JPH0542725B2

JPH0542725B2 -

Info

Publication number: JPH0542725B2
Application number: JP55130734A
Authority: JP
Inventors: Hideo Fujiwara; Sanehiro Kudo; Teizo Tamura; Nobuyuki Sugishita; Yoshihiro Shiroishi; Takeshi Kimura; Kiminari Shinagawa; Takayuki Kumasaka
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1980-09-22
Filing date: 1980-09-22
Publication date: 1993-06-29
Also published as: DE3137482A1; NL8104340A; US4450494A; JPS5755522A; DE3137482C2

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、磁気記録および／または再生装置用
磁気ヘツドに関し、さらに詳しくは、磁気記録媒
体対向部において、少くとも一方が磁気異方性を
有する２個の磁性体を作動ギヤツプを介して対峙
せしめた磁気コアよりなる磁気ヘツドに関する。

磁気記録技術の高度化とくに、磁気記録の高密
度化に対する要請は今日きわめて強いものがあ
る。この要請に応えるためには、磁気記録媒体の
高保磁力化、高出力化、低雑音化とともに、磁気
ヘツドの記録特性再生感度の大幅な改良が大きな
課題となつている。とくに、記録の高密度化にと
もない、記録トラツクの幅が短縮され、最近で
は、20μｍまたはそれ以下のトラツク幅の記録に
対する要請も強くなつている。このような情況の
もとでは、たとえば、フエライトを磁気ヘツドの
コア材として用いるときは、通常の多結晶フエラ
イトでは、それを構成する結晶粒径が、上記トラ
ツク幅と同程度となりこれを用いて磁気ヘツドを
構成すると、ヘツド特性が大きくばらつくという
欠点がある。このばらつきを低減する一方法は、
単結晶フエライトを用いて磁気ヘツドを構成する
ことである。単結晶フエライトには、上記の他多
結晶フエライトに比して、(1)加工仕上げが高精度
にできる、(2)ヘツドの摩耗速度が一様である、(3)
脱粒事故が起こらない等の長所があるため、これ
を用いた磁気ヘツドは、既に広く使用されてい
る。ただし、このときは、如何なる結晶方位で磁
気ヘツドを構成すべきかについては、明確な指導
理念がなく、各磁気ヘツドの加工プロセスに合わ
せてそれぞれ良好な方位を選択するのが通常であ
る。

本発明は、上記した単結晶フエライトのごと
く、磁気異方性を有する磁性材料を用いて磁気ヘ
ツドを構成するに際し、如何なる方位を用いれば
良好な記録再生特性が得られるかに関し、鋭意研
究を重ねた結果到達したものであり、磁気異方性
を有する磁性体の作動ギヤツプ近傍における透磁
率最大の方向と記録媒体対向面とのなす角度を磁
気ヘツドコアの主磁路に沿つての磁気抵抗を最小
にする角度よりも大ならしめることにより、高性
能の磁気ヘツドを得ることができるとの発見に基
づいて行なわれたものである。

一般に、磁気異方性を有する磁性体は、透磁率
が方向により異なり、透磁率最大の方向および最
小の方向がある。たとえば、結晶磁気異方性定数
K₁が正の単結晶フエライトから上下面が（110）
面からなる円盤を切り出して、その面内の各方位
での透磁率を測定すると、加工歪みの影響を除去
した状態では、比較的低周波側では、透磁率最大
の方向が＜100＞方向に現われ、これと垂直な方
向すなわち＜110＞方向で、透磁率が最小となり、
高周波側では上記関係が逆転する。また、通常用
いられる高透磁率のMn−Znフエライトの磁歪係
数λ₁₀₀およびλ₁₁₁は、それぞれ λ₁₀₀０ λ₁₁₁０であり、上記の如き円盤の上下面に十分な引張応
力を加えると、結晶磁気異方性定数K₁の正負に
拘らず低周波側での透磁率最大の方向が＜100＞
方向となり、透磁率最小の方向＜100＞方向とな
る。高周波側では、この関係が逆転する。上記関
係が逆転する周波数は印加する引張応力磁歪定
数、ならびに結晶磁気異方性の大小により変化す
るが、おおよそ２乃至10MHzの範囲に設定するこ
とができる。

本発明の目的は、上記したような磁気異方性を
有する磁性材料を用いて磁気ヘツドの磁気コアを
構成するに当り、透磁率最大の方向を磁気コアに
対して最適配置した磁気ヘツドを提供することで
ある。

磁気ヘツドの特性は、磁気コアの形状に依存す
ることは周知のことであるが、通常、第１図に一
例を示すごとく、作動ギヤツプ１１近傍における
磁路を絞つて、高能率を得るように設計されてい
る。なお、第１図において、１５，１５′は共に
高透磁率磁性材料であり、１０は作動ギヤツプ部
を保護するためのガラス等の非磁性充填物であ
り、１は作動ギヤツプを含む環状磁路を形成する
ための孔で、巻線型ヘツドの場合は、これを巻線
用孔として用いる。このような、磁気ヘツドの性
能は、主として、上記作動ギヤツプ近傍の構造な
らびに磁気特性によつて決定される。磁気異方性
を有する磁性材料を用いて、かくのごとき磁気コ
アを構成しようとするときは、したがつて、作動
ギヤツプ近傍において透磁率最大の方向を如何に
配置すれば、磁気ヘツドの性能を高めることが出
来るか問題となる。

作動ギヤツプを形成する通常の手段としては、
磁性材料としてフエライトのごときバルブ材料を
用いるときは、第２図に作動ギヤツプ部の断面を
示すごとく、非磁性２２を介して記録媒体対向面
２３，２３′に対して傾斜する面２４，２４′を有
する２個の磁性体２５，２５′を相対峙させるか、
第３図に示すごとく非磁性層３２を介して傾斜面
３４を有する磁性体３５を、傾斜面を持たない磁
性体３５′に接合するとう方法が用いられる。さ
らに、とくに狭トラツク幅の磁気ヘツドを形成す
るに当つては、上記作動ギヤツプ近傍の厚さのみ
を薄くして他の磁気回路形成部の厚さは十分厚く
して、主磁路の磁気抵抗の増大を防ぐという方法
がとられる。その手段としては、第１図に示すご
とく、作動ギヤツプ近傍のみを抉つた構造とする
か、第４図に示すごとく、抉り溝４６をコア背部
迄通した構造とするとか、第５図に示すごとく、
幅広の磁性ブロツク５５に溝５０を有する幅の狭
い磁性ブロツク５５′を接合した構造とするとか、
また、第６図ａおよびｂに側面図を示すごとく、
抉り部６６ａまたは６６ｂを作動ギヤツプ６１ａ
または６１ｂの一方側のみに設ける等の手段が用
いられている。このような構造を持つ磁気ヘツド
の性能は、主として、この作動ギヤツプ部を構成
するトラツク幅規制部の特性によつて定まる。

上記したトラツク幅規制部における透磁率最大
の方向の最適配向の仕方を求めるべく、本発明者
らは、第７図にその主磁路形成断面を示すごとき
モデルを用いて、コイル７７，７７′に一定電流
を通じたときの作動ギヤツプ７１近傍に現われる
漏洩磁束密度を、トラツク幅規制部７６，７６′
における透磁率最大の方向の各種配向角に対し
て、マクスウエル方程式を有限要素法を用いて解
くことにより求めた。なお、第７図において、７
８，７８′はトラツク幅規制部と同種または異種
の高透磁率磁性体である。また、本モデルは、計
算の便宜上２次元モデルとし、トラツク幅規制部
区と他の磁気回路形成残部の厚さの差異の効果
は、磁気回路形成残部の透磁率をトラツク幅規制
部の厚さに対する磁気回路形成残部の厚さの比Ｒ
だけ増大させるという手段によつて取り入れた。
各部のデイメンシヨンは、ギヤツプを含むトラツ
ク幅規制部の実効的磁気抵抗に対する磁気回路形
成残部の実効的磁気抵抗の比を0.2より小ならし
めるように定めトラツク幅規制部と磁気回路形成
残部との境界面７９および７９′が、それぞれ略
等磁位面となるごとくし、トラツク幅規制部以外
の各部のデイメンシヨンの変化が結果に大きく影
響を与えないようにした。第８図は、上記計算に
用いたトラツク幅規制部の拡大図であり、作動ギ
ヤツプ長をＧ、作動ギヤツプ深さをＤ、ギヤツプ
形成傾斜面８４を有する第一のトラツク幅規制部
の長さをＬ、該傾斜面８４と磁気記録媒体対向面
８３とのなす角をθ、トラツク幅規制部と磁気回
路形成残部との境界面８９と磁気記録媒体対向面
８３とのなす角をφ、ギヤツプ形成傾斜面を持た
ない第二のトラツク幅規制部の長さをL′、該トラ
ツク幅規制部の深さをD′とし、各トラツク幅規
制部における透磁率最大の方向８０，８０′と漏
洩磁束密度との関係を求めるに際しては、該透磁
率最大の方向と磁気記録媒体対向面８３，８３′
とのなす角をそれぞれα，α′とし、漏洩磁束密度
のα，α′依存性を求めた。

第９図は、第８図における第二のトラツク幅規
制部の磁性体は等方性磁性材料よりなるとし、第
一のトラツク幅規制部におけるαを種々変化させ
たときの第１０図に示す点Ｐ（媒体の位置する点
に相当）およびP₀における磁束密度のＸ成分
（Ｙ成分は殆ど０）を示す。第１０図において、
座標軸Ｙは、作動ギヤツプの中心にとり、座標軸
Ｘは、磁気記録媒体対向面上にとつてある。ま
た、第９図に示した曲線は、異方性磁性体の透磁
率最大方向での透磁率μ_naxと透磁率最小の方向で
の透磁率μ_nioの比を５とし、透磁率最小の方向は
透磁率最大の方向に対して垂直の方向にあるとし
たときのものであり、作動ギヤツプ長Ｇと、トラ
ツク幅規制部長さＬに対して、 ≡１／２（μ_nax＋μ_nio）として、 G/L＝1.5 とし、ギヤツプ深さＤは、Ｌに対して D/L＝0.5 としたときの計算結果である。また、ここでは、
θ＝20゜、φ＝90゜とした。なお、縦軸の値はそれ
ぞれピーク値で規格化して示してある。第９図に
よつて明らかなように、コイルに流す電流を一定
にしたときの磁気記録媒体対向面上部（点Ｐ）に
おける作動ギヤツプからの漏洩磁束密度はαに著
しく依存し、この場合、この漏洩磁束密度が最大
になる角度α_naxは23.1゜となつている。また、作動
ギヤツプの中心部すなわち点P₀における磁束密
度もαに強く依存するが、その磁束密度が最大な
る角度α_Onaxは7.4゜であり、α_naxより小さい値とな
つている。すなわち、点P₀の磁束密度を最大に
するαと、点Ｐの磁束密度を最大するαの値は異
なつており、その差Δαは、 Δα≡α_nax−α_Onax＝15.7゜＞０である。磁気ヘツドコアの主磁路に沿つての磁気
抵抗は、α＝α_Onaxとしたときにほぼ最小になる
が、上記によると作動ギヤツプ上方、すなわち媒
体の存在する点Ｐでの漏洩磁束密度を最大にする
には、αは磁気ヘツドコアの主磁路に沿つての磁
気抵抗を最小にする値よりも大ならしめる必要が
あることを示している。

Δαの値は、トラツク幅規制部の形状・寸法お
よび磁気特性、作動ギヤツプ長、磁気記録媒体対
向面からの距離等により変化するが、とくに、第
８図に示したD/Lに強く依存する。さらに詳細な
検討の結果一般に、ΔαはD/Lの増大とともに増
大し、D/Lが小さいうちは、ほぼ直線的に増大す
る。Δα＝α_MAX−α_0MAX（P₀点におけるα_MAXで一定
値、23頁15行参照）であるため、点Ｐの漏洩磁束
密度が最大になるα_MAXは、D/Lの増大とともに増
加する。しかし、最大でもα_naxは45゜を越えるこ
とはなく、したがつて、D/Lの大きいところで
は、Δαは45゜以下の値に飽和して行くことが明ら
かとなつた。第１１図は、φ＝90゜、θ＝20゜とし
たときの第１０図に示した点Ｏ（０，０）（媒体対
向面上）におけるΔαの値、すなわち点０での
α_MAXと点P₀でのα_MAXの差をΔα_Oとして、これを
Ｇ／Ｌをパラメータとして、D/Lに対してプロツ
トしたものである。第１２図は、第１１図の場合
と同様にφ＝90゜、θ＝20゜のときの媒体対向面か
らＹ離れた点（０，Ｙ）における磁束密度が最大
になる角度α_nax（０，Ｙ）とα_Onaxとの差をΔα_Yと
して、Δα_Y−Δα_Oの値をＧ／ＬおよびD/Lをパ
ラメータとしてY/Lに対してプロツトしたもので
ある。媒体が存在しうる下限の位置は、Ｙ＝０の
点であるので、この点のα_MAXを求め、点P₀での
α_MAXとの差を求め、これをΔα₀としたものであ
る。一方Ｙを任意の点としたとき、同様にP₀点
でのα_MAXとの差を求めたのがΔα_Yである。従つて
点０でのα_MAXを評価した場合と、点Ｙで評価した
場合とで、どの程度最適値に差が出るかがΔα_Y−
Δα₀で示される。通常実用上問題になるY/Lの値
０乃至0.1の範囲では、この値は、高々5゜乃至10゜
である。第１２図における各曲線ａ，ｂ，ｃ，
ｄ，ｅ，ｆは、それぞれ、Ｇ／ＬおよびD/Lの
値が表１に示す値をとるときに対応するものであ
る。

表１ μG／ＬＤ／Ｌａ 0.2 0.25 ｂ 1.5 0.25 ｃ 2.0 0.25 ｄ 3.8 1.0 ｅ 3.8 0.5 ｆ 3.8 0.25 一方、Δαに及ぼすμ_nax／μ_nioの値ならびにθの
値の影響は比較的小さい。μ_nax／μ_nioのΔαに及ぼ
す影響の一例を第１３図に示す。図は、θ＝20゜、
φ＝90゜、D/L＝0.25としたときのΔα_O／Ｇ／Ｌ
依存性をμ_nax／μmin＝２および５の場合につき
示したものであり、Δα_Oはμ_nax/μminの値にほと
んど依存しないことがわかる。第１４図は、φ＝
90゜、Ｇ／Ｌ＝1.5、μ_nax／μ〓＝５としたとき
のΔα_Oの値をθをパラメータとしてD/Lに対して
プロツトしたものであり、等しいD/Lに対してθ
を20゜乃至60゜の間で変化させてもΔα_Oの値は平均
値を中心にして±5゜以上の変化はしないことを示
している。

また、作動ギヤツプ中心（０，−Ｄ／２）における磁束密度を最大にするαすなわちα_Onaxは、主と
してθおよびD/L値に依存し、、Ｇにはほとん
ど影響されないことが確認された。第１５図はθ
はパラメータとしてα_OnaxをD/Lに対してプロツ
トしたものである。これによりα_OnaxはD/Lの増
大とともにほぼ単調に減少すること、また、
α_Onaxはθの増大とともに増大するが、θ60゜で
はこの値は25゜を越えないことがわかる。作動ギ
ヤツプ上方における漏洩磁束の磁束密度を最大に
するαすなわちα_naxは、α_Onax＋Δαで与えられ、
上述のように、α_OnaxとΔαとのD/L依存性は互い
に相殺する方向に働くため、α_naxのD/L依存性は
緩慢となり、α_naxの値は比較的狭い範囲に限定さ
れる。第１６図はＧ／Ｌ＝1.5としたときの
α_nax（０，０）をパラメータとしてD/Lに対して
プロツトしたものである。

以上においては、φ＝90゜としたときについて
のみ述べたが、φ＝90゜より小さくすることの効
果は、Ｌを第８図におけるＬとL″との中間の実
効的トラツク幅規制部長さL^*でおかかえること
により、上述のＬ依存性が記述できる。第１７図
は、α_naxのφ依存性の一例を示すものであり、
Ｇ／Ｌ＝1.5、D/L＝0.25、μ_nan／μ_nio＝５とした
ときのものである。これによると、φが90゜から
減少するに従い、α_naxはわずかに増大するが、こ
の効果は、実効的トラツク幅規部長L^*が漸減す
るということで説明できることは明らかである。

以上述べた如き各種検討の結果、通常実用され
るθの価格20゜乃至60゜、Ｇ／Ｌの値略0.2乃至
20、ならびにY/L値０乃至略0.1に対して、Δαは
第１８図に示す斜線を施した範囲内に存在するこ
とが明らかとなつた。これは、また、同図に示し
たD/Lの範囲で、（20D／Ｌ）゜Δαmin〔（30D／Ｌ＋10）゜， 40゜〕となることを示す。ここで、min〔ａ，ｂ〕は、
ａ，ｂのうち小なる方の値に等しいものとする。
また、コイルに一定電流を流したときに作動ギヤ
ツプ上方に現われる磁束密度が最大になるごとく
すれば、良好な記録特性の磁気ヘツドが得れるこ
とは明白であるが、相反定理によつて明らかなよ
うに、かくのごとくすることにより、再生特性も
良好になることは、当該技術分野では明白であ
る。したがつて、トラツク幅規制部におけるα
は、磁気コアの主磁路に沿つての磁気抵抗を最小
ならしめる値α_Onaxよりも第１８図に示した範囲
の角度だけ大ならしめることにより、良好な特性
の磁気ヘツドを得ることが出来ることが明らかで
ある。第９図の例にも示されるように、最適のα
の値のまわり±5゜、さらには±10゜程度の範囲の
αに対しても比較的良好な特性を示すことを考慮
すると、 β≡α−α_Onax となる。βは本発明による最適値αの値と、点
P₀でαを定めた場合の最適値α_0MAXとの偏差を示
すものである。βはD/Lに対して、（20D／Ｌ−５）゜βmin〔（30D／Ｌ＋15）゜， 45゜〕さらには（20D／Ｌ−10）゜βmin〔（30D／Ｌ＋20）゜， 50゜〕なる範囲で選択することにより、比較的良好な特
性の磁気ヘツドが得られることは明らかである。

また、第１５図に例示したごときα_Onaxのθな
らびにD/L依存性の検討の結果、Ｇ／Ｌ＝0.2、
θ＝60゜、L/L＝0.1のときは、α_naxはD/Lに対し
て、第１９図に示した曲線のごとく変化するこ
と、Ｇ／Ｌ＝20、θ＝20゜、Y/L＝０のときは、
α_naxは同図の曲線のごとく変化すること、およ
び、上記パラメータＧ／Ｌ、θおよびY/Lがそ
れぞれ、の場合の中間の値をもつときは、
α_naxは、上記曲線およびではさまれた中間の
値を示すことが明らかとなつた。曲線および曲
線は、同図に示すD/Lの範囲で、それぞれ α＝min〔（12D／Ｌ＋30）゜，45゜〕および α＝（15D／Ｌ＋10）゜で近似できるから、Ｇ／Ｌの値0.2乃至20、θ
の値略20゜乃至60゜に対して、αを（15D／Ｌ＋10）゜αmin〔（25D／Ｌ＋30）゜， 45゜〕なる範囲に設定することにより、良好な特性を有
する磁気ヘツドを得ることができることは明らか
である。以上の結果は、通常の磁気ヘツドＧ／
L^*およびD/L^*の値に対して良好な特性を示す最
適のαは10゜乃至45゜の範囲にあることを示す。先
に述べたごとく、ヘツド特性は、αに比較的緩慢
に依存するから、αとしては、さらに±5゜さらに
は、±10゜程度範囲を拡げた値の中に設定すること
により、比較的良好な特性の磁気ヘツドを得るこ
とができることも明らかである。

また、θの値を略20゜乃至35゜の範囲に限るとき
は、α_naxは第２０図に示す範囲に存在することが
明らかとなつた。このことは、略20゜乃至35゜のθ
を有する磁気ヘツドにおいては、（15D／Ｌ）αmin〔（25D／Ｌ＋40）゜，45゜〕望ましくは（15D／Ｌ＋５）゜αmin〔（25D／Ｌ＋35）゜， 40゜〕さらに望ましくは（15D／Ｌ＋10）゜αmin〔（25D／Ｌ＋30）゜35゜
〕の範囲にαを設定するのがよいことを示す。

一方、θを略35゜乃至60゜の範囲に限定するとき
は、α_naxは第２１図に示す範囲に存在することが
明らかとなつた。このことは、略35゜乃至60゜の範
囲のθを有する磁気ヘツドにおいては、αを（5D／Ｌ＋10）゜αmin〔（25D／Ｌ＋40）゜，45゜望ましくは（5D／Ｌ＋15）゜αmin〔（25D／Ｌ＋35）゜，45゜
〕さらに望ましくは（5D／Ｌ＋20）゜αmin〔（25D／Ｌ＋30）゜，45゜
〕の範囲に設定するのがよいことを示す。

以上においては、磁気記録媒体対向面に対して
傾斜した面を有するトラツク幅規制部を磁気異方
性を有する磁性体で構成する場合の該磁性体の透
磁率最大の方向の設定の仕方につき述べたが、次
に、傾斜部をもたない垂直トラツク幅規制部を磁
気異方性を有する磁性体で構成する場合につき述
べる。第２２図は、第８図にトラツク幅規制部を
示す磁気ヘツドにおいて、傾斜部８４を有するト
ラツク幅規制部は等方性磁性体よりなり、傾斜部
をもたない垂直トラツク幅規制部のみが磁気異方
性を有する磁性体により構成されているとして、
第１０図に示した作動ギヤツプ部における点Ｐ
（0.G）における漏洩磁束密度と、該トラツク幅
規制部の透率最大の方向と磁気記録媒体対向面と
のなす角α′との関係を、D/L′をパラメータとし
てプロツトしたものである。ここで、縦軸は、漏
洩磁束密度の相対値を示しており、D′/L′＝４、
μＧ／L′＝３、μ_nax／μ_nio＝５としたときのもの
を示す。また、このときの最大の漏洩磁束密度を
示すピーク位置を三角印で示してある。かくのご
とくして求められる最大の漏洩磁束密度を与える
α′の値すなわちα′_naxをD/L′に対してプロツトす
るとＧ／L′の各値に対して、第２３図に示すご
とくなる。ここでは、α′_naxは第１０図における
点（０，Ｇ）に対する値を示すが、α′_naxのY/L
′依存性は、α_naxのY/L依存性と同様、比較的緩
かであり、実用的なY/L′の値の範囲では、第２
３図に示したα_naxの値に対して、α_naxは±5゜以上
の変化をすることはない。一方、作動ギヤツプ中
心の点P₀（０，−D/2）における磁束密度を最大に
するα′の値すなわちα′_Onaxは、第２４図に示すご
とくなり、Ｇ／L′の値0.2乃至20の範囲でほと
んど変らない。第２３図および第２４図を比較し
て明らかなように、このときも、α′_nax＞α′_Onaxで
ある。ただし、α′_nax−α′_Onaxの値は、ここで示す
各パラメータの値の範囲で25゜を越えることはな
い。第２５図は、垂直トラツク幅規制部の深さ
D′と、作動ギヤツプ深さＤとの比D′/D＝８とし
て、Ｇ／Ｄを１乃至20の範囲で種々変化させた
ときのα′_nax（０，Ｇ）のL′/D依存性を示す。ただ
し、ここでは、α′_ax（０，Ｇ）の値をＧ／Ｄ＝
１およびＧ／Ｄ＝20に対してのみプロツトして
あり、Ｇ／Ｄの値が１乃至20の範囲にあるとき
は、α′_nax（０，Ｇ）は、これら２曲線の中間にく
る。また、第２６図に示すようなトラツク幅規制
部２６６′を有する磁気ヘツドにつき、α′_naxを求
めると、上記したＧ／Ｄの値の範囲では、略
45゜となることが確認された。このことおよび、
第２３図、第２５図の結果から、磁気コアの垂直
トラツク幅規制部の各種形状因子ならびに磁気特
性を変化させても、上述のごとき実用的な値の範
囲では、α′を15゜乃至45゜の範囲に設定することに
より、良好な特性の磁気ヘツドを得ることができ
ることが明らかである。また、とくに、D/L′の
値を0.05乃至0.25の範囲に限り、αを25゜乃至45゜
の範囲に設定すれば、さらに良好な磁気ヘツドが
得られる。

以上においては、作動ギヤツプを介して相対峙
する磁性体が一方のみ磁気異方性を有する場合に
つき述べたが、上記磁性体の両者が磁気異方性を
有する場合は、各磁性体のトラツク幅規制部の形
状・寸法に対して、それぞれ、上述したごとく、
αおよびびα′を最適角度範囲に設定することによ
り、良好な特性の磁気ヘツドを得ることができる
ことは当然であり、上記形状・寸法が、互いに異
なるときは、各磁性体における透磁率最大の方向
と磁気記録媒体対向面とのなす角は、一般に異な
るごとく設定することが望ましい。ただし、用い
る磁性体の種類によつては、透磁率最大の方向と
磁気記録媒体対向面とのなす角を異なるごとく選
ぶと、磁気ヘツドを磁気記録媒体と摺動させて用
いる場合両者の間の摩耗速度が異なるという問題
が生ずることがあるため、かくのごとき場合は、
上述した各αならびにα′の範囲で、互いに略等し
くなるごとくαおよびα′を選択することが好まし
い。

具体的に、上記したごとき磁気ヘツドを得るに
は、以下に述べる方法がある。

(1) トラツク幅規制部の少くとも一方を正の結晶
磁気異方性定数K₁を有する単結晶Mn−Znフエ
ライトで構成するとともに、該トラツク幅規制
部の主磁路形成面を略（110）面で形成し、該
（110）面内の＜100＞方向が低周波側で透磁率
最大の方向となるごとく、該トラツク幅規制部
に入るストレスを極力制限し、該＜100＞方向
と磁気記録媒体対向面とのなす角を磁気ヘツド
コアの構造因子に合わせて、前述のごとく設定
する。ストレスを制限する具体的手法として
は、加工時に入るストレスを各種エツチングの
手法によつて除去すること、また、トラツク幅
規制部に保護用としてガラス等を溶融付着させ
るときは、該付着材の固着温度からヘツド動温
度迄の降温時の熱収縮率を上記フエライトの熱
収縮率に略一致させる等がある。

(2) トラツク幅規制部の少くとも一方を正の結晶
磁気異方性定数K₁を有する単結晶Mn−Znフエ
ライトで構成するとともに、該トラツク幅規制
部の主磁路形成面を略（110）面で形成し、該
（110）面内の＜110＞方向が高周波側で透磁率
最大の方向となるごとく、該トラツク幅規制部
に残留するストレスを極力制限し、該＜110＞
方向と磁気記録媒体対向面とのなす角を、磁気
ヘツドコアの構造因子に合わせて、前述のごと
く設定する。

(3) 磁歪定数λ₁₀₀が負のMn−Znフエライト単結
晶で、少くとも一方のトラツク幅規制部を形成
するとともに、該トラツク幅規制部の主要磁路
形成面を略（110）面で構成し、該（110）面内
における＜100＞方向に対して±30゜の角度範囲
で軸性圧縮力が残留するようにして（例えばジ
グで圧縮しながらガラス等により２個のコア半
体を固着することにより）、低周波側で、上記
＜100＞方向が透磁率最大になるごとくし、該
＜100＞方向を磁気記録媒体対向面に対して、
前述したごとき角度範囲に設定する。

(4) トラツ幅規制部の少くとも一方を磁歪定数
λ₁₀₀が負、λ₁₁₁が正のMn−Znフエライト単結
晶で形成するとともに、該トラツ幅規制部の主
磁路形成面を略（110）面で構成し、該（110）
面に引張応力が残留するようにして、高周波側
で該（110）面内の＜100＞方向を透磁率最大の
方向となし、該＜100＞方向を、磁気記録媒体
対向面に対して、前述のごとき角度範囲に設定
する。

(5) トラツ幅規制部の少くとも一方を、磁歪定数
λ₁₀₀が負、λ₁₁₁が正のMn−Znフエライト単結
晶で形成するともに、該トラツク幅規制部の主
磁路形成面を略（110）面で構成し、該（110）
面に引張応力が残留するようにして（例えば後
述する実施例１に示す方法により）、低周波側
で、該（110）面内の＜110＞方向を透磁率最大
の方向となし、該＜110＞方向を、磁気記録媒
体対向面に対して、前述のごとき角度範囲に設
定する。

(6) トラツ幅規制部の少くとも一方を負の結晶磁
気異方性定数K₁を有するMn−Znフエライト単
結晶で形成するとともに、該トラツ幅規制部の
主磁路形成面を実質的に一本の＜111＞軸を含
む面で構成し、該トラツ幅規制部にストレスが
極力残留しないようにして、上記＜111＞方向
が低周波側で透磁率最大の方向となし、該＜
111＞方向を、磁気記録媒体対向面に対して、
前述したごとき角度範囲に設定する。

(7) トラツ幅規制部の少くとも一方を負の結晶磁
気異方性定数K₁を有するMn−Znフエライト単
結晶で形成するとともに、該トラツ幅規制部の
主磁路形成面を実質的に一本の＜111＞軸を含
む面で構成し、該トラツ幅規制部にストレスが
極力残留しないようにして、上記主磁路形成面
に平行な面内における高周波側透磁率が最大に
なる方向を上記＜111＞方向に垂直な方向なら
しめ、該透磁率最大の方向を、磁気記録媒体対
向面に対して、前述したごとき角度範囲に設定
する。

(8) 前述の磁気異方性を有する磁性体として、配
向性フエライトまたは金属磁性材料、Fe−Si
またはFe−Al−Si等の単結晶金属磁性材料を
用いる。

なお、本発明の実施に当り透磁率最大の方向を
確認する必要があるときは、トラツク幅規制部に
残留する応力を想定して、これを主磁路面の形成
される面を主面とする円板状試料上に実現し、使
用周波数における透磁率の異方性を測定すること
により行なえばよい。このような測定は周知のも
のであり、例えば、「城石、藤原、木村、工藤；
第３回日本応用磁気学会学術講演概要集（1979
年、10月）、第149頁」に詳述されている。

また、磁気コアの磁気抵抗を最小にする透磁率
最大方向の配向角の決定は、各種配向角の磁気コ
アを作製し、これに同じ巻き数のコイルを巻回し
て、そのインダクタンスが最大になる配向角を求
めることにより行ない得る。

本発明の磁気ヘツドにおける構成要件は、以上
述べたことを除いて、他はすべて従来の磁気ヘツ
ドと同様でよいことは言うまでもない。

なお、磁気記録媒体対向面が（211）面になる
場合は、耐摩耗性が必ずしも良好とは言えず、耐
摩耗性を重視する磁気ヘツドの場合には、このよ
うな磁気コアの結晶方位は避ける方がよい。

実施例１結晶磁気異方性定数K₁0.2×10⁴erg/c.c.、磁歪
定数λ₁₀₀−0.5×10^-5、λ₁₁₁0.3×0^-5のMn−
Znフエライト単結晶を用いて、第１図に示すご
とき形状の磁気ヘツドを二種作製した。いずれ
も、主磁路形成面を略（110）面となし、トラツ
ク幅を30μｍ、傾斜部をもつ作動ギヤツプ幅規制
部の長さＬを150μｍ、傾斜角θを25゜、φを70゜と
ししギヤツプ深さＤを50μｍとし、垂直作動ギヤ
ツプ幅規制部のツ長さL′を150μｍ、深さD′を
400μｍとし、作動ギヤツプ規制部以外のコア厚
さを150μｍ、また、ギヤツプ長Ｇを略0.5μｍと
し、一種においては、上記主磁路形成面（110）
面内における＜110＞方向と磁気記録媒体対向面
とのなす角αおよびα′をそれぞれ20゜および30゜と
したのに対し、他の一種においては、上記αおよ
びα′をいずれも0゜とした。また、作動ギヤツプ保
護用ガラスとしては、固着温度から常温まで温度
が低下するに伴う熱収縮率が、略3.2×10^-3であ
り、用いたフエライトの同条件における熱収縮率
より0.7×10^-3だけ小さい値のものを用い、これ
を溶融付着せしめた。かくのごとくすることによ
り、作動ギヤツプ規制部の側面に引張応力が発生
するごとくしたものであり、この作用によつて、
上記作動ギヤツプ規制部の主磁路形成面（110）
面内における７〜8MHz以下での透磁率最大の方
向を＜110＞方向に設定した。かくのごとくして
作製した上記二種の記録再生特性を、保磁力約
700Oeの磁気テープを用いて測定した結果、第２
７図に示すごとき周波数特性を得た。テープ摺動
速度は約６m/secとした。

実施例２磁気コア形成磁性材料ならびに形状は前記実施
例の場合と同じくし、作動ギヤツプ部保護用のガ
ラスとして、固着温度から常温まで温度が低下す
るに伴う熱収縮率が略3.9×10^-3であるガラスを
用い、これを溶融付着せしめた磁気ヘツドを作製
した。ただし、今回は、主磁路形成面（110）面
内の＜100＞方向（７〜8MHz以下での透磁率最大
の方向）と磁気記録媒体対向面とのなす角をそれ
ぞれα，α′として、該α，α′をそれぞれ、α＝
20゜、α′＝30゜となしたもの、およびα＝90゜、α′
90゜
となしたものの二種を作製し、その記録再生出力
を保磁力700Oeの磁気テープを用いて測定した。
結果を第２８図に示す。テープ摺動速度は前実施
例と同様に約６m/secとした。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用する磁気ヘツドの構造の
一例を示す見取り図、第２図および第３図は、本
発明を適用する磁気ヘツドの作動ギヤツプ近傍の
例の断面図、第４図および第５図は、本発明を適
用する磁気ヘツドの構造の他の例を示す見取図、
第６図ａ，ｂは本発明を適用する磁気ヘツドのト
ラツク幅規制部の構造の例を示す平面図、第７図
は、本発明に至る検討に用いた磁気ヘツドモデル
の模型的断面図、第８図はその作動ギヤツプ近傍
の詳細説明図、第９図は、上記モデルを用いて計
算した磁束密度の磁気異方性軸の配向角依存性を
示す線図、第１０図は、上記モデルの作動ギヤツ
プ近傍の断面図、第１１図は、磁気ヘツド作動ギ
ヤツプ深部における磁束密度を最大にする異方性
軸の配向角α_Onaxと、作動ギヤツプ直上での磁束
密度を最大にする配向角α_nax（０，０）との差
Δα_Oとトラツク幅規制部の形状比との関係を示す
線図、第１２図は作動ギヤツプ上方での磁束密度
を最大にする配向角α_nax（０，Ｙ）と作動ギヤツ
プ直上での磁束密度を最大にする角度との差のＹ
依存性を示す線図、第１３図は、Δα1_Oと実効的
作動ギヤツプ長との関係を示す線図、第１４図は
磁気ヘツド作動ギヤツプ深部における磁束密度を
最大にする異方性軸の配向角α_Onaxと作動ギヤツ
プ直上での磁束密度を最大にする配向角α_nax（０，
０）との差Δα_Oとトラツク幅規制部の形状比との
関係を示す線図、第１５図は、作動ギヤツプ深部
の磁束密度を最大にする配向角α_Onaxとトラツク
幅規制部の形状比との関係を示す線図、第１６図
は、α_nax（０，０）とトラツク幅規制部の形状比
との関係を示す線図、第１７図は、α_nax（０，０）
と、トラツ幅規制部の端部の傾斜角との関係を示
す線図、第１８図は、実用的形状寸法の磁気ヘツ
ドにおけるΔαの範囲を示す線図、第１９図、第
２０図および第２１図は、実用的形状寸法および
透磁率を有する磁気ヘツドにおいて最高特性を示
すαの範囲を示す線図、第２２図は、作動ギヤツ
プ近傍における磁束密度と、垂直トラツ幅規制部
内の異方性軸配向角α′との関係を示す線図、第２
３図は、該磁束密度を最大にする配向角α′_naxと
該トラツク幅規制部長さL′に対する作動ギヤツプ
深さＤの比(D/L′)との関係を示す線図、第２４図
は、作動ギヤツプ深部の磁束密度を最大にする配
向角α′_Onaxと上記D/L′との関係を示す線図、第２
５図は、実用的形状寸法および透磁率を有する磁
気ヘツドにおいて、最高の特性を示すα′の範囲を
示す線図、第２６図は、本発明を適用する磁気ヘ
ツドコアの形状の一例を示す断面図、であり、第
２７図および第２８図は、本発明の実施例の磁気
ヘツドの記録再生出力の周波数特性を示す線図で
ある。各図において、１１は作動ギヤツプ、１５，１
５′は高透磁率磁性材料、２２は非磁性層、２３，
２３′は記録媒対待向面、３２は非磁性層、４６
は抉り溝、５０は溝、６１ａ，６１ｂは作動ギヤ
ツプ、７６，７６′はトラツ幅規制部、８０，８
０′は透磁率最大の方向、２６６′はトラツク幅規
制部である。

Claims

【特許請求の範囲】１磁気記録媒体対向部において少なくとも一方
が磁気異方性を有する２個の磁性体を作動ギヤツ
プを介して対峙せしめた磁気コアよりなる磁気ヘ
ツドにおいて、該磁気コアの磁気記録媒体対向面
と、上記磁気異方性を有する磁性体の該磁気コア
の主磁路形成面内における透磁率最大の方向との
なす角αおよびα′のうち少なくとも一を、上記磁
気コアの主磁路の磁気抵抗を最小にする角度より
大ならしめたことを特徴とする磁気ヘツド（ただ
し、αは磁気異方性を有する磁性体の上記作動ギ
ヤツプ近傍における磁気コア内壁が磁気記録媒体
対向面に対して傾斜している場合における磁気記
録媒体対向面と透磁率最大の方向とのなす角、
α′は磁気異方性を有する磁性体の上記作動ギヤツ
プ近傍における磁気コア内壁が磁気記録媒体対向
面に対して傾斜しておらず略垂直な場合における
磁気記録媒体対向面と透磁率最大の方向とのなす
角であり、αおよびα′は共に、磁気記録媒体対向
面上に作動ギヤツプから離れる方向へ向かうベク
トルを想定し、該ベクトルの終端が該ベクトルの
始端を中心として、上記記録媒体対向面から磁気
コアの内部に向かつて回転するとき、該ベクトル
の掃く回転角を正ととる）。２前記αを10゜〜45゜、α′を15゜〜45゜となしたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
ヘツド。３磁気記録媒体対向部において２個の磁性体を
作動ギヤツプを介して対峙せしめた磁気コアを有
する磁気ヘツドにおいて、上記磁性体の少くとも
一方の上記作動ギヤツプ近傍における磁気コア内
壁を、磁気記録媒体対向面に対して傾斜せしめて
作動ギヤツプ形成部を構成するに際し、該作動ギ
ヤツプ形成傾斜部を磁気異方性を有する材料で形
成し、かつ、該作動ギヤツプ形成傾斜部の主磁路
形成面内における透磁率最大の方向と、上記磁気
記録媒体対向面とのなす角αを、上記磁気コアの
主磁路の磁気抵抗を最小ならしめる角よりも以下
に示す式で示される角度βだけ大ならしめたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘ
ツド。｛（20D／L_*）−10｝゜＜β ＜min［（30D／L_*）゜、50゜］（ただし、Ｄは作動ギヤツプ深さ、L_*は作動
ギヤツプ形成傾斜部の実効長であり、min［ａ，
ｂ］は、ａ，ｂのうち小なる方の値をとるものと
する。）４上記βの値の範囲を示す式を｛（20D／L_*）−５｝゜＜β ＜min［｛（30D／L_*）＋15｝゜、45゜］とすることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の磁気ヘツド。５上記βの値の範囲を示す式を（20D／L_*）゜＜β ＜min［｛（30D／L_*）＋10｝゜、40゜］とすることを特徴とする特許請求の範囲第４項記
載の磁気ヘツド。６磁気記録媒体対向部において２個の磁性体を
作動ギヤツプを介して対峙せしめた磁気コアを有
する磁気ヘツドにおいて、上記磁性体の少くとも
一方の上記作動ギヤツプ近傍における磁気コア内
壁を、磁気記録媒体対向面に対して傾斜せしめて
作動ギヤツプ形成部を構成するに際し、該作動ギ
ヤツプ形成傾斜部を磁気異方性を有する材料で形
成し、かつ、該作動ギヤツプ形成傾斜部の主磁路
形成面内における透磁率最大の方向と、上記磁気
記録媒体対向面とのなす角αを、以下の式に示す
範囲に設定したことを特徴とする特許請求の範囲
第１項もしくは第２項記載の磁気ヘツド。（15D／L_*）゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋40｝゜、45゜］（ただし、Ｄは作動ギヤツプ深さ、L_*は作動
ギヤツプ形成傾斜部の実効長であり、min［ａ，
ｂ］は、ａ，ｂのうち小なる方の値をとるものと
する。）７上記αを以下の式に示す範囲に設定したこと
を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の磁気ヘ
ツド。｛（15D／L_*）＋５｝゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋35｝゜、45゜］８上記αを以下の式に示す範囲に設定したこと
を特徴とする特許請求の範囲第７項記載の磁気ヘ
ツド。｛（15D／L_*）＋10｝゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋30｝゜、45゜］９磁気記録媒体対向部において２個の磁性体を
作動ギヤツプを介して対峙せしめた磁気コアを有
する磁気ヘツドにおいて、上記磁性体の少くとも
一方の上記作動ギヤツプ近傍における磁気コア内
壁を、磁気記録媒体対向面に対して傾斜せしめて
作動ギヤツプ形成部を構成するに際し、該作動ギ
ヤツプ形成傾斜部を磁気異方性を有する材料で形
成し、該傾斜部の傾斜面と磁気記録媒体対向面と
のなす角θを略20゜乃至35゜となすとともに、該傾
斜部の主磁路形成面内における透磁率最大の方向
と、上記磁気記録媒体対向面とのなす角αを、以
下の式に示す範囲に設定したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項もしくは２項記載の磁気ヘツ
ド。（15D／L_*）゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋30｝゜、45゜］（ただし、Ｄは作動ギヤツプ深さ、L_*は作動
ギヤツプ形成傾斜部の実効長であり、min［ａ，
ｂ］は、ａ，ｂのうち小なる方の値をとるものと
する。）１０上記角αを以下の式に示す範囲に設定した
ことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載の磁
気ヘツド。｛（15D／L_*）＋５｝゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋25｝゜、40］１１上記角αを以下の式に示す範囲に設定した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１０項記載の
磁気ヘツド。｛（15D／L_*）＋10｝゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋20｝゜、35゜］１２磁気記録媒体対向部において２個の磁性体
を作動ギヤツプを介して対峙せしめた磁気コアを
有する磁気ヘツドにおいて、上記磁性体の少くと
も一方の上記作動ギヤツプ近傍における磁気コア
内壁を、磁気記録媒体対向面に対して傾斜せしめ
て作動ギヤツプ形成部を構成するに際し、該作動
ギヤツプ形成傾斜部を磁気異方性を有する材料で
形成し、該傾斜部の傾斜面と磁気記録媒体対向面
とのなす角θを略35゜乃至60゜となすとともに、該
傾斜部の主磁路形成面内における透磁率最大の方
向と、上記磁気記録媒体対向面とのなす角αを、
以下の式に示す範囲に設定したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の磁気
ヘツド。｛（5D／L_*）＋10｝゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋40｝゜、45゜］（ただし、Ｄは作動ギヤツプ深さ、L_*は作動
ギヤツプ形成傾斜部の実効長であり、min［ａ，
ｂ］は、ａ，ｂのうち小なる方の値をとるものと
する。）１３上記角αを以下の式に示す範囲に設定した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１２項記載の
磁気ヘツド。｛（5D／L_*）＋15｝゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋35｝゜、45゜］１４上記角αを以下の式に示す範囲に設定した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１３項記載の
磁気ヘツド。｛（5D／L_*）＋20｝゜＜α ＜min［｛（25D／L_*）＋30｝゜、45゜］１５磁気記録媒体対向部において、第一の磁性
体の一側面に非磁性層を介して第二の磁性体の作
動ギヤツプ形成傾斜部を対峙せしめた磁気コアを
有する磁気ヘツドにおいて、上記第一の磁性体を
磁気異方性を有する磁性体により構成し、かつ、
該磁気コアの主磁路形成面内における上記第一の
磁性体の上記作動ギヤツプ近傍の透磁率最大の方
向と、磁気記録媒体対向面とのなす角α′を、該磁
気コアの主磁路の磁気抵抗を最小ならしめる角度
よりも略25゜を超えない角度だけ大ならしめたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１４
項のいずれか一つの項に記載の磁気ヘツド。１６磁気記録媒体対向部において、第一の磁性
体の一側面に非磁性層を介して第二の磁性体の作
動ギヤツプ形成傾斜部を対峙せしめた磁気コアを
有する磁気ヘツドにおいて、上記第一の磁性体を
磁気異方性を有する磁性体により構成し、かつ、
該磁気コアの主磁路形成面内における上記第一の
磁性体の上記作動ギヤツプ近傍の透磁率最大の方
向と、磁気記録媒体対向面とのなす角α′を、略
15゜乃至45゜となしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項乃至第１４項のいずれか一つの項に記
載の磁気ヘツド。１７磁気記録媒体対向部において、第一の磁性
体の一側面に非磁性層を介して第二の磁性体の作
動ギヤツプ形成傾斜部を対峙せしめた磁気コアを
有する磁気ヘツドにおいて、上記第一の磁性体を
磁気異方性を有する磁性体により構成するととも
に、該第一の磁性体の上記作動ギヤツプ近傍にお
ける厚さを略トラツク幅に等しくなるように、該
第一の磁性体の残部よりも薄くしてトラツク幅規
制部となし、該トラツク幅規制部の長さL′と上記
作動ギヤツプ深さＤとの比D/L′を0.05乃至0.25と
なし、かつ、該トラツク幅規制部の該磁気コアの
主磁路面内における透磁率最大の方向と磁気記録
媒体対向面とのなす角α′を略25゜乃至45゜となした
ことを特徴とする特許請求の範囲第２項乃至第１
４項のうちいずれか一つの項に記載の磁気ヘツ
ド。１８磁気記録媒体対向部において磁気異方性を
有する２個の磁性体を作動ギヤツプを介して対峙
せしめた磁気コアよりなる磁気ヘツドにおいて、
上記２磁性体の作動ギヤツプ近傍の該磁気コアの
主磁路面内における透磁率最大の方向と磁気記録
媒体対向面とのなす角αおよびα′を互いに異なら
しめたことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃
至第１７項のうちいずれか一つの項に記載の磁気
ヘツド。１９磁気異方性を有する磁性体をMn−Znフエ
ライト単結晶となしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項乃至第１８項のいずれか一つの項に
記載の磁気ヘツド。２０磁気異方性を有する磁性体を配向性フエラ
イトとなしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第１８項のいずれか一つの項に記載の磁
気ヘツド。２１磁気異方性を有する磁性体として、単結晶
または配向性金属磁性体を用いたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第１８項のいずれか
一つの項に記載の磁気ヘツド。２２トラツク規制部の少なくとも一方を正の結
晶磁気異方性定数K₁を有する単結晶Mn−Znフエ
ライトで形成するとともに、該トラツク幅規制部
の主磁路形成面を略（110）面で構成し、該
（110）面内の＜100＞方向が低周波側で透磁率最
大の方向となるごとく、該トラツク幅規制部に残
留するストレスを制限または制御したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項乃至第１８項のいず
れか一つの項に記載の磁気ヘツド。２３トラツク幅規制部の少くとも一方を正の結
晶磁気異方性定数K₁を有する単結晶Mn−Znフエ
ライトで形成するとともに、該トラツク幅規制部
の主磁路形成面を略（110）面で構成し、該
（110）面内の＜100＞方向が高周波側で透磁率最
大の方向となるごとく、該トラツク幅規制部に残
留するストレスを制限しまたは制御したことを特
徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１８項のい
ずれか一つの項に記載の磁気ヘツド。２４トラツク幅規制部の少くとも一方を磁歪定
数λ₁₀₀が負のMn−Znフエライト単結晶で形成す
るとともに、該トラツク幅規制部の主磁路形成面
を略（110）面で構成し、該（110）面内における
＜100＞方向が低周波側で透磁率最大の方向とな
るごとく、該トラツク幅規制部の残留するストレ
スを制御したことを特徴とする特許請求の範囲第
１項乃至第１８項のいずれか一つの項に記載の磁
気ヘツド。２５トラツク幅規制部の少くとも一方を磁歪定
数λ₁₀₀が負、λ₁₁₁が正のMn−Znフエライト単結
晶で形成するとともに、該トラツク幅規制部の主
磁路形成面を略（110）面で構成し、該（110）面
内における＜100＞方向が高周波側で透磁率最大
の方向となるごとく、上記トラツク幅規制部の主
磁路形成面に平行な側面に引張応力を残留せしめ
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
１８項のいずれか一つの項に記載の磁気ヘツド。２６トラツク幅規制部の少くとも一方を磁歪定
数λ₁₀₀が負、λ₁₁₁が正のMn−Znフエライト単結
晶で形成するとともに、該トラツク幅規制部の主
磁路形成面を略（110）面で構成し、該（110）面
内における＜100＞方向が低周波側で透磁率最大
の方向となるごとく、上記トラツク幅規制部の主
磁路形成面に平行な側面に引張応力を残留せしめ
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
１８項のいずれか一つの項に記載の磁気ヘツド。２７トラツク幅規制部の少くとも一方を負の結
晶磁気異方性定数K₁を有するMn−Znフエライト
単結晶で形成するとともに、該トラツク幅規制部
の主磁路形成面を、実質的に一本の＜111＞軸を
含む面で構成し、該＜111＞方向が低周波側で透
磁率最大の方向となるごとく、該トラツク幅規制
部に残留するストレスを制限したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第１８項のいずれか
一つの項に記載の磁気ヘツド。２８トラツク幅規制部の少くとも一方を負の結
晶磁気異方性定数K₁を有するMn−Znフエライト
単結晶で形成するとともに、該トラツク幅規制部
の主磁路形成面を、実質的に一本の＜111＞軸を
含む面で構成し、該主磁路形成面に平行な面内に
おける高周波側での透磁率最大の方向が、上記＜
111＞軸に垂直な方向になるごとく、上記トラツ
ク幅規制部に残留するストレスを制限したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１８項の
いずれか一つの項に記載の磁気ヘツド。