JPH054604B2 - - Google Patents
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- JPH054604B2 JPH054604B2 JP62221538A JP22153887A JPH054604B2 JP H054604 B2 JPH054604 B2 JP H054604B2 JP 62221538 A JP62221538 A JP 62221538A JP 22153887 A JP22153887 A JP 22153887A JP H054604 B2 JPH054604 B2 JP H054604B2
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- Japan
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- wafer
- mask
- diffraction grating
- positional deviation
- detector
- Prior art date
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウエハの位置ずれ検出方法、
特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウエハ
の位置ずれ検出方法に関する。 〔技術環境〕 近年の半導体はDRAMに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μm程度と言まれているので、0.5μm以下のパ
ターンに対応できる次世代の露光装置が強く望ま
れている。この次世代の露光装置として、現在、
Ｘ線露光装置が有望視されており、研究・開発が
進められている。 〔従来の技術〕 従来の技術としては、例えば特公昭55−43598
号公報に示されているようにリニアフレネルゾー
ンプレート（LFZP）を用いた光学的整列方法が
ある。 従来のマスクとウエハのアライメント方法はマ
スク用マークとしてLFZPと呼ばれる光の回折を
利用した集光レンズを用い、ウエハ用マークとし
て線状回折格子を用いて行う。この位置ずれ検出
法についてはB.Fay等によりJournal of
Vacuum Science Technology Vol.16(6)pp1954
−1958Nov／Dec1979の“Optical Alignment
System for Submicron Ｘ−ray Lithography”
に報告されている。ここでその原理について図面
を参照して説明する。 第５図はLFZPを用いたアライメント方法を示
す説明図である。ウエハ１４には回折格子１５が
刻印されていて、ウエハ１４の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク１６が対向している。マス
ク１６には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しく設計されたLFZP１７が描かれてい
る。第６図ａはマスク用マークのLFZPの構造を
示す平面図である。LFZPはいろいろな幅や間隔
の縞が並んだ構造になつていて、縞はマークの中
心からの距離をrnとすると
特に、Ｘ線露光装置に適用しうるマスクとウエハ
の位置ずれ検出方法に関する。 〔技術環境〕 近年の半導体はDRAMに代表されるように高
集積化が進む傾向にあり、超LSIのパターンの最
小線幅もミクロンからサブミクロンの領域へ突入
しようとしている。このような状況において、従
来の紫外線のｇ線、ｉ線を用いた光学式の半導体
露光装置では、光の波長による解像度の限界が
0.5μm程度と言まれているので、0.5μm以下のパ
ターンに対応できる次世代の露光装置が強く望ま
れている。この次世代の露光装置として、現在、
Ｘ線露光装置が有望視されており、研究・開発が
進められている。 〔従来の技術〕 従来の技術としては、例えば特公昭55−43598
号公報に示されているようにリニアフレネルゾー
ンプレート（LFZP）を用いた光学的整列方法が
ある。 従来のマスクとウエハのアライメント方法はマ
スク用マークとしてLFZPと呼ばれる光の回折を
利用した集光レンズを用い、ウエハ用マークとし
て線状回折格子を用いて行う。この位置ずれ検出
法についてはB.Fay等によりJournal of
Vacuum Science Technology Vol.16(6)pp1954
−1958Nov／Dec1979の“Optical Alignment
System for Submicron Ｘ−ray Lithography”
に報告されている。ここでその原理について図面
を参照して説明する。 第５図はLFZPを用いたアライメント方法を示
す説明図である。ウエハ１４には回折格子１５が
刻印されていて、ウエハ１４の上には所定のギヤ
ツプだけ離れてマスク１６が対向している。マス
ク１６には焦点距離がマスクとウエハのギヤツプ
量に等しく設計されたLFZP１７が描かれてい
る。第６図ａはマスク用マークのLFZPの構造を
示す平面図である。LFZPはいろいろな幅や間隔
の縞が並んだ構造になつていて、縞はマークの中
心からの距離をrnとすると
上述した従来のマスクとウエハの位置ずれ検出
方法は、２枚のレンズと振動ミラーを含む光学系
が必要なので、装置が複雑になり、小型化が困難
になり、高価になるという欠点があつた。 また、検出器からの信号と振動ミラーの駆動信
号を位相検波して位置ずれ信号を得るため、位置
ずれ信号のサンプリング周波数は振動ミラーの周
波数によつて決まつてしまうので、サンプリング
周波数が低いという欠点があつた。 さらに、位置ずれ検出範囲が高々2μm程度と狭
いので、プリアライメントの負担が大きくなると
いう欠点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のマスクとウエハの位置すれ検出方法は
マスクとウエハを対向して設置し、前記マスク上
にリニアフレネルゾーンプレートを設け、前記ウ
エハ上に互いにピツチの異なる２個の幅の広い回
折格子を隣接して設け、レーザ光を前記マスク上
の前記リニアフレネルゾーンプレートに照射し、
前記ウエハ上の前記回折格子からの反射回折光を
２個の検出器で検出し、前記検出器の出力の差を
求めることを含んで構成される。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。 第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出方
法は、マスク１とウエハ２を所定のギヤツプＳだ
け隔てて設置し、前記マスク１上に焦点距離がギ
ヤツプＳに等しいLFZP３を設け、前記ウエハ上
に互いにピツチが異なり幅ｗの広い第１の回折格
子５を軸ｘの方向に隣接して設け、レーザビーム
６を前記マスク１上の前記LFZP３に照射し、前
記ウエハ２上の前記第１の回折格子４からの１次
反射回折光を第１の検出器７で検出し、前記第２
の回折格子５からの１次反射回折光を第２の検出
器８で検出し、前記第１の検出器７および第２の
検出器８の出力の差を求めることを含んで構成さ
れる。ピツチＰの回折格子による回折角度θはθ
＝sin-1（nλ／Ｐ）（ｎ＝±１，±２，……）で表わ
される。したがつて、第１の回折格子４のピツチ
P1と第２の回折格子のピツチP2は異なるため、
それぞれの１次回折角度θ1およびθ2も異なり、２
つの反射回折光は空間的に分離される。 第２図は第１図に示すマスクとウエハの位置ず
れ検出方法に用いるアライメントマークを示す平
面図である。第２図ａはマスク用マークのLFZP
３であり、焦点距離はマスク１とウエハ２のギヤ
ツプＳに等しく設計されている。第２図ｂはウエ
ハ用マークの第１の回折格子４および第２の回折
格子であり、それぞれの長さはLFZP３の長さｌ
に等しく、回折格子の幅ｗはLFZP３の幅の半分
程度、したがつて数10μmであり、ピツチはP1お
よびP2である。図においては第１の回折格子４
および第２の回折格子５は接しているが、微小距
離だけ離れていても有効である。 第３図は第１図に示すマスクとウエハの位置ず
れ検出方法における信号処理系を示すブロツク図
である。ウエハ２上の第１の回折格子４からの１
次反射回折光を検出する第１の検出器７と、ウエ
ハ２上の第２の回折格子５からの１次反射回折光
を検出する第２の検出器８と、前記第１の検出器
７の出力ａを増幅し第１のセンスｃを発生する第
１のアンプ９と、前記第２の検出器８の出力ｂを
増幅し第２のセンス信号ｄを発生する第２のアン
プ１０と、前記第２のセンス信号ｄから前記第１
のセンス信号ｃを減算し位置ずれ信号ｅを発生す
る減算器１１と、前記第１のセンス信号ｃと前記
第２のセンス信号ｄを加算し参照信号ｆを発生す
る加算器１２と、前記位置ずれ信号ｅを前記参照
信号ｆで除算し正規化された位置ずれ信号ｇを発
生する除算器１３とを含んで構成される。 第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出方
法は軸ｘの方向の位置ずれを検出するものであ
る。第４図ａはマスク１とウエハ２の軸ｘの方向
の位置ずれと第１の検出器７の出力ａと第２の検
出器８の出力ｂの関係を示すグラフである。
LFZP３により結像されたスリツトが第１の回折
格子４上にあるときはウエハ２からの１次反射回
折光は第１の検出器７によつて検出され、LFZP
３により結像されたスリツトが第２の回折格子５
上にあるときはウエハ２からの１次反射回折光は
第２の検出器８によつて検出される。したがつ
て、第４図ａにおける第１の検出器７の出力ａお
よび第２の検出器８の出力ｂの波形はほぼ回折格
子の幅ｗをもつてあらわれる。これらの信号を増
幅し差を求めることによつて位置ずれ信号ｅを得
る。第４図ｂは位置ずれ信号を示すグラフであ
る。LFZP３によつて結像されたスリツトが第１
の回折格子４と第２の回折格子５の境界にあると
き位置ずれ信号ｅは０となり、マスク１とウエハ
２が正しく重なつたことを示している。０点近傍
での直接性は良い。また、位置ずれ信号ｅは±ｗ
の範囲で得られているので、この信号を用いてサ
ーボ系を構成すれば初期位置ずれ量が±ｗ以内で
あるならば０点への引き込みが可能である。たと
えば回折格子の幅ｗを20μmで設計すれば、プリ
アライメント精度は40μm程度あればアライメン
トサーボによる自動重ね合せが可能である。この
程度の精度はオリエンテーシヨン・フラツトを基
準とした機械的な精度だけで実現できる。回折格
子の幅ｗを広くするほど位置ずれ検出範囲も広が
るが、マークの占有面積は小さいほうが望ましい
ので、第１の回折格子４および第２の回折格子５
を合わせた面積がLFZP３の面積に等しくなる程
度が適当である。 第１の検出器の出力ａおよび第２の検出器の出
力ｂの信号強度はマスク１とウエハ２のギヤツプ
ずれはレジスト等の影響により変化するが、位置
ずれ信号ｅを除算器１３で正規化しているので正
規化された位置ずれ信号ｇに関しては位置ずれに
対する感度が変化することはない。したがつて、
本信号処理系によつて得られる正規化された位置
ずれ信号ｇを用いてサーボ系を構成すれば、ギヤ
ツプすれやレジスタ等の影響による信号強度の変
動によつてサーボゲインが変化することがないの
で、安定したサーボが実現できる。 本実施例では検出器として２個の独立した検出
器を用いているが２分割検出器を用いるとそれぞ
れの検出器の特性が揃うのでさらに良い。 〔発明の効果〕 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法
は、２枚のレンズと振動ミラーを用いてレーザビ
ームを走査して位置ずれ信号を得る代りに、隣接
した２個の回折格子からの信号の差をとつて位置
ずれ信号とすることにより、２枚のレンズと振動
ミラーを含む光学系が不要になるため、装置が簡
単になり、安価になるという効果がある。 また、振動ミラーの周波数に左右されずに位置
ずれ検出信号のサンプリング周波数を上げること
ができるという効果がある。 さらに、幅の広い回折格子を用いることができ
るため、位置ずれ検出範囲を広くできるので、プ
リアライメントが不要になるため、装置が簡単に
なり、スループツトが向上する。
方法は、２枚のレンズと振動ミラーを含む光学系
が必要なので、装置が複雑になり、小型化が困難
になり、高価になるという欠点があつた。 また、検出器からの信号と振動ミラーの駆動信
号を位相検波して位置ずれ信号を得るため、位置
ずれ信号のサンプリング周波数は振動ミラーの周
波数によつて決まつてしまうので、サンプリング
周波数が低いという欠点があつた。 さらに、位置ずれ検出範囲が高々2μm程度と狭
いので、プリアライメントの負担が大きくなると
いう欠点があつた。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のマスクとウエハの位置すれ検出方法は
マスクとウエハを対向して設置し、前記マスク上
にリニアフレネルゾーンプレートを設け、前記ウ
エハ上に互いにピツチの異なる２個の幅の広い回
折格子を隣接して設け、レーザ光を前記マスク上
の前記リニアフレネルゾーンプレートに照射し、
前記ウエハ上の前記回折格子からの反射回折光を
２個の検出器で検出し、前記検出器の出力の差を
求めることを含んで構成される。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例について、図面を参照し
て詳細に説明する。 第１図は本発明の一実施例を示す斜視図であ
る。 第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出方
法は、マスク１とウエハ２を所定のギヤツプＳだ
け隔てて設置し、前記マスク１上に焦点距離がギ
ヤツプＳに等しいLFZP３を設け、前記ウエハ上
に互いにピツチが異なり幅ｗの広い第１の回折格
子５を軸ｘの方向に隣接して設け、レーザビーム
６を前記マスク１上の前記LFZP３に照射し、前
記ウエハ２上の前記第１の回折格子４からの１次
反射回折光を第１の検出器７で検出し、前記第２
の回折格子５からの１次反射回折光を第２の検出
器８で検出し、前記第１の検出器７および第２の
検出器８の出力の差を求めることを含んで構成さ
れる。ピツチＰの回折格子による回折角度θはθ
＝sin-1（nλ／Ｐ）（ｎ＝±１，±２，……）で表わ
される。したがつて、第１の回折格子４のピツチ
P1と第２の回折格子のピツチP2は異なるため、
それぞれの１次回折角度θ1およびθ2も異なり、２
つの反射回折光は空間的に分離される。 第２図は第１図に示すマスクとウエハの位置ず
れ検出方法に用いるアライメントマークを示す平
面図である。第２図ａはマスク用マークのLFZP
３であり、焦点距離はマスク１とウエハ２のギヤ
ツプＳに等しく設計されている。第２図ｂはウエ
ハ用マークの第１の回折格子４および第２の回折
格子であり、それぞれの長さはLFZP３の長さｌ
に等しく、回折格子の幅ｗはLFZP３の幅の半分
程度、したがつて数10μmであり、ピツチはP1お
よびP2である。図においては第１の回折格子４
および第２の回折格子５は接しているが、微小距
離だけ離れていても有効である。 第３図は第１図に示すマスクとウエハの位置ず
れ検出方法における信号処理系を示すブロツク図
である。ウエハ２上の第１の回折格子４からの１
次反射回折光を検出する第１の検出器７と、ウエ
ハ２上の第２の回折格子５からの１次反射回折光
を検出する第２の検出器８と、前記第１の検出器
７の出力ａを増幅し第１のセンスｃを発生する第
１のアンプ９と、前記第２の検出器８の出力ｂを
増幅し第２のセンス信号ｄを発生する第２のアン
プ１０と、前記第２のセンス信号ｄから前記第１
のセンス信号ｃを減算し位置ずれ信号ｅを発生す
る減算器１１と、前記第１のセンス信号ｃと前記
第２のセンス信号ｄを加算し参照信号ｆを発生す
る加算器１２と、前記位置ずれ信号ｅを前記参照
信号ｆで除算し正規化された位置ずれ信号ｇを発
生する除算器１３とを含んで構成される。 第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検出方
法は軸ｘの方向の位置ずれを検出するものであ
る。第４図ａはマスク１とウエハ２の軸ｘの方向
の位置ずれと第１の検出器７の出力ａと第２の検
出器８の出力ｂの関係を示すグラフである。
LFZP３により結像されたスリツトが第１の回折
格子４上にあるときはウエハ２からの１次反射回
折光は第１の検出器７によつて検出され、LFZP
３により結像されたスリツトが第２の回折格子５
上にあるときはウエハ２からの１次反射回折光は
第２の検出器８によつて検出される。したがつ
て、第４図ａにおける第１の検出器７の出力ａお
よび第２の検出器８の出力ｂの波形はほぼ回折格
子の幅ｗをもつてあらわれる。これらの信号を増
幅し差を求めることによつて位置ずれ信号ｅを得
る。第４図ｂは位置ずれ信号を示すグラフであ
る。LFZP３によつて結像されたスリツトが第１
の回折格子４と第２の回折格子５の境界にあると
き位置ずれ信号ｅは０となり、マスク１とウエハ
２が正しく重なつたことを示している。０点近傍
での直接性は良い。また、位置ずれ信号ｅは±ｗ
の範囲で得られているので、この信号を用いてサ
ーボ系を構成すれば初期位置ずれ量が±ｗ以内で
あるならば０点への引き込みが可能である。たと
えば回折格子の幅ｗを20μmで設計すれば、プリ
アライメント精度は40μm程度あればアライメン
トサーボによる自動重ね合せが可能である。この
程度の精度はオリエンテーシヨン・フラツトを基
準とした機械的な精度だけで実現できる。回折格
子の幅ｗを広くするほど位置ずれ検出範囲も広が
るが、マークの占有面積は小さいほうが望ましい
ので、第１の回折格子４および第２の回折格子５
を合わせた面積がLFZP３の面積に等しくなる程
度が適当である。 第１の検出器の出力ａおよび第２の検出器の出
力ｂの信号強度はマスク１とウエハ２のギヤツプ
ずれはレジスト等の影響により変化するが、位置
ずれ信号ｅを除算器１３で正規化しているので正
規化された位置ずれ信号ｇに関しては位置ずれに
対する感度が変化することはない。したがつて、
本信号処理系によつて得られる正規化された位置
ずれ信号ｇを用いてサーボ系を構成すれば、ギヤ
ツプすれやレジスタ等の影響による信号強度の変
動によつてサーボゲインが変化することがないの
で、安定したサーボが実現できる。 本実施例では検出器として２個の独立した検出
器を用いているが２分割検出器を用いるとそれぞ
れの検出器の特性が揃うのでさらに良い。 〔発明の効果〕 本発明のマスクとウエハの位置ずれ検出方法
は、２枚のレンズと振動ミラーを用いてレーザビ
ームを走査して位置ずれ信号を得る代りに、隣接
した２個の回折格子からの信号の差をとつて位置
ずれ信号とすることにより、２枚のレンズと振動
ミラーを含む光学系が不要になるため、装置が簡
単になり、安価になるという効果がある。 また、振動ミラーの周波数に左右されずに位置
ずれ検出信号のサンプリング周波数を上げること
ができるという効果がある。 さらに、幅の広い回折格子を用いることができ
るため、位置ずれ検出範囲を広くできるので、プ
リアライメントが不要になるため、装置が簡単に
なり、スループツトが向上する。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２
図ａは第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検
出方法に用いるマスク用マークであるLFZPの構
造を示す平面図、第２図ｂは第１図に示すマスク
とウエハの位置ずれ検出方法に用いるウエハ用マ
ークである回折格子の構造を示す平面図、第３図
は信号処理系を示すブロツク図、第４図ａは位置
ずれ量と検出器の出力の関係を示すグラフ、第４
図ｂは位置ずれ信号を示すグラフ、第５図は従来
のアライメント方法を示す説明図、第６図ａは
LFZPの構造を示す平面図、第６図ｂは回折格子
の構造を示す平面図、第７図は従来のアライメン
ト方法を用いた自動重ね合せ装置を示す斜視図で
ある。 １，１６……マスク、２，１４……ウエハ、
３，１７……LFZP、４……第１の回折格子、５
……第２の回折格子、６，１８……レーザビー
ム、７……第１の検出器、８……第２の検出器、
１１……減算器、１２……加算器、１３……除算
器、２２……第１のレンズ、２３……ジエネレー
タ、２５……振動ミラー、２６……第２のレン
ズ、２８……位相検波器。
図ａは第１図に示すマスクとウエハの位置ずれ検
出方法に用いるマスク用マークであるLFZPの構
造を示す平面図、第２図ｂは第１図に示すマスク
とウエハの位置ずれ検出方法に用いるウエハ用マ
ークである回折格子の構造を示す平面図、第３図
は信号処理系を示すブロツク図、第４図ａは位置
ずれ量と検出器の出力の関係を示すグラフ、第４
図ｂは位置ずれ信号を示すグラフ、第５図は従来
のアライメント方法を示す説明図、第６図ａは
LFZPの構造を示す平面図、第６図ｂは回折格子
の構造を示す平面図、第７図は従来のアライメン
ト方法を用いた自動重ね合せ装置を示す斜視図で
ある。 １，１６……マスク、２，１４……ウエハ、
３，１７……LFZP、４……第１の回折格子、５
……第２の回折格子、６，１８……レーザビー
ム、７……第１の検出器、８……第２の検出器、
１１……減算器、１２……加算器、１３……除算
器、２２……第１のレンズ、２３……ジエネレー
タ、２５……振動ミラー、２６……第２のレン
ズ、２８……位相検波器。
Claims (1)
- １ マスクとウエハを対向して設置し、前記マス
ク上にリニアフレネルゾーンプレートを設け、前
記ウエハに互いにピツチの異なる２個の幅の広い
回折格子を隣接して設け、レーザ光を前記マスク
上の前記リニアフレネルゾーンプレートに照射
し、前記ウエハ上の前記回折格子からの反射回折
光を２個の検出器で検出し、前記検出器の出力の
差を求めること含むことを特徴とするマスクとウ
エハの位置ずれ検出方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62221538A JPS6463802A (en) | 1987-09-03 | 1987-09-03 | Detecting method for positional slippage of mask and wafer |
| US07/145,355 US4815854A (en) | 1987-01-19 | 1988-01-19 | Method of alignment between mask and semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62221538A JPS6463802A (en) | 1987-09-03 | 1987-09-03 | Detecting method for positional slippage of mask and wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6463802A JPS6463802A (en) | 1989-03-09 |
| JPH054604B2 true JPH054604B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=16768288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62221538A Granted JPS6463802A (en) | 1987-01-19 | 1987-09-03 | Detecting method for positional slippage of mask and wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6463802A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002151999A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Nec Corp | 弾性表面波フィルタ装置および弾性表面波フィルタを収容するためのパッケージ |
-
1987
- 1987-09-03 JP JP62221538A patent/JPS6463802A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6463802A (en) | 1989-03-09 |
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