JPH0545072B2 - - Google Patents
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- JPH0545072B2 JPH0545072B2 JP60225662A JP22566285A JPH0545072B2 JP H0545072 B2 JPH0545072 B2 JP H0545072B2 JP 60225662 A JP60225662 A JP 60225662A JP 22566285 A JP22566285 A JP 22566285A JP H0545072 B2 JPH0545072 B2 JP H0545072B2
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- JP
- Japan
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- layer
- compound semiconductor
- substrate
- single crystal
- semiconductor layer
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ガラス、金属、セラミツクス、プラ
スチツクス等による基板の上に単結晶膜を生成し
た太陽電池の製造方法に関するものである。
スチツクス等による基板の上に単結晶膜を生成し
た太陽電池の製造方法に関するものである。
［従来の技術］
一般的に多結晶よりも単結晶を用いた太陽電池
の方が高性能である事は言うまでもない。
の方が高性能である事は言うまでもない。
従来、単結晶膜を用いた太陽電池を製作するに
あたつては、インゴツトより切り出したバルク単
結晶のウエハを基板とし、その上に単結晶膜を成
長させていた。
あたつては、インゴツトより切り出したバルク単
結晶のウエハを基板とし、その上に単結晶膜を成
長させていた。
しかしながら、上述の方法には、基板とする単
結晶ウエハが高価である上に、基板としては１mm
程度のかなりの厚みを要し、しかも、結晶裁断の
際の切りしろとして高価な材料を無駄にする等の
経済的、資源的欠点があつた。
結晶ウエハが高価である上に、基板としては１mm
程度のかなりの厚みを要し、しかも、結晶裁断の
際の切りしろとして高価な材料を無駄にする等の
経済的、資源的欠点があつた。
［発明が解決しようとする問題点］
そこで、本発明の目的は、上述した従来の欠点
を除去し、高価な単結晶基板を用いることなく、
すなわち、単結晶基板ではない基板、具体的には
例えば、ガラス基板、金属板、セラミツクスある
いは温度条件が許せばプラスチツク基板等、任意
材料の基板を用いて所望の化合物の単結晶膜を成
長させて構成した高性能、低コスト、省資源の太
陽電池の製造方法を提供することにある。
を除去し、高価な単結晶基板を用いることなく、
すなわち、単結晶基板ではない基板、具体的には
例えば、ガラス基板、金属板、セラミツクスある
いは温度条件が許せばプラスチツク基板等、任意
材料の基板を用いて所望の化合物の単結晶膜を成
長させて構成した高性能、低コスト、省資源の太
陽電池の製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明にかかる太陽電池の製造方法は、単結晶
基板ではない基板上に、太陽電池の接合を含む活
性層を作るための化合物半導体層を堆積させる工
程と、化合物半導体層上に化合物半導体を構成す
る成分の単体金属層を堆積させる工程と、単体金
属層で覆われた化合物半導体層をその融点を含む
範囲の温度に加熱してから常温にまで冷却して単
体金属層と基板との間に化合物半導体の単結晶層
を形成する工程とを具えたことを特徴とする。
基板ではない基板上に、太陽電池の接合を含む活
性層を作るための化合物半導体層を堆積させる工
程と、化合物半導体層上に化合物半導体を構成す
る成分の単体金属層を堆積させる工程と、単体金
属層で覆われた化合物半導体層をその融点を含む
範囲の温度に加熱してから常温にまで冷却して単
体金属層と基板との間に化合物半導体の単結晶層
を形成する工程とを具えたことを特徴とする。
すなわち、単結晶基板ではない任意所望材料に
よる基板上に、所望の太陽電池用化合物半導体膜
（通常は多結晶膜）を堆積させ、その上に堆積化
合物成分のうち低融点でかつ低蒸気圧側の金属の
単体成分を更に堆積させて化合物を蔽い、しかる
後に、その化合物融点近くの温度まで基板温度を
上昇させて再結晶化させた後、常温まで温度を降
下させることにより、再結晶と液相成長を混成し
た方法により、当該基板上に単結晶膜を形成す
る。
よる基板上に、所望の太陽電池用化合物半導体膜
（通常は多結晶膜）を堆積させ、その上に堆積化
合物成分のうち低融点でかつ低蒸気圧側の金属の
単体成分を更に堆積させて化合物を蔽い、しかる
後に、その化合物融点近くの温度まで基板温度を
上昇させて再結晶化させた後、常温まで温度を降
下させることにより、再結晶と液相成長を混成し
た方法により、当該基板上に単結晶膜を形成す
る。
化合物半導体の堆積層の上を蔽つている単体金
属成分層は太陽電池の片側電極として構成した
り、あるいはかかる単体金属成分層を除去して、
更にその生成された単結晶膜上に化合物半導体を
エピタキシー成長させることにより高品質単結晶
膜を成長させて種々の太陽電池すなわち、ヘテロ
接合、ｐ−ｎ接合、シヨツトキー接合等をもつ太
陽電池を構成してもよい。
属成分層は太陽電池の片側電極として構成した
り、あるいはかかる単体金属成分層を除去して、
更にその生成された単結晶膜上に化合物半導体を
エピタキシー成長させることにより高品質単結晶
膜を成長させて種々の太陽電池すなわち、ヘテロ
接合、ｐ−ｎ接合、シヨツトキー接合等をもつ太
陽電池を構成してもよい。
［作用］
本発明によれば、単結晶基板ではない任意所望
の基板、すなわち従来極めて困難とされていた、
ガラス、金属、セラミツクス、プラスチツクス等
の任意所望の材料の基板上に単結晶半導体膜を生
成し、しかも比較的大面積の単結晶膜を得ること
により、多結晶膜太陽電池よりも遥かに高効率の
太陽電池を低コストかつ省資源に貢献しながら製
造することが可能となり、太陽電池の発展普及に
大きく寄与する。
の基板、すなわち従来極めて困難とされていた、
ガラス、金属、セラミツクス、プラスチツクス等
の任意所望の材料の基板上に単結晶半導体膜を生
成し、しかも比較的大面積の単結晶膜を得ること
により、多結晶膜太陽電池よりも遥かに高効率の
太陽電池を低コストかつ省資源に貢献しながら製
造することが可能となり、太陽電池の発展普及に
大きく寄与する。
［実施例］
以下に、図面を参照して本発明を詳細に説明す
る。
る。
第１図ＡおよびＢは本発明により製造したヘテ
ロ接合太陽電池の実施例を示し、ここで、１は透
明ガラス基板、７は基板１上に配置したIn2O3、
SnO2等のネサ膜、７′はネサ膜７に取付けた電
極、３はネサ膜７上に堆積させたInP、GaAs等
の化合物半導体層、５はこの化合物半導体層３を
覆うIn、Ga等の単体金属被覆層を示す。５′は層
５の上より取出した電極を示す。起電力は電極
５′と７′との間から取出す。化合物半導体層３が
InPの場合には電極５はInを用い、化合物半導体
層３がGaAsの場合には電極５はGaを用いる。化
合物半導体層３としてInPを用いた場合、この層
３の厚さは約１〜5μｍ程度とし、電極５として
のInの厚さは約10μｍ程度とする。この場合、例
えば、ネサ膜７がｎ型半導体ならば、InPまたは
GaAsがｐ型半導体になるように半導体層３ある
いは単体金属被覆層５中にｐ型のドーパント（不
純物）を混入する。
ロ接合太陽電池の実施例を示し、ここで、１は透
明ガラス基板、７は基板１上に配置したIn2O3、
SnO2等のネサ膜、７′はネサ膜７に取付けた電
極、３はネサ膜７上に堆積させたInP、GaAs等
の化合物半導体層、５はこの化合物半導体層３を
覆うIn、Ga等の単体金属被覆層を示す。５′は層
５の上より取出した電極を示す。起電力は電極
５′と７′との間から取出す。化合物半導体層３が
InPの場合には電極５はInを用い、化合物半導体
層３がGaAsの場合には電極５はGaを用いる。化
合物半導体層３としてInPを用いた場合、この層
３の厚さは約１〜5μｍ程度とし、電極５として
のInの厚さは約10μｍ程度とする。この場合、例
えば、ネサ膜７がｎ型半導体ならば、InPまたは
GaAsがｐ型半導体になるように半導体層３ある
いは単体金属被覆層５中にｐ型のドーパント（不
純物）を混入する。
第１図Ｂのように積層した後、この積層を短時
間にわたりInPの融点近くに昇温して加熱した
後、直ちに室温に戻すことにより、化合物半導体
層３のInPは再結晶化し同時に電極５のIn中に昇
温時に含まれたＰがInと共に再結晶してできた
InP単結晶面上に接触するようになり、いわゆる
InPの液相成長が起こり、電極７のネサ膜と電極
５のInに挟まれたInP単結晶膜が生成される。
間にわたりInPの融点近くに昇温して加熱した
後、直ちに室温に戻すことにより、化合物半導体
層３のInPは再結晶化し同時に電極５のIn中に昇
温時に含まれたＰがInと共に再結晶してできた
InP単結晶面上に接触するようになり、いわゆる
InPの液相成長が起こり、電極７のネサ膜と電極
５のInに挟まれたInP単結晶膜が生成される。
上述の化合物半導体層３および単体金属層５の
蒸着による形成並びに単結晶化処理の一連工程に
おける基板１の温度変化と経過時間との関係の一
例を第３図に示す。まず、基板１の温度を270℃
に保ちながら、いずれも純度6nineのインジウム
Inと赤燐Ｐとをそれぞれ収容した別個の蒸着源ル
ツボからネサ膜７上に分子線蒸着すなわち超高真
空蒸着を行う。その蒸着前の真空度は5.5×
10-9Torr、蒸着時の真空度は燐Ｐの蒸気圧によ
り1.5×10-7Torr程度となつた。なお、インジウ
ムInは700〜800℃、燐Ｐは約300℃でそれぞれ蒸
発した。このようにして厚さ3μｍのInP化合物膜
３の合成被着を行つた後、引続き、ｐ用ルツボの
温度を下げて燐Ｐの蒸発を停止し、In用ルツボか
らのインジウムInのみの蒸着を続行して厚さ約
18μｍのIn被膜５を化合物膜３上に積層する。か
かる積層３，５の形成は、第３図に示したタイム
チヤートにおける区間ｂ−ｃにおいて基板１の温
度を270℃に保つたまま行う。引続いて、基板１
の温度を、一旦、区間ｃ−ｆにて順次に低下させ
た後に、区間ｆ−ｈにおいて、基板１の温度を約
1000℃まで急速に上昇させた後、自然放熱冷却に
より常温に降下させる。化合物InPの融点は1060
℃であるから、かかる1000℃までの温度急上昇の
過程において化合物InPが再結晶し、その結晶粒
が肥大化するとともに、いずれの結晶粒も基板１
の面に平行な（111）面が優位配向となる。その
再結晶に際して、予め蒸着したInP化合物の不純
物が極めて少なければ、結晶粒界を形成する不純
物も極めて少なくなつて結晶粒界はほとんど無く
なるか、極めてわずかに存在するか、のいずれか
となる。
蒸着による形成並びに単結晶化処理の一連工程に
おける基板１の温度変化と経過時間との関係の一
例を第３図に示す。まず、基板１の温度を270℃
に保ちながら、いずれも純度6nineのインジウム
Inと赤燐Ｐとをそれぞれ収容した別個の蒸着源ル
ツボからネサ膜７上に分子線蒸着すなわち超高真
空蒸着を行う。その蒸着前の真空度は5.5×
10-9Torr、蒸着時の真空度は燐Ｐの蒸気圧によ
り1.5×10-7Torr程度となつた。なお、インジウ
ムInは700〜800℃、燐Ｐは約300℃でそれぞれ蒸
発した。このようにして厚さ3μｍのInP化合物膜
３の合成被着を行つた後、引続き、ｐ用ルツボの
温度を下げて燐Ｐの蒸発を停止し、In用ルツボか
らのインジウムInのみの蒸着を続行して厚さ約
18μｍのIn被膜５を化合物膜３上に積層する。か
かる積層３，５の形成は、第３図に示したタイム
チヤートにおける区間ｂ−ｃにおいて基板１の温
度を270℃に保つたまま行う。引続いて、基板１
の温度を、一旦、区間ｃ−ｆにて順次に低下させ
た後に、区間ｆ−ｈにおいて、基板１の温度を約
1000℃まで急速に上昇させた後、自然放熱冷却に
より常温に降下させる。化合物InPの融点は1060
℃であるから、かかる1000℃までの温度急上昇の
過程において化合物InPが再結晶し、その結晶粒
が肥大化するとともに、いずれの結晶粒も基板１
の面に平行な（111）面が優位配向となる。その
再結晶に際して、予め蒸着したInP化合物の不純
物が極めて少なければ、結晶粒界を形成する不純
物も極めて少なくなつて結晶粒界はほとんど無く
なるか、極めてわずかに存在するか、のいずれか
となる。
しかして、InP化合物中に存在する蒸気圧の高
い燐Ｐは解離して脱出しようとするが、表面をIn
被膜によつて蔽われているために脱出し得ず、一
部の燐ＰがインジウムIn中に溶け込む。ついで、
上述したように基板温度が再結晶温度約1000℃に
達した後に、直ちに自然放熱により室温まで低下
させると、その自然冷却過程において前述の再結
晶過程で生成した単結晶乃至単結晶に近い（111）
面優先配向の状態にある下地のInP化合物膜３の
上に、上述のようにして燐Ｐが溶け込んでいるイ
ンジウムInの融液が接触して液相エピタキシヤル
成長が行われるかあるいは再結晶と液相成長が同
時に起るものと考えられる。ここで注意すべき
は、もし再結晶温度1000℃に長時間保持しておれ
ば、InP化合物層３とIn被膜５とが互いに拡散融
合してしまい、所望の成膜が得られなくなるおそ
れがあるので融点近傍の温度保持は極力短時間、
例えば１〜３分程度にとどめる。
い燐Ｐは解離して脱出しようとするが、表面をIn
被膜によつて蔽われているために脱出し得ず、一
部の燐ＰがインジウムIn中に溶け込む。ついで、
上述したように基板温度が再結晶温度約1000℃に
達した後に、直ちに自然放熱により室温まで低下
させると、その自然冷却過程において前述の再結
晶過程で生成した単結晶乃至単結晶に近い（111）
面優先配向の状態にある下地のInP化合物膜３の
上に、上述のようにして燐Ｐが溶け込んでいるイ
ンジウムInの融液が接触して液相エピタキシヤル
成長が行われるかあるいは再結晶と液相成長が同
時に起るものと考えられる。ここで注意すべき
は、もし再結晶温度1000℃に長時間保持しておれ
ば、InP化合物層３とIn被膜５とが互いに拡散融
合してしまい、所望の成膜が得られなくなるおそ
れがあるので融点近傍の温度保持は極力短時間、
例えば１〜３分程度にとどめる。
要するに、本発明における単結晶膜成長の過程
においては、再結晶により単結晶または単結晶に
近い状態にあつて、しかも、基板面に平行な
（111）面優先配向を有するInP化合物膜が種単結
晶膜となつて、その上にInP化合物の液相エピタ
キシヤル成長が行われることにより、単結晶化の
改善促進がなされるものと考えられる。
においては、再結晶により単結晶または単結晶に
近い状態にあつて、しかも、基板面に平行な
（111）面優先配向を有するInP化合物膜が種単結
晶膜となつて、その上にInP化合物の液相エピタ
キシヤル成長が行われることにより、単結晶化の
改善促進がなされるものと考えられる。
さらに電力取出用電極５′および７′をそれぞれ
層５および７に取付けることにより、ヘテロ接合
太陽電池が構成される。太陽光はガラス基板１の
側から照射する。ネサ膜７がInPよりも広い禁制
帯幅を持つていればその窓効果によりさらに高い
効率が得られることは言うまでもない。
層５および７に取付けることにより、ヘテロ接合
太陽電池が構成される。太陽光はガラス基板１の
側から照射する。ネサ膜７がInPよりも広い禁制
帯幅を持つていればその窓効果によりさらに高い
効率が得られることは言うまでもない。
本発明pn接合太陽電池の一例を第２図Ａおよ
びＢに示す。ここで、１は透明ガラス基板、２は
基板１上に配置され、化合物半導体層３に接触す
るオーム性電極から成る櫛形または格子状電極、
３はInPやGaAs等の化合物半導体層、５はIn、
Ga等の単体金属による被膜層を示す。起電力は
電極２に取り付けた電極２′と層５に取り付けた
電極５′との間より取り出す。化合物半導体層３
がInPの場合には層５としてIn、層３がGaAsの
場合には層５としてGaを用いる。層３と層５と
の間にはｐまたはｎ形半導体単結晶膜４を配置す
る。なお、層３がｎ形半導体層の場合、単結晶膜
４としてｐ形半導体層が形成されるように単体金
属被覆層５の生成時に、この層５中にｐ形ドーパ
ント、例えばZn、Mg、Be等を膜４に近い側の層
５内に混入しておく。今、層３としてInPを用い
た場合、例えば化合物半導体層３の厚さは約１〜
5μｍ程度とし、その上に上述したpn接合形成の
ためのドーパントを混入した層をIn層またはInP
層にドーパント混入により構成する。しかる後、
この積層をInPの融点付近まで短時間加熱し、そ
の後自然放冷により常温に戻す。第１図で説明し
たときの原理と全く同様にｎ(p)形半導体単結晶膜
３とｐ(n)形半導体単結晶膜４がガラス基板１およ
び櫛形電極２とIn層５との間に形成される。以上
によりpn接合太陽電池が構成される。
びＢに示す。ここで、１は透明ガラス基板、２は
基板１上に配置され、化合物半導体層３に接触す
るオーム性電極から成る櫛形または格子状電極、
３はInPやGaAs等の化合物半導体層、５はIn、
Ga等の単体金属による被膜層を示す。起電力は
電極２に取り付けた電極２′と層５に取り付けた
電極５′との間より取り出す。化合物半導体層３
がInPの場合には層５としてIn、層３がGaAsの
場合には層５としてGaを用いる。層３と層５と
の間にはｐまたはｎ形半導体単結晶膜４を配置す
る。なお、層３がｎ形半導体層の場合、単結晶膜
４としてｐ形半導体層が形成されるように単体金
属被覆層５の生成時に、この層５中にｐ形ドーパ
ント、例えばZn、Mg、Be等を膜４に近い側の層
５内に混入しておく。今、層３としてInPを用い
た場合、例えば化合物半導体層３の厚さは約１〜
5μｍ程度とし、その上に上述したpn接合形成の
ためのドーパントを混入した層をIn層またはInP
層にドーパント混入により構成する。しかる後、
この積層をInPの融点付近まで短時間加熱し、そ
の後自然放冷により常温に戻す。第１図で説明し
たときの原理と全く同様にｎ(p)形半導体単結晶膜
３とｐ(n)形半導体単結晶膜４がガラス基板１およ
び櫛形電極２とIn層５との間に形成される。以上
によりpn接合太陽電池が構成される。
太陽光はガラス基板１の側から照射される。
更に、例えばこの方法でInPまたはGaAsの単
結晶層３を形成した後にInP単結晶層あるいは
GaAs単結晶層３上に被膜されたそれぞれInある
いはGa層をその融点以上（例えばInでは約200
℃）で拭い取るとか、回転遠心力により脱離除去
するか、あるいはエツチングで除去した後、その
生成単結晶層３の面上に所望単結晶のエピタキシ
ヤル成長を行いながらpn接合、ヘテロ接合、あ
るいはシヨツトキー接合等を構成して単結晶膜太
陽電池を作製することができる。
結晶層３を形成した後にInP単結晶層あるいは
GaAs単結晶層３上に被膜されたそれぞれInある
いはGa層をその融点以上（例えばInでは約200
℃）で拭い取るとか、回転遠心力により脱離除去
するか、あるいはエツチングで除去した後、その
生成単結晶層３の面上に所望単結晶のエピタキシ
ヤル成長を行いながらpn接合、ヘテロ接合、あ
るいはシヨツトキー接合等を構成して単結晶膜太
陽電池を作製することができる。
なお、上述の積層の生成および構成は、蒸着方
法、スパツタ方法、CVD方法等により行い、再
結晶化および液相成長は真空中あるいはAr、N2
等の不活性ガス中で行う。
法、スパツタ方法、CVD方法等により行い、再
結晶化および液相成長は真空中あるいはAr、N2
等の不活性ガス中で行う。
更に、太陽光受光側に反射防止膜を設けて太陽
電池効率向上を図ることができることはいうまで
もない。
電池効率向上を図ることができることはいうまで
もない。
［発明の効果］
以上から明らかなように、本発明によれば、従
来極めて困難とされていた、ガラス、金属、セラ
ミツクス、プラスチツクス等の任意所望の材料の
基板上に単結晶半導体膜を生成し、 しかも比較的大面積の単結晶膜を得ることによ
り、多結晶膜太陽電池よりも遥かに高効率の太陽
電池を低コストかつ省資源に貢献しながら製造す
ることが可能となり、太陽電池の発展普及に大き
く寄与する。
来極めて困難とされていた、ガラス、金属、セラ
ミツクス、プラスチツクス等の任意所望の材料の
基板上に単結晶半導体膜を生成し、 しかも比較的大面積の単結晶膜を得ることによ
り、多結晶膜太陽電池よりも遥かに高効率の太陽
電池を低コストかつ省資源に貢献しながら製造す
ることが可能となり、太陽電池の発展普及に大き
く寄与する。
第１図ＡおよびＢは本発明方法により製造した
ヘテロ接合太陽電池の一実施例を示す、それぞ
れ、上面図および断面図、第２図ＡおよびＢは本
発明方法により製造したpn接合太陽電池の構成
一例を示す、それぞれ、上面図および断面図、第
３図は本発明単結晶半導体膜生成過程実施例にお
ける基板温度変化の一例を示すタイムチヤートで
ある。 １……基板、２……櫛形または格子状電極、３
……化合物半導体層および単結晶化合物ｎ(p)型半
導体層、４……化合物半導体層および単結晶化合
物ｎ(n)型半導体層、５……単体金属被覆層、７…
…ネサ膜、２′，５′，７′……電極。
ヘテロ接合太陽電池の一実施例を示す、それぞ
れ、上面図および断面図、第２図ＡおよびＢは本
発明方法により製造したpn接合太陽電池の構成
一例を示す、それぞれ、上面図および断面図、第
３図は本発明単結晶半導体膜生成過程実施例にお
ける基板温度変化の一例を示すタイムチヤートで
ある。 １……基板、２……櫛形または格子状電極、３
……化合物半導体層および単結晶化合物ｎ(p)型半
導体層、４……化合物半導体層および単結晶化合
物ｎ(n)型半導体層、５……単体金属被覆層、７…
…ネサ膜、２′，５′，７′……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 単結晶基板ではない基板上に、太陽電池の接
合を含む活性層を作るための化合物半導体層を堆
積させる工程と、該化合物半導体層上に当該化合
物半導体を構成する成分の単体金属層を堆積させ
る工程と、該単体金属層で覆われた前記化合物半
導体層をその融点を含む範囲の温度に加熱してか
ら常温にまで冷却して前記単体金属層と基板との
間に前記化合物半導体の単結晶層を形成する工程
とを具えたことを特徴とする太陽電池の製造方
法。 ２ 単結晶基板ではない基板上に、太陽電池の接
合を含む活性層を作るための化合物半導体層を堆
積させる工程と、該化合物半導体層上に当該化合
物半導体を構成する成分の単体金属層を堆積させ
る工程と、該単体金属層で覆われた前記化合物半
導体層をその融点を含む範囲の温度に加熱してか
ら常温にまで冷却して前記単体金属層と基板との
間に前記化合物半導体の単結晶層を形成する工程
と、前記単体金属層が除去された単結晶化合物半
導体層の露出面上に当該単結晶のエピタキシヤル
成長を行いながら接合を作る工程とを具えたこと
を特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225662A JPS6285473A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60225662A JPS6285473A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285473A JPS6285473A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0545072B2 true JPH0545072B2 (ja) | 1993-07-08 |
Family
ID=16832808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60225662A Granted JPS6285473A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285473A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289890A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Nagoya Kogyo Univ | 太陽電池 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5075382A (ja) * | 1973-11-05 | 1975-06-20 | ||
| JPS5117033A (en) * | 1974-07-31 | 1976-02-10 | Masuyuki Naruse | Nenshokino nenshoantei oyobi kakibutono reikyakuhoho |
| IT1048834B (it) * | 1974-11-08 | 1980-12-20 | Western Electric Co | Cella fotovoltaica perfezionata |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP60225662A patent/JPS6285473A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6285473A (ja) | 1987-04-18 |
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