JPH054603B2 - - Google Patents
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- JPH054603B2 JPH054603B2 JP62010281A JP1028187A JPH054603B2 JP H054603 B2 JPH054603 B2 JP H054603B2 JP 62010281 A JP62010281 A JP 62010281A JP 1028187 A JP1028187 A JP 1028187A JP H054603 B2 JPH054603 B2 JP H054603B2
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- JP
- Japan
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- mask
- wafer
- detector
- diffraction grating
- positional deviation
- Prior art date
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- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウエハの位置ずれ検出方法、
特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウエハ
の位置ずれ検出方法に関する。 〔技術環境〕 近年の半導体はDRAMに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μm程度と言われているので、0.5μm以下のパ
ターンに対応できる次世代の露光装置が強く望ま
れている。この次世代の露光装置として、現在、
Ｘ線露光装置が有望視されており、研究・開発が
進められている。 〔従来の技術〕 従来の技術としては、例えば、日経マイクロデ
バイス1986年４月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のＸ線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、、マスク用マークとしてリニア・
フレネル・ゾーン・プレート（LFZP）と呼ばれ
る光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ
用マークとして線状回折格子を用いて行う。この
アライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Science Technology
Vol.16(6)pp.1954−1958.Nov／Dec.1979の
“Optical Alignment System for Submicron
Ｘ−ray Lithography”に報告されている。ここ
でその原理について図面を参照して説明する。 第５図はLFZPを用いたアライメント方法を示
す説明図である。ウエハ１５には回折格子１６が
刻印されていて、ウエハ１５の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク１７が対向している。マス
ク１７には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP１８が描かれている。第６図は
マスク用マークのLFZPの構造を示す平面図であ
る。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞が並んだ構
造になつていて、縞はマークの中心から距離をrn
とすると
特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウエハ
の位置ずれ検出方法に関する。 〔技術環境〕 近年の半導体はDRAMに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μm程度と言われているので、0.5μm以下のパ
ターンに対応できる次世代の露光装置が強く望ま
れている。この次世代の露光装置として、現在、
Ｘ線露光装置が有望視されており、研究・開発が
進められている。 〔従来の技術〕 従来の技術としては、例えば、日経マイクロデ
バイス1986年４月号等に紹介されている米マイク
ロニクス社のＸ線ステツパ「MX−1600」があ
る。「MX−1600」におけるマスクとウエハのア
ライメントは、、マスク用マークとしてリニア・
フレネル・ゾーン・プレート（LFZP）と呼ばれ
る光の回折を利用した集光レンズを用い、ウエハ
用マークとして線状回折格子を用いて行う。この
アライメント方法についてはB.Fayらにより
Journal of Vacuum Science Technology
Vol.16(6)pp.1954−1958.Nov／Dec.1979の
“Optical Alignment System for Submicron
Ｘ−ray Lithography”に報告されている。ここ
でその原理について図面を参照して説明する。 第５図はLFZPを用いたアライメント方法を示
す説明図である。ウエハ１５には回折格子１６が
刻印されていて、ウエハ１５の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク１７が対向している。マス
ク１７には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しいLFZP１８が描かれている。第６図は
マスク用マークのLFZPの構造を示す平面図であ
る。LFZPはいろいろな幅や間隔の縞が並んだ構
造になつていて、縞はマークの中心から距離をrn
とすると
上述した従来のマスクとウエハの位置ずれ検出
方法は、閉ループのサーボ系を構成するために２
枚のレンズと振動ミラーを含む光学系が必要なの
で、装置が複雑になり、小型化が困難になり、高
価になるという欠点があつた。製作する上でも、
光学系の調整が必要であり、工数がかかるという
欠点があつた。 また、検出器からの信号と振動ミラーの駆動信
号を位相検波して位置ずれ信号を得るため、位置
ずれ信号の応答時間は振動ミラーの振動周波数に
よつて制限されてしまうので、応答時間が遅いと
いう欠点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法
は、マスクとウエハを対向して設置し、前記マス
ク上に焦点距離の等しい２個のリニアフレネルゾ
ーンプレートを任意の中心間距離で設け、前記ウ
エハ上にピツチの異なる２種類の線状回折格子を
前記リニアフレネルゾーンプレートの中心間距離
と若干異なる中心間距離で設け、レーザ光を前記
マスク上の前記リニアフレネルゾーンプレートに
照射し、前記ウエハ上の前記線状回折格子からの
反射回折光を２個検出器で検出し、検出器の出力
の差を求めることを含んで構成される。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。 第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出方
法は、マスク１とウエハ２を所定のギヤツプＳだ
け隔てて設置し、前記マスク上に焦点距離がギヤ
ツプＳに等しい第１のLFZP３と第２のLFZP４
を中心間距離Ｄで設け、前記ウエハ上に互いにピ
ツチの異なる第１の回折格子５と第２の回折格子
６を中心間距離Ｄ＋ΔDで設ける。レーザビーム
７を前記マスク１上の前記第１のLFZP３および
第２のLFZP４に照射し、前記ウエハ上の前記第
１の回折格子５からの１次反射回折光を第１の検
出器８で検出し、前記第２の回折格子６からの１
次反射回折光を第２の検出器９で検出し、前記第
１の検出器８および第２の検出器９の出力の差を
求めることを含んで構成される。 第１の回折格子５のピツチR1と第２の回折格
子６のピツチR2は異なるため、それぞれの１次
回折角度θ1およびθ2も異なり、２つの回折光を空
間的に分離することができる。 第２図は第１図に示すマスクとウエハの位置ず
れ検出方法を詳細に説明するための説明図であ
る。マスク１の上方から入射する平行レーザビー
ム７は、前記マスク１上の第１のLFZP３および
第２のLFZP４により集光され、ウエハ２上に２
個のスリツト状の像を作る。この結像したスリツ
トとウエハ２上の第１の回折格子５および第２の
回折格子６が一直線状に重なるとレーザビームは
反射回折され、第１の検出器８および第２の検出
器９によつて検出されるが、２個の結像したスリ
ツトの間隔は第１のLFZP３と第２のLFZP４の
間隔Ｄに等しく、第１の回折格子５と第２の回折
格子６の間隔はＤ＋ΔDであるため、第１の回折
格子５からの回折光と第２の回折格子６からの回
折光は空間的に位相差が生じる。 第３図ａはマスク１とウエハ２のｘ方向の相対
位置と第１の検出器８の出力ａと第２の検出器９
の出力ｂの関係を示すグラフである。横軸はマス
ク１とウエハ２の位置ずれを表わすが、第１の検
出器の出力ａと第２の検出器の出力ｂの波形は
ΔDの位置差が生じ、位置ずれが０になつたとき
に波形が交叉するように設計されている。第３図
ｂは第１の検出器の出力ａと第２の検出器の出力
ｂの差を示すグラフである。Ｓ字状の波形が得ら
れ、位置ずれの０点近傍では直線性が良く、この
信号によりマスク１とウエハ２の位置ずれを検出
でき、閉ループ自動重ね合せが実現できる。位置
ずれの検出範囲は最大でΔDである。 第４図は有効な位置ずれ信号を得るための信号
処理系の一実施例を示すブロツク図である。第４
図に示す信号処理系は第１の回折格子５からの回
折光を検出する第１の検出器８と、第２の回折格
子６からの回折光を検出する第２の検出器９と、
第１の検出器の出力ａを増幅し第１の検出信号ｃ
を発生する第１のアンプ１０と、第２の検出器の
出力ｂを増幅し第２の検出信号ｄを発生する第２
のアンプ１１と、前記第２の検出信号ｄから前記
第１の検出信号ｃを減算し位置ずれ信号ｅを発生
する減算器１２と、前記第１の検出信号ｃと前記
第２の検出信号ｄを加算し参照信号ｆを発生する
加算器１３と、前記位置ずれ信号ｅを前記参照信
号ｆで除算し正規された位置ずれ信号ｇを発生す
る除算器１４とを含んで構成される。第１の検出
器の出力ａおよび第２の検出器の出力ｂのレベル
はマスクとウエハのギヤツプのずれやレジスト等
の影響により変化するが、減算器１２で得られた
位置ずれ信号ｅを除算器１４で正規化しているの
で、位置ずれに対する感度が変化することはな
い。したがつて、本信号処理系によつて得られる
正規化された位置ずれ信号ｇを用いてサーボ系を
構成すれば、ギヤツプのずれやレジスト等の影響
による信号強度の変動によつてサーボゲインが変
化することがないので、安定したサーボが実現で
きる。また、参照信号ｆはハイレベルのとき位置
ずれ検出範囲に入つていることを示している。 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法で
は、第１の検出器の出力ａと第２の検出器の出力
ｂは同じ波形にならなくてはいけないので、第１
のLFZP３と第２のLFZP４は焦点距離が等しい
だけでなく、信号強度を等しくするためにLFZP
の縞の数も等しくしなくてはならない。また、第
１の回折格子５と第２の回折格子６の幅ｗはやは
り等しくして、それぞれのマークの位置ずれ検出
感度を等しくする必要がある。 LFZPの一例として、焦点距離30μm、縞の数
21本、レーザにHe−Neレーザを用いるものを考
えるとマークの幅は42.1μmになる。したがつて、
２個のLFZPの中心間距離ｄは50μm程度あれば
よく、レーザビームの径より十分小さいので、１
本のレーザビームで同時に照射することができ
る。また、２本の回折格子の中心間距離のずれ量
ΔDは、回折格子の幅ｗと同程度にするのが望ま
しい。 第１の回折格子５からの反射回折光と第２の回
折格子６からの反射回折光を空間的に分離するた
めに、回折格子のピツチP1，P2を変えているが、
高次回折光による干渉が起きないように非整数倍
のピツチに設計するのが有効である。 〔発明の効果〕 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法
は、２枚のレンズと振動ミラーを用いレーザビー
ムを走査し位置ずれ信号を得る代りに、２組のア
ライメントマークからの信号の差をとつて位置ず
れ信号とすることにより、２枚のレンズと振動ミ
ラーを含む光学系が不要になるため、装置が簡単
になり、安価になるという効果がある。 また、振動ミラーの周波数に影響されずに、位
置ずれ検出の応答時間を速くできるという効果が
ある。
方法は、閉ループのサーボ系を構成するために２
枚のレンズと振動ミラーを含む光学系が必要なの
で、装置が複雑になり、小型化が困難になり、高
価になるという欠点があつた。製作する上でも、
光学系の調整が必要であり、工数がかかるという
欠点があつた。 また、検出器からの信号と振動ミラーの駆動信
号を位相検波して位置ずれ信号を得るため、位置
ずれ信号の応答時間は振動ミラーの振動周波数に
よつて制限されてしまうので、応答時間が遅いと
いう欠点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法
は、マスクとウエハを対向して設置し、前記マス
ク上に焦点距離の等しい２個のリニアフレネルゾ
ーンプレートを任意の中心間距離で設け、前記ウ
エハ上にピツチの異なる２種類の線状回折格子を
前記リニアフレネルゾーンプレートの中心間距離
と若干異なる中心間距離で設け、レーザ光を前記
マスク上の前記リニアフレネルゾーンプレートに
照射し、前記ウエハ上の前記線状回折格子からの
反射回折光を２個検出器で検出し、検出器の出力
の差を求めることを含んで構成される。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。 第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出方
法は、マスク１とウエハ２を所定のギヤツプＳだ
け隔てて設置し、前記マスク上に焦点距離がギヤ
ツプＳに等しい第１のLFZP３と第２のLFZP４
を中心間距離Ｄで設け、前記ウエハ上に互いにピ
ツチの異なる第１の回折格子５と第２の回折格子
６を中心間距離Ｄ＋ΔDで設ける。レーザビーム
７を前記マスク１上の前記第１のLFZP３および
第２のLFZP４に照射し、前記ウエハ上の前記第
１の回折格子５からの１次反射回折光を第１の検
出器８で検出し、前記第２の回折格子６からの１
次反射回折光を第２の検出器９で検出し、前記第
１の検出器８および第２の検出器９の出力の差を
求めることを含んで構成される。 第１の回折格子５のピツチR1と第２の回折格
子６のピツチR2は異なるため、それぞれの１次
回折角度θ1およびθ2も異なり、２つの回折光を空
間的に分離することができる。 第２図は第１図に示すマスクとウエハの位置ず
れ検出方法を詳細に説明するための説明図であ
る。マスク１の上方から入射する平行レーザビー
ム７は、前記マスク１上の第１のLFZP３および
第２のLFZP４により集光され、ウエハ２上に２
個のスリツト状の像を作る。この結像したスリツ
トとウエハ２上の第１の回折格子５および第２の
回折格子６が一直線状に重なるとレーザビームは
反射回折され、第１の検出器８および第２の検出
器９によつて検出されるが、２個の結像したスリ
ツトの間隔は第１のLFZP３と第２のLFZP４の
間隔Ｄに等しく、第１の回折格子５と第２の回折
格子６の間隔はＤ＋ΔDであるため、第１の回折
格子５からの回折光と第２の回折格子６からの回
折光は空間的に位相差が生じる。 第３図ａはマスク１とウエハ２のｘ方向の相対
位置と第１の検出器８の出力ａと第２の検出器９
の出力ｂの関係を示すグラフである。横軸はマス
ク１とウエハ２の位置ずれを表わすが、第１の検
出器の出力ａと第２の検出器の出力ｂの波形は
ΔDの位置差が生じ、位置ずれが０になつたとき
に波形が交叉するように設計されている。第３図
ｂは第１の検出器の出力ａと第２の検出器の出力
ｂの差を示すグラフである。Ｓ字状の波形が得ら
れ、位置ずれの０点近傍では直線性が良く、この
信号によりマスク１とウエハ２の位置ずれを検出
でき、閉ループ自動重ね合せが実現できる。位置
ずれの検出範囲は最大でΔDである。 第４図は有効な位置ずれ信号を得るための信号
処理系の一実施例を示すブロツク図である。第４
図に示す信号処理系は第１の回折格子５からの回
折光を検出する第１の検出器８と、第２の回折格
子６からの回折光を検出する第２の検出器９と、
第１の検出器の出力ａを増幅し第１の検出信号ｃ
を発生する第１のアンプ１０と、第２の検出器の
出力ｂを増幅し第２の検出信号ｄを発生する第２
のアンプ１１と、前記第２の検出信号ｄから前記
第１の検出信号ｃを減算し位置ずれ信号ｅを発生
する減算器１２と、前記第１の検出信号ｃと前記
第２の検出信号ｄを加算し参照信号ｆを発生する
加算器１３と、前記位置ずれ信号ｅを前記参照信
号ｆで除算し正規された位置ずれ信号ｇを発生す
る除算器１４とを含んで構成される。第１の検出
器の出力ａおよび第２の検出器の出力ｂのレベル
はマスクとウエハのギヤツプのずれやレジスト等
の影響により変化するが、減算器１２で得られた
位置ずれ信号ｅを除算器１４で正規化しているの
で、位置ずれに対する感度が変化することはな
い。したがつて、本信号処理系によつて得られる
正規化された位置ずれ信号ｇを用いてサーボ系を
構成すれば、ギヤツプのずれやレジスト等の影響
による信号強度の変動によつてサーボゲインが変
化することがないので、安定したサーボが実現で
きる。また、参照信号ｆはハイレベルのとき位置
ずれ検出範囲に入つていることを示している。 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法で
は、第１の検出器の出力ａと第２の検出器の出力
ｂは同じ波形にならなくてはいけないので、第１
のLFZP３と第２のLFZP４は焦点距離が等しい
だけでなく、信号強度を等しくするためにLFZP
の縞の数も等しくしなくてはならない。また、第
１の回折格子５と第２の回折格子６の幅ｗはやは
り等しくして、それぞれのマークの位置ずれ検出
感度を等しくする必要がある。 LFZPの一例として、焦点距離30μm、縞の数
21本、レーザにHe−Neレーザを用いるものを考
えるとマークの幅は42.1μmになる。したがつて、
２個のLFZPの中心間距離ｄは50μm程度あれば
よく、レーザビームの径より十分小さいので、１
本のレーザビームで同時に照射することができ
る。また、２本の回折格子の中心間距離のずれ量
ΔDは、回折格子の幅ｗと同程度にするのが望ま
しい。 第１の回折格子５からの反射回折光と第２の回
折格子６からの反射回折光を空間的に分離するた
めに、回折格子のピツチP1，P2を変えているが、
高次回折光による干渉が起きないように非整数倍
のピツチに設計するのが有効である。 〔発明の効果〕 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法
は、２枚のレンズと振動ミラーを用いレーザビー
ムを走査し位置ずれ信号を得る代りに、２組のア
ライメントマークからの信号の差をとつて位置ず
れ信号とすることにより、２枚のレンズと振動ミ
ラーを含む光学系が不要になるため、装置が簡単
になり、安価になるという効果がある。 また、振動ミラーの周波数に影響されずに、位
置ずれ検出の応答時間を速くできるという効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図は第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出
方法を示す説明図、第３図ａは位置ずれ量と検出
器の出力の関係を示すグラフ、第３図ｂは位置ず
れ信号を示すグラフ、第４図は第１図に示すマス
クとウエハの位置ずれ検出方法のための信号処理
系を示すブロツク図、第５図は従来のアライメン
ト方法を示す説明図、第６図はLFZPの構造を示
す平面図、第７図は回折格子の構造を示す平面
図、第８図は従来のアライメント方法を用いた自
動重ね合せ装置を示す斜視図である。 １，１７……マスク、２，１５……ウエハ、３
……第１のLFZP、４……第２のLFZP、５……
第１の回折格子、６……第２の回折格子、７，１
９……レーザビーム、８……第１の検出器、９…
…第２の検出器、１０……第１のアンプ、１１…
…第２のアンプ、１２……減算器、１３……加算
器、１４……除算器、１６……回折格子、１８…
…LFZP、２０……ステージ、２１……圧電変換
器、２２……レーザ光源、２３……第１のレン
ズ、２４……ジエネレータ、２５……モータ、２
６……振動ミラー、２７……第２のレンズ、２８
……検出器、２９……位相検波器、３０……電力
源、ａ……第１の検出器の出力、ｂ……第２の検
出器の出力、ｃ……第１の検出信号、ｄ……第２
の検出信号、ｅ……位置ずれ信号、ｆ……参照信
号、ｇ……正規化された位置ずれ信号。
図は第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出
方法を示す説明図、第３図ａは位置ずれ量と検出
器の出力の関係を示すグラフ、第３図ｂは位置ず
れ信号を示すグラフ、第４図は第１図に示すマス
クとウエハの位置ずれ検出方法のための信号処理
系を示すブロツク図、第５図は従来のアライメン
ト方法を示す説明図、第６図はLFZPの構造を示
す平面図、第７図は回折格子の構造を示す平面
図、第８図は従来のアライメント方法を用いた自
動重ね合せ装置を示す斜視図である。 １，１７……マスク、２，１５……ウエハ、３
……第１のLFZP、４……第２のLFZP、５……
第１の回折格子、６……第２の回折格子、７，１
９……レーザビーム、８……第１の検出器、９…
…第２の検出器、１０……第１のアンプ、１１…
…第２のアンプ、１２……減算器、１３……加算
器、１４……除算器、１６……回折格子、１８…
…LFZP、２０……ステージ、２１……圧電変換
器、２２……レーザ光源、２３……第１のレン
ズ、２４……ジエネレータ、２５……モータ、２
６……振動ミラー、２７……第２のレンズ、２８
……検出器、２９……位相検波器、３０……電力
源、ａ……第１の検出器の出力、ｂ……第２の検
出器の出力、ｃ……第１の検出信号、ｄ……第２
の検出信号、ｅ……位置ずれ信号、ｆ……参照信
号、ｇ……正規化された位置ずれ信号。
Claims (1)
- １ マスクとウエハを対向して設置し、前記マス
ク上に焦点距離の等しい２個のリニアフレネルゾ
ーンプレートを任意の中心間距離で設け、前記ウ
エハ上にピツチの異なる２種類の線状回折格子を
前記リニアフレネルゾーンプレートの中心間距離
と若干異なる中心間距離で設け、レーザ光を前記
マスク上の前記リニアフレネルゾーンプレートに
照射し、前記ウエハの前記線状回折格子からの反
射回折光を２個検出器で検出し、前記検出器の出
力差を求めることを特徴とするマスクとウエハの
位置ずれ検出方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010281A JPS63177004A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | マスクとウエハの位置ずれ検出方法 |
| US07/145,355 US4815854A (en) | 1987-01-19 | 1988-01-19 | Method of alignment between mask and semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62010281A JPS63177004A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | マスクとウエハの位置ずれ検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177004A JPS63177004A (ja) | 1988-07-21 |
| JPH054603B2 true JPH054603B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=11745926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62010281A Granted JPS63177004A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | マスクとウエハの位置ずれ検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63177004A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01285803A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-16 | Fujitsu Ltd | フレネル・ゾーン・プレートおよびそれを用いる位置合せ方法 |
| US5104223A (en) * | 1990-02-05 | 1992-04-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Optical interferometric sensor detected intensity noise reduction means |
| JPH10166460A (ja) * | 1996-12-06 | 1998-06-23 | Toyota Motor Corp | 積層造形方法及び積層造形装置 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP62010281A patent/JPS63177004A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63177004A (ja) | 1988-07-21 |
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