JPH0541352A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0541352A JPH0541352A JP3196350A JP19635091A JPH0541352A JP H0541352 A JPH0541352 A JP H0541352A JP 3196350 A JP3196350 A JP 3196350A JP 19635091 A JP19635091 A JP 19635091A JP H0541352 A JPH0541352 A JP H0541352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive resin
- semiconductor device
- processing
- prevent
- baking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パターニングされた感光性樹脂をマスクとし
て、真空中で半導体装置の加工を行う工程において、加
工時に感光性樹脂からのガスの放出を少なくし、加工装
置の真空度低下を防止でき、稼動率を向上でき、また加
工工程での感光性樹脂の破壊を防止できる半導体装置の
製造方法を提供すること。 【構成】感光性樹脂３をパターニングした後、ＵＶキュ
アを行ない、さらに減圧のＮ2 雰囲気でベークを行な
う。 【効果】減圧Ｎ2 雰囲気でベークを行なうことにより、
アウトガスの放出効率を向上させることができる。この
ことにより、加工工程での加工装置の真空度低下や、感
光性樹脂３の破壊等を防止することができる。
て、真空中で半導体装置の加工を行う工程において、加
工時に感光性樹脂からのガスの放出を少なくし、加工装
置の真空度低下を防止でき、稼動率を向上でき、また加
工工程での感光性樹脂の破壊を防止できる半導体装置の
製造方法を提供すること。 【構成】感光性樹脂３をパターニングした後、ＵＶキュ
アを行ない、さらに減圧のＮ2 雰囲気でベークを行な
う。 【効果】減圧Ｎ2 雰囲気でベークを行なうことにより、
アウトガスの放出効率を向上させることができる。この
ことにより、加工工程での加工装置の真空度低下や、感
光性樹脂３の破壊等を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にパターニングされた感光性樹脂をマスクと
して真空中で半導体装置の加工を行なう工程において、
パターニングされた感光性樹脂の前処理方法に関する。
に関し、特にパターニングされた感光性樹脂をマスクと
して真空中で半導体装置の加工を行なう工程において、
パターニングされた感光性樹脂の前処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、感光性樹脂をマスクとして真空中
で半導体装置を加工する場合、加工時のアウトガス対策
の為に、感光性樹脂をパターニング後、ＵＶキュアを行
ない、さらに、常圧Ｎ2 雰囲気でベークし、ガスをある
程度放出させた後加工する方法をとっていた。
で半導体装置を加工する場合、加工時のアウトガス対策
の為に、感光性樹脂をパターニング後、ＵＶキュアを行
ない、さらに、常圧Ｎ2 雰囲気でベークし、ガスをある
程度放出させた後加工する方法をとっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造方法では、半導体装置加工前処理におけるガスの
放出性が悪い為に、加工時において、ガスの放出が多く
なり、加工装置の真空度を低下させ、このことが、装置
の稼働率の低下を引き起こしていた。さらに、加工時に
一度にガスが放出される為に、感光性樹脂の破壊等が発
生し、半導体装置の歩留りに悪影響を与えていた。
の製造方法では、半導体装置加工前処理におけるガスの
放出性が悪い為に、加工時において、ガスの放出が多く
なり、加工装置の真空度を低下させ、このことが、装置
の稼働率の低下を引き起こしていた。さらに、加工時に
一度にガスが放出される為に、感光性樹脂の破壊等が発
生し、半導体装置の歩留りに悪影響を与えていた。
【０００４】本発明の目的は、パターニングされた感光
性樹脂をマスクとして、真空中で半導体装置の加工を行
う工程において、前処理におけるアウトガスの放出を多
くし、加工時の加工装置の真空度低下を防止でき、稼動
率を向上でき、かつ加工工程での感光性樹脂の破壊を防
止でき、歩留向上を達成できる半導体装置の製造方法を
提供することにある。
性樹脂をマスクとして、真空中で半導体装置の加工を行
う工程において、前処理におけるアウトガスの放出を多
くし、加工時の加工装置の真空度低下を防止でき、稼動
率を向上でき、かつ加工工程での感光性樹脂の破壊を防
止でき、歩留向上を達成できる半導体装置の製造方法を
提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、パターニングされた感光性樹脂をマスクとし
て、真空中で半導体装置の加工を行う工程において、パ
ターニングされた感光性樹脂を半導体装置加工前処理と
して、ＵＶキュアし、その後に減圧のＮ2 雰囲気でベー
クを行なうという特徴を有している。
造方法は、パターニングされた感光性樹脂をマスクとし
て、真空中で半導体装置の加工を行う工程において、パ
ターニングされた感光性樹脂を半導体装置加工前処理と
して、ＵＶキュアし、その後に減圧のＮ2 雰囲気でベー
クを行なうという特徴を有している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するために工程順に
示した半導体装置の断面図である。この実施例は、図１
（ａ）に示すように、半導体基板１上に半導体装置加工
時のダメージ防止の為の酸化膜２を付着させ、その上に
マスクとする為の感光剤樹脂３をパターニングする。次
いで図１（ｂ）に示すように、ＵＶキュアを行なうと表
面には硬化層４が形成される。
る。図１は本発明の一実施例を説明するために工程順に
示した半導体装置の断面図である。この実施例は、図１
（ａ）に示すように、半導体基板１上に半導体装置加工
時のダメージ防止の為の酸化膜２を付着させ、その上に
マスクとする為の感光剤樹脂３をパターニングする。次
いで図１（ｂ）に示すように、ＵＶキュアを行なうと表
面には硬化層４が形成される。
【０００７】さらに図１（ｃ）に示すように、減圧Ｎ2
雰囲気にした減圧ベーク室６でベークを実施した後に、
加工工程で半導体装置の任意の場所の加工を行なう。図
１（ａ）〜図１（ｃ）に示されているように、ＵＶキュ
ア時（図１（ｂ））に、感光剤樹脂３の表層に硬化層４
ができ、減圧Ｎ2 雰囲気でのベーク時（図１（ｃ））に
は、ガス５が感光性樹脂３から放出されている。
雰囲気にした減圧ベーク室６でベークを実施した後に、
加工工程で半導体装置の任意の場所の加工を行なう。図
１（ａ）〜図１（ｃ）に示されているように、ＵＶキュ
ア時（図１（ｂ））に、感光剤樹脂３の表層に硬化層４
ができ、減圧Ｎ2 雰囲気でのベーク時（図１（ｃ））に
は、ガス５が感光性樹脂３から放出されている。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＵＶキュ
ア後のベークのＮ2雰囲気を減圧で行なうことによって
従来の常圧の場合より高いアウトガスの放出性能を得る
ことが可能となり、このことによって半導体装置加工時
の加工装置の真空度低下を防止できるので、装置稼動率
の向上を図ることができる。
ア後のベークのＮ2雰囲気を減圧で行なうことによって
従来の常圧の場合より高いアウトガスの放出性能を得る
ことが可能となり、このことによって半導体装置加工時
の加工装置の真空度低下を防止できるので、装置稼動率
の向上を図ることができる。
【０００９】また、加工工程の前に感光性樹脂中のガス
を放出させることで加工工程での感光性樹脂の破壊等を
未然に防ぎ歩留りの向上に大きく貢献することができ
る。
を放出させることで加工工程での感光性樹脂の破壊等を
未然に防ぎ歩留りの向上に大きく貢献することができ
る。
【図１】本発明の一実施例を説明するために工程順に示
した半導体素子の断面図である。
した半導体素子の断面図である。
１ 半導体基板 ２ 酸化膜 ３ 感光性樹脂 ４ 硬化層 ５ ガス ６ 減圧ベーク室
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に塗布・目合露光・現像工
程を経て、感光性樹脂をパターニングし、これをマスク
にして真空中で半導体装置の加工を行なう工程におい
て、感光性樹脂をパターニング後、ＵＶキュアを行な
い、さらに減圧Ｎ2 雰囲気でベークし、その後前記処理
した感光性樹脂をマスクとして半導体装置を加工するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3196350A JPH0541352A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3196350A JPH0541352A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541352A true JPH0541352A (ja) | 1993-02-19 |
Family
ID=16356383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3196350A Pending JPH0541352A (ja) | 1991-08-06 | 1991-08-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0541352A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260028A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジストの熱安定化装置 |
| JPS63296221A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
-
1991
- 1991-08-06 JP JP3196350A patent/JPH0541352A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63260028A (ja) * | 1986-11-19 | 1988-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジストの熱安定化装置 |
| JPS63296221A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971224 |