JPH0364956B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0364956B2 JPH0364956B2 JP56055880A JP5588081A JPH0364956B2 JP H0364956 B2 JPH0364956 B2 JP H0364956B2 JP 56055880 A JP56055880 A JP 56055880A JP 5588081 A JP5588081 A JP 5588081A JP H0364956 B2 JPH0364956 B2 JP H0364956B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic storage
- magnetic
- storage body
- static electricity
- magnetic head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/50—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges
- G11B23/505—Reconditioning of record carriers; Cleaning of record carriers ; Carrying-off electrostatic charges of disk carriers
Description
本発明は磁気デイスク又は磁気ドラムなどの磁
気的記憶装置に関するものである。 連続薄膜形磁気記憶体では、高密度に記録を行
なうために磁気ヘツドをできる限り接近させて記
録、再生を行なうことを目的として、その表面は
極めて平滑に仕上げられている。 このような磁気記憶体を用いて、操作開始時に
磁気ヘツドと磁気記憶体表面とを接触状態にセツ
トしておき、その磁気記憶体に所要の回転を与え
ることにより磁気ヘツドと磁気記憶体表面間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録、再生を行
なう、所謂コンタクト・スタート・ストツプ方式
での操作を行なつていると、次のような問題が起
ることが明らかとなつた。 磁気記憶体が停止しているときは磁気ヘツドが
磁気記憶体の表面に接触しているが、このとき磁
気ヘツドと磁気記憶体との密着が強く、操作開始
時に磁気ヘツドに過大な力が作用して磁気ヘツド
を破壊したり、磁気ヘツド磁気記憶体表面上をバ
ウンドして磁気記憶体に損傷を与えるなどの事故
が発生することがある。また、操作中において
も、磁気ヘツドが磁気記憶体に衝突したり、特に
磁気ヘツドの浮揚力が弱くなる回転始動開始直後
又は停止直前においてフライングが不安定になつ
て磁気ヘツドが磁気記憶体に衝突する事故が発生
することもある。さらに、操作中に磁気ヘツドと
磁気記憶体間で放電が起り、これがノイズとなつ
て記録、再生時の誤動作の原因となることもあ
る。 このような現象は、磁性金属やフエライトを記
憶媒体とする連続薄膜形磁気記憶体において顕著
に現れ、磁性粉末をバインダー中に分散させて塗
布した形の、所謂、コーテツド・デイスクではあ
まり問題にならない。これは前者においては磁気
記憶体表面が極めて平滑であることと、磁気ヘツ
ドと磁気記憶体間の距離が小さいこととに起固し
ていると考えられる。 本発明は、連続薄膜形磁気記憶体を用いる磁気
記憶装置におけるこのような問題を解決すること
を目的とするものであつて、回転シヤフトに取り
つけられた磁気記憶体と、回転しているその磁気
記憶体表面に接近して設けられその磁気記憶体へ
の情報の記録、再生を行なう磁気ヘツドとを収容
している容器中にさらに静電気除去器を収容して
いることを特徴とする磁気記憶装置である。 本発明で用いられる静電気除去器には、イオン
化した空気を吹きつける型のものと自己放電式の
ものなどがある。 前者の具体的な例として、米国Scientific
Enterprises社の製品で「エアーガン」、「イオン
化エアー送風機」、「超音波イオン化クリーナー」
としてヒユーグルエレクトロニクス株式会社より
販売されているものを挙げることができる。この
型の静電気除去器を用いるときは、第１図の如く
容器１中に磁気記憶体２に対向させて静電気除去
器３を設置すればよい。尚、第１図で４は磁気記
憶体２を取りつけて回転させる回転シヤフト、５
は磁気ヘツド、波形矢印はイオン化された空気で
ある。 静電気除去器の後者の型、すなわち自己放電式
静電気除去器の例としては、日本化薬株式会社の
製品で株式会社ナカタニから販売されている
「ES・クリーナー」、宍戸商会株式会社の製品で
ある「エリミノスタツト」などを挙げることがで
きる。 この型の静電気除去の原理は、高圧交流電流を
電極に通じてコロナ放電によるイオン化作用を起
こさせて帯電電荷を中和除去するとともに、電極
を接触させることにより直請漏洩させて帯電電荷
を除去することであると考えられる。 この型の静電気除去器を用いるときは、第２図
の如く、金属繊維又はカーボン繊維からなる柔ら
かい毛をもつブラシ状の電極６をその毛の部分が
磁気記憶体２の表面に接するように設ける。電極
６の数は第２図では１であるが、収容される磁気
記憶体の数に応じて必要なだけ設けることができ
る。 本発明で用いられる連続薄膜形磁気記憶体に
は、金属磁性薄膜を記憶媒体とするものと、フエ
ライト薄膜を記憶媒体とするものとがある。その
うち前者のものは、基板上に厚さ数十μｍの下地
体層が設けられ、その上に厚さ0.03〜0.1μｍの金
属磁性媒体層が被覆され、さらにその上に厚さ
0.01〜0.3μｍの保護膜が被覆された構造、又はそ
の構造の金属磁性体層と保護膜の間にさらに厚さ
0.02μｍ程度の非磁性合金層が設けられた構造を
もつている。 基板としてはチタン合金や軽くて加工性のよい
アルミ合金をその表面粗さが円周方向で50μｍ以
下、半径方向で100μｍ以下になるように施盤加
工と熱矯正により機械加工に用いられる。下地体
層は平滑な表面を得るために設けられるのであつ
て、Ni−Ｐ合金などがめつきにより被覆され、
その表面粗さが最大で0.03μｍぐらいになるよう
に機械的に研磨される。金属磁性媒体層はCo、
Ni又はFeを含む合金では代表的なものとしては
Co−Ni−Ｐ、Co−Mn−Ｐ、Co−Ｗ−Ｐ、Co−
Crなどがあり、これらはめつき法、蒸着法、ス
パツタ法又はイオンプレーテイング法で形成され
る。保護膜としては珪酸ポリマー（ポリ珪酸）、
ガラスその他の珪素酸化物若しくは珪素窒化物な
どの珪素化合物、Rh若しくはCrなど高硬度で耐
食性のある非磁性金属若しくはそれらの合金、又
はAl、Co、Ni、Cr、Ti、Zr若しくはCe若しく
はそれらの合金の硬化物が、塗布法、蒸着法又は
スパツタ法で形成されたものが用いられる。ま
た、非磁性合金層は金属磁性媒層とその上の保護
膜との密着性を向上させるために設けられるもの
であつて、Ni−Ｐが好ましい。 連続薄膜形磁気記憶体のうちの後者、すなわ
ち、フエライト薄膜を記憶媒体とするものには、
アルマイト被覆を有するアルミ合金基板の上にフ
エライト膜が被覆された構造をもつたものがあ
る。アルマイト被覆は厚さ数μｍで表面粗さが
0.02μｍぐらいになるように鏡面研磨されている。
フエライト膜は反応スパツタ法、反応蒸着法、化
学的析出法など既知の製造技術を用いて形成され
る。このフエライト膜は基本的にはFe3O4である
が、磁気特性を改善するためにCoが混入させら
れたり、γ−Fe2O3との中間状態になるように酸
化されたりすることがある。フエライト膜の膜厚
は0.1〜0.25μｍが適当である。 フエライトを記録媒体とするものには、さらに
鏡面研磨されたガラス基板上にフエライト膜が被
覆された構造のものもある。 これらフエライトを記録媒体とするものは、フ
エライトの機構的強度が大きいので保護膜を必要
としない。 本発明で用いられる磁気ヘツドは浮揚型ヘツド
であつて、代表的なものは浮揚面が傾斜平面形状
又は円筒面形状に形成されたスライダにガラス接
着材により埋込まれている。スライダは薄い板ば
ねで前後左右に揺動可能にジンバル支持され、こ
れを介してヘツドアームに取付けられ、そのヘツ
ドアーム基部の板ばねにより磁気記憶体面に向つ
て押圧されている。 このように構成された本発明において、静電気
除去器は記憶装置操作中に磁気ヘツドと磁気記憶
体の相対運動によりそれらに発生する帯電電荷を
除去してそれらの間の衝突を防ぎ、また、それら
の間での放電に起因するノイズの発生を防止する
ように作用する。さらに帯電を防ぐことにより磁
気記憶体の回転停止時における磁気ヘツドと磁気
記憶体との密着強度を弱くして操作開始時の事故
の発生を少なくするように作用するものである。 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。 静電気除去器を設けた場合（実施例）と設けな
かつた場合（比較例）の湿度30％、温度25℃にお
ける接線摩擦力の測定結果を表に示す。 接線摩擦力とは、半径ｒのエアースピンドンに
取りつけられた磁気デイスクの表面上、中心から
Ｒの距離に磁気ヘツドを密着させておき、そのエ
アースピンドルの周囲に巻いた糸を引いて磁気デ
イスクを回転させて磁気ヘツドとの密着を剥した
時の糸に作用させた力をｆとすると、接線摩擦力
Ｆは Ｆ＝ｒ／Ｒｆ として求められるものである。 表において、静電気除去器欄の自己放電式とは
前述の自己放電式静電気除去器を設けた場合を示
し、イオン化とはこれも前述のイオン化した空気
を吹きつける型の静電気除去器を設けた場合を示
している。 実施例１と比較例１の磁気デイスクは、表面粗
さが円周方向で50μｍ以下、半径方向で10μｍ以
下に加工されたアルミ合金からなるデイスク状基
板上に、下地体層としてNi−Ｐ合金が約50μｍの
厚さにめつきされ、これを表面の最大粗さが
0.02μｍになるように厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上
げされたものの上に金属磁性媒体層としてCo−
Ni−Ｐ合金が0.05μｍの厚さにめつきされ、さら
にその上にテトラヒドロキシシランを２重量％含
むイソプロピルアルコール溶液をスピン塗布法に
より塗布され、乾燥した後、空気中で200℃で５
時間焼成してポリ珪酸保護膜が被覆されたもので
ある。 実施例２と比較例２の磁気デイスクは、実施例
１のものの保護膜をスパツタSiO2膜に代えたも
のである。 実施例３と比較例３の磁気デイスクは、前の２
例のように金属磁性媒体層の上に別体の保護膜を
被覆する代りに、実施例１の金属磁性媒体層の表
面を酸化してCo−Ni酸化物を形成しそれを保護
膜としたものである。 実施例４と比較例４の磁気デイスクは、表面粗
さが約0.02μｍになるように鏡面研磨された3μｍ
の厚さのアルマイト被覆をもつアルミ合金基板上
に反応スパツタ法で厚さ0.2μｍのフエライト薄膜
が被覆されたものである。
気的記憶装置に関するものである。 連続薄膜形磁気記憶体では、高密度に記録を行
なうために磁気ヘツドをできる限り接近させて記
録、再生を行なうことを目的として、その表面は
極めて平滑に仕上げられている。 このような磁気記憶体を用いて、操作開始時に
磁気ヘツドと磁気記憶体表面とを接触状態にセツ
トしておき、その磁気記憶体に所要の回転を与え
ることにより磁気ヘツドと磁気記憶体表面間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録、再生を行
なう、所謂コンタクト・スタート・ストツプ方式
での操作を行なつていると、次のような問題が起
ることが明らかとなつた。 磁気記憶体が停止しているときは磁気ヘツドが
磁気記憶体の表面に接触しているが、このとき磁
気ヘツドと磁気記憶体との密着が強く、操作開始
時に磁気ヘツドに過大な力が作用して磁気ヘツド
を破壊したり、磁気ヘツド磁気記憶体表面上をバ
ウンドして磁気記憶体に損傷を与えるなどの事故
が発生することがある。また、操作中において
も、磁気ヘツドが磁気記憶体に衝突したり、特に
磁気ヘツドの浮揚力が弱くなる回転始動開始直後
又は停止直前においてフライングが不安定になつ
て磁気ヘツドが磁気記憶体に衝突する事故が発生
することもある。さらに、操作中に磁気ヘツドと
磁気記憶体間で放電が起り、これがノイズとなつ
て記録、再生時の誤動作の原因となることもあ
る。 このような現象は、磁性金属やフエライトを記
憶媒体とする連続薄膜形磁気記憶体において顕著
に現れ、磁性粉末をバインダー中に分散させて塗
布した形の、所謂、コーテツド・デイスクではあ
まり問題にならない。これは前者においては磁気
記憶体表面が極めて平滑であることと、磁気ヘツ
ドと磁気記憶体間の距離が小さいこととに起固し
ていると考えられる。 本発明は、連続薄膜形磁気記憶体を用いる磁気
記憶装置におけるこのような問題を解決すること
を目的とするものであつて、回転シヤフトに取り
つけられた磁気記憶体と、回転しているその磁気
記憶体表面に接近して設けられその磁気記憶体へ
の情報の記録、再生を行なう磁気ヘツドとを収容
している容器中にさらに静電気除去器を収容して
いることを特徴とする磁気記憶装置である。 本発明で用いられる静電気除去器には、イオン
化した空気を吹きつける型のものと自己放電式の
ものなどがある。 前者の具体的な例として、米国Scientific
Enterprises社の製品で「エアーガン」、「イオン
化エアー送風機」、「超音波イオン化クリーナー」
としてヒユーグルエレクトロニクス株式会社より
販売されているものを挙げることができる。この
型の静電気除去器を用いるときは、第１図の如く
容器１中に磁気記憶体２に対向させて静電気除去
器３を設置すればよい。尚、第１図で４は磁気記
憶体２を取りつけて回転させる回転シヤフト、５
は磁気ヘツド、波形矢印はイオン化された空気で
ある。 静電気除去器の後者の型、すなわち自己放電式
静電気除去器の例としては、日本化薬株式会社の
製品で株式会社ナカタニから販売されている
「ES・クリーナー」、宍戸商会株式会社の製品で
ある「エリミノスタツト」などを挙げることがで
きる。 この型の静電気除去の原理は、高圧交流電流を
電極に通じてコロナ放電によるイオン化作用を起
こさせて帯電電荷を中和除去するとともに、電極
を接触させることにより直請漏洩させて帯電電荷
を除去することであると考えられる。 この型の静電気除去器を用いるときは、第２図
の如く、金属繊維又はカーボン繊維からなる柔ら
かい毛をもつブラシ状の電極６をその毛の部分が
磁気記憶体２の表面に接するように設ける。電極
６の数は第２図では１であるが、収容される磁気
記憶体の数に応じて必要なだけ設けることができ
る。 本発明で用いられる連続薄膜形磁気記憶体に
は、金属磁性薄膜を記憶媒体とするものと、フエ
ライト薄膜を記憶媒体とするものとがある。その
うち前者のものは、基板上に厚さ数十μｍの下地
体層が設けられ、その上に厚さ0.03〜0.1μｍの金
属磁性媒体層が被覆され、さらにその上に厚さ
0.01〜0.3μｍの保護膜が被覆された構造、又はそ
の構造の金属磁性体層と保護膜の間にさらに厚さ
0.02μｍ程度の非磁性合金層が設けられた構造を
もつている。 基板としてはチタン合金や軽くて加工性のよい
アルミ合金をその表面粗さが円周方向で50μｍ以
下、半径方向で100μｍ以下になるように施盤加
工と熱矯正により機械加工に用いられる。下地体
層は平滑な表面を得るために設けられるのであつ
て、Ni−Ｐ合金などがめつきにより被覆され、
その表面粗さが最大で0.03μｍぐらいになるよう
に機械的に研磨される。金属磁性媒体層はCo、
Ni又はFeを含む合金では代表的なものとしては
Co−Ni−Ｐ、Co−Mn−Ｐ、Co−Ｗ−Ｐ、Co−
Crなどがあり、これらはめつき法、蒸着法、ス
パツタ法又はイオンプレーテイング法で形成され
る。保護膜としては珪酸ポリマー（ポリ珪酸）、
ガラスその他の珪素酸化物若しくは珪素窒化物な
どの珪素化合物、Rh若しくはCrなど高硬度で耐
食性のある非磁性金属若しくはそれらの合金、又
はAl、Co、Ni、Cr、Ti、Zr若しくはCe若しく
はそれらの合金の硬化物が、塗布法、蒸着法又は
スパツタ法で形成されたものが用いられる。ま
た、非磁性合金層は金属磁性媒層とその上の保護
膜との密着性を向上させるために設けられるもの
であつて、Ni−Ｐが好ましい。 連続薄膜形磁気記憶体のうちの後者、すなわ
ち、フエライト薄膜を記憶媒体とするものには、
アルマイト被覆を有するアルミ合金基板の上にフ
エライト膜が被覆された構造をもつたものがあ
る。アルマイト被覆は厚さ数μｍで表面粗さが
0.02μｍぐらいになるように鏡面研磨されている。
フエライト膜は反応スパツタ法、反応蒸着法、化
学的析出法など既知の製造技術を用いて形成され
る。このフエライト膜は基本的にはFe3O4である
が、磁気特性を改善するためにCoが混入させら
れたり、γ−Fe2O3との中間状態になるように酸
化されたりすることがある。フエライト膜の膜厚
は0.1〜0.25μｍが適当である。 フエライトを記録媒体とするものには、さらに
鏡面研磨されたガラス基板上にフエライト膜が被
覆された構造のものもある。 これらフエライトを記録媒体とするものは、フ
エライトの機構的強度が大きいので保護膜を必要
としない。 本発明で用いられる磁気ヘツドは浮揚型ヘツド
であつて、代表的なものは浮揚面が傾斜平面形状
又は円筒面形状に形成されたスライダにガラス接
着材により埋込まれている。スライダは薄い板ば
ねで前後左右に揺動可能にジンバル支持され、こ
れを介してヘツドアームに取付けられ、そのヘツ
ドアーム基部の板ばねにより磁気記憶体面に向つ
て押圧されている。 このように構成された本発明において、静電気
除去器は記憶装置操作中に磁気ヘツドと磁気記憶
体の相対運動によりそれらに発生する帯電電荷を
除去してそれらの間の衝突を防ぎ、また、それら
の間での放電に起因するノイズの発生を防止する
ように作用する。さらに帯電を防ぐことにより磁
気記憶体の回転停止時における磁気ヘツドと磁気
記憶体との密着強度を弱くして操作開始時の事故
の発生を少なくするように作用するものである。 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明す
る。 静電気除去器を設けた場合（実施例）と設けな
かつた場合（比較例）の湿度30％、温度25℃にお
ける接線摩擦力の測定結果を表に示す。 接線摩擦力とは、半径ｒのエアースピンドンに
取りつけられた磁気デイスクの表面上、中心から
Ｒの距離に磁気ヘツドを密着させておき、そのエ
アースピンドルの周囲に巻いた糸を引いて磁気デ
イスクを回転させて磁気ヘツドとの密着を剥した
時の糸に作用させた力をｆとすると、接線摩擦力
Ｆは Ｆ＝ｒ／Ｒｆ として求められるものである。 表において、静電気除去器欄の自己放電式とは
前述の自己放電式静電気除去器を設けた場合を示
し、イオン化とはこれも前述のイオン化した空気
を吹きつける型の静電気除去器を設けた場合を示
している。 実施例１と比較例１の磁気デイスクは、表面粗
さが円周方向で50μｍ以下、半径方向で10μｍ以
下に加工されたアルミ合金からなるデイスク状基
板上に、下地体層としてNi−Ｐ合金が約50μｍの
厚さにめつきされ、これを表面の最大粗さが
0.02μｍになるように厚さ30μｍまで鏡面研磨仕上
げされたものの上に金属磁性媒体層としてCo−
Ni−Ｐ合金が0.05μｍの厚さにめつきされ、さら
にその上にテトラヒドロキシシランを２重量％含
むイソプロピルアルコール溶液をスピン塗布法に
より塗布され、乾燥した後、空気中で200℃で５
時間焼成してポリ珪酸保護膜が被覆されたもので
ある。 実施例２と比較例２の磁気デイスクは、実施例
１のものの保護膜をスパツタSiO2膜に代えたも
のである。 実施例３と比較例３の磁気デイスクは、前の２
例のように金属磁性媒体層の上に別体の保護膜を
被覆する代りに、実施例１の金属磁性媒体層の表
面を酸化してCo−Ni酸化物を形成しそれを保護
膜としたものである。 実施例４と比較例４の磁気デイスクは、表面粗
さが約0.02μｍになるように鏡面研磨された3μｍ
の厚さのアルマイト被覆をもつアルミ合金基板上
に反応スパツタ法で厚さ0.2μｍのフエライト薄膜
が被覆されたものである。
【表】
【表】
表から接線摩擦力は静電気除去器を使用しなか
つた場合10ｇ前後を示しており、これは比較例１
のように潤滑層を形成しても大きな変化がないの
に対し、静電気除去器を使用した場合には１ｇ前
後まで減少し、本発明が磁気ヘツドと磁気デイス
ク表面間の密着力を弱める上で極めて有効である
ことを明らかにしている。 また、磁気ヘツドと磁気記憶体表面との衝突の
発生率が比較例のものでは約１％であつたが、実
施例ではほとんど発生しなかつた。さらに再生出
力値の変動が比較例では５〜10％であるのに対
し、実施例では２〜３％に減少した。その他、装
置操作開始、終了時の摩擦音が減少し、記録、再
生時の放電ノイズも無くなつた。
つた場合10ｇ前後を示しており、これは比較例１
のように潤滑層を形成しても大きな変化がないの
に対し、静電気除去器を使用した場合には１ｇ前
後まで減少し、本発明が磁気ヘツドと磁気デイス
ク表面間の密着力を弱める上で極めて有効である
ことを明らかにしている。 また、磁気ヘツドと磁気記憶体表面との衝突の
発生率が比較例のものでは約１％であつたが、実
施例ではほとんど発生しなかつた。さらに再生出
力値の変動が比較例では５〜10％であるのに対
し、実施例では２〜３％に減少した。その他、装
置操作開始、終了時の摩擦音が減少し、記録、再
生時の放電ノイズも無くなつた。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の実施例を示
す概略図である。 １……容器、２……磁気記憶体、３……イオン
化した空気を吹きつける静電気除去器、４……回
転シヤフト、５……磁気ヘツド、６……自己放電
式静電気除去器の電極。
す概略図である。 １……容器、２……磁気記憶体、３……イオン
化した空気を吹きつける静電気除去器、４……回
転シヤフト、５……磁気ヘツド、６……自己放電
式静電気除去器の電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 回転シヤフトに取りつけられた磁気記憶体
と、その磁気記憶体の停止状態においてその表面
に接触し、かつ回転状態においてはその表面から
離れてその磁気記憶体への情報の記録、再生を行
なう磁気ヘツドとを密閉された容器内に収容して
なる磁気記憶装置において、前記容器内にさらに
静電気除去器を収容し、この静電気除去器によ
り、前記磁気ヘツドと磁気記憶体の相対運動に起
因してそれらに発生する帯電電荷を除去すること
により、前記磁気ヘツドと磁気記憶体との間の衝
突を防ぐとともに、それらの間での放電に起因す
るノイズの発生を防止し、さらに前記磁気記憶体
の回転停止時における前記磁気ヘツドと磁気記憶
体との密着強度を弱くしたことを特徴とする磁気
記憶装置。 ２ 前記静電気除去器がイオン化した空気を供給
できるものである特許請求の範囲第１項に記載の
磁気記憶装置。 ３ 前記静電気除去器が自己放電式静電気除去器
である特許請求の範囲第１項に記載の磁気記憶装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5588081A JPS57169975A (en) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | Magnetic storage device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5588081A JPS57169975A (en) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | Magnetic storage device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57169975A JPS57169975A (en) | 1982-10-19 |
| JPH0364956B2 true JPH0364956B2 (ja) | 1991-10-09 |
Family
ID=13011406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5588081A Granted JPS57169975A (en) | 1981-04-14 | 1981-04-14 | Magnetic storage device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57169975A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2552514B2 (ja) * | 1987-12-07 | 1996-11-13 | コニカ株式会社 | テープカセット |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5340082B2 (ja) * | 1972-04-04 | 1978-10-25 | ||
| JPS4966701U (ja) * | 1972-09-20 | 1974-06-11 |
-
1981
- 1981-04-14 JP JP5588081A patent/JPS57169975A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57169975A (en) | 1982-10-19 |
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