JPH0542807B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0542807B2 JPH0542807B2 JP59029511A JP2951184A JPH0542807B2 JP H0542807 B2 JPH0542807 B2 JP H0542807B2 JP 59029511 A JP59029511 A JP 59029511A JP 2951184 A JP2951184 A JP 2951184A JP H0542807 B2 JPH0542807 B2 JP H0542807B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- amount
- mask
- alignment
- positional deviation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体焼付方法に関し、特にステツ
プアンドリピート方式の半導体焼付方法に関す
る。
プアンドリピート方式の半導体焼付方法に関す
る。
一般に、ステツプアンドリピート方式の半導体
焼付装置すなわち所謂ステツパは、拡大された回
路パターンを有するレチクルを、縮小投影光学系
を通してウエハ上に繰返し縮小投影し、露光焼付
けする装置である。ここで、１回のシヨツトでウ
エハ上に投影されるレチクルのパターンの面積
は、通常１チツプあるいは数チツプに相当する小
さな面積であり、従つてレチクルのパターンをウ
エハ全面に焼付けるためには、ウエハをレチクル
に対し、縮小投影光学系光軸に直交する面内で
XY方向にステツプ状に相対移動させながら露光
をくり返す。１回の焼付工程では多いもので十数
回のシヨツトが行なわれるため、２回目以降の焼
付工程については、レチクルパターンとウエハの
各チツプパターンとの相対的な位置合わせ（以下
アライメントという。）が各シヨツトごとに必要
となる。このアライメントの方式の１つとして
は、投影レンズを介して各シヨツト毎にマスク又
はレクチル（以下、マスクと総称する）とウエハ
のアライメントを行なうTTL（Through The
Lens）ダイ・バイ・ダイアライメント方式があ
り、各シヨツト毎の高精度の位置合せが可能であ
る。
焼付装置すなわち所謂ステツパは、拡大された回
路パターンを有するレチクルを、縮小投影光学系
を通してウエハ上に繰返し縮小投影し、露光焼付
けする装置である。ここで、１回のシヨツトでウ
エハ上に投影されるレチクルのパターンの面積
は、通常１チツプあるいは数チツプに相当する小
さな面積であり、従つてレチクルのパターンをウ
エハ全面に焼付けるためには、ウエハをレチクル
に対し、縮小投影光学系光軸に直交する面内で
XY方向にステツプ状に相対移動させながら露光
をくり返す。１回の焼付工程では多いもので十数
回のシヨツトが行なわれるため、２回目以降の焼
付工程については、レチクルパターンとウエハの
各チツプパターンとの相対的な位置合わせ（以下
アライメントという。）が各シヨツトごとに必要
となる。このアライメントの方式の１つとして
は、投影レンズを介して各シヨツト毎にマスク又
はレクチル（以下、マスクと総称する）とウエハ
のアライメントを行なうTTL（Through The
Lens）ダイ・バイ・ダイアライメント方式があ
り、各シヨツト毎の高精度の位置合せが可能であ
る。
従来この種の装置には第１図のフローチヤート
で示すように、各露光（シヨツト）毎に、ステツ
プ103、104、106でそれぞれ示すアライメント作
業、露光、ステージステツプの手順が含まれてお
り、〔アライメント時間×シヨツト数〕の時間が
重要になる。すなわち、生産機械としてのスルー
プツトを考えた場合、シヨツト数は増える傾向に
あり、アライメント時間の短縮は重要課題とな
る。
で示すように、各露光（シヨツト）毎に、ステツ
プ103、104、106でそれぞれ示すアライメント作
業、露光、ステージステツプの手順が含まれてお
り、〔アライメント時間×シヨツト数〕の時間が
重要になる。すなわち、生産機械としてのスルー
プツトを考えた場合、シヨツト数は増える傾向に
あり、アライメント時間の短縮は重要課題とな
る。
ここで第２図に第１図のフローチヤート中のア
ライメント部分のより詳細な従来方式のフトーチ
ヤートを示す。このフローチヤートの中をアライ
メント時間を決める要因として見た場合、ステー
ジステツプ送り（ステツプ201）のあと、ウエハ
とマスクとの相対的位置ズレを検知・計算（ステ
ツプ202、203）し、そのズレ量をトレランス内
（ステツプ204）に入るまでステージを駆動（ステ
ツプ205）するループ207の回数が支配的であり、
逆にループ回数を決めるのは、位置ズレ量の大小
およびステージ駆動の送り量の大小であることが
わかる。
ライメント部分のより詳細な従来方式のフトーチ
ヤートを示す。このフローチヤートの中をアライ
メント時間を決める要因として見た場合、ステー
ジステツプ送り（ステツプ201）のあと、ウエハ
とマスクとの相対的位置ズレを検知・計算（ステ
ツプ202、203）し、そのズレ量をトレランス内
（ステツプ204）に入るまでステージを駆動（ステ
ツプ205）するループ207の回数が支配的であり、
逆にループ回数を決めるのは、位置ズレ量の大小
およびステージ駆動の送り量の大小であることが
わかる。
しかしながら従来のアライメントにおいては、
位置ズレ量の値の大小を問わず、アライメントで
のステージの微動駆動しか行なわれていなかつ
た。従つて位置ズレ量が大きい場合には、ステー
ジの駆動時間が長くなり、アライメントに時間が
かかり、装置のスループツトが低くなるという欠
点を有していた。
位置ズレ量の値の大小を問わず、アライメントで
のステージの微動駆動しか行なわれていなかつ
た。従つて位置ズレ量が大きい場合には、ステー
ジの駆動時間が長くなり、アライメントに時間が
かかり、装置のスループツトが低くなるという欠
点を有していた。
本発明の目的は、上記従来例の欠点に鑑み、ア
ライメントの時間を短縮した半導体焼付方法を提
供することにある。
ライメントの時間を短縮した半導体焼付方法を提
供することにある。
本発明の半導体焼付方法は、マスクに対してウ
エハをステツプ移動することにより、前記マスク
に形成されているパターンを前記ウエハ上の複数
のシヨツト領域に順に露光焼付けする半導体焼付
方法において、露光位置に送り込まれた前記ウエ
ハの第１シヨツト領域の位置ずれ量を前記ウエハ
に形成されているアライメントマークを利用して
計測する計測段階と、前記位置ずれ量が許容値内
か否かを判別する判別段階と、前記位置ずれ量が
前記許容値外と判別された時には前記位置ずれ量
を減少させる方向に前記マスクと前記ウエハを相
対的にアライメント移動するアライメント移動段
階と、前記位置ずれ量が前記許容値内と判別され
た時には前記マスクのパターンを前記第１シヨツ
ト領域に焼付けるために前記マスクを介して前記
第１シヨツト領域を露光する露光段階と、前記第
１シヨツト領域の露光後で前記ウエハ上の第２シ
ヨツト領域を前記露光位置に送り込む際、前記第
２シヨツト領域を前記露光位置に送り込むための
ステツプ移動量を前記第１シヨツト領域に関して
計測された前記位置ずれ量で補正した値に応じて
前記ウエハをステツプ移動するステツプ移動段階
を有する。
エハをステツプ移動することにより、前記マスク
に形成されているパターンを前記ウエハ上の複数
のシヨツト領域に順に露光焼付けする半導体焼付
方法において、露光位置に送り込まれた前記ウエ
ハの第１シヨツト領域の位置ずれ量を前記ウエハ
に形成されているアライメントマークを利用して
計測する計測段階と、前記位置ずれ量が許容値内
か否かを判別する判別段階と、前記位置ずれ量が
前記許容値外と判別された時には前記位置ずれ量
を減少させる方向に前記マスクと前記ウエハを相
対的にアライメント移動するアライメント移動段
階と、前記位置ずれ量が前記許容値内と判別され
た時には前記マスクのパターンを前記第１シヨツ
ト領域に焼付けるために前記マスクを介して前記
第１シヨツト領域を露光する露光段階と、前記第
１シヨツト領域の露光後で前記ウエハ上の第２シ
ヨツト領域を前記露光位置に送り込む際、前記第
２シヨツト領域を前記露光位置に送り込むための
ステツプ移動量を前記第１シヨツト領域に関して
計測された前記位置ずれ量で補正した値に応じて
前記ウエハをステツプ移動するステツプ移動段階
を有する。
すなわち、本発明は、ウエハ上において露光さ
れる各チツプに対応する位置のずれ量は、そのチ
ツプ位置の近傍すなわち隣接するチツプ位置にお
いても同様であるということに鑑み、各シヨツト
のアライメントにおいて検出されたずれ量により
後続のシヨツトへのステツプ送り量を制御し、こ
の次のシヨツトにおける位置ずれ量を最小にする
ことにより、アライメント時間を最小にし得るこ
とを特徴とする。
れる各チツプに対応する位置のずれ量は、そのチ
ツプ位置の近傍すなわち隣接するチツプ位置にお
いても同様であるということに鑑み、各シヨツト
のアライメントにおいて検出されたずれ量により
後続のシヨツトへのステツプ送り量を制御し、こ
の次のシヨツトにおける位置ずれ量を最小にする
ことにより、アライメント時間を最小にし得るこ
とを特徴とする。
以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。第３図Ａはアライメントマーク検出系を具え
たステツパーの主要構成図を示している。
る。第３図Ａはアライメントマーク検出系を具え
たステツパーの主要構成図を示している。
図中、１は集積回路パターン及びアライメン
ト・マーク２０，２０′を具えたマスクであり、
マスクステージ２４に保持されている。３は縮小
投影レンズ、４は感光層を具えるウエハーでアラ
イメント・マーク２１，２１′を具えている。５
はウエハー・ステージであり、ウエハー４を保持
するものである。マスク・ステージ２４及びウエ
ハー・ステージ５は、平面内（Ｘ方向、Ｙ方向）
並びに回転方向（θ方向）に移動可能である。
ト・マーク２０，２０′を具えたマスクであり、
マスクステージ２４に保持されている。３は縮小
投影レンズ、４は感光層を具えるウエハーでアラ
イメント・マーク２１，２１′を具えている。５
はウエハー・ステージであり、ウエハー４を保持
するものである。マスク・ステージ２４及びウエ
ハー・ステージ５は、平面内（Ｘ方向、Ｙ方向）
並びに回転方向（θ方向）に移動可能である。
そして例えば、ウエハー・ステージ５をXY方
向に送つてステツプ・アンド・リピート運動を行
い、マスク・ステージ２４をXYθ方向に移動し
てマスク１を装置に対して初期セツトし、更にウ
エハー・ステージ５をXYθ方向に移動してマス
ク１とウエハー４のアライメントを行う。このウ
エハ・ステージ５の移動は、後述するウエハステ
ージ駆動装置６１により制御される。なおXYθ
ともマスク・ステージを動かしてアライメントし
ても良いし、逆にウエハー・ステージのみを動か
してアライメントしても良い。
向に送つてステツプ・アンド・リピート運動を行
い、マスク・ステージ２４をXYθ方向に移動し
てマスク１を装置に対して初期セツトし、更にウ
エハー・ステージ５をXYθ方向に移動してマス
ク１とウエハー４のアライメントを行う。このウ
エハ・ステージ５の移動は、後述するウエハステ
ージ駆動装置６１により制御される。なおXYθ
ともマスク・ステージを動かしてアライメントし
ても良いし、逆にウエハー・ステージのみを動か
してアライメントしても良い。
また２０と２０′はマスク１のアライメントマ
ーク、２１と２１′はウエハー４のアライメント
マークである。図ではウエハー４のアライメント
マークを便宜上、１組描いているが、実際には露
光されるシヨツト数と同じ数の組が配されてい
る。
ーク、２１と２１′はウエハー４のアライメント
マークである。図ではウエハー４のアライメント
マークを便宜上、１組描いているが、実際には露
光されるシヨツト数と同じ数の組が配されてい
る。
なお、マスク１上のアライメントマークとウエ
ハー上のアライメントマークは、等倍投影系以外
の糸を介在させた時には投影もしくは逆投影して
も両方のアライメントマークの寸法が変わらない
様に、アライメントマークの寸法を変えておくも
のとし、ここではマスク１のアライメントマーク
の寸法でウエハー４のアライメントマークの寸法
を除算すると縮小倍率になる様に設定する。
ハー上のアライメントマークは、等倍投影系以外
の糸を介在させた時には投影もしくは逆投影して
も両方のアライメントマークの寸法が変わらない
様に、アライメントマークの寸法を変えておくも
のとし、ここではマスク１のアライメントマーク
の寸法でウエハー４のアライメントマークの寸法
を除算すると縮小倍率になる様に設定する。
２８は回転軸２９を中心として回転する回転多
面鏡（ボリゴン・ミラー）である。レーザ光源２
２から射出したレーザー光線３０はレンズ２３に
より回転多面鏡２８上の面の一点３１へ収束す
る。
面鏡（ボリゴン・ミラー）である。レーザ光源２
２から射出したレーザー光線３０はレンズ２３に
より回転多面鏡２８上の面の一点３１へ収束す
る。
レンズ３２，３３，３４は光線中継用のレン
ズ、３５は三角柱プリズムであつて、三角柱プリ
ズム３５の頂点は光軸上に一致するからレーザー
光線の一回の走査はその前半と後半で左右に分け
られる。３９は、３回反射で図面内Ｘ方向のレー
ザー光走査をＹ方向の走査に変換するためのプリ
ズムブロツクで、例えば第３図Ｂの様な形状に構
成する。４２は光電検出系４３，４４，４５，４
６を形成するハーフミラーで、４３はミラー、４
４はレンズ、４５は空間フイルタであり、４６は
コンデンサ・レンズ、４７は光検出器である。４
８，４９，５０，５１は全反射ミラー、５２はプ
リズム、５３はｆ−θ対物レンズである。光検出
器４７の出力は、後述する演算を行なう演算装置
６０に接続されている。
ズ、３５は三角柱プリズムであつて、三角柱プリ
ズム３５の頂点は光軸上に一致するからレーザー
光線の一回の走査はその前半と後半で左右に分け
られる。３９は、３回反射で図面内Ｘ方向のレー
ザー光走査をＹ方向の走査に変換するためのプリ
ズムブロツクで、例えば第３図Ｂの様な形状に構
成する。４２は光電検出系４３，４４，４５，４
６を形成するハーフミラーで、４３はミラー、４
４はレンズ、４５は空間フイルタであり、４６は
コンデンサ・レンズ、４７は光検出器である。４
８，４９，５０，５１は全反射ミラー、５２はプ
リズム、５３はｆ−θ対物レンズである。光検出
器４７の出力は、後述する演算を行なう演算装置
６０に接続されている。
また、５７はコンデンサーレンズ、５８は同期
信号検出用の光検出器で、半透鏡４２へ入射した
レーザー光の一部はコンデンサーレンズ５７で集
光されて光検出器５８へ入射する。従つて光検出
器５８はレーザー光の走査始点と終点を検出する
のに役立つ。
信号検出用の光検出器で、半透鏡４２へ入射した
レーザー光の一部はコンデンサーレンズ５７で集
光されて光検出器５８へ入射する。従つて光検出
器５８はレーザー光の走査始点と終点を検出する
のに役立つ。
尚、図からわかる様に、信号検出系は全く対称
な左右の系から成つており、オペレータ側を紙面
の手前側とするとダツシユで示した系は右、ダツ
シユなしの系は左の信号検出系と呼ぶことにし、
同じ部材には同一番号にダツシユを付けている。
な左右の系から成つており、オペレータ側を紙面
の手前側とするとダツシユで示した系は右、ダツ
シユなしの系は左の信号検出系と呼ぶことにし、
同じ部材には同一番号にダツシユを付けている。
中継レンズ３２，３３，３４は回転多面鏡２８
からの振れ原点を対物レンズ５３の絞り位置５５
の中の瞳５６に形成する。従つてシート状又はス
ポツト状のレーザー光は回転多面鏡２８の回転に
よりマスク及びウエハー上を走査する。
からの振れ原点を対物レンズ５３の絞り位置５５
の中の瞳５６に形成する。従つてシート状又はス
ポツト状のレーザー光は回転多面鏡２８の回転に
よりマスク及びウエハー上を走査する。
また対物レンズ系において、対物レンズ５３、
絞り５５、ミラー５１及びプリズム５２はXY方
向に図示しない移動手段により移動可能であり、
マスク１及びウエハー４の測定位置は任意に変え
ることができる。例えば、Ｘ方向の移動はミラー
５１が図中矢印Ａで示した方向に移動すると対物
レンズ５３及び絞り５５も同時にＡ方向に移動す
ると共に光路長を常に一定に保つためプリズム５
２もＡ方向にミラー５１の移動量の1/2の量移動
する。
絞り５５、ミラー５１及びプリズム５２はXY方
向に図示しない移動手段により移動可能であり、
マスク１及びウエハー４の測定位置は任意に変え
ることができる。例えば、Ｘ方向の移動はミラー
５１が図中矢印Ａで示した方向に移動すると対物
レンズ５３及び絞り５５も同時にＡ方向に移動す
ると共に光路長を常に一定に保つためプリズム５
２もＡ方向にミラー５１の移動量の1/2の量移動
する。
一方、Ｙ方向の移動は位置検出用の光学系全体
がＹ方向に移動する。
がＹ方向に移動する。
そして対物レンズ系の移動が可能であることか
ら、マスクによつてアライメントマークの位置が
異なる場合あるいはアライメントマークとは別に
マスクセツテイングマークを設けた場合のマーク
検出に対処できる。
ら、マスクによつてアライメントマークの位置が
異なる場合あるいはアライメントマークとは別に
マスクセツテイングマークを設けた場合のマーク
検出に対処できる。
上記構成の動作を説明すると、レーザ光源２２
から出射したレーザ光３０は、回転するポリゴン
ミラー２８によりＸ方向に走査されて、三角柱プ
リズム３５により左右２分割される。この分割さ
れた２つの光はそれぞれプリズムブロツク３９，
３９′によりその走査方向をＸ方向からＹ方向に
変換されて、マスク１のアライメントマーク２０
及びウエハ４のアライメントマーク２１、マスク
１のアライメントマーク２０′及びウエハ４のア
ライメントマーク２１′上を走査する。尚ここで
マスク１をウエハ４は、それぞれのマーク２０と
２１，２０′と２１′が略一致するように粗位置合
わせ（プリアライメント）されている。
から出射したレーザ光３０は、回転するポリゴン
ミラー２８によりＸ方向に走査されて、三角柱プ
リズム３５により左右２分割される。この分割さ
れた２つの光はそれぞれプリズムブロツク３９，
３９′によりその走査方向をＸ方向からＹ方向に
変換されて、マスク１のアライメントマーク２０
及びウエハ４のアライメントマーク２１、マスク
１のアライメントマーク２０′及びウエハ４のア
ライメントマーク２１′上を走査する。尚ここで
マスク１をウエハ４は、それぞれのマーク２０と
２１，２０′と２１′が略一致するように粗位置合
わせ（プリアライメント）されている。
マーク２０と２１，２０′と２１′からの散乱光
は、半透鏡４２，４２′を透過してミラー４３，
４３′で反射され、光検出器４７，４７′へ入射す
る。演算装置６０は、メモリを具え、また光検出
器４７，４７′の出力により後述する演算を行な
う。
は、半透鏡４２，４２′を透過してミラー４３，
４３′で反射され、光検出器４７，４７′へ入射す
る。演算装置６０は、メモリを具え、また光検出
器４７，４７′の出力により後述する演算を行な
う。
以下演算装置６０の動作を第４図のフローチヤ
ートを参照して照明する。
ートを参照して照明する。
始めにウエハステージ５を駆動してウエハ４を
縮小投影レンズ３の投影野の所定の位置に配置
（ステツプ501）し、更にウエハ４の最初の露光位
置にステージ５を配置（ステツプ502）する。こ
れで以下のオートアライメント（AA）の準備が
完了する。
縮小投影レンズ３の投影野の所定の位置に配置
（ステツプ501）し、更にウエハ４の最初の露光位
置にステージ５を配置（ステツプ502）する。こ
れで以下のオートアライメント（AA）の準備が
完了する。
次いで第３図Ａの動作で説明したように、マス
ク１とウエハ４の位置ずれ量を光検出器４７，４
７′で検出する。この位置ずれ量の検出は、オー
トアライメント（AA）信号として用いられる
（ステツプ503）が、いずれかの公知の方法で検出
することができる。すなわち、マスク１とウエハ
４のＸ方向、Ｙ方向、θ方向の位置ずれ量は、そ
れぞれ △Ｘ＝（△×Ｌ＋△×Ｒ）／２ ……(1) △Ｙ＝（△YL＋△YR）／２ ……(2) △θ＝（△YR−△YL）／（XR−XL） ……(3) で表わすことができる（ステツプ504）。ここで
XL，XRはマスクの中心からの左マークおよび右
マークの位置であり（XR−XL）は左右両マーク
間の間隔である。
ク１とウエハ４の位置ずれ量を光検出器４７，４
７′で検出する。この位置ずれ量の検出は、オー
トアライメント（AA）信号として用いられる
（ステツプ503）が、いずれかの公知の方法で検出
することができる。すなわち、マスク１とウエハ
４のＸ方向、Ｙ方向、θ方向の位置ずれ量は、そ
れぞれ △Ｘ＝（△×Ｌ＋△×Ｒ）／２ ……(1) △Ｙ＝（△YL＋△YR）／２ ……(2) △θ＝（△YR−△YL）／（XR−XL） ……(3) で表わすことができる（ステツプ504）。ここで
XL，XRはマスクの中心からの左マークおよび右
マークの位置であり（XR−XL）は左右両マーク
間の間隔である。
次にこのズレ量△Ｘ、△Ｙ、△θが許容範囲内
にあるか否かをステツプ505にて判別し、範囲外
であればステツプ508へ分岐し、ウエハステージ
駆動装置６１（第３図Ａ）に指令を出してウエハ
ステージ５を微動駆動し、上記のずれ量を補正す
る。この微動駆動は、ループ509により位置ずれ
量が許容範囲内に入るまで繰り返される。
にあるか否かをステツプ505にて判別し、範囲外
であればステツプ508へ分岐し、ウエハステージ
駆動装置６１（第３図Ａ）に指令を出してウエハ
ステージ５を微動駆動し、上記のずれ量を補正す
る。この微動駆動は、ループ509により位置ずれ
量が許容範囲内に入るまで繰り返される。
他方ステツプ504で検出されたずれ量（△Ｘ、
△Ｙ）は、ステツプ506で最初の検出値かどうか
を判別され、最初の値（△X0、△Y0）のみがス
テツプ507でストアされる。すなわち最初の検出
値（△X0、△Y0）のみがストアされ、２回目以
降の検出値（△X1、△Y1）、（△X2、△Y2）…は
無視される。ステツプ505においてアライメント
が終了したシヨツトの部分に関しては、ステツプ
510で露光される。
△Ｙ）は、ステツプ506で最初の検出値かどうか
を判別され、最初の値（△X0、△Y0）のみがス
テツプ507でストアされる。すなわち最初の検出
値（△X0、△Y0）のみがストアされ、２回目以
降の検出値（△X1、△Y1）、（△X2、△Y2）…は
無視される。ステツプ505においてアライメント
が終了したシヨツトの部分に関しては、ステツプ
510で露光される。
露光終了後はウエハステージ５をステツプ移動
して次の露光に入るが、ここでの移動量について
説明する。
して次の露光に入るが、ここでの移動量について
説明する。
マスク１とウエハの位置ずれの生じる主な原因
としては、 ウエハステージの送り精度 前回の焼付工程での焼付倍率誤差、デイスト
ーシヨン ウエハあるいはマスクの伸びまたは縮み等が
あるが位置ずれ量は同一ウエハ内の各シヨツト
について一定ではない。
としては、 ウエハステージの送り精度 前回の焼付工程での焼付倍率誤差、デイスト
ーシヨン ウエハあるいはマスクの伸びまたは縮み等が
あるが位置ずれ量は同一ウエハ内の各シヨツト
について一定ではない。
しかしながら位置ずれ量は、例えば第３図Ｃの
矢印で示す順番でウエハ４の露光を行うとすれ
ば、４ｂの部分の位置ずれ量は近傍の部分、例え
ば４ａ，４ｃの部分の位置ずれ量とほぼ等しい。
従つて本発明では、例えば現在の露光を４ｂの部
分で行つた後、4cの部分へウエハステージ５をス
テツプ移動する場合には４ｂの部分のアライメン
トにおいて検出された位置ずれ量（△Ｘ、△Ｙ）
を考慮して行う。この実施例で最初の検出値（△
X0、△Y0）を選択するのは、この値が上記の位
置ずれの原因により次の露光においても同
様に位置ずれとなつて現われるからである。
矢印で示す順番でウエハ４の露光を行うとすれ
ば、４ｂの部分の位置ずれ量は近傍の部分、例え
ば４ａ，４ｃの部分の位置ずれ量とほぼ等しい。
従つて本発明では、例えば現在の露光を４ｂの部
分で行つた後、4cの部分へウエハステージ５をス
テツプ移動する場合には４ｂの部分のアライメン
トにおいて検出された位置ずれ量（△Ｘ、△Ｙ）
を考慮して行う。この実施例で最初の検出値（△
X0、△Y0）を選択するのは、この値が上記の位
置ずれの原因により次の露光においても同
様に位置ずれとなつて現われるからである。
従つてステツプ510で露光が終了した後は、ス
テツプ511において、ステツプ507でストアした前
回シヨツトのアライメントでの最初の位置ずれ量
（△X0、△Y0）を読み出す。次いでステツプ512
において、マスク１及びウエハ４の露光領域に応
じた所定のステツプ移動量（X0、Y0）にずれ量
（△X0、△Y0）を加算し、次の露光のためのステ
ツプ移動量を計算する。但し、この過程は露光中
に行つても良い。ウエハステージ５はステツプ
514において上記の移動量に基づいて駆動され、
再びステツプ503において次の露光のためにアラ
イメントされ、再び最初のずれ量がストアされ
る。このように各露光毎に、アライメント→露光
→補正されたステツプ移動が行なわれるため、ア
ライメント毎のずれ量は最小になり、アライメン
ト時間が短縮される。
テツプ511において、ステツプ507でストアした前
回シヨツトのアライメントでの最初の位置ずれ量
（△X0、△Y0）を読み出す。次いでステツプ512
において、マスク１及びウエハ４の露光領域に応
じた所定のステツプ移動量（X0、Y0）にずれ量
（△X0、△Y0）を加算し、次の露光のためのステ
ツプ移動量を計算する。但し、この過程は露光中
に行つても良い。ウエハステージ５はステツプ
514において上記の移動量に基づいて駆動され、
再びステツプ503において次の露光のためにアラ
イメントされ、再び最初のずれ量がストアされ
る。このように各露光毎に、アライメント→露光
→補正されたステツプ移動が行なわれるため、ア
ライメント毎のずれ量は最小になり、アライメン
ト時間が短縮される。
ステツプ513において、ウエハ全面への露光終
了が判別されると、ステツプ515においてこのウ
エハは回収される。新しいウエハはステツプ501
から同様に焼き付けられる。
了が判別されると、ステツプ515においてこのウ
エハは回収される。新しいウエハはステツプ501
から同様に焼き付けられる。
以上説明したように、本発明によれば各露光時
のステツプ移動を補正することにより、ステツプ
移動ごとのマスクとウエハの位置ずれは最小とな
り、従つてアライメント時間が短縮され、スルー
プツトの増大に効果がある。
のステツプ移動を補正することにより、ステツプ
移動ごとのマスクとウエハの位置ずれは最小とな
り、従つてアライメント時間が短縮され、スルー
プツトの増大に効果がある。
第１図は従来の半導体焼付露光装置の動作を説
明するフローチヤート、第２図は、第１図の詳細
なフローチヤート、第３図本発明の一実施例の半
導体焼付方法に基づく半導体焼付露光装置のアラ
イメント部分の主要構成図、第４図本発明の半導
体焼付方法に基づく半導体焼付露光装置の動作を
説明するフローチヤートである。 １……マスク、３……縮小投影光学系、４……
ウエハ、５……ウエハステージ駆動装置、６０…
…演算装置、６１……ウエハステージ駆動装置。
明するフローチヤート、第２図は、第１図の詳細
なフローチヤート、第３図本発明の一実施例の半
導体焼付方法に基づく半導体焼付露光装置のアラ
イメント部分の主要構成図、第４図本発明の半導
体焼付方法に基づく半導体焼付露光装置の動作を
説明するフローチヤートである。 １……マスク、３……縮小投影光学系、４……
ウエハ、５……ウエハステージ駆動装置、６０…
…演算装置、６１……ウエハステージ駆動装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスクに対してウエハをステツプ移動するこ
とにより、前記マスクに形成されているパターン
を前記ウエハ上の複数のシヨツト領域に順に露光
焼付けする半導体焼付方法において、露光位置に
送り込まれた前記ウエハの第１シヨツト領域の位
置ずれ量を前記ウエハに形成されているアライメ
ントマークを利用して計測する計測段階と、前記
位置ずれ量が許容値内か否かを判別する判別段階
と、前記位置ずれ量が前記許容値外と判別された
時には前記位置ずれ量を減少させる方向に前記マ
スクと前記ウエハを相対的にアライメント移動す
るアライメント移動段階と、前記位置ずれ量が前
記許容値内と判別された時には前記マスクのパタ
ーンを前記第１シヨツト領域に焼付けるために前
記マスクを介して前記第１シヨツト領域を露光す
る露光段階と、前記第１シヨツト領域の露光後で
前記ウエハ上の第２シヨツト領域を前記露光位置
に送り込む際、前記第２シヨツト領域を前記露光
位置に送り込むためのステツプ移動量を前記第１
シヨツト領域に関して計測された前記位置ずれ量
で補正した値に応じて前記ウエハをステツプ移動
するステツプ移動段階を有することを特徴とする
半導体焼付方法。 ２ 前記位置ずれ量が前記許容値内となるまで前
記計測段階と前記アライメント移動段階を繰り返
すと共に、前記ステツプ移動量を前記第１シヨツ
ト領域に関して最初に計測された位置ずれ量で補
正することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の半導体焼付方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029511A JPS60175051A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 半導体焼付方法 |
| US06/701,623 US4669867A (en) | 1984-02-20 | 1985-02-14 | Alignment and exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59029511A JPS60175051A (ja) | 1984-02-21 | 1984-02-21 | 半導体焼付方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175051A JPS60175051A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0542807B2 true JPH0542807B2 (ja) | 1993-06-29 |
Family
ID=12278120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59029511A Granted JPS60175051A (ja) | 1984-02-20 | 1984-02-21 | 半導体焼付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175051A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55135831A (en) * | 1979-04-03 | 1980-10-23 | Optimetrix Corp | Improved stepprepetion projectionnmatching exposer |
| JPS5780724A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Positioning device |
-
1984
- 1984-02-21 JP JP59029511A patent/JPS60175051A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60175051A (ja) | 1985-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3376179B2 (ja) | 面位置検出方法 | |
| US5751404A (en) | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates | |
| US8107052B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| US4780615A (en) | Alignment system for use in pattern transfer apparatus | |
| EP0841594A2 (en) | Mark for position detection, mark detecting method and apparatus, and exposure system | |
| JPS62145730A (ja) | 投影型露光装置 | |
| US4617469A (en) | Exposure apparatus with detecting means insertable into an exposure path | |
| US4669867A (en) | Alignment and exposure apparatus | |
| JP2003282420A (ja) | 露光方法及び装置 | |
| JPS61174717A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JP5137879B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3335126B2 (ja) | 面位置検出装置及びそれを用いた走査型投影露光装置 | |
| JPH10284393A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| US20090310108A1 (en) | Exposure apparatus and method of manufacturing device | |
| JPH104055A (ja) | 自動焦点合わせ装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
| JPH0542807B2 (ja) | ||
| JP3352280B2 (ja) | 投影露光装置の調整方法及び露光方法 | |
| JPH01194322A (ja) | 半導体焼付装置 | |
| JPH088175A (ja) | 位置合せ装置及び位置合せ方法 | |
| JP3919689B2 (ja) | 露光方法、素子の製造方法および露光装置 | |
| JPS60173550A (ja) | 半導体焼付装置 | |
| JP2555651B2 (ja) | アライメント方法及び装置 | |
| JPH1079340A (ja) | 走査型露光装置および方法 | |
| JPH10144596A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JPS6349368B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |