JPH0541108A - 導電体材料 - Google Patents
導電体材料Info
- Publication number
- JPH0541108A JPH0541108A JP22127391A JP22127391A JPH0541108A JP H0541108 A JPH0541108 A JP H0541108A JP 22127391 A JP22127391 A JP 22127391A JP 22127391 A JP22127391 A JP 22127391A JP H0541108 A JPH0541108 A JP H0541108A
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- Japan
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- conductor
- surface mount
- conductor material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面実装デバイス内での導電体材料におい
て，Ｃｕ，Ｎｉ金属を導電体に用いた場合においても，
デバイスの特性の劣化を防止することができる導電体材
料を提供する。 【構成】 表面実装デバイスに用いられる導電体材料で
ある。この導電体材料は，Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，
Ｖ，Ｇａのうち少なくとも一種の元素を０．０１wt％〜
５wt％含む。そして，残部としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ及び
これらの合金のうちから選択された少なくとも一種を含
む。
て，Ｃｕ，Ｎｉ金属を導電体に用いた場合においても，
デバイスの特性の劣化を防止することができる導電体材
料を提供する。 【構成】 表面実装デバイスに用いられる導電体材料で
ある。この導電体材料は，Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，
Ｖ，Ｇａのうち少なくとも一種の元素を０．０１wt％〜
５wt％含む。そして，残部としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ及び
これらの合金のうちから選択された少なくとも一種を含
む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，表面実装デバイスにお
ける導電体材料に関するものである。
ける導電体材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器が超小型，高機能化するなか
で，実装技術の重要性が増しており高密度実装した小形
で軽く，使い易く，高機能化した表面実装デバイスが商
品化されている。従来の表面実装デバイスにおける導電
体は，Ａｇ−Ｐｄ（７５：２５〜５０：５０合金）系，
Ｐｄとバインダーから成るペーストを印刷することによ
り形成し，所定の焼成温度及び時間で処理して形成され
るものであった。
で，実装技術の重要性が増しており高密度実装した小形
で軽く，使い易く，高機能化した表面実装デバイスが商
品化されている。従来の表面実装デバイスにおける導電
体は，Ａｇ−Ｐｄ（７５：２５〜５０：５０合金）系，
Ｐｄとバインダーから成るペーストを印刷することによ
り形成し，所定の焼成温度及び時間で処理して形成され
るものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，導電体
部がＡｇ−Ｐｄ系合金，又はＰｄ金属の場合，大気中に
て焼成を行っても酸化しにくい為，導電性の良い導電体
部が得られたが，非常に高価な為，表面実装デバイス全
体が高価となり，低価格化を目ざす上で問題であった。
その改善策として，コスト的に安い，Ｃｕ，Ｎｉ，金属
を導電体に用いた場合，大気中で焼成を行うと，酸化し
てしまい，十分な導電体特性が得られない欠点があっ
た。又，大気中以外の雰囲気中で焼成した場合には，導
電体部の酸化は抑えられるが，表面実装デバイスを構成
する強磁性体あるいは強誘電体部での表面部分が相変化
を起こしてしまい，本来のデバイス特性を得られないと
いう欠点があった。そこで，本発明の技術的課題は，こ
れらの欠点を除去する為，表面実装デバイス内での導電
体材料において，Ｃｕ，Ｎｉ金属を導電体に用いた場合
においても，デバイスの特性の劣化を防止することがで
きる導電体材料を提供することにある。
部がＡｇ−Ｐｄ系合金，又はＰｄ金属の場合，大気中に
て焼成を行っても酸化しにくい為，導電性の良い導電体
部が得られたが，非常に高価な為，表面実装デバイス全
体が高価となり，低価格化を目ざす上で問題であった。
その改善策として，コスト的に安い，Ｃｕ，Ｎｉ，金属
を導電体に用いた場合，大気中で焼成を行うと，酸化し
てしまい，十分な導電体特性が得られない欠点があっ
た。又，大気中以外の雰囲気中で焼成した場合には，導
電体部の酸化は抑えられるが，表面実装デバイスを構成
する強磁性体あるいは強誘電体部での表面部分が相変化
を起こしてしまい，本来のデバイス特性を得られないと
いう欠点があった。そこで，本発明の技術的課題は，こ
れらの欠点を除去する為，表面実装デバイス内での導電
体材料において，Ｃｕ，Ｎｉ金属を導電体に用いた場合
においても，デバイスの特性の劣化を防止することがで
きる導電体材料を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，表面実
装デバイスに用いられる導電体材料であって，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｖ，Ｇａのうち少なくとも一種の元素
を０．０１wt％〜５wt％と残部としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ
及びこれらの合金のうちから選択された少なくとも一種
とを含むことを特徴とする導電体材料が得られる。
装デバイスに用いられる導電体材料であって，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｖ，Ｇａのうち少なくとも一種の元素
を０．０１wt％〜５wt％と残部としてＣｕ，Ｎｉ，Ａｇ
及びこれらの合金のうちから選択された少なくとも一種
とを含むことを特徴とする導電体材料が得られる。
【０００５】ここで，本発明において，導電体材料への
Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｖ，Ｇａのうちの少くとも一
種の元素の添加量を０．０１wt％〜５wt％としたのは，
０．０１wt％以下では十分な酸化層を形成することがで
きず導電体部を酸化させてしまうためであり，又５wt％
以上では，導電体部あるいは表面実装デバイスの導電体
部以外の構成部分である強磁性体部，強誘電体部等の電
気抵抗が増加してしまい本来の特性を得られない為であ
り，良好な特性の製品を得るには０．０１wt％〜５wt％
の範囲が望ましい。
Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｖ，Ｇａのうちの少くとも一
種の元素の添加量を０．０１wt％〜５wt％としたのは，
０．０１wt％以下では十分な酸化層を形成することがで
きず導電体部を酸化させてしまうためであり，又５wt％
以上では，導電体部あるいは表面実装デバイスの導電体
部以外の構成部分である強磁性体部，強誘電体部等の電
気抵抗が増加してしまい本来の特性を得られない為であ
り，良好な特性の製品を得るには０．０１wt％〜５wt％
の範囲が望ましい。
【０００６】本発明においては大気中で焼成しても，導
電体部の周囲の表面に酸化層を形成させることにより導
電体部を保護し，十分な導電体特性が得られる表面実装
デバイスの提供を可能にすることができる。
電体部の周囲の表面に酸化層を形成させることにより導
電体部を保護し，十分な導電体特性が得られる表面実装
デバイスの提供を可能にすることができる。
【０００７】本発明においては，Ｃｕ，Ｎｉよりもより
活性な金属即ちＡｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｖ，Ｇａのう
ち少なくとも一種の元素を添加し，表面に例えばＡｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＢｅＯ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｇａ2
Ｏ3 の選択酸化層を形成させることにより，大気中焼成
でも，内部のＣｕ，Ｎｉ，金属を酸化させることなく，
十分な導電体特性を得ることが可能となった。
活性な金属即ちＡｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｖ，Ｇａのう
ち少なくとも一種の元素を添加し，表面に例えばＡｌ2
Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，ＢｅＯ，Ｖ2 Ｏ5 ，Ｇａ2
Ｏ3 の選択酸化層を形成させることにより，大気中焼成
でも，内部のＣｕ，Ｎｉ，金属を酸化させることなく，
十分な導電体特性を得ることが可能となった。
【０００８】
【実施例】以下，本発明の実施例について説明する。
【０００９】（実施例１）磁性体のＮｉ−Ｚｎフェライ
トと導電体部としてＣｕに０．０１wt％〜５wt％Ａｌを
添加した合金のペースト状の粉末を印刷し順次積層した
積層体を１０５０℃の温度で１時間大気中で焼成を行
い，表面実装デバイスである積層型インダクタを得た。
図１は，積層型インダクタの導電体部のＡｌ添加量と電
気抵抗率との関係を示している。図１よりＡｌを添加し
ない場合導電体のＣｕの酸化により電気抵抗率が大きく
なり導電性が悪くなる。Ａｌ添加量が０．０１wt％〜５
wt％の範囲内では表面部でのＡｌの選択酸化により低い
電気抵抗率を示し，実用上問題はない。しかし，Ａｌ添
加量が５wt％以上になるとＡｌの選択酸化の他にＡｌの
拡散が起こり，多少電気抵抗率が大きくなっていること
がわかる。
トと導電体部としてＣｕに０．０１wt％〜５wt％Ａｌを
添加した合金のペースト状の粉末を印刷し順次積層した
積層体を１０５０℃の温度で１時間大気中で焼成を行
い，表面実装デバイスである積層型インダクタを得た。
図１は，積層型インダクタの導電体部のＡｌ添加量と電
気抵抗率との関係を示している。図１よりＡｌを添加し
ない場合導電体のＣｕの酸化により電気抵抗率が大きく
なり導電性が悪くなる。Ａｌ添加量が０．０１wt％〜５
wt％の範囲内では表面部でのＡｌの選択酸化により低い
電気抵抗率を示し，実用上問題はない。しかし，Ａｌ添
加量が５wt％以上になるとＡｌの選択酸化の他にＡｌの
拡散が起こり，多少電気抵抗率が大きくなっていること
がわかる。
【００１０】（実施例２）磁性体のＮｉ−Ｚｎフェライ
トと導電体部としてＮｉに０．０１wt％〜５wt％Ｓｉを
添加した合金のペースト状の粉末を印刷し順次積層した
積層体を１０５０℃の温度で１時間大気中で焼成を行
い，表面実装デバイスである積層型インダクタを得た。
図２は，積層型インダクタの導電体部のＳｉ添加量と電
気抵抗率との関係を示している。図２より，Ｓｉ添加量
が０．０１wt％〜５wt％の範囲内において低い電気抵抗
率を示している。実際，この焼成体の断面の金属組織を
観察するとＮｉ導体部とＮｉ−Ｚｎフェライトの間に数
μm のＳｉ酸化層の膜が均一に取り囲んでいるのが観察
された。
トと導電体部としてＮｉに０．０１wt％〜５wt％Ｓｉを
添加した合金のペースト状の粉末を印刷し順次積層した
積層体を１０５０℃の温度で１時間大気中で焼成を行
い，表面実装デバイスである積層型インダクタを得た。
図２は，積層型インダクタの導電体部のＳｉ添加量と電
気抵抗率との関係を示している。図２より，Ｓｉ添加量
が０．０１wt％〜５wt％の範囲内において低い電気抵抗
率を示している。実際，この焼成体の断面の金属組織を
観察するとＮｉ導体部とＮｉ−Ｚｎフェライトの間に数
μm のＳｉ酸化層の膜が均一に取り囲んでいるのが観察
された。
【００１１】（実施例３）強誘電性のＢａＴｉＯ3 セラ
ミック薄層と電極部としてＣｕに０．０１wt％〜５wt％
Ｓｉを添加した合金の薄層を交互に積み重ねた積層体を
１３００℃の温度で１時間大気中焼成を行い，表面実装
デバイスである積層型コンデンサーを得た。表１は，積
層型コンデンサーの電極部のＳｉ添加量と比誘電率及び
電気抵抗率の関係を示した。
ミック薄層と電極部としてＣｕに０．０１wt％〜５wt％
Ｓｉを添加した合金の薄層を交互に積み重ねた積層体を
１３００℃の温度で１時間大気中焼成を行い，表面実装
デバイスである積層型コンデンサーを得た。表１は，積
層型コンデンサーの電極部のＳｉ添加量と比誘電率及び
電気抵抗率の関係を示した。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１の様に比誘電率はＳｉ添加量を多くす
るとＳｉＯ2 の存在により極端に劣化してしまう。又，
電気抵抗率はＳｉを添加しない場合Ｃｕの酸化が起こり
電気抵抗率は大きくなる。よって両特性を十分に満足す
る添加量の範囲は０．０１wt％〜５wt％であることが判
明した。
るとＳｉＯ2 の存在により極端に劣化してしまう。又，
電気抵抗率はＳｉを添加しない場合Ｃｕの酸化が起こり
電気抵抗率は大きくなる。よって両特性を十分に満足す
る添加量の範囲は０．０１wt％〜５wt％であることが判
明した。
【００１４】
【発明の効果】以上述べた様に，本発明によれば，コス
ト的に安い導電体材料を用いることにより，従来よりも
はるかに安価な表面実装デバイスの提供が可能となっ
た。
ト的に安い導電体材料を用いることにより，従来よりも
はるかに安価な表面実装デバイスの提供が可能となっ
た。
【図１】Ａｌ添加量を変化させた時の導電体部の電気抵
抗率との関係図である。
抗率との関係図である。
【図２】Ｓｉ添加量を変化させた時の導電体部の電気抵
抗率との関係図である。
抗率との関係図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 表面実装デバイスに用いられる導電体材
料であって， Ａｌ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｂｅ，Ｖ，Ｇａのうち少なくとも一
種の元素を０．０１wt％〜５wt％と残部としてＣｕ，Ｎ
ｉ，Ａｇ及びこれらの合金のうちから選択された少なく
とも一種とを含むことを特徴とする導電体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22127391A JPH0541108A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 導電体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22127391A JPH0541108A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 導電体材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541108A true JPH0541108A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16764193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22127391A Pending JPH0541108A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 導電体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541108A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998005045A1 (fr) * | 1996-07-26 | 1998-02-05 | Tdk Corporation | Pate conductrice et piece ceramique multicouche utilisant cette pate |
| EP0925860A3 (en) * | 1997-12-25 | 1999-12-15 | Kawatetsu Mining Co., LTD. | Nickel ultrafine powder |
| JP2005093571A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜配線層 |
| WO2009084645A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP22127391A patent/JPH0541108A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998005045A1 (fr) * | 1996-07-26 | 1998-02-05 | Tdk Corporation | Pate conductrice et piece ceramique multicouche utilisant cette pate |
| EP0925860A3 (en) * | 1997-12-25 | 1999-12-15 | Kawatetsu Mining Co., LTD. | Nickel ultrafine powder |
| JP2005093571A (ja) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜配線層 |
| WO2009084645A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001018 |