JPH0543244B2 - - Google Patents
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- JPH0543244B2 JPH0543244B2 JP61112849A JP11284986A JPH0543244B2 JP H0543244 B2 JPH0543244 B2 JP H0543244B2 JP 61112849 A JP61112849 A JP 61112849A JP 11284986 A JP11284986 A JP 11284986A JP H0543244 B2 JPH0543244 B2 JP H0543244B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dimensional
- measuring device
- axis
- light
- projector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、鋳鍛造、圧延、切削、電気加工、射
出成形等の金属、非金属の各種加工工程や組み立
て工程における成品、中間成品の三次元形状測定
検査装置や品質検査および加工・組み立てプロセ
スの制御用等に用いられ、各種加工用の金型、木
型等の形状測定に適用して倣い加工の型の非接触
化、柔軟型の使用を可能にすると共に、高温や柔
軟物体の形状測定、美術工芸品の複製、生体各部
や動植物体の形状測定などにも応用可能な三次元
形状の非接触測定装置に関する。
出成形等の金属、非金属の各種加工工程や組み立
て工程における成品、中間成品の三次元形状測定
検査装置や品質検査および加工・組み立てプロセ
スの制御用等に用いられ、各種加工用の金型、木
型等の形状測定に適用して倣い加工の型の非接触
化、柔軟型の使用を可能にすると共に、高温や柔
軟物体の形状測定、美術工芸品の複製、生体各部
や動植物体の形状測定などにも応用可能な三次元
形状の非接触測定装置に関する。
一般に三次元形状を測定するには、触針式のい
わゆる三次元座標測定機が広く使用されており、
また、非接触の光電的な形状測定方式として光膜
や光ビームによる光切断方式、測定面への投光ス
ポツトの焦点を合わせる焦点合わせ法、測定面へ
の投光スポツトの視角を測定する三角測量方式、
対象物の稜線を自動追跡しながら測定する稜線測
定方式等がある。さらに、光波干渉法、モアレト
ポグラフイ法、ホログラフイ法等の波動光学的な
方法もある。
わゆる三次元座標測定機が広く使用されており、
また、非接触の光電的な形状測定方式として光膜
や光ビームによる光切断方式、測定面への投光ス
ポツトの焦点を合わせる焦点合わせ法、測定面へ
の投光スポツトの視角を測定する三角測量方式、
対象物の稜線を自動追跡しながら測定する稜線測
定方式等がある。さらに、光波干渉法、モアレト
ポグラフイ法、ホログラフイ法等の波動光学的な
方法もある。
次に、上記従来の三次元形状測定方法のうち、
代表的な光学的方法である焦点合わせ法、三角測
量方式について説明する。
代表的な光学的方法である焦点合わせ法、三角測
量方式について説明する。
第6図は焦点合わせ法を説明するための図で、
同図Aは焦点合わせ法による測定装置の構成を示
す図、同図Bは光電出力信号波形図、同図Cは位
相検波出力特性を示す図である。図中、30は測
定面、31はレーザ光源、32は対物レンズ、3
3はハーフミラー、34は集光レンズ、35は振
動ピンホール板、36は光電センサ、37は発振
器、38は位相検波器、39はサーボモータ、4
0は倣いヘツドである。
同図Aは焦点合わせ法による測定装置の構成を示
す図、同図Bは光電出力信号波形図、同図Cは位
相検波出力特性を示す図である。図中、30は測
定面、31はレーザ光源、32は対物レンズ、3
3はハーフミラー、34は集光レンズ、35は振
動ピンホール板、36は光電センサ、37は発振
器、38は位相検波器、39はサーボモータ、4
0は倣いヘツドである。
同図Aにおいて、レーザ光源31からの光ビー
ムをハーフミラー33、対物レンズ32を介して
測定面30に照射する。測定面で拡散された光
は、再び対物レンズ32、ハーフミラー33を介
して集光レンズ34の光軸上に結像される。集光
レンズ34の焦点位置にピンホール板35をセツ
トし、焦点位置を中心に光軸方向に微小振動させ
て通過光を光電センサ36で検出する。
ムをハーフミラー33、対物レンズ32を介して
測定面30に照射する。測定面で拡散された光
は、再び対物レンズ32、ハーフミラー33を介
して集光レンズ34の光軸上に結像される。集光
レンズ34の焦点位置にピンホール板35をセツ
トし、焦点位置を中心に光軸方向に微小振動させ
て通過光を光電センサ36で検出する。
いま、ピンホール板35を静止させ、測定面を
対物レンズの焦点位置から前後に移動すると、測
定面の移動距離Xに対する光電センサ36の出力
は同図Bにおける曲線aのようになる。ここでピ
ンホール板35を光軸方向に振動されると、光電
センサ出力は、X>0(前方向移動)のときピン
ホールの振動波形と同相、同一周波数となり、X
<0(後方向移動)のときピンホールの振動波形
と逆相、同一周波数となり、X=0においてはピ
ンホールの振動周波数の2倍の周波数の信号が現
れる。したがつて、発振器37からのピンホール
の駆動信号を参照信号として光電センサ出力を位
相検波すると、同図Cに示すように、X<0、X
=0、X>0に応じて正、0、負の直流電圧が得
られる。この出力で、サーボモータ39を制御し
て倣いヘツド40を駆動制御すれば、投光ビーム
の頂点すなわち対物レンズの焦点を常に測定面上
に合わすことができ、倣いヘツドの移動量により
測定対象物の形状を測定をすることができる。
対物レンズの焦点位置から前後に移動すると、測
定面の移動距離Xに対する光電センサ36の出力
は同図Bにおける曲線aのようになる。ここでピ
ンホール板35を光軸方向に振動されると、光電
センサ出力は、X>0(前方向移動)のときピン
ホールの振動波形と同相、同一周波数となり、X
<0(後方向移動)のときピンホールの振動波形
と逆相、同一周波数となり、X=0においてはピ
ンホールの振動周波数の2倍の周波数の信号が現
れる。したがつて、発振器37からのピンホール
の駆動信号を参照信号として光電センサ出力を位
相検波すると、同図Cに示すように、X<0、X
=0、X>0に応じて正、0、負の直流電圧が得
られる。この出力で、サーボモータ39を制御し
て倣いヘツド40を駆動制御すれば、投光ビーム
の頂点すなわち対物レンズの焦点を常に測定面上
に合わすことができ、倣いヘツドの移動量により
測定対象物の形状を測定をすることができる。
第7図は三角測量法を示す図である。図中50
は測定面、51はレーザ光源、52はレーザビー
ム、53は受光軸、54はレンズ、55は結像面
である。
は測定面、51はレーザ光源、52はレーザビー
ム、53は受光軸、54はレンズ、55は結像面
である。
図において、レーザ光源51より光ビームをZ
軸方向すなわち対象物の高さ測定方向と一致した
方向から照射し、その拡散光をレンズ54により
結像面55上に結像する。
軸方向すなわち対象物の高さ測定方向と一致した
方向から照射し、その拡散光をレンズ54により
結像面55上に結像する。
いま測定面の投光スポツトが受光軸53上に結
像し、測定面がその位置からZ軸方向に移動した
とすると、投光スポツト像も図の点線のように受
光軸からずれる。この対象物面上の投光スポツト
の移動量を光ビーム照射方向と異なる一定の方向
の結像面側から光電検出器等で検出したとする
と、実際に光電検出器で検出している量lは、対
象物の基準面に対する高さ変化量をZi、基準光軸
と測定面との角度をθとすると、次式で表され
る。
像し、測定面がその位置からZ軸方向に移動した
とすると、投光スポツト像も図の点線のように受
光軸からずれる。この対象物面上の投光スポツト
の移動量を光ビーム照射方向と異なる一定の方向
の結像面側から光電検出器等で検出したとする
と、実際に光電検出器で検出している量lは、対
象物の基準面に対する高さ変化量をZi、基準光軸
と測定面との角度をθとすると、次式で表され
る。
l=Zicosθ (1)
従つて、結像面側からlを測定することにより
対象物の基準面に対する変化量Ziを求めることが
できる。
対象物の基準面に対する変化量Ziを求めることが
できる。
また、3次元形状の自動測定において、光学装
置にコンピユータを組合わせて使用し、対象物断
面高さを光ビーム走査による光切断法にて連続的
に検出し、コンピユータによつて対象物の断面形
状の変曲点を検知して、変曲点近傍の断面高さを
特に精密に検出し、それ以外は粗く検出すること
によつて、高精度と高速度測定の性能を兼ね備
え、かつ大形の対象物にも適用される工業的3次
元形状の測定方法が提案されている(特開昭60−
196608号)。
置にコンピユータを組合わせて使用し、対象物断
面高さを光ビーム走査による光切断法にて連続的
に検出し、コンピユータによつて対象物の断面形
状の変曲点を検知して、変曲点近傍の断面高さを
特に精密に検出し、それ以外は粗く検出すること
によつて、高精度と高速度測定の性能を兼ね備
え、かつ大形の対象物にも適用される工業的3次
元形状の測定方法が提案されている(特開昭60−
196608号)。
〔発明が解決すべき問題点〕
しかしながら、触針式の3次元座標測定機は、
1μmあるいはそれ以内の高分解能・高精度が得
られるが、対象物に対してスタイラスの接触(エ
アベアリングによる間接接触を含む)を必要とす
るため、複雑な形状や大形の対象物など多点の測
定が必要な場合には極めて長時間を要し、コンピ
ユータ制御の自動測定システムによつても測定時
間はあまり短縮されない。
1μmあるいはそれ以内の高分解能・高精度が得
られるが、対象物に対してスタイラスの接触(エ
アベアリングによる間接接触を含む)を必要とす
るため、複雑な形状や大形の対象物など多点の測
定が必要な場合には極めて長時間を要し、コンピ
ユータ制御の自動測定システムによつても測定時
間はあまり短縮されない。
一方非接触の光電的な形状測定方式としての光
膜や光ビームによる光切断方式、測定面への投光
スポツトの視角を測定する三角測量方式、対象物
の稜線を自動追跡しながら測定する稜線測定方式
等は、高速で形状測定することはできても測定精
度はたかだか0.1mm程度と低い。例えば、前述し
た三角測量方式の場合、(1)式におけるθは90°以
下でcosθは1より小さい値であるから、常にZ座
標値を縮小して検出していることとなり、原理的
に高精度の測定が困難である。また光ビームを円
錐状としその頂点を常に対象物表面に位置させる
ようにサーボ制御する焦点合わせ法は、50μm程
度とかなりの高精度が得られるが、これは非接触
とは云え、言わば光学的な触針法であつて、サー
ボ機構の応答性により制限されて測定速度が遅
く、また焦点を合わせるための構造が複雑になつ
てしまう欠点がある。また、光波干渉法、モアレ
トポグラフイ法、ホログラフイ法などの波動光学
的な方法の中には0.1μm以内の高分解能のものが
あるが、装置が複雑・高価で、また温度・湿度・
振動など環境条件の悪いオンライン的な測定には
あまり適さなく、3次元測定では測定速度も遅
い。以上のように、従来の3次元形状測定方式
は、測定精度と測定速度とは相反的な関係にあ
る。
膜や光ビームによる光切断方式、測定面への投光
スポツトの視角を測定する三角測量方式、対象物
の稜線を自動追跡しながら測定する稜線測定方式
等は、高速で形状測定することはできても測定精
度はたかだか0.1mm程度と低い。例えば、前述し
た三角測量方式の場合、(1)式におけるθは90°以
下でcosθは1より小さい値であるから、常にZ座
標値を縮小して検出していることとなり、原理的
に高精度の測定が困難である。また光ビームを円
錐状としその頂点を常に対象物表面に位置させる
ようにサーボ制御する焦点合わせ法は、50μm程
度とかなりの高精度が得られるが、これは非接触
とは云え、言わば光学的な触針法であつて、サー
ボ機構の応答性により制限されて測定速度が遅
く、また焦点を合わせるための構造が複雑になつ
てしまう欠点がある。また、光波干渉法、モアレ
トポグラフイ法、ホログラフイ法などの波動光学
的な方法の中には0.1μm以内の高分解能のものが
あるが、装置が複雑・高価で、また温度・湿度・
振動など環境条件の悪いオンライン的な測定には
あまり適さなく、3次元測定では測定速度も遅
い。以上のように、従来の3次元形状測定方式
は、測定精度と測定速度とは相反的な関係にあ
る。
また、光学装置にコンピユータを組合わせて使
用し、対象物断面高さを光ビーム走査による光切
断法にて連続的に検出し、コンピユータによつて
対象物の断面形状の変曲点を検知して、変曲点近
傍のみ断面高さを特に精密に検出する3次元形状
の測定方法は、対象物の高さ(Z)方向の前範囲を1
個の光電検出器によつて検出しているため、測定
の相対的な精度は一定(視野の1/2000〜1/4000)
であるから、高さが大きくなり視野が増大する
と、測定の絶対精度は悪化するという欠点があ
る。
用し、対象物断面高さを光ビーム走査による光切
断法にて連続的に検出し、コンピユータによつて
対象物の断面形状の変曲点を検知して、変曲点近
傍のみ断面高さを特に精密に検出する3次元形状
の測定方法は、対象物の高さ(Z)方向の前範囲を1
個の光電検出器によつて検出しているため、測定
の相対的な精度は一定(視野の1/2000〜1/4000)
であるから、高さが大きくなり視野が増大する
と、測定の絶対精度は悪化するという欠点があ
る。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、
測定精度が良く、且つ測定速度が速く、構成の簡
単な三次元形状の非接触測定装置を提供すること
を目的とする。
測定精度が良く、且つ測定速度が速く、構成の簡
単な三次元形状の非接触測定装置を提供すること
を目的とする。
そのために本発明の三次元形状の非接触測定装
置は、X、Y、Zを三次元直交座標として、対象
物断面高さを、X軸およびY軸方向に光ビーム走
査を行うことによつて連続的に検出する三次元形
状の非接触測定装置において、Z軸方向と異なる
一定の方向から対象物へ光ビームを照射する投光
器と、投光器による対象物表面の投光スポツトの
X軸方向に対する変位をZ軸と平行な方向から検
出する光電検出器と、対象物表面上の投光スポツ
トが常にX軸方向に対して光電検出器視野内の一
定位置になるように投光器をZ軸方向に位置制御
するサーボ機構と、投光器のZ軸方向の変位を検
出する第1の測長器と、対象物を積載固定し、X
およびY方向に走査するX−Yステージと、X−
YステージのX軸およびY軸方向の変位を検出す
る第2の測長器と、第1、第2の測長器の検出値
から三次元座標値を算出する処理・記憶装置と、
必要に応じて測定された三次元座標値を数値表示
または図形表示する表示装置とを備えたこと、及
びX、Y、Zを三次元直交座標として、対象物断
面高さを、X軸およびY軸方向に光ビーム走査を
行うことによつて連続的に検出する三次元形状の
非接触測定装置において、Z軸方向と異なる一定
の方向から対象物へ光ビームを照射する投光器
と、投光器による対象物表面の投光スポツトのX
軸方向に対する変位をZ軸と平行な方向から検出
する光電検出器と、対象物表面上の投光スポツト
が常にX軸方向に対して光電検出器視野内の一定
位置になるように光電検出器又は投光器をX−Y
ステージに対しX軸と平行な方向に移動させて制
御するサーボ機構と、光電検出器又は投光器のX
軸と平行な方向の変位を検出する第1の測長器
と、対象物を積載固定し、X及びY方向に走査す
るX−Yステージと、X−YステージのX軸及び
Y軸方向の変位を検出する第2の測長器と、第
1、第2の測長器の検出値から三次元座標値を算
出する処理・記憶装置と、必要に応じて測定され
た三次元座標値を数値表示または図形表示する表
示装置とを備えたことを特徴とする。
置は、X、Y、Zを三次元直交座標として、対象
物断面高さを、X軸およびY軸方向に光ビーム走
査を行うことによつて連続的に検出する三次元形
状の非接触測定装置において、Z軸方向と異なる
一定の方向から対象物へ光ビームを照射する投光
器と、投光器による対象物表面の投光スポツトの
X軸方向に対する変位をZ軸と平行な方向から検
出する光電検出器と、対象物表面上の投光スポツ
トが常にX軸方向に対して光電検出器視野内の一
定位置になるように投光器をZ軸方向に位置制御
するサーボ機構と、投光器のZ軸方向の変位を検
出する第1の測長器と、対象物を積載固定し、X
およびY方向に走査するX−Yステージと、X−
YステージのX軸およびY軸方向の変位を検出す
る第2の測長器と、第1、第2の測長器の検出値
から三次元座標値を算出する処理・記憶装置と、
必要に応じて測定された三次元座標値を数値表示
または図形表示する表示装置とを備えたこと、及
びX、Y、Zを三次元直交座標として、対象物断
面高さを、X軸およびY軸方向に光ビーム走査を
行うことによつて連続的に検出する三次元形状の
非接触測定装置において、Z軸方向と異なる一定
の方向から対象物へ光ビームを照射する投光器
と、投光器による対象物表面の投光スポツトのX
軸方向に対する変位をZ軸と平行な方向から検出
する光電検出器と、対象物表面上の投光スポツト
が常にX軸方向に対して光電検出器視野内の一定
位置になるように光電検出器又は投光器をX−Y
ステージに対しX軸と平行な方向に移動させて制
御するサーボ機構と、光電検出器又は投光器のX
軸と平行な方向の変位を検出する第1の測長器
と、対象物を積載固定し、X及びY方向に走査す
るX−Yステージと、X−YステージのX軸及び
Y軸方向の変位を検出する第2の測長器と、第
1、第2の測長器の検出値から三次元座標値を算
出する処理・記憶装置と、必要に応じて測定され
た三次元座標値を数値表示または図形表示する表
示装置とを備えたことを特徴とする。
本発明は、X、Y、Zを三次元直交座標とし
て、X−YステージによりX軸およびY軸方向に
光ビーム走査を行うことによつて対象物断面高さ
を連続的に検出する三次元形状の非接触測定装置
において、投光器によりZ軸方向と異なる一定の
方向から対象物へ光ビームを照射したときの対象
物表面の投光スポツトのX軸方向に対する変位
を、対象物表面上の投光スポツトが常にX軸方向
に対して光電検出器視野内の一定位置になるよう
に光電検出器又は投光器をZ軸或いはX軸方向に
サーボ機構により位置制御して光電検出器でZ軸
と平行な方向から検出し、光電検出器又は投光器
の変位とX−Yステージの変位とから対象物の三
次元座標値を測定するようにしている。
て、X−YステージによりX軸およびY軸方向に
光ビーム走査を行うことによつて対象物断面高さ
を連続的に検出する三次元形状の非接触測定装置
において、投光器によりZ軸方向と異なる一定の
方向から対象物へ光ビームを照射したときの対象
物表面の投光スポツトのX軸方向に対する変位
を、対象物表面上の投光スポツトが常にX軸方向
に対して光電検出器視野内の一定位置になるよう
に光電検出器又は投光器をZ軸或いはX軸方向に
サーボ機構により位置制御して光電検出器でZ軸
と平行な方向から検出し、光電検出器又は投光器
の変位とX−Yステージの変位とから対象物の三
次元座標値を測定するようにしている。
以下、図面を参照しつつ実施例を説明する。
第1図は本発明による三次元形状の非接触測定
装置の一実施例を示す図、同図Aは全体構成を示
す図、同図Bは高精度化を説明するための図であ
る。図中、1は被測定対象物、2はX−Yステー
ジ、3,3′は投光器、4,4′は光ビーム、5は
サーボ機構、6は光電検出器、7は対物レンズ、
8は一次元光電センサ、9は処理・記憶装置、1
0は表示器、11は記録器である。
装置の一実施例を示す図、同図Aは全体構成を示
す図、同図Bは高精度化を説明するための図であ
る。図中、1は被測定対象物、2はX−Yステー
ジ、3,3′は投光器、4,4′は光ビーム、5は
サーボ機構、6は光電検出器、7は対物レンズ、
8は一次元光電センサ、9は処理・記憶装置、1
0は表示器、11は記録器である。
第1図Aにおいて、対象物1は、例えばステツ
プ駆動装置(図示せず)の設置されたX−Yステ
ージ2の上に磁力、真空吸着、簡易接着などの固
定手段により固定される。なお、X−Yステージ
2は必要によりX、Y方向各変位を精密に検出す
るためのリニアエンコーダ等を附設する。投光器
3は、例えばレーザ等の光源からの光を、光学系
により対象物1上に微小な投光スポツトPiとして
照射する。サーボ機構5は、投光スポツトPiが常
に装置全体の基礎に固定された光電検出器6の例
えば視野中心のような一定位置Pi′に一致するよ
うにZ軸方向に位置制御する機能を持つている。
一次元光電センサ8は、投光スポツトPiの光学像
のX軸方向位置を検出するための例えばデイジタ
ルイメージセンサまたはアナログ光電位置検出器
などで構成し、投光スポツトPiが正確に光電検出
器6の視野中心位置Pi′に一致するようサーボ機
構5を制御するための動作信号を得るよう投光ス
ポツトPiの位置偏差を検出する。
プ駆動装置(図示せず)の設置されたX−Yステ
ージ2の上に磁力、真空吸着、簡易接着などの固
定手段により固定される。なお、X−Yステージ
2は必要によりX、Y方向各変位を精密に検出す
るためのリニアエンコーダ等を附設する。投光器
3は、例えばレーザ等の光源からの光を、光学系
により対象物1上に微小な投光スポツトPiとして
照射する。サーボ機構5は、投光スポツトPiが常
に装置全体の基礎に固定された光電検出器6の例
えば視野中心のような一定位置Pi′に一致するよ
うにZ軸方向に位置制御する機能を持つている。
一次元光電センサ8は、投光スポツトPiの光学像
のX軸方向位置を検出するための例えばデイジタ
ルイメージセンサまたはアナログ光電位置検出器
などで構成し、投光スポツトPiが正確に光電検出
器6の視野中心位置Pi′に一致するようサーボ機
構5を制御するための動作信号を得るよう投光ス
ポツトPiの位置偏差を検出する。
なお、サーボ機構5は、正確にZ軸方向に移動
するためのガイド、移動量を検出するためのエン
コーダ等の測長器、サーボモータなどによる駆動
機構および一次元光電センサ8からの動作信号を
入力し駆動機構を作動させるためのサーボ制御回
路より構成される。デイジタルコンピユータ等を
利用した処理・記憶装置9は、X−Yステージ2
およびZ軸サーボ機構5は各変異位の検出値を入
力し、必要により対象物Y−Z断面曲線の曲率演
算や、各座標検出値のスケールフアクタ演算、X
−Yステージ2の制御機能、または場合により前
述のサーボ機構5の制御回路の機能も集約するこ
ともできる。また処理・記憶装置9は最終的な
X、Y、Z座標測定値を記憶する。処理・記憶装
置9は場合によつては各機能別に独立した回路装
置を組み合わせて構成させることもできる。10
は測定値を表示する例えばCRT方式の表示器で
数値表示や図形表示を行う。11は同様な目的の
プロツタ、プリンタ等の記録器である。
するためのガイド、移動量を検出するためのエン
コーダ等の測長器、サーボモータなどによる駆動
機構および一次元光電センサ8からの動作信号を
入力し駆動機構を作動させるためのサーボ制御回
路より構成される。デイジタルコンピユータ等を
利用した処理・記憶装置9は、X−Yステージ2
およびZ軸サーボ機構5は各変異位の検出値を入
力し、必要により対象物Y−Z断面曲線の曲率演
算や、各座標検出値のスケールフアクタ演算、X
−Yステージ2の制御機能、または場合により前
述のサーボ機構5の制御回路の機能も集約するこ
ともできる。また処理・記憶装置9は最終的な
X、Y、Z座標測定値を記憶する。処理・記憶装
置9は場合によつては各機能別に独立した回路装
置を組み合わせて構成させることもできる。10
は測定値を表示する例えばCRT方式の表示器で
数値表示や図形表示を行う。11は同様な目的の
プロツタ、プリンタ等の記録器である。
次に動作を説明する。
対象物1をX−Yステージ2上に固定し、投光
器3を点灯してレーザなどの細いビーム4をX−
Yステージ2の上面と角度θをもつて照射する。
X−Yステージ2は、原点よりX座標を一定とし
て順次Y方向にステツプ送りをし、Y送りが所定
範囲に達したら次にX方向に1ステツプ送り、次
に逆方向にY送りを行う矩形波状走査(ジグザ
グ)、またはX送りを連続して行う鋸歯状走査で
もよい。
器3を点灯してレーザなどの細いビーム4をX−
Yステージ2の上面と角度θをもつて照射する。
X−Yステージ2は、原点よりX座標を一定とし
て順次Y方向にステツプ送りをし、Y送りが所定
範囲に達したら次にX方向に1ステツプ送り、次
に逆方向にY送りを行う矩形波状走査(ジグザ
グ)、またはX送りを連続して行う鋸歯状走査で
もよい。
対象物1上に生ずる投光スポツトを一般にPiと
表し、対象物1がない場合X−Yステージ2の上
面に生ずる投光スポツトをP0とする。光電検出
器6はこれらP0、Piを対物レンズ7により一次元
光電センサ8上に結像して、そのX方向位置を検
出する。Y走査の原点位置では投光スポツトは
P0となるからその位置を光電検出器6の視野内
のX軸方向の一定位置、例えば光電検出器6の光
学軸即ち視野中心に一致するよう予め設定してお
きその位置を記憶する。Y走査が進んでX−Y走
査が任意のステツプ位置に到達したとして、その
時の投光スポツトをPiとする。光電検出器6はP0
を基準位置として、これに対するPiのX方向変位
量liを検出する。
表し、対象物1がない場合X−Yステージ2の上
面に生ずる投光スポツトをP0とする。光電検出
器6はこれらP0、Piを対物レンズ7により一次元
光電センサ8上に結像して、そのX方向位置を検
出する。Y走査の原点位置では投光スポツトは
P0となるからその位置を光電検出器6の視野内
のX軸方向の一定位置、例えば光電検出器6の光
学軸即ち視野中心に一致するよう予め設定してお
きその位置を記憶する。Y走査が進んでX−Y走
査が任意のステツプ位置に到達したとして、その
時の投光スポツトをPiとする。光電検出器6はP0
を基準位置として、これに対するPiのX方向変位
量liを検出する。
変位量liはサーボ機構5の動作信号として入力
され、サーボ機構5がZ軸方向に(第1図Aでは
上方に)駆動されるので、サーボ機構5に設置さ
れた投光器3、したがつて光ビーム4が上方に平
行に移動し、次第に動作信号及びオフセツト値が
夫々0に近付き投光スポツトPiは最終的に光電検
出器6の光軸上Pi′に位置するようになつてサー
ボ機構5が整定される。P0に対応する投光器3
の射出端位置をR0、同Pi′に対応するそれをRiと
すると、サーボ機構5の移動量R0Riはエンコー
ダなどによつて検出されるが、これはZ方向と平
行であるから、P0Pi′即ち光電検出器6の光軸線
上の対象物1のZ座標値(Zi)を表す。よつて、
この時のX−Yステージ2の送り位置すなわち
X、Y座標値とともにZ座標値が処理・記憶装置
9に入力され、必要によりスケールフアクタ演算
やX−Z断面の曲率演算を行い、処理・記憶装置
9内に記憶される。すなわち、次式で示すような
Pi′点の三次元座標値が順次測定される。
され、サーボ機構5がZ軸方向に(第1図Aでは
上方に)駆動されるので、サーボ機構5に設置さ
れた投光器3、したがつて光ビーム4が上方に平
行に移動し、次第に動作信号及びオフセツト値が
夫々0に近付き投光スポツトPiは最終的に光電検
出器6の光軸上Pi′に位置するようになつてサー
ボ機構5が整定される。P0に対応する投光器3
の射出端位置をR0、同Pi′に対応するそれをRiと
すると、サーボ機構5の移動量R0Riはエンコー
ダなどによつて検出されるが、これはZ方向と平
行であるから、P0Pi′即ち光電検出器6の光軸線
上の対象物1のZ座標値(Zi)を表す。よつて、
この時のX−Yステージ2の送り位置すなわち
X、Y座標値とともにZ座標値が処理・記憶装置
9に入力され、必要によりスケールフアクタ演算
やX−Z断面の曲率演算を行い、処理・記憶装置
9内に記憶される。すなわち、次式で示すような
Pi′点の三次元座標値が順次測定される。
xi=0、1、2、…
yi=0、1、2、…
zi=0 i (2)
以上の動作はX−Yステージの各ステツプ毎に
繰り返し行われるので、対象物1表面の各点はX
−Yステージ2の各送りステツプのピツチに応じ
てX、Y、Z座標値が測定され、処理・記憶装置
9内に記憶される。
繰り返し行われるので、対象物1表面の各点はX
−Yステージ2の各送りステツプのピツチに応じ
てX、Y、Z座標値が測定され、処理・記憶装置
9内に記憶される。
なお、光学装置にコンピユータを組合わせて使
用し、連続的に検出される対象物断面高さのデー
タからコンピユータによつて対象物の断面形状の
変曲点を検知し、変曲点近傍のみ断面高さを特に
精密に検出するようにすれば、X−Yステージの
送りピツチが通常は比較的粗く、曲率が大きく変
化する輪郭、稜線部等は微細なピツチで自動的に
測定され、短時間に高精度の測定ができる。
用し、連続的に検出される対象物断面高さのデー
タからコンピユータによつて対象物の断面形状の
変曲点を検知し、変曲点近傍のみ断面高さを特に
精密に検出するようにすれば、X−Yステージの
送りピツチが通常は比較的粗く、曲率が大きく変
化する輪郭、稜線部等は微細なピツチで自動的に
測定され、短時間に高精度の測定ができる。
以上は、X−Yステージの送りをステツプ送り
とした場合について述べたが、連続送りであつて
も、例えばX、Y各送り装置に附設したエンコー
ダなどを利用したクロツク信号によつて、所定ピ
ツチでX、Y、Z各座標値を処理・記憶装置9に
入力することによつて測定できる。
とした場合について述べたが、連続送りであつて
も、例えばX、Y各送り装置に附設したエンコー
ダなどを利用したクロツク信号によつて、所定ピ
ツチでX、Y、Z各座標値を処理・記憶装置9に
入力することによつて測定できる。
処理・記憶装置9に記憶された対象物1の各点
の三次元座標値は、CRT表示器10に必要とす
る各点の三次元座標数値として、または公知の技
術を利用して等高線、透視図または輪郭、稜線図
などの立体グラフイツク処理をした図形として表
示をし、また必要に応じて記録器11にプロツト
またはプリントアウトする。
の三次元座標値は、CRT表示器10に必要とす
る各点の三次元座標数値として、または公知の技
術を利用して等高線、透視図または輪郭、稜線図
などの立体グラフイツク処理をした図形として表
示をし、また必要に応じて記録器11にプロツト
またはプリントアウトする。
なお、光電検出器6はサーボ機構5とは別個に
X−Yステージ2に対して一定位置に固定してい
る例について述べたが、この場合投光スポツトPi
と対物レンズ7との距離が対象物1の高さによつ
て変動するため、一次元光電センサ8上のPiの光
学像のピントがずれることとなる。対物レンズ7
と対象物1との距離に対して、対象物1の高さ変
化の比率が小さい場合はこのピントずれは無視し
得るが、この影響が無視し得ない場合には光電検
出器6も投光器3と併せてサーボ機構5の架台に
設置することによつて常に対物レンズ7と投光ス
ポツトPi′との距離を一定にでき、正確なピント
を保つことができる。
X−Yステージ2に対して一定位置に固定してい
る例について述べたが、この場合投光スポツトPi
と対物レンズ7との距離が対象物1の高さによつ
て変動するため、一次元光電センサ8上のPiの光
学像のピントがずれることとなる。対物レンズ7
と対象物1との距離に対して、対象物1の高さ変
化の比率が小さい場合はこのピントずれは無視し
得るが、この影響が無視し得ない場合には光電検
出器6も投光器3と併せてサーボ機構5の架台に
設置することによつて常に対物レンズ7と投光ス
ポツトPi′との距離を一定にでき、正確なピント
を保つことができる。
また、必要により、サーボ機構5と同等の機能
を持つがサーボ機構5とは別個のサーボ機構に光
電検出器6を設置して夫々Z軸方向に位置制御し
てもよい。これは、投光器3の位置制御が、光電
検出器6のそれよりも高性能を要することから、
三次元形状測定装置の実用設計上の条件によつて
は必要となる場合もある。
を持つがサーボ機構5とは別個のサーボ機構に光
電検出器6を設置して夫々Z軸方向に位置制御し
てもよい。これは、投光器3の位置制御が、光電
検出器6のそれよりも高性能を要することから、
三次元形状測定装置の実用設計上の条件によつて
は必要となる場合もある。
本発明が在来の光学的な三次元形状測定方法に
対して原理的に優れた点を第1図Bを参照して説
明すると、例えば、前述したように、最も広く用
いられている三角測量方式では、常にZ座標値を
縮小して検出しており、原理的に高精度の測定が
困難であるのに対して、本発明の方法は第1図A
に示すように、光ビームをZ軸と異なる方向から
照射し、投光スポツトをZ軸方向から検出し、光
電検出器によつて検出される基準位置P0に対す
る投光スポツトPiのX方向の変位liは、Pi点の高
さをZi′とすると、次式で示される。
対して原理的に優れた点を第1図Bを参照して説
明すると、例えば、前述したように、最も広く用
いられている三角測量方式では、常にZ座標値を
縮小して検出しており、原理的に高精度の測定が
困難であるのに対して、本発明の方法は第1図A
に示すように、光ビームをZ軸と異なる方向から
照射し、投光スポツトをZ軸方向から検出し、光
電検出器によつて検出される基準位置P0に対す
る投光スポツトPiのX方向の変位liは、Pi点の高
さをZi′とすると、次式で示される。
li=Zi′/tanθ (3)
tanθは、θを45°以下に設定すると常に1より
小さい値であり、たとえばθの値を21°50′にとつ
て製作した装置ではliはZi′の2.5倍にも達した。
即ち、本発明の方式は、一般的に対象物の高さを
数倍に拡大して検出し得ることを示す。なお、最
終的に測定すべきZ座標値ZiとZi′とは一般的に
は値が異なるが、その差(Zi−Zi′)はZiの値に比
べて僅小であるうえ、サーボ機構5の制御動作の
進行に伴つてその差は次第に減少し、最終的な整
定位置ではZi′はZiと一致する。
小さい値であり、たとえばθの値を21°50′にとつ
て製作した装置ではliはZi′の2.5倍にも達した。
即ち、本発明の方式は、一般的に対象物の高さを
数倍に拡大して検出し得ることを示す。なお、最
終的に測定すべきZ座標値ZiとZi′とは一般的に
は値が異なるが、その差(Zi−Zi′)はZiの値に比
べて僅小であるうえ、サーボ機構5の制御動作の
進行に伴つてその差は次第に減少し、最終的な整
定位置ではZi′はZiと一致する。
実際の測定上はY走査の1ステツプごとに1iが
検出されるので、第1図Bに示すように、いま対
象物がliの位置にあつた場合に投光スポツトが
Pi′にあつたとし、Y走査1ステツプ後には対象
物が1i+1の位置に移り投光スポツトがPi+1に移動
したとすると、光電検出器6はPi′とPi+1の高さ
変化分ΔZi′を次式の関係で示されるΔliとして検
出する。
検出されるので、第1図Bに示すように、いま対
象物がliの位置にあつた場合に投光スポツトが
Pi′にあつたとし、Y走査1ステツプ後には対象
物が1i+1の位置に移り投光スポツトがPi+1に移動
したとすると、光電検出器6はPi′とPi+1の高さ
変化分ΔZi′を次式の関係で示されるΔliとして検
出する。
Δli=ΔZi/tanθ (4)
サーボ機構5の制御動作は、このPi+1点を光電
検出器6の光軸上の点Pi+1′に一致させるよう、
即ちΔliの値を0に収斂するように光ビームをZ
軸方向に平行移動するものである。なお、詳細に
述べると、Pi+1′とPi′との高さ変化分ΔZは、一般
にはΔZi′と僅かながら異なる値をもつが、Δliが
0に収斂するに従つてこの間の差も0に近付き、
最終的に次式で示されるようにΔZとΔZi′とは一
致する。
検出器6の光軸上の点Pi+1′に一致させるよう、
即ちΔliの値を0に収斂するように光ビームをZ
軸方向に平行移動するものである。なお、詳細に
述べると、Pi+1′とPi′との高さ変化分ΔZは、一般
にはΔZi′と僅かながら異なる値をもつが、Δliが
0に収斂するに従つてこの間の差も0に近付き、
最終的に次式で示されるようにΔZとΔZi′とは一
致する。
lim
Δli→0(ΔZ−ΔZi′)=0 (5)
一般に精密サーボ位置制御には、位置誤差即ち
動作信号をできる限り拡大して検出することが極
めて望ましい特性とされるが、本発明の方式は該
サーボ制御上の動作信号を(4)式に示すように投射
角θを小さくとれば数倍に拡大して検出し得るた
め、原理的に高精度測定に適しているものであ
る。
動作信号をできる限り拡大して検出することが極
めて望ましい特性とされるが、本発明の方式は該
サーボ制御上の動作信号を(4)式に示すように投射
角θを小さくとれば数倍に拡大して検出し得るた
め、原理的に高精度測定に適しているものであ
る。
第2図は第1図におけるサーボ機構5の整定時
間が長い場合や、オフセツトが残つたままでも座
標測定を行つて、測定を高速化するための本発明
の他の実施例を示す図であり、構成は第1図と同
様で、第1図と同一参照記号は同一内容を示して
いる。
間が長い場合や、オフセツトが残つたままでも座
標測定を行つて、測定を高速化するための本発明
の他の実施例を示す図であり、構成は第1図と同
様で、第1図と同一参照記号は同一内容を示して
いる。
動作を説明すると、第1図と同様に基準投光ス
ポツト位置P0に対する任意の投光スポツトPi位置
のX方向変位量を光電検出器6により検出し、変
位量を動作信号としてサーボ機構5が図の例では
上方に移動するが、サーボ機構5の応答特性によ
つてはPiがPi′に一致して整定するまでに時間が
かかる場合や、オフセツト値が残る場合がある。
この時の投光スポツト位置をQiとすると、光電検
出器6によりP0に対するQiのX方向変位量eiを検
出してこれを処理・記憶装置9に入力し、その時
点におけるP0のX座標値(X−YステージのX
方向送り量)からeiだけ減じた値をもつてQiのX
座標値とする。
ポツト位置P0に対する任意の投光スポツトPi位置
のX方向変位量を光電検出器6により検出し、変
位量を動作信号としてサーボ機構5が図の例では
上方に移動するが、サーボ機構5の応答特性によ
つてはPiがPi′に一致して整定するまでに時間が
かかる場合や、オフセツト値が残る場合がある。
この時の投光スポツト位置をQiとすると、光電検
出器6によりP0に対するQiのX方向変位量eiを検
出してこれを処理・記憶装置9に入力し、その時
点におけるP0のX座標値(X−YステージのX
方向送り量)からeiだけ減じた値をもつてQiのX
座標値とする。
xi=x0−ei…
yi=0、1、2、…
zi=0 i (6)
以上の動作はX−Yステージの各ステツプ毎に
繰り返すことによつて、サーボ機構5の応答特性
が遅い場合も高速で三次元座標値を測定すること
ができる。なお、この場合の光電検出器6はサー
ボ機構5の動作信号であるX方向変位量を検出す
るのと同時に投光スポツトQiのX方向絶対値をも
測定するものであるから、所定の精度を満足する
ような一次元光電センサ8を選定すべきことは勿
論である。
繰り返すことによつて、サーボ機構5の応答特性
が遅い場合も高速で三次元座標値を測定すること
ができる。なお、この場合の光電検出器6はサー
ボ機構5の動作信号であるX方向変位量を検出す
るのと同時に投光スポツトQiのX方向絶対値をも
測定するものであるから、所定の精度を満足する
ような一次元光電センサ8を選定すべきことは勿
論である。
以上は投光器3が一台のみの場合について述べ
たが、投光器3はX−Yステージと一定角度θを
もつて光ビーム4を照射するため、対象物1の形
状によつては蔭になつて投光スポツトが希望位置
に生じなくなることがある。この場合は対象物1
をX−Yステージに対して180°回転することによ
つて測定できるが、第2図に示すように、投光器
3と全く同様の投光器12を光電検出器6の光軸
に対して投光器3と対称位置に設置し、投光器3
により投光スポツトが検出できない場合はただち
に投光器12による投光スポツト検出に切り換え
ることによつて、対象物1を回転せずに短時間か
つ精度よく測定することができる。また、投光器
12も勿論サーボ機構5と同一架台または別個の
架台でZ軸方向にサーボ制御される。
たが、投光器3はX−Yステージと一定角度θを
もつて光ビーム4を照射するため、対象物1の形
状によつては蔭になつて投光スポツトが希望位置
に生じなくなることがある。この場合は対象物1
をX−Yステージに対して180°回転することによ
つて測定できるが、第2図に示すように、投光器
3と全く同様の投光器12を光電検出器6の光軸
に対して投光器3と対称位置に設置し、投光器3
により投光スポツトが検出できない場合はただち
に投光器12による投光スポツト検出に切り換え
ることによつて、対象物1を回転せずに短時間か
つ精度よく測定することができる。また、投光器
12も勿論サーボ機構5と同一架台または別個の
架台でZ軸方向にサーボ制御される。
第3図は、上述したZ方向のサーボ機構を使用
せず、より製作容易なX方向のサーボ機構を用い
た本発明の他の実施例を示す図である。図中、第
1図と同一参照記号は同一内容を示しており、第
1図の構成と異なる点は、サーボ機構5aに光電
検出器6を設置して、投光スポツトPiが常に光電
検出器6の例えば視野中心のような一定位置に一
致するようにX軸と平行な方向に位置制御する機
能をもつことである。
せず、より製作容易なX方向のサーボ機構を用い
た本発明の他の実施例を示す図である。図中、第
1図と同一参照記号は同一内容を示しており、第
1図の構成と異なる点は、サーボ機構5aに光電
検出器6を設置して、投光スポツトPiが常に光電
検出器6の例えば視野中心のような一定位置に一
致するようにX軸と平行な方向に位置制御する機
能をもつことである。
次に動作を説明すると、装置全体の基礎に固定
した投光器3によるX−Yステージ2の上面の投
光スポツトP0が光電検出器6の視野中心となる
よう設定してこの位置を記憶させ、X−Yステー
ジ2のY方向走査により光ビーム4を対象物1上
に投光して、投光スポツトがPiとなつた場合、た
だちにサーボ機構5aによつて光電検出器6の視
野中心をPiに一致するようX軸方向に制御する。
この移動量すなわちP0とPiのX方向の長さをliと
すると、次式で表されるようなPi点の三次元座標
値が順次測定される。
した投光器3によるX−Yステージ2の上面の投
光スポツトP0が光電検出器6の視野中心となる
よう設定してこの位置を記憶させ、X−Yステー
ジ2のY方向走査により光ビーム4を対象物1上
に投光して、投光スポツトがPiとなつた場合、た
だちにサーボ機構5aによつて光電検出器6の視
野中心をPiに一致するようX軸方向に制御する。
この移動量すなわちP0とPiのX方向の長さをliと
すると、次式で表されるようなPi点の三次元座標
値が順次測定される。
xi=x0−li…
yi=0、1、2、3、…
zi=li・tanθ (7)
ただし、x0は走査原点からのX送り量を表し、
各Y走査について順次進められる。
各Y走査について順次進められる。
以上の動作がX−Yステージの各ステツプ毎に
繰り返し行われ、対象物1の表面の各点の三次元
座標値が測定されて処理・記憶装置9内に記憶さ
れる。
繰り返し行われ、対象物1の表面の各点の三次元
座標値が測定されて処理・記憶装置9内に記憶さ
れる。
以上は、投光器3を装置全体の基礎に固定し、
光電検出器6をX−Yステージ2に対してX方向
にサーボ制御する例について述べたが、別法とし
て光電検出器6を装置全体の基礎に固定し、投光
器3をX方向駆動のサーボ機構5a′に設置してX
方向に位置制御すると同時に、X−Yステージの
X送り機構を5a′と全く同期させてX方向に位置
制御することによつて、上述したのと全く同様の
機能を得ることができる。すなわち、一定のY走
査の間は対象物1と投光器3との相対位置は固定
され光電検出器6に対して相対移動することとな
る。どちらの方式をとるかは設計条件によつて定
めればよい。
光電検出器6をX−Yステージ2に対してX方向
にサーボ制御する例について述べたが、別法とし
て光電検出器6を装置全体の基礎に固定し、投光
器3をX方向駆動のサーボ機構5a′に設置してX
方向に位置制御すると同時に、X−Yステージの
X送り機構を5a′と全く同期させてX方向に位置
制御することによつて、上述したのと全く同様の
機能を得ることができる。すなわち、一定のY走
査の間は対象物1と投光器3との相対位置は固定
され光電検出器6に対して相対移動することとな
る。どちらの方式をとるかは設計条件によつて定
めればよい。
なお、第1図の場合と同様に、光学装置にコン
ピユータを組合わせて使用し、連続的に検出され
る対象物断面高さのデータからコンピユータによ
つて対象物の断面形状の変曲点を検知し、変曲点
近傍のみ断面高さを特に精密に検出するようにす
れば、X−Yステージの送りピツチが通常は比較
的粗く、曲率が大きく変化する輪郭、稜線部等は
微細なピツチで自動的に測定され、短時間に高精
度の測定ができる。
ピユータを組合わせて使用し、連続的に検出され
る対象物断面高さのデータからコンピユータによ
つて対象物の断面形状の変曲点を検知し、変曲点
近傍のみ断面高さを特に精密に検出するようにす
れば、X−Yステージの送りピツチが通常は比較
的粗く、曲率が大きく変化する輪郭、稜線部等は
微細なピツチで自動的に測定され、短時間に高精
度の測定ができる。
また第2図の実施例で示したオフセツト値検出
方式は、第3図のX方向サーボ制御方式の実施例
についても同様に適用できる。第3図でオフセツ
ト値ei′を光電検出器6によつて検出し、その時
のサーボ5aの移動量li′とからli=li′+ei′として
liを算出し、(5)式によつてPi点の三次元座標値を
測定するようにすればよい。
方式は、第3図のX方向サーボ制御方式の実施例
についても同様に適用できる。第3図でオフセツ
ト値ei′を光電検出器6によつて検出し、その時
のサーボ5aの移動量li′とからli=li′+ei′として
liを算出し、(5)式によつてPi点の三次元座標値を
測定するようにすればよい。
なお以上の実施例では、光電検出器6を1台使
用する例について述べたが、例えばサーボ機構5
の脱調などにより投光スポツトPiが主光電検出器
の視野から外れた場合などの異常時対策のため
に、別に広い視野をもつ副光電検出器を設置する
ことによつて粗い精度のサーボ制御を行い、まず
投光スポツトPiを主光電検出器の視野内に入れた
後に精密なサーボ制御を行うようにしてもよい。
用する例について述べたが、例えばサーボ機構5
の脱調などにより投光スポツトPiが主光電検出器
の視野から外れた場合などの異常時対策のため
に、別に広い視野をもつ副光電検出器を設置する
ことによつて粗い精度のサーボ制御を行い、まず
投光スポツトPiを主光電検出器の視野内に入れた
後に精密なサーボ制御を行うようにしてもよい。
本発明では投光スポツト位置をZ軸と平行な方
向から検出するため、例えば垂直に近い端面をも
つ対象物等には測定が困難である。この場合は第
4図に示すようにX−Yステージの上面に回転軸
14の周りに回転しうる傾斜台13を設置し、該
傾斜台13の上に対象物1を固定することによつ
て上述の各測定方法を実施しうる。ただし傾斜台
13の傾斜角Ψは、回転角センサ(例えばロータ
リエンコーダ)により正確に検出し、処理・記憶
装置9に角測定座標値とともに入力し、座標変換
の演算補正をして三次元座標値を得ることは勿論
である。なお、傾斜台13の回転は必要により例
えばステツプモータなどによつて駆動するように
してもよい。
向から検出するため、例えば垂直に近い端面をも
つ対象物等には測定が困難である。この場合は第
4図に示すようにX−Yステージの上面に回転軸
14の周りに回転しうる傾斜台13を設置し、該
傾斜台13の上に対象物1を固定することによつ
て上述の各測定方法を実施しうる。ただし傾斜台
13の傾斜角Ψは、回転角センサ(例えばロータ
リエンコーダ)により正確に検出し、処理・記憶
装置9に角測定座標値とともに入力し、座標変換
の演算補正をして三次元座標値を得ることは勿論
である。なお、傾斜台13の回転は必要により例
えばステツプモータなどによつて駆動するように
してもよい。
また、例えば歯車の歯形、タービン回転翼など
の回転体形状の測定に際しては、第5図に示すよ
うに、X−Yステージ2の上面に例えばステツプ
モータ16によつて駆動する回転軸14に回転体
形状の対象物1を固定し、光電検出器が投光スポ
ツトを検出し易い角度だけ対象物1を回転しつつ
順次測定することによつて、回転体の三次元形状
を正確に測定できる。なお、回転角は例えばロー
タリーエンコーダなどの回転角センサ15によつ
て検出して前と同様に処理・記憶装置9に入力し
て演算補正することはいうまでもない。
の回転体形状の測定に際しては、第5図に示すよ
うに、X−Yステージ2の上面に例えばステツプ
モータ16によつて駆動する回転軸14に回転体
形状の対象物1を固定し、光電検出器が投光スポ
ツトを検出し易い角度だけ対象物1を回転しつつ
順次測定することによつて、回転体の三次元形状
を正確に測定できる。なお、回転角は例えばロー
タリーエンコーダなどの回転角センサ15によつ
て検出して前と同様に処理・記憶装置9に入力し
て演算補正することはいうまでもない。
なお、必要によつては、第4図と第5図の両者
の機能を持つ傾斜・回転台をX−Yステージ2上
に設置して、傾斜しつつ回転して本発明の測定を
実施することもできる。
の機能を持つ傾斜・回転台をX−Yステージ2上
に設置して、傾斜しつつ回転して本発明の測定を
実施することもできる。
以上はいずれも投光器3による光ビーム4は、
例えばレーザー光をコリメートした細いビームと
したが、投光スポツトをできる限り微小にするた
めに光ビーム4は光学系によつて絞られた円錐状
の光束であつてもよい。この場合、投光器3と対
象物1との距離が変化すると、投光スポツトの大
きさが変わるが、光電センサ8が光点の重心位置
検出機能をもつものや輝度のピーク位置検知機能
を有するものを利用することによつて、投光スポ
ツトの大きさ変化の影響を避けることができる。
例えばレーザー光をコリメートした細いビームと
したが、投光スポツトをできる限り微小にするた
めに光ビーム4は光学系によつて絞られた円錐状
の光束であつてもよい。この場合、投光器3と対
象物1との距離が変化すると、投光スポツトの大
きさが変わるが、光電センサ8が光点の重心位置
検出機能をもつものや輝度のピーク位置検知機能
を有するものを利用することによつて、投光スポ
ツトの大きさ変化の影響を避けることができる。
また、光ビーム4を斜角から照射するための投
光スポツトの非対称形状や、半導体レーザを光源
に使用する場合の発光点の大きさの非対称整等の
影響を補償するために、必要により投光器3に非
対称光学系を使用する。
光スポツトの非対称形状や、半導体レーザを光源
に使用する場合の発光点の大きさの非対称整等の
影響を補償するために、必要により投光器3に非
対称光学系を使用する。
なお、以上はP0点は光電検出器6の視野中心
位置になるように設定して、各Y走査の基準位置
とするよう述べたが、必ずしも中心位置と限ら
ず、光電検出器6の視野内の一定位置として光電
センサ8の出力を記憶しておき、この位置を基準
として判定してもよい。
位置になるように設定して、各Y走査の基準位置
とするよう述べたが、必ずしも中心位置と限ら
ず、光電検出器6の視野内の一定位置として光電
センサ8の出力を記憶しておき、この位置を基準
として判定してもよい。
以上のように、本発明によれば、比較的簡単な
構成の装置により、原理上からも在来の光学式よ
り遥かに高精度の三次元形状測定ができる。特に
X−Yステージの各軸変位量やZ方向またはX方
向のサーボ機構変位量検出用に精密エンコーダを
設置することにより、数μmの高精度で容易に測
定でき、在来法よりも10倍以上の精度向上が可能
である。
構成の装置により、原理上からも在来の光学式よ
り遥かに高精度の三次元形状測定ができる。特に
X−Yステージの各軸変位量やZ方向またはX方
向のサーボ機構変位量検出用に精密エンコーダを
設置することにより、数μmの高精度で容易に測
定でき、在来法よりも10倍以上の精度向上が可能
である。
また、Z座標値をZ方向またはX方向のサーボ
機構の変位によつて検出するので在来の最も一般
的な三角測量法や、前述した特開昭60−196608号
のものに比べても、対象物Z(高さ)方向の測定
範囲の制限が緩和され、広範囲の測定ができる。
機構の変位によつて検出するので在来の最も一般
的な三角測量法や、前述した特開昭60−196608号
のものに比べても、対象物Z(高さ)方向の測定
範囲の制限が緩和され、広範囲の測定ができる。
測定速度についても、対象物の断面形状の変曲
点を検出し、変曲点近傍の断面高さを特に精密
に、それ以外は粗く検出する方式を適用すること
によつて精度を損なうことなく極めて高速度の測
定ができる。
点を検出し、変曲点近傍の断面高さを特に精密
に、それ以外は粗く検出する方式を適用すること
によつて精度を損なうことなく極めて高速度の測
定ができる。
また、急斜面や複雑な回転体等、在来光学的に
は形状測定困難であつたものも高精度かつ高速に
三次元形状測定可能となる。
は形状測定困難であつたものも高精度かつ高速に
三次元形状測定可能となる。
第1図は本発明による三次元形状測定装置の一
実施例を示す図で、同図Aは全体構成を示す図、
同図Bは高精度化を説明するための図、第2図は
測定を高速化するための本発明による三次元測定
装置の他の実施例を示す図、第3図はX方向のサ
ーボ機構を用いた本発明による三次元形状測定装
置の他の実施例を示す図、第4図は対象物を傾斜
角度可変の台に載置するようにした本発明の他の
実施例を示す図、第5図は対象物を回転可能に設
置した本発明の他の実施例を示す図、第6図は従
来の焦点合わせ法による三次元形状測定方法を示
す図で、同図Aは構成を示す図、同図Bは光電出
力信号波形図、同図Cは位相検波出力信号を示す
図、第7図は従来の三角測量法による三次元形状
測定方法を示す図である。 1……被測定対象物、2……X−Yステージ、
3,3′……投光器、4,4′……光ビーム、5…
…サーボ機構、6……光電検出器、7……対物レ
ンズ、8……一次元光電センサ、9……処理・記
憶装置、10……表示器、11……記録器、12
……投光器、13……傾斜台、14……回転軸、
15……回転角センサ、16……ステツプモー
タ。
実施例を示す図で、同図Aは全体構成を示す図、
同図Bは高精度化を説明するための図、第2図は
測定を高速化するための本発明による三次元測定
装置の他の実施例を示す図、第3図はX方向のサ
ーボ機構を用いた本発明による三次元形状測定装
置の他の実施例を示す図、第4図は対象物を傾斜
角度可変の台に載置するようにした本発明の他の
実施例を示す図、第5図は対象物を回転可能に設
置した本発明の他の実施例を示す図、第6図は従
来の焦点合わせ法による三次元形状測定方法を示
す図で、同図Aは構成を示す図、同図Bは光電出
力信号波形図、同図Cは位相検波出力信号を示す
図、第7図は従来の三角測量法による三次元形状
測定方法を示す図である。 1……被測定対象物、2……X−Yステージ、
3,3′……投光器、4,4′……光ビーム、5…
…サーボ機構、6……光電検出器、7……対物レ
ンズ、8……一次元光電センサ、9……処理・記
憶装置、10……表示器、11……記録器、12
……投光器、13……傾斜台、14……回転軸、
15……回転角センサ、16……ステツプモー
タ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 X、Y、Zを三次元直交座標として、対象物
断面高さを、X軸およびY軸方向に光ビーム走査
を行うことによつて連続的に検出する三次元形状
の非接触測定装置において、Z軸方向と異なる一
定の方向から対象物へ光ビームを照射する投光器
と、投光器による対象物表面の投光スポツトのX
軸方向に対する変位をZ軸と平行な方向から検出
する光電検出器と、対象物表面上の投光スポツト
が常にX軸方向に対して光電検出器視野内の一定
位置になるように投光器をZ軸方向に位置制御す
るサーボ機構と、投光器のZ軸方向の変位を検出
する第1の測長器と、対象物を積載固定し、Xお
よびY方向に走査するX−Yステージと、X−Y
ステージのX軸およびY軸方向の変位を検出する
第2の測長器と、第1、第2の測長器の検出値か
ら三次元座標値を算出する処理・記憶装置と、必
要に応じて測定された三次元座標値を数値表示ま
たは図形表示する表示装置とを備えた三次元形状
の非接触測定装置。 2 前記処理・記憶装置は、サーボ機構オフセツ
ト値により修正した三次元座標値を算出すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の三次元
形状の非接触測定装置。 3 前記サーボ機構に制御される投光器を設置し
た架台に、投光スポツトのX軸方向変位を検出す
る光電検出器を設置することを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の三次元形状の非接触測定装
置。 4 前記投光スポツトのX軸方向変位を検出する
光電検出器を、投光器とは別の架台に設置して別
個のサーボ機構によつてZ軸方向に位置制御する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の三
次元形状の非接触測定装置。 5 前記投光器は2台以上設置されることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の三次元形状の
非接触測定装置。 6 前記光電検出器は、2台以上設置されること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の三次元
形状の非接触測定装置。 7 前記対象物は、支持手段により傾斜およびま
たは回転させながら形状測定することを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の三次元形状の非接
触測定装置。 8 前記投光器に非対称光学系を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の三次元形
状の非接触測定装置。 9 前記光ビームの走査は、断面形状変曲点の近
傍において精密に行われることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の三次元形状の非接触測定
装置。 10 X、Y、Zを三次元直交座標として、対象
物断面高さを、X軸およびY軸方向に光ビーム走
査を行うことによつて連続的に検出する三次元形
状の非接触測定装置において、Z軸方向と異なる
一定の方向から対象物へ光ビームを照射する投光
器と、投光器による対象物表面の投光スポツトの
X軸方向に対する変位をZ軸と平行な方向から検
出する光電検出器と、対象物表面上の投光スポツ
トが常にX軸方向に対して光電検出器視野内の一
定位置になるように光電検出器又は投光器をX−
Yステージに対しX軸と平行な方向に移動させて
制御するサーボ機構と、光電検出器又は投光器の
X軸と平行な方向の変位を検出する第1の測長器
と、対象物を積載固定し、X及びY方向に走査す
るX−Yステージと、X−Yステージの台座のX
軸及びY軸方向の変位を検出する第2の測長器
と、第1、第2の測長器の検出値から三次元座標
値を算出する処理・記憶装置と、必要に応じて測
定された三次元座標値を数値表示または図形表示
する表示装置とを備えた三次元形状の非接触測定
装置。 11 前記処理・記憶装置は、サーボ機構オフセ
ツト値により修正した三次元座標値を算出するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第10項記載の三
次元形状の非接触測定装置。 12 前記投光器は2台以上設置されることを特
徴とする特許請求の範囲第10項記載の三次元形
状の非接触測定装置。 13 前記光電検出器は、2台以上設置されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第10項記載の三
次元形状の非接触測定装置。 14 前記対象物は、支持手段により傾斜および
または回転させながら形状が測定されることを特
徴とする特許請求の範囲第10項記載の三次元形
状の非接触測定装置。 15 前記投光器に非対称光学系を使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第10項記載の三次
元形状の非接触測定装置。 16 前記光ビームの走査は、断面形状変曲点の
近傍において精密に行われることを特徴とする特
許請求の範囲第10項記載の三次元形状の非接触
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112849A JPS62269005A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 三次元形状の非接触測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112849A JPS62269005A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 三次元形状の非接触測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269005A JPS62269005A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH0543244B2 true JPH0543244B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=14597067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61112849A Granted JPS62269005A (ja) | 1986-05-17 | 1986-05-17 | 三次元形状の非接触測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269005A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011145303A (ja) * | 2011-03-23 | 2011-07-28 | Nikon Corp | 形状測定装置 |
| WO2015008820A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | 株式会社ニコン | 形状測定装置、構造物製造システム、形状測定方法、構造物製造方法、形状測定プログラム、及び記録媒体 |
-
1986
- 1986-05-17 JP JP61112849A patent/JPS62269005A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62269005A (ja) | 1987-11-21 |
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