JPH0542053B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは
新規な支持体を有する金属薄膜型磁気記録媒体に
関する。 〔従来技術〕 近年、高密度磁気記録媒体開発の一環としてプ
ラステイツクベース面上に真空蒸着、もしくはス
パツタリングにより強磁性薄膜を形成する方法が
試みられてきている。このとき、支持体として従
来磁気記録媒体に供されてきているポリエチレン
テレフタレートフイルムを使用した場合には、蒸
着あるいはスパツタリング過程において与えられ
る熱により変形を受けやすい。この対策として、
製造の際、０℃以下にまで冷却したクーリングキ
ヤンに支持体を巻きつけた状態で蒸着あるいはス
パツタリングを行ない、上記熱変形を防止するこ
とが行なわれている。しかしながら、走行性を良
好とするため適度の粗さに調製された磁気テープ
用プラステイツク支持体は、通常鏡面仕上げされ
ているクーリングキヤンに対し密着性に乏しい。
真空下で０℃付近まで支持体を冷却するためには
キヤンの熱容量が大きく、また使用される冷媒の
温度が−30℃近いことが要求される。このことが
工程コストを著しく高いものとしている。 上記の問題点を解決するために、たとえば特開
昭54−138068号公報に記載のポリイミドに代表さ
れる耐熱性フイルム上に磁性材料を蒸着やスパツ
タリング等により設ける試みがなされている。 これら耐熱性高分子フイルムを使用することに
より、蒸着やスパツタリング等に起因する熱変形
が少なくなり、該工程におけるクーリングキヤン
の冷却能力を軽減することが可能となる。 しかしながら、ポリエチレンテレフタレートフ
イルムおよび耐熱性高分子フイルムに共通する問
題として、一面上に蒸着もしくはスパツタリング
を施こすと、その后室温まで冷却する際、磁性薄
膜の収縮により該薄膜を内側として巾方向にカー
リングがしばしば生じる。上記巾方向のカーリン
グがが生じると、回転磁気ヘツドのテープへの密
着度（ヘツドタツチ）が、テープの両端（サイ
ド）近傍において低下し、その結果出力変動が激
しくなり正常な記録および再生が不可能となる。 ポリエチレンテレフタレートフイルムを用いた
場合には、得られた磁気記録媒体に適当な条件の
熱処理を施こすと非磁性支持体側のみが収縮し、
その結果、蒸着やスパツタリング等に起因するカ
ーリングを修正することが可能である。 しかしながら、耐熱性フイルムとして現在市販
されているものは熱収縮率がきわめて小さく、上
記ポリエチレンテレフタレートと同様の処理によ
るカーリング修正は不可能である。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、第一にカーリングの生じない
金属薄膜型磁気記録媒体を提供するにある。第２
に製造コストの低減された金属薄膜型磁気記録媒
体を提供するにある。 〔発明の構成〕 本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
設けてなる磁気記録媒体において、該支持体が
110℃以上のガラス転位温度を有する高分子材料
よりなり、かつ該支持体の巾方向熱収縮率が0.1
〜1.0％であることを特徴とする磁気記録媒体に
関する。 なお、ここに巾方向（またはヨコ方向）とは、
連続製膜機においてフイルムの走行方向（タテ、
または長手方向）に直角なフイルム面上の方向を
いう。 本発明に使用される非磁性支持体はは、ガラス
転位温度が110℃以上の高分子材料であればとく
に制限されない。が、引張り強度５ｇ／mil以
上、引張ヤング率300Kg／mm²以上であることが好
ましい。具体例としては、ポリイミド、ポリエー
テルイミド、芳香族ポリアミド、ポリフエニレン
サルフアイド、ポリスルフオン、ポリエーテルス
ルフオン、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミ
ド、ポリヒダントインなどがあげられる。これら
のうち、ポリイミド、ポリエーテルイミド、およ
びポリエーテルスルフオンがとくに好ましい。 上記ポリマーはその製膜工程において特公昭57
−36135号公報に記載のごとくタテおよび／また
はヨコ延伸し使用するポリマーの結晶化温度以上
の温度で、熱固定される。 さらに、下記工程を経ることにより巾方向の熱
収縮率を0.1〜1.0％とすることができる。ここで
熱収縮率とは100℃、30分間張力をかけずに熱処
理したときの測定値である。すなわち、温度を80
〜150℃に保ち、タテ０〜１％、ヨコ0.2〜２％の
延伸率で延伸し、固定したまゝ室温まで冷却す
る。 上記の条件を備えた支持体を使用すれば磁性金
属薄膜形成により生じた磁性面を内側とするカー
リングは、支持体の磁性面とは反対の面に適切な
熱処理を施こすことにより修正される。 具体的には、100〜200℃に加熱された金属ロー
ルに、支持体の磁性面とは反対の面を１〜120秒
間接触させる。上記の操作によりカーリングは消
失する。 本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真
空槽内で膜を形成する方法あるいはメツキ法によ
ればよく、金属薄膜の形成速度の速いこと、製造
工程が簡単であること、あるいは排液処理等の必
要のないこと等の利点をを有する真空槽内で膜を
形成する方法が好ましい。真空槽内で膜を形成す
る方法とは希薄な気体あるいは真空空間中におい
て析出させようという物質またはその化合物を蒸
気あるいはイオン化した蒸気として基体となる支
持体上に析出させる方法で真空蒸着法、スパツタ
リング法、イオンプレーテイング法、化学気相メ
ツキ法等がこれに相当する。 さらに本発明において磁気記録層となるべき強
磁性金属層としては鉄、コバルト、ニツケルその
他の強磁性金属あるいはFe−Co、Fe−Ni、Co
−Ni、Fe−Si、Fe−Rh、Co−Ｐ、Co−Ｂ、Co
−Si、Co−Ｖ、Co−Ｙ、Co−La、Co−Ce、Co
−Pr、Co−Sm、Co−Pt、Co−Mn、Fe−Co−
Ni、Co−Ni−Ｐ、Co−Ni−Ｂ、Co−Ni−Ag、
Co−Ni−Na、Co−Ni−Ce、Co−Ni−Zn、Co
−Ni−Cu、Co−Ni−Ｗ、Co−Zi−Re、Co−
Sm−Cu等の強磁性合金を真空槽内で膜を形成す
る方法あるいはメツキ法によつて薄膜状に形成せ
しめたもので、その膜厚は磁気記録媒体として使
用する場合0.05μm〜2μmの範囲であり特に0.1μm
〜0.4μmが好ましい。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明
する。 実施例 １ 厚さ15μmに製膜されたポリイミドフイルムを
連続延伸機にかけ、90℃雰囲気下においてタテ
0.5％、ヨコ1.2％の延伸率で延伸して固定し室温
まで冷却した。このポリイミドフイルム上に連続
蒸着機によりCo−Ni（Co；80wt％）金を厚さ
2000Åとなるよう斜め蒸着して強磁性薄膜を形成
せしめた。このとき、クーリングキヤンの温度は
15℃に設定した。その后、表面温度120℃の金属
ロールに10秒間接触させ巻取つた。1/2吋巾にス
リツトしてビデオテープサンプルNo.１を得た。 実施例 ２ 実施例１において延伸率をタテ０％、ヨコ0.3
％とした以外は同様にしてビデオテープサンプル
No.２を得た。 実施例 ３ 実施例１において延伸率をタテ0.5％、ヨコ1.5
％とした以外は同様にしてビデオテープサンプル
No.３を得た。 比較例 １ 実施例１においてタテ・ヨコ延伸を行なわなか
つた以外は同様にして、ビデオテープサンプルNo.
４を得た。 比較例 ２ 実施例１においてタテ0.5％、ヨコ2.0％の延伸
率とした以外は同様にしてビデオテープサンプル
No.５を得た。 比較例 ３ 厚さ15μmのポリエチレンテレフタレートフイ
ルムに連続蒸着機により、クーリングキヤンの温
度を上記実施例と同様15℃として、Co−Ni
（Co；80wt％）合金を斜め蒸着したが、ポリエチ
レンテレフタレートフイルムが熱変形を起こし、
蒸着を中断せざるを得なかつた。 上記サンプルNo.１〜５について、カーリング曲
率、ビデオ感度、およびＣ／Ｎについて測定し
た。VTRは松下電産製「NV−8800」を使用し
た。測定は下記のごとく行なつた。 カーリング曲率半径：金属ロール接触工程を経
たロールサンプルを長さ５mm、巾50mm切り出し巾
方向の曲率半径を測定した。（蒸着面を内側とす
る場合を＋とした。） ビデオ感度：4MHzでの再生出力を実施例１を
基準として（±0dB）測定した。 Ｃ／Ｎ：3MHzおよび3.5MHzの搬送波キヤリア
ー）を記録し、再生したときのキヤリアー／ノイ
ズを実施例１を基準として（±0dB）測定した。 結果を表に示す。 〔発明の効果〕 本発明による金属薄膜型磁気記録媒体は、カー
リングがきわめて小さく、かつ製造コストの低減
されたそれである。 【表】

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 非磁性支持体上に、強磁性金属薄膜を設けて
   なる磁気記録媒体において、該支持体が110℃以
   上のガラス転位温度を有する高分子材料よりな
   り、かつ該支持体の巾方向熱収縮率が0.1〜1.0％
   であることを特徴とする磁気記録媒体。