JPH0541476A - はんだ付け方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 はんだ付けおよびはんだ除去機能を備え、特
に狭ピッチリードに対して所定量のはんだ処理を行い、
実装時における接続信頼性の向上が可能とされるはんだ
付け方法および装置を提供する。 【構成】 半導体集積回路装置のＱＦＰタイプに適用さ
れるパッケージ１のアウターリード２へのはんだ付け装
置３であって、パッケージ１のはんだ処理を行うポケッ
ト４と、ポケット４にはんだを供給するはんだ圧送ポン
プ５と、所定量以上および余分なはんだを除去する真空
ポンプ６と、ポケット４に不活性ガスを供給する不活性
ガス源７とから構成されている。そして、はんだ処理空
間９への溶融はんだ１３の供給によりはんだ処理され、
その後、はんだブリッジおよび所定量以上のはんだが真
空ポンプ６によりＮ₂ ガスと一緒に吸引して除去され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被処理物へのはんだ付
け技術に関し、特に半導体集積回路装置および電子部品
などの狭ピッチのアウターリードへのはんだ処理におい
て、リードへの所定量のはんだ付けが可能とされるはん
だ付け方法および装置に適用して有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体集積回路装置のリードへの
表面処理において、たとえばＤＩＰ（Dual In-line Pac
kage）タイプのようにリード間隔が広く、リード形状が
はんだ付けに適していることからはんだ浸漬方式によっ
て表面処理が行われている。

【０００３】これに対して、たとえばＱＦＰ（Quad Fla
t Package ）タイプの場合には、アウターリードが四方
向に出ており、またリードピッチが狭いこともあって電
気メッキが施されている。同様の問題で、ＰＬＣＣ（Pl
astic Leaded Chip Carrier），ＳＯＪ（Small Outline
J-lead）型などのパッケージも電気メッキによって表
面処理が行われている。

【０００４】なお、これに類似する技術としては、株式
会社工業調査会、１９８０年１月１５日発行、「ＩＣ化
実装技術」Ｐ１３５〜Ｐ１５６に記載されるパッケージ
ング技術が挙げられる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な従来技術においては、メッキ処理の次工程でアウター
リードの成形を施すために、このリード成形時にメッキ
が剥がれたり、リードに傷が付くなどの問題点が生じて
いる。

【０００６】さらに、メッキ処理後に切断・成形するた
めに、リード先端およびタイバー部の素材が現れ、実装
する場合のはんだ濡れ性が悪く、接続信頼性が得られな
いという問題がある。

【０００７】一方、メッキ処理ははんだ浸漬に比べて技
術的な問題が多く、たとえばメッキ処理後の排水処理に
よる公害、またメッキ処理工程が主に加工外注によるた
めに半導体集積回路装置の工程完了が長くなるなどの問
題が発生している。

【０００８】従って、従来の狭いリードへの表面処理に
おいては、以上の問題を解決するために、電気メッキの
代替としてはんだ浸漬が考えられるが、リードピッチ間
隔の狭いものにおいてはリード間にはんだブリッジが発
生したり、またはんだが必要以上に厚く付くなどの問題
がある。

【０００９】そこで、本発明の目的は、はんだ付けおよ
びはんだ除去機能を備え、特に狭ピッチの被処理部に対
して所定量のはんだ処理を行うことができるはんだ付け
方法および装置を提供することにある。

【００１０】また、本発明の他の目的は、被処理物の実
装時における接続信頼性の向上を図ることができるはん
だ付け方法および装置を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１３】すなわち、本発明のはんだ付け方法は、被
処理物の被処理部に所定量のはんだ付け処理を行うはん
だ付け方法であって、被処理物のはんだ付け処理を行う
はんだ処理空間に被処理物を収納し、この被処理物の被
処理部にはんだを供給してはんだ浸漬によるはんだ処理
を行い、かつこの被処理部に付着した所定量以上のはん
だおよび被処理部以外に付着した余分なはんだを吸引ま
たは吹き飛ばしによる流通経路の形成により除去するも
のである。

【００１４】また、本発明のはんだ付け装置は、被処理
物の被処理部に所定量のはんだ付け処理を行うはんだ付
け装置であって、被処理物のはんだ付け処理を行うはん
だ処理空間を備え、このはんだ処理空間にはんだを供給
するはんだ供給手段と、被処理部に付着した所定量以上
および余分なはんだを除去するはんだ除去手段とのう
ち、少なくともはんだ除去手段を設けるものである。

【００１５】この場合に、前記処理物をパッケージ構造
の半導体集積回路装置または電子部品とし、この半導体
集積回路装置または電子部品をはんだ処理空間に収納し
た時に、被処理部のみ露出させて樹脂封止部をはんだか
ら非接触状態に収納するようにしたものである。

【００１６】また、前記はんだ処理空間のはんだ、また
は被処理部に付着した所定量以上および余分なはんだを
加熱するようにしたものである。

【００１７】さらに、前記はんだ除去手段を、被処理部
に付着した所定量以上および余分なはんだを吸引または
吹き飛ばすエアーまたは不活性ガスとし、このエアーま
たは不活性ガスを加熱するようにしたものである。

【００１８】また、前記はんだ処理空間を、不活性ガス
で充填または流通するようにしたものである。

【００１９】さらに、前記はんだ除去手段によるエアー
または不活性ガスの吸引口または吹き飛ばし口を、被処
理物に対して概略中心部の位置に設けるようにしたもの
である。

【００２０】また、前記はんだ処理空間に対して少なく
とも１箇所からはんだを供給し、被処理物の少なくとも
１辺以上の被処理部を同時にはんだ付けするようにした
ものである。

【００２１】

【作用】前記したはんだ付け方法および装置によれば、
はんだ処理空間と、はんだ供給手段およびはんだ除去手
段のうち少なくともはんだ除去手段とが設けられること
により、被処理部へのはんだ付け処理をはんだ処理空間
においてはんだ浸漬によって行い、その後被処理部に付
着した所定量以上のはんだ、および被処理部以外に付着
した余分なはんだを吸引または吹き飛ばしによる流通経
路の形成によって除去することができる。これにより、
被処理物の被処理部に、所定の厚さで所定量のはんだ処
理を行うことができる。

【００２２】この場合に、たとえば半導体集積回路装置
または電子部品の樹脂封止部がはんだから非接触状態に
収納されることにより、樹脂封止部への熱衝撃を緩和す
ることができる。これにより、樹脂封止部の熱による破
損および破壊を防止することができる。

【００２３】また、はんだ付け用のはんだまたは所定量
以上および余分なはんだが加熱、たとえばはんだ処理空
間の構成部材がはんだ槽内のはんだに浸漬されたり、ま
たはヒーターなどの加熱手段による対流、輻射または伝
達によって加熱されることにより、はんだを溶融状態に
保持することができる。これにより、処理中におけるは
んだの硬化を防止することができる。

【００２４】さらに、エアーまたは不活性ガスが加熱、
たとえばはんだ槽内のはんだに浸漬されることによって
加熱されることにより、はんだを溶融状態に保持するこ
とができる。これにより、処理中におけるはんだの硬化
を防止することができる。

【００２５】また、はんだ処理空間が不活性ガスで充
填、たとえばはんだの供給前に置換されたり、またはは
んだ処理中に不活性ガスで流通されることにより、はん
だ付け用のはんだおよび被処理部の酸化を防止すること
ができる。これにより、はんだ処理におけるはんだの品
質を向上させることができる。

【００２６】さらに、エアーまたは不活性ガスの吸引口
または吹き飛ばし口が被処理物に対して概略中心部の位
置、たとえばはんだ処理空間の上面または下面に設けら
れることにより、エアーまたは不活性ガスを被処理部に
対して均一に流通させることができる。これにより、は
んだ処理におけるはんだの均一性を向上させることがで
きる。

【００２７】また、たとえば被処理物が４方向にリード
が突出される半導体集積回路装置などの場合には、４方
向のリードを同時にはんだ付けすることができる。これ
により、はんだ付け処理の作業時間を短縮することがで
きる。

【００２８】

【実施例１】図１は本発明のはんだ付け方法および装置
の一実施例であるはんだ付け装置を示す概略構成図、図
２は本実施例のはんだ付け装置におけるはんだブリッジ
および所定量以上のはんだを示す説明図である。

【００２９】まず、図１により本実施例のはんだ付け装
置の構成を説明する。

【００３０】本実施例のはんだ付け装置は、たとえば半
導体集積回路装置のＱＦＰタイプに適用されるパッケー
ジ（被処理物）１のアウターリード（被処理部）２への
はんだ付け装置３とされ、パッケージ１のはんだ付け処
理を行うポケット４と、このポケット４にはんだを供給
するはんだ圧送ポンプ（はんだ供給手段）５と、所定量
以上および余分なはんだを除去する真空ポンプ（はんだ
除去手段）６と、ポケット４に不活性ガスを供給する不
活性ガス源７とから構成されている。

【００３１】ポケット４は、その内部に上部が蓋８によ
って覆われたはんだ処理空間９が形成され、このはんだ
処理空間９にパッケージ１のアウターリード２のみ露出
させ、樹脂封止部１０をはんだから非接触状態に収納す
るために、はんだ処理空間９の内部上側および下側が凹
状に突出されて形成されている。

【００３２】また、ポケット４の下面には、パッケージ
１の概略中心部に対応する位置に真空ポンプ６が接続さ
れる吸引口１１が設けられ、一方蓋８にははんだ処理空
間９のはんだを溶融状態に保持するヒーター１２が内蔵
されている。そして、蓋８の取り外しによってパッケー
ジ１の収納および取り出しが自在とされ、収納状態にお
いてはんだ付け処理が行われるようになっている。

【００３３】はんだ圧送ポンプ５は、溶融はんだ１３が
浸漬されたはんだ槽１４の内部に設けられ、一方が切換
弁１５を通じてポケット４のはんだ処理空間９に接続さ
れ、他方にはんだ圧送ポンプ５の回転用のモータ１６が
接続されている。また、ポケット４のはんだ処理空間９
には、他の切換弁１７を通じてはんだ槽１４に接続さ
れ、はんだ付け処理時の溶融はんだ１３が排出されるよ
うになっている。

【００３４】そして、両方の切換弁１５，１７が開状態
で、モータ１６の回転によって溶融はんだ１３がはんだ
圧送ポンプ５側からはんだ処理空間９に供給され、また
切換弁１５，１７が閉じられることによって溶融はんだ
１３の供給が停止されるようになっている。

【００３５】真空ポンプ６は、はんだ圧送ポンプ５と同
様に、切換弁１８を通じて吸引口１１からはんだ処理空
間９に接続されている。そして、切換弁１８が開状態で
真空ポンプ６を駆動させ、開状態の切換弁２０を通して
高速に流れるガスと一緒にはんだ処理空間９に残存する
はんだ、は んだブリッジおよびアウターリード２への
所定量以上のはんだが吸引して除去されるようになって
いる。

【００３６】不活性ガス源７は、たとえばＮ₂ ガスを加
熱する熱交換機１９および切換弁２０を通じてポケット
４のはんだ処理空間９に接続されている。そして、Ｎ₂
ガスの流通によってパッケージ１のアウターリード２お
よび溶融はんだ１３の酸化が防止され、また溶融はんだ
１３がはんだ処理空間９内で溶融状態に保持されてい
る。

【００３７】次に、本実施例の作用について説明する。

【００３８】まず、ポケット４のはんだ処理空間９にパ
ッケージ１を投入し、蓋８をかぶせた後に、切換弁２０
を開いてＮ₂ ガスをはんだ処理空間９に供給する。さら
に、Ｎ₂ ガスの充填後に切換弁１５，１７を開く。そし
て、切換弁１５，１７の開状態においてモータ１６を駆
動させ、はんだ圧送ポンプ５によってはんだ槽１４内の
溶融はんだ１３をはんだ処理空間９に送る。これによ
り、はんだ処理空間９に収納されたパッケージ１のアウ
ターリード２にはんだ付け処理が行われる。

【００３９】この場合に、図２に示すようにアウターリ
ード２と隣のアウターリード２との間に余分なはんだが
連結する、いわゆるはんだブリッジ２１が形成されてし
まう。また、アウターリード２に必要以上の厚さに付着
した所定量以上のはんだ２２が付着するなど、はんだ付
け処理においてプリント基板に実装する場合の実用上の
問題が生じる。

【００４０】そこで、本実施例のはんだ付け装置３にお
いては、さらに以下の処理を行うことによってはんだブ
リッジ２１および所定量以上のはんだ２２を除去するこ
とができる。

【００４１】すなわち、はんだ付け後に、モータ１６の
停止によってはんだ圧送ポンプ５の駆動を停止し、開状
態の切換弁１５，１７を閉じた後に、はんだ除去用の切
換弁１８を開く。そして、切換弁１８の開状態におい
て、さらに切換弁２０を開き、不活性ガス源７から加熱
（たとえば２５０℃前後）されたＮ₂ ガスを供給しなが
ら真空ポンプ６を駆動させることにより、アウターリー
ド２の近傍を高速で流れるＮ₂ ガスと一緒に、はんだ処
理空間９に残存する溶融はんだ１３、アウターリード２
間に付着したはんだブリッジ２１、さらには所定量以上
のはんだ２２を減圧状態で吸引して除去することができ
る。

【００４２】この場合に、アウターリード２に付着した
はんだブリッジ２１および所定量以上のはんだ２２が、
溶融はんだ１３に浸漬されるポケット４からの伝達熱、
輻射熱、さらに蓋８に内蔵されたヒーター１２からの熱
によって溶融状態に保持されている。

【００４３】これにより、はんだ処理空間９に収納され
たパッケージ１のアウターリード２に、所定の厚さで所
定量のはんだ付けを行うことができる。

【００４４】従って、本実施例のはんだ付け装置３によ
れば、ポケット４の内部に形成されたはんだ処理空間９
にはんだ圧送ポンプ５、真空ポンプ６および不活性ガス
源７を接続することにより、パッケージ１のアウターリ
ード２に溶融はんだ１３を供給してはんだ処理を行い、
その後アウターリード２以外に付着したはんだブリッジ
２１、アウターリード２に付着した所定量以上のはんだ
２２をＮ₂ ガスと一緒に吸引して除去することができる
ので、アウターリード２のみに所定量のはんだ処理を行
うことが可能となる。

【００４５】また、パッケージ１の樹脂封止部１０を、
溶融はんだ１３から閉止してはんだ処理空間９に収納す
ることにより、樹脂封止部１０に溶融はんだ１３が接触
することなく、溶融はんだ１３の熱衝撃による割れおよ
び破損などを防止することができる。

【００４６】さらに、はんだ処理中における溶融はんだ
１３およびアウターリード２の酸化を防止し、かつＮ₂
ガスをアウターリード２に対して均一に流通させること
ができるので、はんだ処理の品質向上および均一化が可
能となる。

【００４７】特に、本実施例のように、狭いピッチで四
方向にアウターリード２が突出されるＱＦＰタイプのパ
ッケージ１などに良好に適用され、電気メッキに代えて
はんだ浸漬による処理が可能となるので、従来のメッキ
処理における公害および工完などの問題が解決され、製
造プロセスを簡単化することができる。

【００４８】同時に、切断・成形後にはんだ処理を行う
ことができるので、従来のようにメッキ処理後の切断・
成形時に発生するメッキひげおよび屑などの不良がな
く、かつこれを検査する工程が不要となり、アウターリ
ード２の全面に高品質の処理が施され、かつアウターリ
ード２に傷を付けるなどの問題がないために、ユーザー
における実装性の向上が可能となる。

【００４９】

【実施例２】図３は本発明のはんだ付け方法および装置
の他の実施例であるはんだ付け装置を示す概略構成図で
ある。

【００５０】本実施例のはんだ付け装置は、実施例１と
同様に半導体集積回路装置のＱＦＰタイプに適用される
パッケージ（被処理物）１のアウターリード（被処理
部）２へのはんだ付け装置３ａとされ、図３に示すよう
にポケット４ａ、はんだ圧送ポンプ（はんだ供給手段）
５ａおよび不活性ガス源７ａと、送風機（はんだ除去手
段）２３とから構成され、実施例１との相違点は、真空
ポンプ６による吸引に代えて、送風機２３によってはん
だを吹き飛ばして除去する点である。

【００５１】すなわち、送風機２３は、たとえばＮ₂ ガ
スを加熱する熱交換機２４を通じてポケット４ａのはん
だ処理空間９ａに接続され、送風機２３の駆動によって
Ｎ₂ ガスの流れと一緒に、はんだ処理空間９ａの溶融は
んだ１３ａ、はんだブリッジ２１および所定量以上のは
んだ２２が吹き飛ばされるようになっている。

【００５２】従って、本実施例においては、モータ１６
ａの回転を停止すると、はんだ処理空間９ａの溶融はん
だ１３ａは自重ではんだ槽１４ａに戻される。そして、
切換弁２５を開いた後、送風機２３よりＮ₂ ガスを高圧
で送ると、Ｎ₂ ガスは溶融はんだ１３ａの中の熱交換機
２４を通り加熱（たとえば２５０℃前後）され、アウタ
ーリード２の付け根近傍に吐出される。

【００５３】さらに、吐出されたＮ₂ ガスはポケット４
ａまたは蓋８ａとパッケージ１との隙間を通り、アウタ
ーリード２に向かって噴射され、切換弁２５を通しては
んだ処理空間９ａの外に排出される。

【００５４】このようにして、本実施例のはんだ付け装
置３ａによれば、送風機２３によってＮ₂ ガスをアウタ
ーリード２に向かって噴射させることにより、実施例１
と同様にアウターリード２以外に付着したはんだブリッ
ジ２１、アウターリード２に付着した所定量以上のはん
だ２２を簡単かつ容易に除去することができる。

【００５５】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例１および２に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記各実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【００５６】たとえば、前記実施例のはんだ付け装置
３，３ａについては、図１および図３に示すようにはん
だ処理空間９，９ａにＮ₂ ガスを供給する不活性ガス源
７，７ａ、送風機２３を接続する場合について説明した
が、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、他
の不活性ガスまたはエアーなどを供給する場合について
も適用可能である。

【００５７】また、前記実施例においては、はんだ処理
空間９，９ａに１個のパッケージ１が収納される場合に
ついて説明したが、たとえば複数個のパッケージを収納
して同時にはんだ付けする場合についても適用可能であ
る。

【００５８】さらに、被処理物としては、ＱＦＰタイプ
のパッケージ１の他に、たとえば従来電気メッキによる
表面処理を行っていたＰＬＣＣ，ＳＯＪ型などの他のパ
ッケージについても広く適用可能である。

【００５９】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその利用分野である半導体集積回路装
置のはんだ付け装置３，３ａに適用した場合について説
明したが、これに限定されるものではなく、たとえばト
ランジスタ、ダイオードなどの電子部品など、他のはん
だ付け装置としても広く適用可能である。

【００６０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００６１】(1).被処理物のはんだ付け処理を行うはん
だ処理空間を備え、このはんだ処理空間にはんだを供給
するはんだ供給手段と、被処理部に付着した所定量以上
および余分なはんだを除去するはんだ除去手段とのう
ち、少なくともはんだ除去手段を設けることにより、は
んだ処理空間にはんだ付け処理を行う被処理物を収納
し、この被処理物の被処理部にはんだを供給してはんだ
浸漬によるはんだ処理を行い、かつ被処理部に付着した
所定量以上のはんだおよび被処理部以外に付着した余分
なはんだを吸引または吹き飛ばしによる流通経路の形成
により除去することができるので、被処理物の被処理部
に所定の厚さで所定量のはんだ処理を行うことができ
る。

【００６２】(2).被処理物がパッケージ構造の半導体集
積回路装置または電子部品とされ、この半導体集積回路
装置または電子部品をはんだ処理空間に収納した時に、
被処理部のみ露出させて樹脂封止部をはんだから非接触
状態に収納することにより、樹脂封止部への熱衝撃を緩
和することができるので、熱衝撃による樹脂封止部の破
損および破壊を防止することができる。

【００６３】(3).はんだ処理空間のはんだ、または被処
理部に付着した所定量以上および余分なはんだを加熱す
ることにより、はんだを溶融状態に保持することができ
るので、処理中におけるはんだの硬化を防止することが
できる。

【００６４】(4).はんだ除去手段が被処理部に付着した
所定量以上および余分なはんだを吸引または吹き飛ばす
エアーまたは不活性ガスとされ、このエアーまたは不活
性ガスを加熱することにより、はんだを溶融状態に保持
することができるので、前記(3) と同様に処理中におけ
るはんだの硬化を防止することができる。

【００６５】(5).はんだ処理空間を不活性ガスで充填ま
たは流通することにより、はんだ付け用のはんだおよび
被処理部の酸化を防止することができるので、はんだ処
理におけるはんだの品質を向上させることができる。

【００６６】(6).はんだ除去手段によるエアーまたは不
活性ガスの吸引口または吹き飛ばし口を被処理物に対し
て概略中心部の位置に設けることにより、エアーまたは
不活性ガスを被処理部に対して均一に流通させることが
できるので、はんだ処理におけるはんだの均一性を向上
させることができる。

【００６７】(7).被処理物が多方向に被処理部が突出さ
れる半導体集積回路装置などの場合には、はんだ処理空
間に対して少なくとも１箇所からはんだを供給し、被処
理物の少なくとも１辺以上の被処理部を同時にはんだ付
けすることができるので、はんだ付け処理の作業時間を
短縮することができる。

【００６８】(8).前記(1) により、被処理部のはんだ付
け処理をはんだ浸漬によって行うことができるので、特
に被処理部の間隔が狭い被処理物に対してもはんだ付け
が可能となる。

【００６９】(9).前記(1) により、はんだ付け処理を被
処理部の切断・成形後に行うことができるので、被処理
部表面への傷または被処理部先端の素材の露出がなく、
被処理物を実装する場合に、はんだ付けの高品質化によ
ってはんだ濡れ性が良く、接続信頼性の向上が可能とな
る。

【００７０】(10). 前記(1) により、従来のようにメッ
キ処理後の切断・成形時に発生する不良がなく、かつこ
れを検査する工程が不要となるので、不良率の低減と工
程完了の短縮化が可能となる。

【００７１】(11). 前記(1) 〜(10)により、特に半導体
集積回路装置および電子部品などの狭ピッチの被処理部
へのはんだ処理において、高品質なはんだ付け処理によ
って実装性の向上が可能とされるはんだ付け方法および
装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のはんだ付け方法および装置の実施例１
であるはんだ付け装置を示す概略構成図である。

【図２】実施例１のはんだ付け装置におけるはんだブリ
ッジおよび所定量以上のはんだを示す説明図である。

【図３】本発明のはんだ付け方法および装置の実施例２
であるはんだ付け装置を示す概略構成図である。

【符号の説明】

１ パッケージ（被処理物） ２ アウターリード（被処理部） ３，３ａ はんだ付け装置 ４，４ａ ポケット ５，５ａ はんだ圧送ポンプ（はんだ供給手段） ６ 真空ポンプ（はんだ除去手段） ７，７ａ 不活性ガス源 ８，８ａ 蓋 ９，９ａ はんだ処理空間 １０ 樹脂封止部 １１ 吸引口 １２ ヒーター １３，１３ａ 溶融はんだ １４，１４ａ はんだ槽 １５ 切換弁 １６，１６ａ モータ １７ 切換弁 １８ 切換弁 １９ 熱交換機 ２０ 切換弁 ２１ はんだブリッジ（余分なはんだ） ２２ 所定量以上のはんだ ２３ 送風機（はんだ除去手段） ２４ 熱交換機 ２５ 切換弁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 2/10 9270−4Ｋ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理物の被処理部に所定量のはんだ付
   け処理を行うはんだ付け方法であって、前記被処理物の
   はんだ付け処理を行うはんだ処理空間に該被処理物を収
   納し、該被処理物の被処理部にはんだを供給してはんだ
   浸漬によるはんだ処理を行い、かつ該被処理部に付着し
   た所定量以上のはんだおよび該被処理部以外に付着した
   余分なはんだを吸引または吹き飛ばしによる流通経路の
   形成により除去することを特徴とするはんだ付け方法。
2. 【請求項２】 被処理物の被処理部に所定量のはんだ付
   け処理を行うはんだ付け装置であって、前記被処理物の
   はんだ付け処理を行うはんだ処理空間を備え、該はんだ
   処理空間にはんだを供給するはんだ供給手段と、前記被
   処理部に付着した所定量以上および余分なはんだを除去
   するはんだ除去手段とのうち、少なくとも前記はんだ除
   去手段を設け、前記被処理物の被処理部に所定量のはん
   だ付け処理を行うことを特徴とするはんだ付け装置。
3. 【請求項３】 前記被処理物がパッケージ構造の半導体
   集積回路装置または電子部品とされ、該半導体集積回路
   装置または電子部品を前記はんだ処理空間に収納した時
   に、被処理部のみ露出させて樹脂封止部をはんだから非
   接触状態に収納することを特徴とする請求項２記載のは
   んだ付け装置。
4. 【請求項４】 前記はんだ処理空間のはんだ、または前
   記被処理部に付着した所定量以上および余分なはんだを
   溶融状態に保持するために加熱することを特徴とする請
   求項２記載のはんだ付け装置。
5. 【請求項５】 前記はんだ除去手段が、前記被処理部に
   付着した所定量以上および余分なはんだを吸引または吹
   き飛ばすエアーまたは不活性ガスとされ、該エアーまた
   は不活性ガスを加熱することを特徴とする請求項２記載
   のはんだ付け装置。
6. 【請求項６】 前記はんだ処理空間を、前記はんだ付け
   用のはんだおよび前記被処理部の酸化を防止するために
   不活性ガスで充填または流通することを特徴とする請求
   項２記載のはんだ付け装置。
7. 【請求項７】 前記はんだ除去手段によるエアーまたは
   不活性ガスの吸引口または吹き飛ばし口を、前記被処理
   物に対して概略中心部の位置に設けることを特徴とする
   請求項２記載のはんだ付け装置。
8. 【請求項８】 前記はんだ処理空間に対して少なくとも
   １箇所からはんだを供給し、前記被処理物の少なくとも
   １辺以上の被処理部を同時にはんだ付けすることを特徴
   とする請求項２記載のはんだ付け装置。