JPH0541152A - 電界放出陰極の製造方法 - Google Patents
電界放出陰極の製造方法Info
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- JPH0541152A JPH0541152A JP19768591A JP19768591A JPH0541152A JP H0541152 A JPH0541152 A JP H0541152A JP 19768591 A JP19768591 A JP 19768591A JP 19768591 A JP19768591 A JP 19768591A JP H0541152 A JPH0541152 A JP H0541152A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空マイクロデバイス等に用いる電界放出陰
極の製造方法において、電界放出陰極材料として、金属
が使え、特性がよく、かつ形状制御の容易な電界放出陰
極が形成できる。 【構成】 角錐型あるいは円錐型の凹み３１ａを基板３
１上に設け、その上に電界放出陰極材料３２をスパッタ
等で形成する。その後基板を溶解除去することにより、
電界放出陰極を形成する。 【効果】 性能、信頼性が高く製造コストの安い電界放
出陰極が製造できる。
極の製造方法において、電界放出陰極材料として、金属
が使え、特性がよく、かつ形状制御の容易な電界放出陰
極が形成できる。 【構成】 角錐型あるいは円錐型の凹み３１ａを基板３
１上に設け、その上に電界放出陰極材料３２をスパッタ
等で形成する。その後基板を溶解除去することにより、
電界放出陰極を形成する。 【効果】 性能、信頼性が高く製造コストの安い電界放
出陰極が製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ真空デバイス
における電界放出陰極の製造方法に関するものである。
における電界放出陰極の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】微小な電界放出陰極を利用し、超高速の
真空ＩＣや、高精細のフラットパネルＣＲＴを形成しよ
うという試みが始まっている。これらの真空デバイス
は、半導体の微細加工技術を用いて形成され、素子の高
機能化と高集積化を目指すものである。
真空ＩＣや、高精細のフラットパネルＣＲＴを形成しよ
うという試みが始まっている。これらの真空デバイス
は、半導体の微細加工技術を用いて形成され、素子の高
機能化と高集積化を目指すものである。
【０００３】電界放出陰極はマイクロ真空デバイスの主
要構成要素であり、その形状から錐型と楔型の２種類に
分けることができる。錐型の電界放出陰極は基板と垂直
の方向に電子を放出し、楔型は水平方向に放出する。錐
型の電界放出陰極はその形成方法で、蒸着型とエッチン
グ型の２種類に分けることができる。蒸着型は陰極を金
属の蒸着により形成され、エッチング型はシリコンの異
方性エッチングにより形成される。楔型は金属の蒸着と
そのエッチングによって形成される。
要構成要素であり、その形状から錐型と楔型の２種類に
分けることができる。錐型の電界放出陰極は基板と垂直
の方向に電子を放出し、楔型は水平方向に放出する。錐
型の電界放出陰極はその形成方法で、蒸着型とエッチン
グ型の２種類に分けることができる。蒸着型は陰極を金
属の蒸着により形成され、エッチング型はシリコンの異
方性エッチングにより形成される。楔型は金属の蒸着と
そのエッチングによって形成される。
【０００４】これらの電界放出陰極を適用したデバイス
として、フラットパネルＣＲＴがある。フラットパネル
ＣＲＴは電界放出陰極の高集積度を最大限に利用しよう
とするものである。
として、フラットパネルＣＲＴがある。フラットパネル
ＣＲＴは電界放出陰極の高集積度を最大限に利用しよう
とするものである。
【０００５】次に錐型電界放出陰極の形状およびその形
成方法について説明する。図６に錐型の陰極の構造図を
示す。図において、５１は基板、５２はゲート膜、５３
は絶縁膜、５４は電界放出陰極である。
成方法について説明する。図６に錐型の陰極の構造図を
示す。図において、５１は基板、５２はゲート膜、５３
は絶縁膜、５４は電界放出陰極である。
【０００６】Ｓｉ基板５１上に円錐状あるいは角錐状の
電界放出陰極５４が形成されている。ゲート膜５２はＳ
ｉＯ2 の絶縁膜５３上に形成されている。電界放出陰極
（エミッタコーン）とアノード（図示しない）間に電圧
をかけ、かつ、エミッタとゲート間に電圧を印加するこ
とにより、エミッタ先端から電子が引き出される。先端
の曲率半径は数百Åである。
電界放出陰極５４が形成されている。ゲート膜５２はＳ
ｉＯ2 の絶縁膜５３上に形成されている。電界放出陰極
（エミッタコーン）とアノード（図示しない）間に電圧
をかけ、かつ、エミッタとゲート間に電圧を印加するこ
とにより、エミッタ先端から電子が引き出される。先端
の曲率半径は数百Åである。
【０００７】蒸着型、エッチング型の形成方法をそれぞ
れ図７、図８に示す。図７に示すのが蒸着型である。図
において、６１はＳｉウェハー基板、６２はＳｉＯ2 絶
縁膜、６３はＭｏ膜、６４はＡｌ犠牲層、６５はＭｏ蒸
着膜、６６は電界放出陰極である。
れ図７、図８に示す。図７に示すのが蒸着型である。図
において、６１はＳｉウェハー基板、６２はＳｉＯ2 絶
縁膜、６３はＭｏ膜、６４はＡｌ犠牲層、６５はＭｏ蒸
着膜、６６は電界放出陰極である。
【０００８】次に上述した蒸着型の製造工程について説
明する。表面ドープを施し導電性を良くしたＳｉウェハ
ー基板６１上に、ＳｉＯ2 絶縁膜６２を１〜１．５μｍ
成膜し、Ｍｏ膜６３を電子ビーム蒸着する。この上から
直径１μｍの円状にＭｏ膜６３とＳｉＯ2 絶縁膜６２を
エッチングで抜く。次にフッ酸でＳｉＯ2 絶縁膜６２を
やや溶かしだし、その後Ａｌ犠牲層６４を斜め方向から
蒸着する（図７Ａ）。次にＭｏ膜６３を上方より真空蒸
着する。Ｍｏ膜６３はＡｌ−Ｍｏ−ＳｉＯ2 の穴を通し
てＳｉウェハー基板６１上に堆積するが、Ｍｏ膜６３の
穴の縁にも堆積するため、次第に穴の径が小さくなり、
最終的には穴は閉じてしまう。そのためＭｏ膜６３はコ
ーン状になってＳｉウェハー基板６１上に堆積する（図
７Ｂ）。最後にＡｌ犠牲層６４を溶解除去する（図７
Ｃ）。
明する。表面ドープを施し導電性を良くしたＳｉウェハ
ー基板６１上に、ＳｉＯ2 絶縁膜６２を１〜１．５μｍ
成膜し、Ｍｏ膜６３を電子ビーム蒸着する。この上から
直径１μｍの円状にＭｏ膜６３とＳｉＯ2 絶縁膜６２を
エッチングで抜く。次にフッ酸でＳｉＯ2 絶縁膜６２を
やや溶かしだし、その後Ａｌ犠牲層６４を斜め方向から
蒸着する（図７Ａ）。次にＭｏ膜６３を上方より真空蒸
着する。Ｍｏ膜６３はＡｌ−Ｍｏ−ＳｉＯ2 の穴を通し
てＳｉウェハー基板６１上に堆積するが、Ｍｏ膜６３の
穴の縁にも堆積するため、次第に穴の径が小さくなり、
最終的には穴は閉じてしまう。そのためＭｏ膜６３はコ
ーン状になってＳｉウェハー基板６１上に堆積する（図
７Ｂ）。最後にＡｌ犠牲層６４を溶解除去する（図７
Ｃ）。
【０００９】図８に示すのがエッチング型である。図に
おいて、７１はＳｉウェハー基板、７２はエッチングマ
スク、７３は絶縁膜、７４はゲート電極、７５は電界放
出陰極である。
おいて、７１はＳｉウェハー基板、７２はエッチングマ
スク、７３は絶縁膜、７４はゲート電極、７５は電界放
出陰極である。
【００１０】次にエッチング型の製造工程について説明
する。導電性を上げるため、予めSiウェハー基板７１の
面にリンをドープし、Ｎ型Ｓｉウェハーにしておく。そ
の上に、Ｓi3Ｎ4 やＳｉＯ2 のエッチングマスク７２を
所望の大きさ（１〜２μの円形）に形成する（図８
Ａ）。次にＫＯＨなどの溶液でＳｉウェハー基板７１を
異方性エッチングするとＳｉウェハーはピラミッド状に
加工される。このピラミッドの先端曲率半径は１０００
Å以下である（図８Ｂ）。そして陰極７５の周囲にＳｉ
Ｏ2 の絶縁膜７３（１〜２μｍ、ＣＶＤ）とＷ，Ｍｏ，
Ｔａなどのゲート用の電極７４（0.５μｍ、ＥＢ蒸着）
を成膜する（図８Ｃ）。
する。導電性を上げるため、予めSiウェハー基板７１の
面にリンをドープし、Ｎ型Ｓｉウェハーにしておく。そ
の上に、Ｓi3Ｎ4 やＳｉＯ2 のエッチングマスク７２を
所望の大きさ（１〜２μの円形）に形成する（図８
Ａ）。次にＫＯＨなどの溶液でＳｉウェハー基板７１を
異方性エッチングするとＳｉウェハーはピラミッド状に
加工される。このピラミッドの先端曲率半径は１０００
Å以下である（図８Ｂ）。そして陰極７５の周囲にＳｉ
Ｏ2 の絶縁膜７３（１〜２μｍ、ＣＶＤ）とＷ，Ｍｏ，
Ｔａなどのゲート用の電極７４（0.５μｍ、ＥＢ蒸着）
を成膜する（図８Ｃ）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】蒸着型は電界放出陰極
が金属でできているため高い電流密度が期待できるとい
う長所があるが、ミクロンオーダーの小さい開口部を通
して金属を蒸着するので、開口部の径により電界放出陰
極の径と高さが異なり、その制御が困難という問題点が
ある。一方、エッチング型はＳｉウェハーの異方性エッ
チングを利用して電界放出陰極を形成するので、形状の
制御が比較的容易であるが、電流密度が小さいことや不
規則な電流−電圧特性が問題点となる。
が金属でできているため高い電流密度が期待できるとい
う長所があるが、ミクロンオーダーの小さい開口部を通
して金属を蒸着するので、開口部の径により電界放出陰
極の径と高さが異なり、その制御が困難という問題点が
ある。一方、エッチング型はＳｉウェハーの異方性エッ
チングを利用して電界放出陰極を形成するので、形状の
制御が比較的容易であるが、電流密度が小さいことや不
規則な電流−電圧特性が問題点となる。
【００１２】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、金属でできた電界放出陰極を用
いることで高い電流密度を得、かつ錐型の形状を得るた
めに比較的容易な形状制御方法により形成することによ
り、性能、信頼性が高く、製造コストの安い電界放出陰
極の製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、金属でできた電界放出陰極を用
いることで高い電流密度を得、かつ錐型の形状を得るた
めに比較的容易な形状制御方法により形成することによ
り、性能、信頼性が高く、製造コストの安い電界放出陰
極の製造方法を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る電界放出
陰極の製造方法は、錐型の電界放出電極を持つマイクロ
真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、こ
の凹みの上に電極材料を形成し、その後基板を除去する
ことにより錐型の電界放出電極を得るものである。
陰極の製造方法は、錐型の電界放出電極を持つマイクロ
真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、こ
の凹みの上に電極材料を形成し、その後基板を除去する
ことにより錐型の電界放出電極を得るものである。
【００１４】
【作用】この発明は、錐型の電界放出電極を持つマイク
ロ真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、
その上に電界放出陰極の電極材料を形成し、その後基板
を除去することによって、電界放出電極の材料に金属を
用いることができ、高い電流密度を得ることができる。
またエッチングにより基板上に錐型の凹みを作るため、
形状の制御が比較的容易となる。そのため、性能、信頼
性が高く、製造コストの安い電界放出陰極を得ることが
できる。
ロ真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、
その上に電界放出陰極の電極材料を形成し、その後基板
を除去することによって、電界放出電極の材料に金属を
用いることができ、高い電流密度を得ることができる。
またエッチングにより基板上に錐型の凹みを作るため、
形状の制御が比較的容易となる。そのため、性能、信頼
性が高く、製造コストの安い電界放出陰極を得ることが
できる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明による実施例を図について説
明する。図１はこの発明の製造方法の工程図を示す断面
図である。図において、１１はＳｉ基板、１２は基板エ
ッチング用のマスク材である。
明する。図１はこの発明の製造方法の工程図を示す断面
図である。図において、１１はＳｉ基板、１２は基板エ
ッチング用のマスク材である。
【００１６】この実施例の製造方法は、Ｓｉ基板１1(0.
５mm厚程度、結晶方位）上にエッチングマスク材１２と
してＳｉＯ2 膜を３０００Åスパッタ形成する（図１
Ａ）。このＳｉＯ2 膜は熱酸化膜あるいはＳi3Ｎ4 膜等
でもよい。その上に写真製版を施し、Ｓｉ基板１１に錐
型の凹みを設ける部分以外をレジストで覆う。次にフッ
化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液を用いてＳｉＯ2
マスクを溶解除去する（図１Ｂ）。さらにＫＯＨ水溶液
に基板を浸漬し、異方性エッチングにより角錐状の凹み
１１ａをＳｉ基板１１表面に形成する（図１Ｃ）。マス
クであるＳｉＯ2 膜をフッ酸等でエッチング除去し、Ｓ
ｉ基板に角錐状の凹み１１ａが形成できる（図１Ｄ）。
５mm厚程度、結晶方位）上にエッチングマスク材１２と
してＳｉＯ2 膜を３０００Åスパッタ形成する（図１
Ａ）。このＳｉＯ2 膜は熱酸化膜あるいはＳi3Ｎ4 膜等
でもよい。その上に写真製版を施し、Ｓｉ基板１１に錐
型の凹みを設ける部分以外をレジストで覆う。次にフッ
化水素酸、フッ化アンモニウム水溶液を用いてＳｉＯ2
マスクを溶解除去する（図１Ｂ）。さらにＫＯＨ水溶液
に基板を浸漬し、異方性エッチングにより角錐状の凹み
１１ａをＳｉ基板１１表面に形成する（図１Ｃ）。マス
クであるＳｉＯ2 膜をフッ酸等でエッチング除去し、Ｓ
ｉ基板に角錐状の凹み１１ａが形成できる（図１Ｄ）。
【００１７】Ｓｉエッチング液には、フッ酸硝酸系以外
にアルカリエッチ液があり、苛性カリあるいは有機アル
カリ水溶液を加熱すれば、かなりのエッチング速度に達
する。そしてこの種のエッチング液は結晶方位依存性が
大きく、図２に示すように（１００）方向のエッチング
速度は早く、これに反して（１１１）方向のエッチング
速度は最も遅い。
にアルカリエッチ液があり、苛性カリあるいは有機アル
カリ水溶液を加熱すれば、かなりのエッチング速度に達
する。そしてこの種のエッチング液は結晶方位依存性が
大きく、図２に示すように（１００）方向のエッチング
速度は早く、これに反して（１１１）方向のエッチング
速度は最も遅い。
【００１８】そこで（１００）面のウェハーを用い、パ
ターンの線を（１１１）方向にすれば、この線を含む
（１１１）面が現れる。そしてこの方向にはエッチング
がほとんど進行しないので、エッチング形状は図２に示
したようになる。
ターンの線を（１１１）方向にすれば、この線を含む
（１１１）面が現れる。そしてこの方向にはエッチング
がほとんど進行しないので、エッチング形状は図２に示
したようになる。
【００１９】以下この発明による他の実施例を図につい
て説明する。図３は本発明の製造方法の工程図を示す断
面図である。図において、２１はＳｉ基板、２２は基板
エッチング用のマスク材であるフォトレジストである。
て説明する。図３は本発明の製造方法の工程図を示す断
面図である。図において、２１はＳｉ基板、２２は基板
エッチング用のマスク材であるフォトレジストである。
【００２０】この実施例の製造方法は、Ｓｉ基板２１
（0.５mm厚程度）上にフォトレジスト２２を塗布する
（図３Ａ）。次に、写真製版を施し、Ｓｉ基板２１に錐
型の凹みを設ける部分のレジストを除去する（図３
Ｂ）。次にＳｉ基板２１をイオンビームエッチング（Ｉ
ＢＥ）装置内に載置する。ＩＢＥ層によりアルゴンのイ
オンビームを照射して、円錐状の凹み２１ａをＳｉ基板
表面に形成する（図３Ｃ）。最後にアッシャー等を用い
てフォトレジスト２２を除去する（図３Ｄ）。
（0.５mm厚程度）上にフォトレジスト２２を塗布する
（図３Ａ）。次に、写真製版を施し、Ｓｉ基板２１に錐
型の凹みを設ける部分のレジストを除去する（図３
Ｂ）。次にＳｉ基板２１をイオンビームエッチング（Ｉ
ＢＥ）装置内に載置する。ＩＢＥ層によりアルゴンのイ
オンビームを照射して、円錐状の凹み２１ａをＳｉ基板
表面に形成する（図３Ｃ）。最後にアッシャー等を用い
てフォトレジスト２２を除去する（図３Ｄ）。
【００２１】このときＳｉ基板２１は、アルゴンのイオ
ンビームによってエッチングされるが、イオンビームの
直進性がよいため異方性が良くエッチングされる。この
ときイオンビームの方向に対して基板２１を傾けると、
イオンビームの影になる部分ができ、斜めにエッチング
することができる。
ンビームによってエッチングされるが、イオンビームの
直進性がよいため異方性が良くエッチングされる。この
ときイオンビームの方向に対して基板２１を傾けると、
イオンビームの影になる部分ができ、斜めにエッチング
することができる。
【００２２】上記２つの実施例についてウェットエッチ
ングあるいはＩＢＥによるエッチングによりＳｉ表面に
形成する凹みは、それぞれ角錐状、円錐状となる。この
形状の違いはエッチングの方法によって変わるので、電
界放出陰極を用いるデバイスの目的仕様によって選べば
よい。
ングあるいはＩＢＥによるエッチングによりＳｉ表面に
形成する凹みは、それぞれ角錐状、円錐状となる。この
形状の違いはエッチングの方法によって変わるので、電
界放出陰極を用いるデバイスの目的仕様によって選べば
よい。
【００２３】以下この発明による電界放出陰極の製造方
法を図４について説明する。図において、３１はＳｉ基
板、３２は電界放出陰極材料、３３は接着剤層、３４は
電界放出陰極支持基板である。
法を図４について説明する。図において、３１はＳｉ基
板、３２は電界放出陰極材料、３３は接着剤層、３４は
電界放出陰極支持基板である。
【００２４】上述した電界放出陰極の製造方法について
説明する。表面に錐型の凹み３１ａをもったＳｉ基板３
１（図４Ａ）をスパッタ装置内に載置し、その表面にタ
ングステン（Ｗ）の電界放出陰極材料３２を２ミクロン
の厚さにスパッタ形成する（図４Ｂ）。さらにその上に
電界放出陰極の支持基板としてガラスなどの基板３４を
接着剤層３３あるいは陽極接合法などによって接合する
（図４Ｃ）。接合の終わったＳｉ基板３１をＫＯＨ水溶
液の中に浸漬し、Ｓｉ基板を溶解除去することで電界放
出陰極３５ができる（図４Ｄ）。
説明する。表面に錐型の凹み３１ａをもったＳｉ基板３
１（図４Ａ）をスパッタ装置内に載置し、その表面にタ
ングステン（Ｗ）の電界放出陰極材料３２を２ミクロン
の厚さにスパッタ形成する（図４Ｂ）。さらにその上に
電界放出陰極の支持基板としてガラスなどの基板３４を
接着剤層３３あるいは陽極接合法などによって接合する
（図４Ｃ）。接合の終わったＳｉ基板３１をＫＯＨ水溶
液の中に浸漬し、Ｓｉ基板を溶解除去することで電界放
出陰極３５ができる（図４Ｄ）。
【００２５】次にこの発明によるその他の実施例を図に
ついて説明する。図５はこの発明の製造方法の工程図を
示す断面図である。図において、４１はＳｉ基板、４２
は電界放出陰極表面材料、４３は電界放出陰極材料、４
４は接着剤層、４５は電界放出陰極支持基板である。
ついて説明する。図５はこの発明の製造方法の工程図を
示す断面図である。図において、４１はＳｉ基板、４２
は電界放出陰極表面材料、４３は電界放出陰極材料、４
４は接着剤層、４５は電界放出陰極支持基板である。
【００２６】上述した製造方法では、表面に錐型の凹み
４１ａをもったＳｉ基板４１（0.５mm厚）（図５Ａ）を
スパッタ装置内に載置し、その表面にタングステン
（Ｗ）の電界放出陰極表面材料４２を２０００Åの厚さ
にスパッタ形成する。その上にメッキによりニッケルの
電界放出陰極材料４３を２ミクロンの厚さに形成する
（図５Ｂ）。電界放出陰極の支持基板としてガラスなど
の基板４５を接着剤層４４あるいは陽極接合法などによ
って接合する（図５Ｃ）。接合の終わった基板をＫＯＨ
水溶液の中に浸漬し、Ｓｉ基板を溶解除去することで電
界放出陰極４６ができる（図５Ｄ）。
４１ａをもったＳｉ基板４１（0.５mm厚）（図５Ａ）を
スパッタ装置内に載置し、その表面にタングステン
（Ｗ）の電界放出陰極表面材料４２を２０００Åの厚さ
にスパッタ形成する。その上にメッキによりニッケルの
電界放出陰極材料４３を２ミクロンの厚さに形成する
（図５Ｂ）。電界放出陰極の支持基板としてガラスなど
の基板４５を接着剤層４４あるいは陽極接合法などによ
って接合する（図５Ｃ）。接合の終わった基板をＫＯＨ
水溶液の中に浸漬し、Ｓｉ基板を溶解除去することで電
界放出陰極４６ができる（図５Ｄ）。
【００２７】
【発明の効果】この発明は、錐型の電界放出電極を持つ
マイクロ真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形
成し、その上に電界放出陰極の電極材料を形成し、その
後基板を除去することによって、電界放出電極の材料に
金属を用いることができ、高い電流密度を得ることがで
きる。またエッチングにより基板上に錐型の凹みを作る
ため、形状の制御が比較的容易となる。そのため、性
能、信頼性が高く、製造コストの安い電界放出陰極を得
ることができる。
マイクロ真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形
成し、その上に電界放出陰極の電極材料を形成し、その
後基板を除去することによって、電界放出電極の材料に
金属を用いることができ、高い電流密度を得ることがで
きる。またエッチングにより基板上に錐型の凹みを作る
ため、形状の制御が比較的容易となる。そのため、性
能、信頼性が高く、製造コストの安い電界放出陰極を得
ることができる。
【図１】この発明の一実施例による電界放出陰極の製造
方法の工程図を示す断面図である。
方法の工程図を示す断面図である。
【図２】この発明の一実施例を示すエッチングにより現
れる結晶面の方向を示す説明図である。
れる結晶面の方向を示す説明図である。
【図３】この発明の他の実施例による電界放出陰極の製
造方法の工程図を示す断面図である。
造方法の工程図を示す断面図である。
【図４】この発明の別の実施例による電界放出陰極の製
造方法の工程図を示す断面図である。
造方法の工程図を示す断面図である。
【図５】この発明のさらに別の実施例による電界放出陰
極の製造方法の工程図を示す断面図である。
極の製造方法の工程図を示す断面図である。
【図６】従来の電界放出陰極の構成図である。
【図７】従来の電界放出陰極の製造方法を示す工程図の
断面図である。
断面図である。
【図８】従来の電界放出陰極の他の製造方法を示す工程
図の断面図である。
図の断面図である。
１１ Ｓｉ基板 １２ マスク材 ２１ Ｓｉ基板 ２２ マスク材 ３１ Ｓｉ基板 ３１ａ 凹み ３２ 電界放出陰極材料 ３３ 接着剤層 ３４ 電界放出陰極支持基板 ３５ 電界放出陰極 ４１ Ｓｉ基板 ４１ａ 凹み ４２ 電界放出陰極表面材料 ４３ 電界放出陰極材料 ４４ 接着剤層 ４５ 電界放出陰極支持基板 ４６ 電界放出陰極
Claims (1)
- 【請求項１】 錐型の電界放出電極を持つマイクロ真空
デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、この凹
みの上に電極材料を形成し、その後基板を除去すること
によって錐型の電界放出電極を得ることを特徴とする電
界放出陰極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19768591A JPH0541152A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 電界放出陰極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19768591A JPH0541152A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 電界放出陰極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541152A true JPH0541152A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16378647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19768591A Pending JPH0541152A (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | 電界放出陰極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541152A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5509843A (en) * | 1993-05-19 | 1996-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing needle shaped materials and method for manufacturing a microemitter |
| US5679960A (en) * | 1994-01-28 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compact display device |
| US5903092A (en) * | 1994-05-18 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device for emitting electrons |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP19768591A patent/JPH0541152A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5509843A (en) * | 1993-05-19 | 1996-04-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing needle shaped materials and method for manufacturing a microemitter |
| US5679960A (en) * | 1994-01-28 | 1997-10-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Compact display device |
| US5903092A (en) * | 1994-05-18 | 1999-05-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Device for emitting electrons |
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