JPH054372U - 光デイスクカートリツジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 帯電しやすい光ディスクカートリッジのシェ
ルから光ディスクに電荷が移行することを防止する。 【構成】 シェル１ａ，１ｂの内壁面の少なくとも光デ
ィスクと接触する部分に高抵抗の絶縁層６ａ〜７ｂを形
成した。 【効果】 シェルの内壁面に光ディスクが接触しても絶
縁層によって光ディスクへの電荷の移行が防止され、光
ディスクの帯電による塵埃の吸着が起きにくくなって、
塵埃に起因する読み出しや書き込みの障害が防止され
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

この考案は光ディスクカートリッジの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】

光ディスクカートリッジは偏平なシェル内に光ディスクを回転可能に収容した ものであり、シェル内面の内周部に光ディスク支持用のリブ部を形成し、内蔵さ れた光ディスク内周部の非記録領域の部分をこのリブ部で支持するようにしてあ る。光ディスクがカートリッジ内部で傾斜した場合には光ディスクの外周部分も シェル内面に接触することになるが、光ディスクの表面は記録領域から外周部の 非記録領域にかけて保護コート層で覆われているので、記録層がカートリッジの シェル内面に直接触れることはない。

【０００３】 図４は光ディスクを内蔵した一般的な光ディスクカートリッジの断面を示した 図である。１は光ディスクカートリッジ、１ａ及び１ｂは光ディスクカートリッ ジ１の主要部を構成している偏平なケース状のシェル、２は光ディスク、３ａ及 び３ｂはシェル１ａ，１ｂの内面中央部に環状あるいはＵ字状に形成されている リブ部、４ｂはシェル１ｂの開口部、５は光ディスク２に形成されている保護コ ート層である。Ａは記録層(図示せず)が設けられている光ディスク２の記録領域 を示しており、これより内側と外側はそれぞれ非記録領域となっている。

【０００４】 このような構成であって、光ディスク２の記録層がカートリッジ１のシェル１ ａ，１ｂの内面に直接触れるようなことはないが、カートリッジ１は一般にポリ カーボネートやＡＢＳなどの合成樹脂成形品であるため静電気を帯びやすい。こ のため、リブ部３ａ，３ｂとの接触部分や傾いた時の外周部での接触により電荷 が移行して光ディスク２が帯電した状態になりやすく、塵埃が光ディスク２に吸 着されて読み出しや書き込みの際の障害の原因となることがあった。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

この考案はこのような問題点に着目し、シェルに接触することによる光ディス クへの電荷の移行を防止することを課題としてなされたものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

上述の課題を解決するために、この考案では、シェル内壁面の少なくとも光デ ィスクと接触する可能性のある部分に、シェルとは異なる材料からなり、且つ電 気的絶縁性の優れた絶縁層を形成している。 また、シェル内壁面の少なくとも光ディスクの保護コート層と接触する可能性 のある部分に上記保護コート層と同じ材料からなる保護層を形成している。

【０００７】

【作用】

シェル内壁面の絶縁層によって接触時における光ディスクへの電荷の移行が防 止され、帯電による塵埃吸着が大幅に低減される。 また、光ディスクの保護コート層とシェル内壁面の保護層とが同材質の場合に は、相互の接触や摩擦によって生ずる電位差が小さくなり、光ディスクが帯電し にくくなって塵埃吸着が大幅に低減される。

【０００８】

【実施例】

次に、図示の実施例について説明する。図は各シェルの内面を示したもので図 ４と同一の部分は同一の参照符号で示してあり、図１及び図２は請求項１に、ま た図３は請求項２にそれぞれ対応する実施例である。 図１に示す第１の実施例おいて、斜線で示した６ａ及び６ｂはシェル１ａ及び １ｂの内周部に形成された絶縁層、同じく斜線で示した７ａ及び７ｂはシェル１ ａ及び１ｂの外周部に形成された絶縁層である。絶縁層６ａ，６ｂは各リブ部３ ａ，３ｂを含むような範囲で、また絶縁層７ａ，７ｂは光ディスクの外周部に対 応する一定の範囲で設けられており、例えば３．５インチタイプの場合、絶縁層 ６ａ，６ｂは半径約２０mmの大きさで形成され、絶縁層７ａ，７ｂは幅５〜７mm 程度に形成される。なお、４ａはシェル１ａの開口部である。

【０００９】 これらの絶縁層６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂの材料は１×１０¹⁰Ω・cm以上の抵抗 値を有する電気的絶縁性の優れたものであることが望ましく、例えばＳｉ₃Ｎ₄、 ＢａＴｉＯ₃、ＺｒＴｉＯ₃のようなセラミックス、あるいはＮａ₂Ｏ・ＣａＯ・５ ＳｉＯ₂のようなガラスの層をスパッタリングや蒸着、接着等の方法により０.５ mm以下の厚さで形成するのである。なお、高抵抗絶縁物を樹脂系の紙にコーティ ングした高抵抗紙を貼り付けることによってもこれらの絶縁層を形成することが できる。

【００１０】 この実施例は上述のように構成されており、高抵抗の絶縁層６ａ〜７ｂによっ てカートリッジ１のシェル１ａ，１ｂと光ディスク２が接触している部分あるい は接触する可能性のある部分の間が絶縁されているので、シェル１ａ，１ｂが帯 電してもその電荷が光ディスク２に移動することが防止される。その結果、光デ ィスク２の帯電も防止され、静電気で光ディスク２に塵埃が吸着されることもな くなり、塵埃が原因で読み出しや書き込みに支障が生ずることが防止されるので ある。

【００１１】 図２は内周部と外周部とに区分せず、絶縁層８ａ及び８ｂをシェル１ａ，１ｂ の内面全体に形成した第２の実施例である。これにより、シェル１ａ，１ｂと光 ディスク２間の絶縁はより確実となるほか、内周部と外周部とに区分する必要が ないので絶縁層の形成工程が簡略化される利点がある。

【００１２】 表１は以上の各実施例と絶縁層を設けない従来例との比較例であり、シェルを １２，０００Ｖに帯電させた場合のシェル内に内蔵されている光ディスクの帯電 量を示したものである(単位：Ｖ)。この表から従来品に比べて実施例では帯電量 が大幅に低減されていることがわかる。

【表１】

【００１３】 次に図３について述べる。図において、斜線で示した９ａ及び９ｂはシェル１ ａ及び１ｂの内面に形成された保護層であり、この例では保護層９ａ，９ｂは各 リブ部３ａ，３ｂのやや外側から光ディスク２の最外周に対応する範囲で設けら れている。保護層９ａ，９ｂは図１で説明した保護コート層５と同じ材料を用い て形成されるのであり、一般に保護コート層５にはアクリル系の紫外線硬化樹脂 が使用されるので、この場合にはこれに対応して保護層９ａ，９ｂも同じアクリ ル系の紫外線硬化樹脂が使用され、所定の範囲に塗布した後、紫外線を照射して 硬化させることによって形成される。硬化後の硬度は鉛筆硬度で２Ｈ相当、動摩 擦係数は約０．５である。

【００１４】 この実施例では、光ディスク２の保護コート層５とシェル内面の保護層９ａ， ９ｂとが同材質であり、しかも硬度が高く動摩擦係数が小さいため、相互の接触 や摩擦によって生ずる電位差が小さくなる。従って、光ディスク２が帯電しにく くなって静電気による塵埃の吸着が少なくなり、塵埃が原因で読み出しや書き込 みに支障が生ずることが防止されるのである。

【００１５】 表２はこの実施例と保護層を設けない従来例との比較例であり、光ディスク表 面の灰付着の面積比率を示したものである(単位：％)。ここで、灰付着の確認は 次のようにして行った。まず、シェルと光ディスクとをイオナイザーにより除電 して電位差を０Ｖとした。次いで、カートリッジに光ディスクを内蔵した状態で 光ディスク面に水平及び垂直方向にそれぞれ４回／秒の割合で振動させ、シェル と光ディスクを接触させ、その後に光ディスク面を灰に対して約１０mmの距離に 接近させて灰を吸着する様子を確認した。 この表から従来品に比べて実施例では帯電量が大幅に低減されるため、灰付着 が生じていないことがわかる。なお、このときの光ディスクの帯電量は従来品に 比して半分以下であった。

【表２】

【００１６】

【考案の効果】

上述の実施例から明らかなように、この考案は、シェル内壁面の少なくとも光 ディスクと接触する部分にシェルの材料とは異なる電気的絶縁性の優れた絶縁層 を形成したものである。従って、帯電しやすいシェルの内壁面に光ディスクが接 触しても絶縁層によって光ディスクへの電荷の移行が防止され、光ディスクの帯 電による塵埃の吸着が起きにくくなって、塵埃に起因する読み出しや書き込みの 障害が防止される。

【００１７】 また、シェル内壁面の少なくとも光ディスクの保護コート層と接触する可能性 のある部分にこの保護コート層と同じ材料からなる保護層を形成したものでは、 相互に接触する層が同材質であるために接触や摩擦によって生ずる電位差が小さ くなる。従って、光ディスクが帯電しにくくなり、光ディスクに吸着された塵埃 に起因する読み出しや書き込みの障害が防止されるのである。

【図面の簡単な説明】

【図１】この考案の第１の実施例におけるシェルの内面
を示す平面図である。

【図２】第２の実施例におけるシェルの内面を示す平面
図である。

【図３】別の実施例におけるシェルの内面を示す平面図
である。

【図４】一般的な光ディスクカートリッジの断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 光ディスクカートリッジ １ａ，１ｂ シェル ２ 光ディスク ３ａ，３ｂ リブ部 ５ 保護コート層 ６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ 絶縁層 ９ａ，９ｂ 保護層

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 偏平なシェル内に光ディスクを回転可能
   に収容した光ディスクカートリッジにおいて、シェル内
   壁面の少なくとも光ディスクと接触する部分に、シェル
   とは異なる材料からなり、且つ電気的絶縁性の優れた絶
   縁層を形成してなる光ディスクカートリッジ。
2. 【請求項２】 偏平なシェル内に光ディスクを回転可能
   に収容した光ディスクカートリッジにおいて、シェル内
   壁面の少なくとも光ディスクの保護コート層と接触する
   部分に、上記保護コート層と同じ材料からなる保護層を
   形成してなる光ディスクカートリッジ。