457C3 (de) * | 1970-11-05 | 1978-06-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Hochfrequenztransformator |
| BE862654A (fr) * | 1977-01-13 | 1978-07-05 | Cit Alcatel | Procede de realisation de circuits inductifs |
| DE2927364A1 (de) * | 1979-07-06 | 1981-01-22 | Bosch Gmbh Robert | Induktives element, insbesondere uebertrager |
-
1983
- 1983-06-18 DE DE19833322004 patent/DE3322004A1/de not_active Withdrawn
-
1984
- 1984-05-26 DE DE8484902195T patent/DE3462364D1/de not_active Expired
- 1984-05-26 JP JP59501979A patent/JPS60501633A/ja active Granted
- 1984-05-26 WO PCT/DE1984/000118 patent/WO1985000072A1/de not_active Ceased
- 1984-05-26 EP EP84902195A patent/EP0146585B1/de not_active Expired
-
1985
- 1985-02-15 DK DK073885A patent/DK159348C/da not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9410114B2 (en) | 2003-10-08 | 2016-08-09 | Wilson Wolf Manufacturing | Cell culture methods and devices utilizing gas permeable materials |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0146585B1 (de) | 1987-02-04 |
| DE3462364D1 (en) | 1987-03-12 |
| DK73885D0 (da) | 1985-02-15 |
| DK73885A (da) | 1985-02-15 |
| WO1985000072A1 (fr) | 1985-01-03 |
| DK159348C (da) | 1991-03-04 |
| EP0146585A1 (de) | 1985-07-03 |
| JPS60501633A (ja) | 1985-09-26 |
| DK159348B (da) | 1990-10-01 |
| DE3322004A1 (de) | 1984-12-20 |
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